【目的】 ＭＭＩＣの入出力部を外部回路に接続するためのワイヤーをインピーダンス整合用スタブにボンデイングすることにより、ボンデイングパッドを省略し、ボンデイングパッドの影響のないＭＭＩＣを構成する。
【構成】 マイクロストリップ線路３の入力部あるいは出力部に設けられたインピーダンス整合用スタブ４４に外部回路との接続用ワイヤー３６のボンデイングパッドとしての機能を持たせ、上記接続用ワイヤー３６を上記スタブ４４上の所定の領域４５にボンデイングしたことを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】 基板の必要部分の平面方向の低熱膨張率を確保し寸法安定性を向上できるとともに、搭載された電子部品から発生する熱を効率良く拡散放熱させ、また、プリント配線板と同様なワークサイズおよびプロセスで製造可能にすることによって低コスト化ができ、しかも信頼性の高いセラミックス・樹脂複合配線基板を提供する。
【構成】 少なくともセラミックス基材と熱硬化性樹脂とを複合して成る絶縁層と、前記絶縁層の少なくとも一方の外表面に形成された金属導体層とから成るセラミックス・樹脂複合配線基板において、前記セラミックス基材が前記配線基板の外形端面より内側の内層に配置されたことを特徴とするセラミックス・樹脂複合配線基板。 （もっと読む）

【目的】厚膜・薄膜混成回路基板を短時間・高歩留で作成することにある。
【構成】薄膜回路基板１００の導体パッド１３と、厚膜基板２００となるセラミック基板１５の貫通孔１６とを位置合わせし、両基板１００と２００とを接着剤１４で接合させ一体化し、貫通孔１６内の接着剤をレーザ等のエネルギービームで除去した後、その後に電気めっきにより銅を析出させ埋込み層１８を形成する。この貫通孔１６内に接続用のピン２１を接合、電気的に接続することにより、混成回路基板３００を実現する。これにより、薄膜回路基板１００と厚膜基板２００との電気的接続の信頼性が極めて高い混成回路基板が容易に得られる。 （もっと読む）

【構成】 Ｓｉ基板１の表面上に金属薄膜４と絶縁膜２を順次積層し、その表面上に所定の幅を有する金属薄膜線路３を形成し、これによりＳｉ基板上にマイクロストリップ線路構造の信号伝送線路を実現した。
【効果】 上記信号伝送線路では、線路インピーダンスで信号伝達を行うことが可能となり、これにより放射，反射を抑え、損失を低減することができ、また線路間のアイソレーションも向上することもできる。 （もっと読む）

【目的】 高速スイッチング動作時の電源ノイズの発生が抑制され、信頼性が高くかつ半導体集積回路や個別部品の高集積化、高密度実装化を実現した半導体集積回路実装基板を提供する。
【構成】 第１の導電体電極層２と第２の導電体電極層４とこれらの 2つの層間に挟持される誘電体層３とにより形成されるコンデンサが、基板１上に配設されており、基板の最上層の表面に実装された半導体集積回路チップ８とは接続ビア（ｖｉａ）９、１０によって接続され、チップコンデンサの表面実装およびその配線のための面積が不要でその分集積回路チップをより多く実装でき、またそれらの配置および結線の自由度も高くでき、半導体集積回路や個別部品の高集積化、高密度実装化が実現できる。 （もっと読む）

【目的】 実装された半導体チップによる発熱を効率良く放熱することができる高放熱形複合基板を提供する。
【構成】 有機絶縁膜を有する有機薄膜多層基板を挟むように２組のセラミック多層基板を配する。半導体の熱を伝熱ビアを介してセラミック多層基板に伝達し、これ等のセラミック多層基板によって放熱する。 （もっと読む）

【目的】 本発明は、半導体集積回路チップに発生する熱を基板を通して放熱する半導体集積回路チップ実装用基板に関し、半導体集積回路チップを支持する回路基板が熱伝導性の不充分な材料で構成されていても充分な放熱効果が可能な実装用基板を提供することを目的とする。
【構成】 セラミック基板２と、このセラミック基板２の上に形成された良熱伝導性材料層３と、この良熱伝導性材料層３の上に形成された薄膜多層配線層４を有し、この薄膜多層配線層４には厚さ方向に設けられた開口内に良熱伝導性材料が充填された複数のサーマルビア５が形成されており、この薄膜多層配線層５上に実装される半導体集積回路チップ７で発生する熱をこのサーマルビア５によってこの良熱伝導性材料層３に伝導して放熱するように構成した。 （もっと読む）