【課題】積層される半導体チップの個数を増加させて高機能化を果たすとともに、薄板化の要求を満すことができるだけでなく、キャビティの内部下面を平坦化してキャビティに挿入される半導体チップを容易に整列できるようにする効果を有し、多数の半導体チップを同時に収容することができ、容易に高機能化を果たすことができるプリント回路基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施例によるプリント回路基板１００は、第１絶縁材１１０ａ及び第１絶縁材１１０ａ上に形成された第２絶縁材１１０ｂを含む絶縁層１１０と、絶縁層１１０の内層及び外層に形成された回路パターン１２０と、第１絶縁材１１０ａ又は第２絶縁材１１０ｂに複数個形成された半導体チップ挿入用キャビティ１４０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体メモリを搭載する基板上においてデータ信号の劣化を防止した半導体メモリカード及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施の形態によれば、半導体メモリと、通常モード及び通常モードよりもデータ転送速度が速い高速モードの両方での半導体メモリへのデータの読み書きを制御するメモリコントローラと、少なくとも一つの内層を有する多層プリント基板に半導体メモリ及びメモリコントローラを表裏に分けて実装した回路基板とを備える。回路基板は、メモリコントローラと外部機器との間での高速モードによるデータ入出力用としてメモリコントローラの実装面に設けられ、金めっき加工が施された高速モード用の金端子と、高速モード用の金端子とメモリコントローラの実装用のボンディングパッドとの間の高速差動信号配線と、高速差動信号配線から分岐し、回路基板の面内において分岐点の近傍で切断された金めっき加工用のめっきリードを有する。 （もっと読む）

【課題】封止樹脂により半導体チップの電極形成面が封止され、再配線基板と実装基板との対向領域に封止樹脂が充填された半導体装置を、安価で提供すること。
【解決手段】再配線基板は、第１ランド及び第２ランドを同一面に有するとともに、これらランドの形成面が半導体チップの一面に対向配置されている。第２ランドは、半導体チップとの対向領域を取り囲む外周領域内であって、半導体チップとの距離が第１ランドよりも遠い位置に設けられている。実装基板は、半導体チップに対して再配線基板と反対側に配置されており、第３ランドは、半導体チップとの対向面において、半導体チップとの対向領域を取り囲む外周領域内に設けられている。そして、封止樹脂は、再配線基板と実装基板との対向領域に充填されて、再配線基板と実装基板の両方に接触しつつ、半導体チップの電極形成面を封止している。 （もっと読む）

【課題】パッケージダイシングにおける切削バリの発生を抑制する。
【解決手段】パッケージダイシング工程で、第１段階の切削として、軟らかいレジンブレード１１でリード２ａを含む封止体４ｈの一部分を切削することで、切削バリの発生を抑制することができ、その後、第２段階の切削として、硬い電鋳ブレード１２を用いて切断残存部４ｆである樹脂部のみを切断することでブレード本体の摩耗の進展も遅いため、切り残しの発生も低減でき、その結果、半導体装置の信頼性の向上を図れる。 （もっと読む）

【課題】絶縁基体を形成する絶縁層の外周部において、絶縁層の層間に形成された内部導体と、絶縁基体下面の外周に形成された端子電極との電気的な絶縁性が高い電子部品収納用パッケージを提供する。
【解決手段】絶縁層115が積層されてなる絶縁基体101の側面に切り欠き部103が設けられており、切り欠き部103の表面の中央部分に側面導体106が形成されているとともに、絶縁基体101の下面の外周部に端子電極109が形成された電子部品収納用パッケージであって、絶縁層115の層間に側面導体106の内周に沿って内部導体108が形成されており、内部導体108は、平面透視で端子電極109に近い側の端部が絶縁基体101の側面から離間するように形成されている電子部品収納用パッケージである。端部が離間するように形成されているため、絶縁基体101の側面における内部導体108と端子電極109との電気絶縁性の低下を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】放熱特性を維持しながらも、金属層及び素子に静電気や電圧ショックなどが伝達されることを防止する放熱基板の製造方法を提供する。
【解決手段】放熱基板１００の製造方法は、（Ａ）金属層１１１の一面に絶縁層１１２を形成し、前記絶縁層１１２に回路層１１３を形成することで、ベース基板１１０を準備する段階、（Ｂ）前記ベース基板１１０に厚さ方向に加工部１４０を形成する段階、（Ｃ）前記金属層１１１の他面及び側面の少なくとも一方に陽極酸化層１５０を形成する段階及び（Ｄ）前記加工部１４０に連結手段１３０を挿入し、前記金属層１１１の前記他面に放熱層１２０を連結する段階を含む。 （もっと読む）

