【課題】電源インピーダンスを低くすることや、インピーダンスマッチングをとることが容易な無機材料を用いた配線基板、及び前記配線基板上に半導体チップを搭載した半導体パッケージを提供すること。
【解決手段】本配線基板は、無機材料からなる基板本体と、前記基板本体を厚さ方向に貫通する平板状の第１電極と、前記基板本体を厚さ方向に貫通する平板状の第２電極と、を有し、前記第１電極と前記第２電極とは所定の間隔を隔てて対向し、前記第１電極と前記第２電極との間には、前記基板本体を前記厚さ方向に貫通する信号電極が設けられ、前記第１電極と前記第２電極の何れか一方はグランド電極であり、他方は電源電極である。 （もっと読む）

【課題】より簡便に樹脂突起に形成された凹部の深さ（樹脂の除去量）を検査することができる半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、第１の面を有する半導体基板と、前記第１の面に位置する第１電極及び第２電極と、前記第１の面に位置する第１樹脂突起及び第２樹脂突起と、前記第１樹脂突起の第１の部分を覆い、前記第１電極に接続された第１配線と、前記第１樹脂突起の第２の部分を覆い、前記第２電極に接続された第２配線と、を有する構造体を用意する第１工程と、前記第１樹脂突起の前記第１の部分と前記第２の部分の間の第３の部分の一部と、前記第２樹脂突起の少なくとも一部と、を同時にエッチングする第２工程と、前記第２工程後の前記第２樹脂突起の形状から、前記第２工程のエッチングにおける前記第３の部分の除去量が適正であるかを判断する第３工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】小型，薄型タイプの半導体装置において、実装時の電極導通の信頼性向上を図るとともに、合わせて量産性にも配慮した半導体装置並びにその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体素子Ｓが搭載されるアイランド部２ａと、１以上の電極部２ｂとを有し、上記アイランド部２ａ上に搭載した半導体素子Ｓと上記電極部２ｂとの間を電気的に接続した後樹脂封止して、アイランド部２ａと電極部２ｂのそれぞれ裏面が樹脂層４の底面と同一平面で露出して構成される半導体装置において、上記アイランド部２ａおよび電極部２ｂはそれぞれ電鋳により、裏面側の実装用金属薄膜１１とこの上面に一体に積層されるリード層１２の少なくとも二層構造とすることで、後工程で別途実装用のメッキを電極部露出面に形成する必要も無く、実装時の電極導通性，信頼性の向上を図ったものである。 （もっと読む）

【課題】接続信頼性が高く、狭ピッチの接続端子を形成可能な配線基板を提供する。
【解決手段】配線基板１は、無機材料からなる基板本体１１に形成された配線パターン１２と、前記配線パターンと電気的に接続され、半導体チップが搭載される外部接続端子１５と、を備えた無機基板１０と、絶縁層３１、３３、３５と配線層３２、３４、３６が積層された有機基板３０と、熱膨張係数が前記無機基板よりも大きく前記有機基板よりも小さい材料からなる応力緩和層２１と、前記応力緩和層を貫通する貫通配線２２と、を備えた接合層２０と、を有し、前記無機基板は、前記有機基板上に前記接合層を介して積層され、前記無機基板の配線パターンと前記有機基板の配線層とは、前記貫通配線を介して電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】接続端子の狭ピッチ化を図ることのできる配線基板及びその製造方法、及び半導体装置を提供する。
【解決手段】配線基板１１の表面となる第１の主面と、前記第１の主面とは反対側に位置する第２の主面とを備えた第１の絶縁層１４と、前記第１の絶縁層を前記第１の主面側から前記第２の主面側に貫通して設けられた開口部１４Ａと、前記開口部内から前記開口部の壁面を経由して前記第２の主面上に延出して設けられ、一体に形成された導体層と、前記導体層を被覆して前記第２の主面に設けられた第２の絶縁層２１と、前記第２の絶縁層に設けられたビア２４と、を有し、前記開口部内に設けられた前記導体層の、前記第１の主面に露出する部分が、接続端子１５となり、前記導体層の、前記開口部の壁面を経由して前記第２の主面上に延出して設けられた部分が、配線パターン１６となり、前記ビアが、前記第２の主面上に延出した前記配線パターンに接続されている。 （もっと読む）

