【目的】 光透過性基板等の絶縁性基板上に、結晶性が単結晶ウェハー並に優れたＳｉあるいは化合物半導体単結晶層を得るうえで、生産性、均一性、制御性、コストの面において卓越した半導体基板の作製方法を提案する。
【構成】 多孔質層１２を有する第１の基体１１の前記多孔質層１２上に非多孔質単結晶半導体層１３を形成する工程（ａ），（ｂ）、前記非多孔質単結晶半導体層１３を第２の基体（１４，１５）と貼り合わせる工程（ｃ）、前記貼り合わせて構成された基体を前記多孔質層１２において分離する工程（ｄ）、前記分離された第２の基体（１４，１５，１３）上に配された多孔質層１２を除去する工程（ｅ）、及び前記分離された第１の基体１１を構成する多孔質層１２を除去する工程を有することを特徴とする半導体基板の作製方法。 （もっと読む）

【目的】 半導体素子との熱膨張係数のマッチング、熱放散性、高機械的強度が得られ、優れた電気的特性を有する基板として提供する。
【構成】 キャビティが形成されたセラミック枠体３０と、前記セラミック枠体３０とは異なる材質により形成され、該セラミック枠体３０のキャビティ内に接合用金属３４を介して接合されたコア材３２とを備え、該コア材３２の少なくとも一方の表面が前記セラミック枠体３０の表面と同一平面の平坦面に形成されて露出していることを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】 本発明はハンダ付けパッド上に成形ハンダを搭載する成形ハンダ搭載方法に関し、ハンダ付けパッド上に成形ハンダを確実に搭載することができる成形ハンダ搭載方法を提供することを目的とする。
【構成】 静電気発生機構５で保持機構３を帯電させ、ハンダボール１を保持機構３に静電力で保持し、供給機構２から離す。この静電力による保持をイオンブロー７で解除し、保持したハンダボール１を保持機構３から離す。この離したハンダボール１をＢＧＡ（ボール・グリッド・アレイ）構造の半導体装置本体６の電極パッド６ａ上に搭載する。半導体装置本体６をハンダボール１の融点以上の温度に赤外線で加熱する。ハンダボール１を再溶融させ、その表面張力により電極パッド６ａ上にハンダバンプ６ｂを樹脂製の封止部６ｃより突出して形成させる。 （もっと読む）

【目的】 エレクトロマイグレーション耐性が高く、コンタクト抵抗の低い多層配線構造およびその製造方法を提供する。
【構成】 シリコン基板201 上に下層配線213 を形成し、その上にヴィア孔205を有する層間絶縁膜204 を形成した後、アルミの選択CVD でプラグ206 をヴィア孔から突出するように形成し、TiN 膜217-1 を全面に堆積した後、CMP 法によってプラグの突出部およびその上のTiN 膜を研磨除去し、アルミ合金膜217-2 を形成し、さらにその上にTiN 膜217-3 を形成し、最後にパターニングして上層配線217 を形成する。 （もっと読む）

【目的】 半導体基板１の両面に形成された回路パターン等を導通性を備えた多結晶シリコン層６を用いて接続する。
【構成】 シリコン半導体基板１に設けられた貫通孔２は、内壁面３にシリコン酸化膜５および導電性を備えた多結晶シリコン膜６を積層した構造である。半導体基板１上に作製された加速度センシングエレメント12と信号処理素子13とは、配線層10，11および前記貫通孔に形成された導電体として機能する多結晶シリコン膜６を介して接続する。 （もっと読む）

【目的】半導体素子の破損がなく、放熱性に優れた半導体装置を提供する。
【構成】絶縁基板１１の一方の主面上には、第１熱伝導体２１ａ及び第２熱伝導体２１ｂが形成される。第１熱伝導体２１ａ上には、ＴＣＰ１０２が搭載される。第２熱伝導体２１ｂ上には、ヒートシンク１０３が搭載される。絶縁基板１１の他方の主面上には、第３熱伝導体２１ｃが形成される。第１及び第２熱伝導体２１ａ，２１ｂと第３熱伝導体２１ｃとの間の絶縁基板１１には、複数のスルーホール２３，２４が形成される。スルーホール２３，２４内には、第４熱伝導体２１ｄが形成される。半導体チップ１５の熱は、第１〜第４熱伝導体２１ａ〜２１ｄによりヒートシンク１０３に伝導される。 （もっと読む）

【目的】 薄くされた基板の試験を両面から行える立体集積回路装置の製造方法を提供する。
【構成】 電気化学的エッチングにより貫通細孔１２の形成されたシリコンウェハが、支持プレート２４として基板２１に取り付けられる。貫通細孔１２はシリコンウェハに対し絶縁されており、それらには導電性充填物１４が設けられる。基板２１は構成素子を有しており、立体集積回路として集積される。その際、導電性充填物と導電接続され支持プレート（２４）の表面に配置された接続面２５が、支持プレート（２４）に隣接する基板（２１）の面上に配置された構成素子と当接し、それらと固定結合される。 （もっと読む）

【目的】 小型で薄く高周波特性に優れ、熱衝撃に対する信頼性の高いチップパッケージの実装体を提供する。
【構成】 ＬＳＩチップ７がチップキャリア12上にフリップチップ実装され、チップキャリア12の上面には、ＬＳＩチップ７を実装するための端子電極６が形成され、下面には回路基板30に実装するためのコンタクト電極５が形成されている。端子電極６とコンタクト電極５とは、回路的にバイア３及び基板内層配線４によって形成された基板内部導体で接続されている。コンタクト電極５は導電性接着剤によって形成され、コンタクト電極５には、回路基板30に形成された２段突起形状の端子電極31が挿入され電気的に接続される。 （もっと読む）

【目的】 基板にバンプを一体形成し、バンプの欠落等を防止するとともに、実装時の電気的短絡を防止したＩＣパッケージを提供する。
【構成】 基板１０に表面実装用のバンプ３０を形成したＩＣパッケージにおいて、前記基板１０の厚み方向に透設して形成されたスルーホールに導電性あるいは電気的絶縁性のぺースト２０が充填され、前記ぺースト２０が前記スルーホールの一端から半球形状に突出して前記スルーホール内に充填されたぺースト２０と一体に固化してバンプ３０が形成され、該半球形のバンプ３０表面に銅めっき等の導体めっき層２２が被着形成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】 本発明は半導体素子を樹脂封止する半導体装置及びその製造方法に関し、小型化を図りつつ離型性及び信頼性を向上することを目的とする。
【構成】 半導体素子１と、この半導体素子１が搭載される基板２と、半導体素子１を封止する樹脂３とを具備する半導体装置において、上記基板２に樹脂充填孔１４を形成し、この基板２の半導体素子１の配設面と異なる面より、上記樹脂充填孔１４を介して樹脂３を導入して半導体素子１を封止する。
【効果】 樹脂充填孔１４を介して直接的に基板上に樹脂３を導入して半導体素子１を封止することが可能となる。よって、従来のように金型に樹脂３が通り難いカル部，ランナー部等を設ける必要はなくなり、また樹脂３と金型との接触面積を小さくすることが可能となり、離型性を考慮に入れることなく離型剤の種類や添加量を選定することができる。 （もっと読む）