【目的】 発熱量の大きい超高速素子を実装した場合でも、電気・熱の両特性面で優れた性能を呈する多層配線基板を提供すること。
【構成】 窒化アルミニウムセラミック基板と、セラミック基板上に、一体的に配設された有機高分子を電気絶縁体層とする多層配線層と、前記多層配線層の表面に設けられた電子部品搭載・実装用ダイパッドと、および前記ダイパッドに一端が接続し、他端側が前記多層配線層を電気的に絶縁された状態で貫通して、少なくともセラミック配線基板まで延長して設けられた、搭載する電子部品において発生する熱を効率的に放熱するための柱状のサーマルビアからなる多層配線基板。 （もっと読む）

【目的】 信号周波数に適合して常に所要の機能（性能）を確実に呈する高周波回路装置の提供を目的とする。
【構成】 絶縁性基板本体と、前記絶縁性基板本体１の一主面に形成された伝送線路２と、前記伝送線路２に配設された電子部品６、７と、前記絶縁性基板本体１の他主面に形成された接地用導体層３と、上記絶縁性基板本体１から突設された伝送線路用リードピン端子４および接地用リードピン端子５とを具備するマイクロストリップライン構造の高周波回路装置において、前記配設された電子部品６、７を含む伝送線路２の長さをこの高周波回路用配線板の伝送線路２に伝わる信号の波長λを基準とし、λ／２ⁿ に設定したことを特徴とする。
【効果】 伝送線路は使用する信号周波数（伝送線路を流れる高周波信号）に適合したマイクロストリップライン構造を成す形となり、接地用導体層３も使用する信号周波数（伝送線路を流れる高周波信号）に対して理想的なものとして機能して、信頼性の高い所要の機能を確実に保持発揮し得る。 （もっと読む）

【目的】 多層配線基板の配線密度を低下させることなく、配線層の各配線間のクロストークを低減する。
【構成】 第１の配線層１と第２の配線層２が絶縁層（図示せず）を介して隣合っており、第１の配線層１は多数の穴１ａが形成されたメッシュ状で、第２の配線層２は各配線２ａ，２ｂからなる。各配線２ａ，２ｂは、上下方向に波打って湾曲しており、部分的には第１の配線層１の穴１ａへと沈み込んでいる。これにより、メッシュ状の第１の配線層１と、各配線２ａ，２ｂとの間の静電的な結合が強められる。 （もっと読む）

【目的】半導体相互間の信号のクロストークを減少させ、かつ多層基板の外形を小さくする。また、ヒートシンクの放熱性を良くする。
【構成】この半導体の実装構造は、ＬＳＩ２と，ＬＳＩ２の発熱を放熱するヒートシンク３と，ＬＳＩ２とヒートシンク３との間に介在しＬＳＩ２の発熱をヒートシンク３に伝える複数のサーマルビア４とを備える。また、表面側ＡにＬＳＩ２を搭載し、裏面側ＢにそのＬＳＩ２と対向させてヒートシンク３を搭載し、自らの板厚方向に貫通する複数のサーマルビア４でＬＳＩ２とヒートシンク３とを連結して組立体１０とし、裏面側ＢにＬＳＩ２を搭載し、表面側ＡにそのＬＳＩ２と対向させてヒートシンク３を搭載し、自らの板厚方向に貫通する複数のサーマルビア４でＬＳＩ２とヒートシンク３とを連結して組立体１１とし、組立体１０と組立体１１とを交互に隣接させて実装する多層基板５を備える。 （もっと読む）

【目的】 低誘電率ガラスセラミック多層配線基板の表面にメッキを施したり、Ｉ／Ｏピンをろう付けする際に発生していたクラックを防止し、しかも信号伝搬特性を損ねることなく信頼性の高いガラスセラミック多層配線基板を得る。
【構成】 ドクターブレード法で得た比誘電率の異なる２種のグリーンシートにスクリーン印刷法でメタライズした後、低誘電率のセラミック層を内層部に、また機械的強度の比較的高い高誘電率のセラミック層を基板の表裏両外層部に積層して焼成したサンドイッチ構造となっている。 （もっと読む）

【目的】高周波信号の伝送に好敵な高周波信号伝送線路構造体を提供することに有る。
【構成】高周波信号伝送線路構造体は、基準電位面導体層（５）と、複数個のストリップライン導体（９）と、基準電位面導体層と、ストリップライン導体との間に配置された誘電性材料層（２）と、相隣る２つのストリップライン導体の間に設けられたシールド導体ユニット（１２）とを持っている。シールド導体ユニットは、実質的にストリップライン導体の長さ方向に平行な方向に延び、かつそれらの第１の端が相互に接続され一体となっており第２の端が基準電位面導体層と電気的に接続されている第１および第２の細長い導体部をもっている。 （もっと読む）