【課題】絶縁破壊が発生しにくい半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】集積回路１３と電気的に接続する電極１４が位置する半導体基板１０を用意する。半導体基板の前記第１の面１１とは反対側の第２の面１２において等方性エッチングを行い、第１内壁面を有する第１凹部を形成する。第１凹部内から前記半導体基板を貫通して電極に至り、第２内壁面２２ａを有する第２凹部を形成する。第２の面と第１内壁面によって形成された第１の角部、及び第１内壁面と第２内壁面によって形成された第２の角部を除去するエッチバック処理を行い、第２の面と第２内壁面とを連続する第１内壁面を形成する。角部を除去した後、少なくとも第１内壁面、及び第２内壁面を覆うように、電極とオーバーラップする位置に開口部６５を有する絶縁層３０を形成する。絶縁層を介して第２凹部内に充填され、電極と接続し、かつ第２の面から突出する導電部４０を形成する。 （もっと読む）

【課題】大電流用および小電流用の導電パターンを形成しても、工程を複雑にせず、かつファインパターン化が可能な実装基板および実装基板を用いた回路装置を提供する。
【解決手段】絶縁樹脂から成るコア層５２と、コア層５２の表側に設けられた第１の導電パターン５３と、コア層５２の裏側に設けられた第２の導電パターン５４と、第１の導電パターン５３の中の大電流用の第１の電極６４と第１の電極６４と対応して設けられた第２の導電パターン５４の外部電極７３との間に設けられたＶｉａ７２とを有し、第１の導電パターン５３と第２の導電パターン５４は、同じ膜厚で、大電流がＶｉａ７２を介して外部電極７３に流れるように、Ｖｉａ７２の抵抗値を低くした。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置では、良好な高周波特性を得ることができない問題があった。
【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体チップ１０と、半導体チップ１０を搭載するリードフレームと、半導体チップ１０とリードフレームとを接続するボンディングワイヤ１１と、リードフレームのうち半導体チップ１０が搭載される面の裏面側に設けられ、比誘電率が５以上の高誘電体層１６と、を有し、リードフレームは、半導体チップに形成される半導体素子のソースと接続されるソース電極リード１２と、ソース電極リード１２とボンディングワイヤ１１とが接続されるソースワイヤ接続点と、を含み、高誘電体層１６は、リードフレームのうちソースワイヤ接続点の裏面を少なくとも含む領域に設けられる。 （もっと読む）

【課題】小型化を図った高周波部品および通信装置を提供する。
【解決手段】複数の誘電体層を積層してなる積層基板に高周波信号処理回路を備えた高周波部品であって、高周波信号の入力、出力端子および高周波信号処理回路の複数の電源端子を含む端子群が積層基板の一方の主面に形成されており、積層基板を構成する誘電体層には、インダクタンス素子用等のパターン電極が構成され、一端がそれぞれ電源端子に接続された複数の電源ラインは、誘電体層１に形成されたビア電極を介して高周波信号処理回路が有する少なくとも一つの半導体素子に接続され、複数の電源ラインのうち少なくとも二つの電源ラインは、それぞれ、隣接する二以上の誘電体層１にわたって積層方向から見て重なるように形成されたビア電極列２を有し、少なくとも二つの電源ラインのビア電極列２は、隣接する誘電体層間において、他の導体パターンを介さずに近接している。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージを実装基板から取り外すリペアが容易であって、半導体パッケージと実装基板との接続部の耐衝撃性を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、半導体素子４が接続された半導体パッケージ１と、実装基板２とがはんだバンプ３を介して電気的及び機械的に接続されてなり、半導体パッケージ１は、半導体素子４が接続されるとともに実装基板２と接続される半導体パッケージ用配線板５を有し、半導体パッケージ用配線板５に形成された電極パッド２２のコア層１１側には第１応力緩和層２１が配置されており、実装基板２に形成された電極パッド３３の層間絶縁層３１側には第２応力緩和層３４が配置されており、第１応力緩和層２１の２５℃の弾性率が２．５ＧＰａ以下であり、第２応力緩和層３４の２５℃の弾性率が３ＧＰａ以下かつ第２応力緩和層３４の平面方向の２５℃の熱膨張係数が８×１０^-6／℃以下である。 （もっと読む）