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国際特許分類[H01L23/12]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体または他の固体装置の細部 (40,832) | マウント,例.分離できない絶縁基板 (9,861)

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【目的】 ストリップ線路を用いた多層基板において、インピーダンス調整のために線路の一部を切断することを可能にする。
【構成】 ストリップ線路をショートスタブとして使用する場合、ストリップ線路14a〜14c、ストリップ線路15a、15bおよびスルーホール16a〜16dからなるストリップ線路を該当する回路において並列に接続する。このとき、ストリップ線路15a自体を誘電体13の上面に形成し、露出させる。そして、高周波回路において、ショートスタブのインダクタンスが所望する値と異なっていた場合、例えばインダクタンスが所望する値より小さい場合には誘電体13の上面に形成されている上段のストリップ線路15aの端子AB間を途中から切断し、ストリップ線路15a−1およびストリップ線路15a−2に分割する。これにより、ショートスタブのインダクタンスが増加してインピーダンスを所望の値に調整することができる。 (もっと読む)


【目的】 隣接するTABリード間のクロストークノイズの発生を防止すると共に、該ノイズのTABリードまたはICへ影響を抑えて、高周波特性に優れかつ廉価なTAB−ICの実装構造を提供する。
【構成】 誘電体層15a,15b,15c,15d並びにグランド用導体層16a,16b及び信号用導体層17を有する多層基板14にTAB−IC21を収納できるようなスペースでキャビティ部18及びこのキャビティ部18の周囲にTABリード9を収納する切り込み部19を設ける。該キャビティ部18にTAB−IC21のIC2をそして切り込み部19にはTABリード9を入り込むようにして載置すると共に、前記TABリード9を前記信号用導体層17に接続して実装し、前記TAB−IC21の上部をグランド用導体層20bを有するサブ基板20で覆って多層基板14内に埋設することとした。 (もっと読む)


【目的】 終端回路を有する配線基板において、抵抗素子による終端回路をダイオード等の能動素子又はこれと抵抗素子のような受動素子の組合せで形成し、放熱性、インピーダンス整合、高密度実装化等の問題を解決すると共に消費電力の大幅な減少を図る。
【構成】 2つのダイオード7、7を、アモルファスシリコン(a−Si)の薄膜を気相法で積層してこれを配線層3上に形成する。一方のダイオード7のメタライズ層6′を他方のダイオード7のメタライズ層6′に接続した中間接合部を信号の入力線に接続し、両端を電源メタライズ線、グランドメタライズ線に接続して終端回路を形成する。 (もっと読む)


【目的】 チップキャリアに用いられる配線基板内での電圧降下の削減,信号伝播遅延及びノイズを低減する。
【構成】 チップキャリアの配線基板内の配線をチップ接続端子から外部接続端子まで直線の導体配線とする。これにより、配線基板内での配線長が最短になるため、電圧降下,信号伝播遅延,ノイズを低減することが可能となる。また、構造が簡単なので製造が容易となり、コスト低減につながる。さらに、多層構造にする必要がなく、同時焼成のできない材料でも製造可能であるといったように材料に制約されないという効果もある。 (もっと読む)


【目的】 複数の電子部品を実装する電子回路実装基板、特に、その電源供給手段に特徴を有する電子回路実装基板に関し、大電流を供給することができ、かつ、実装密度を高くして小型化し、信号の伝達速度を高速化することができる電子回路実装基板を提供する。
【構成】 複数の電源用配線層3と複数の信号用配線層4が絶縁層2によって相互に絶縁された多層配線構造体の上に複数の電子部品8が搭載され、この電源用配線層3および信号用配線層4と電子部品8の間が必要に応じてVia5によって接続されている電子回路実装基板において、最上層よりも下層に配置された電源用配線層3の少なくとも一つに外部から電源を供給するための電源接続用パッド6が設けられている。上層に形成された電源接続用パッド27から耐湿側壁26を通して下層の電源用配線層23に電源を供給することもできる。 (もっと読む)


【目的】信号端子の増大に対処が可能であり、厚膜基板の厚さが大きくなっても信号の伝搬遅れを低減できる厚膜薄膜混成多層回路基板を提供する。
【構成】複数の配線を有する薄膜部を厚膜部の表面に形成し、前記厚膜部は前記配線の一部を、前記厚膜部の裏面から外部に引き出すためのスルホールを有する厚膜薄膜混成多層回路基板において、前記薄膜部は前記厚膜部の表面の一部にのみ形成されており、前記厚膜部は、内部に配線を有し、該配線の一端は前記薄膜部の配線の一部に接続され、他端は前記薄膜部が形成されていない厚膜部の表面に引き出されている。 (もっと読む)


【目的】 高周波回路に対応でき、かつフリップチップによりICチップを搭載する場合に、優れた放熱性が得られる配線用基板を得る。
【構成】 シリコン基板2上に複数の導電層からなる配線層7を有し、かつフリップチップ用のバンプ8を有する配線用基板であって、該バンプ8が配線層7の最内層の導電層6に接続している。 (もっと読む)


【目的】多層基板に形成された金属放熱板収容凹部の深さ及び金属放熱板の高さがばらついても、金属放熱板を多層基板に接着した際、アウターリード表面から放熱板表面までの高さを精度よく所定の値とすること。
【構成】電子部品搭載部2に搭載される電子部品3と接続される導体回路を有する多層基板1に、導体回路の一部とスルーホールを介して接続されるインナーリード4が挿入された電子部品搭載用基板への金属放熱板6の接着方法において、放熱板6の接着面にダイペースト12を接着に必要な厚さより厚く塗布した後、基板の収容凹部9の底面に、ダイペースト12が塗布された放熱板6の接着面が対向する状態で両者を圧着機の固定台13上に設置し、圧着機の可動台14を放熱板6の接着面と反対側の面とアウターリード8の面との距離が所定の値Aとなる位置まで移動させ、次にダイペーストを熱硬化させて基板に放熱板6が接着する。 (もっと読む)


【目的】 軽薄短小化の達成が容易であるとともに、伝送線路の対向する両端部間における不要電磁的結合を低減ないし解消した高周波回路用配線板を提供する。
【構成】 絶縁性基板本体1の一主面に形設された非連続部を有するマイクロストリップライン構造伝送線路2a,2b の非連続部の対向する端部間に接地用導体層3に導通する第2の接地用導体層3aの両端を接地し、伝送線路2a,2b の非連続部の対向する端部間にほぼ対応する領域の他主面側の接地用導体層3を選択的に除去する。対向する伝送線路2a,2b 端部間の奇モード的電磁結合が低減する。また第2の接地用導体層3aの両端を接地した場合はこの作用がさらに増進され、さらに裏面側の接地用導体層3を選択的に除去した構成では、偶モード的電磁結合も低減されると同時に、端部間のインピーダンス低下を抑え、さらに導波管モードによる結合をも効果的にカットし得る。 (もっと読む)


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