【課題】 エレクトロマイグレーションによる接続パッドの空隙を抑制することが可能な配線基板を提供すること。
【解決手段】 上面に半導体素子４の搭載部１ａを有する絶縁基板１と、ガラス成分を含む銅の多結晶体からなり、搭載部１ａから絶縁基板１の内部にかけて形成された貫通導体３と、貫通導体３を形成している銅の結晶よりも平均粒径が大きい銅の多結晶体からなり、搭載部１ａにおける貫通導体３の端面を覆うように形成された接続層２とを備えており、接続層２を形成している銅の結晶配向性が無配向であり、半導体素子４の電極５が接続層２にはんだ６を介して電気的に接続される配線基板である。 （もっと読む）

【課題】高圧モジュール内のゲル状絶縁物中で発生した部分放電などを検出し、高圧モジュールの主要機能回路における絶縁破壊を未然に防ぐための機構を備えた高圧モジュールを提供する。
【解決手段】半導体素子４が搭載される素子搭載用表面金属基板２ａが絶縁基板１表面に接合されるとともに、接地電位とされる裏面金属基板３が絶縁基板１裏面に接合され、ゲル状絶縁物５で封止された高圧モジュールにおいて、絶縁基板１表面に素子搭載用表面金属基板２ａとは分離して部分放電発生用表面金属基板２１を設け、部分放電発生用表面金属基板２１の電位は素子搭載用表面金属基板２ａと同電位とし、部分放電発生用表面金属基板２１の端部の位置は絶縁基板１を挟んで対向する裏面金属基板３の端部に対して絶縁基板端部側により突出した位置とし、裏面金属基板３側で発生する部分放電を検出する部分放電検出手段３１を設ける。 （もっと読む）

【課題】反りの発生を抑制することができるヒートシンク付パワーモジュール用基板及びその製造方法、並びに、ヒートシンク付パワーモジュール、パワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板１２の一方の面に回路層１３が形成されるとともに他方の面に金属層１４が形成されたパワーモジュール用基板１１と、金属層１４側に接合されてパワーモジュール用基板１１を冷却するヒートシンク１７とを備えたヒートシンク付パワーモジュール用基板１０であって、金属層１４とヒートシンク１７とが直接接合されており、回路層１３の厚さＡと金属層１４の厚さＢとの比率Ｂ／Ａが、２．１６７≦Ｂ／Ａ≦２０の範囲内に設定されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】めっき引出線のパッケージ外への露出を防止することができる半導体パッケージおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】多数品取りのパッケージ基板（ガラスエポキシ基板の連なったもの）を準備する。このパッケージ基板は、第１めっき引出線４０、第２めっき引出線４２、第３めっき引出線４４が表面または／および内部を延び、かつ、表面に複数の半導体チップ搭載位置を有する。このパッケージ基板に対して、複数の半導体チップ搭載位置のそれぞれに半導体チップを搭載する。第１めっき引出線４０、第２めっき引出線４２、第３めっき引出線４４が分断される程度の深さを有する溝を設けるハーフカット工程を行う。ハーフカット工程を行った後、溝内に樹脂が入り込むように、モールド樹脂封止を行う。封止工程の後、ダイシングを行い、モールド封止樹脂を複数の半導体パッケージに分ける。 （もっと読む）