【目的】 半導体装置の高機能化、高集積化に対応して、高放熱性で、多端子半導体素子の実装が行える樹脂封止型の半導体装置で、配線の引き回しが簡単で、従来のＢＧＡのようにスルーホールからくる信頼性低下をなくせて、電気的特性にも優れた表面実装型半導体装置を提供する。
【構成】 金属板の第一の面側に半導体素子を搭載するための半導体素子の厚みに略相当する凹部を設けて該凹部に半導体素子の端子が第一の面側に向くように搭載されており、第一の面の凹部でない領域には半導体素子と電気的に結線された電極パッドと、外部端子用電極パッド、配線等を設けた樹脂封止型の半導体装置で、前記半導体素子と電気的結線された電極パッド、外部端子用電極パッド、配線は、金属板上にそれぞれ対応する同形状の絶縁層を介した導電性薄膜により設けられ、且つ、絶縁層を介した導電性薄膜からなる配線は互いに少なくとも一部が重なる多層状態で設けられている。 （もっと読む）

【目的】半導体素子に出し入れされる電気信号にノイズや減衰が発生するのを有効に除去し、半導体素子を常に安定に作動させることができるセラミック配線基板を提供することにある。
【構成】絶縁基体１にメタライズ配線層２と、該メタライズ配線層２に電気的に接続される抵抗体６とを被着形成させて成るセラミック配線基板であって、前記抵抗体６の周囲に前記メタライズ配線層２に電気的に接続されないダミーの抵抗体７を配した。 （もっと読む）

【目的】 半導体パッケージに使用される特性を満たすとともに，安価で製造し易く大量生産に適するＣｕとＭｏとからなる放熱基板材料とその製造方法とを提供すること。
【構成】 半導体素子を搭載するパッケージに用いられる放熱基板用材料において，粉末冶金による銅とモリブデンとの焼結複合材からなり，熱間押出して密度比が９９．８％以上，熱伝導率が２００Ｗ／ｍ・Ｋ以上である。この放熱基板用材料を製造するには，銅粉末とモリブデン粉末とを混合し，冷間静水圧プレスし，焼結した後，熱間押出し，圧延して密度比９９．８％以上，熱伝導率２００Ｗ／ｍ・Ｋ以上の特性を有する複合材を得る。 （もっと読む）

【目的】 ＢＧＡ(ball grid array) 型半導体装置を検査する際に、試験装置のソケットピンをはんだバンプに接触させないですむようにして、ソケットピンによるはんだバンプの損傷を防止する。
【構成】 プリント基板２の表・裏面には配線３が形成されており、表裏の配線間はスルーホール４により接続されている。基板裏面の配線の先端部には外部端子となるはんだバンプ５が形成されており、該はんだバンプに隣接して検査用パッド８が形成されている。プリント基板２の一方の面にＩＣチップ１が搭載され、ＩＣチップの電極パッドと配線３との間はボンディングワイヤ６により接続され、ＩＣチップ１およびボンディングワイヤ６はモールド樹脂７により封止されている。 （もっと読む）

【目的】はんだ接続部の信頼性を向上させると共に、入出力配線の形成される制御回路部をセラミックス多層基板を用いて絶縁耐圧の向上と小型化を実現させること。
【構成】金属ベース上にパワー半導体素子(４）を搭載すべき窒化アルミニウム(７.１)が固着され、周辺に制御回路とすべきセラミックス多層基板(７.３）を配置し、制御回路部にはパワー半導体素子（４）の入出力配線(８.１）が形成され、この入出力配線(８.１）とパワー半導体素子（４）とはパワー半導体素子（４）と窒化アルミニウム(７.１）との間に挿入された金属箔で接続されている。
【効果】放熱効率（熱抵抗）や絶縁耐圧が向上し、高信頼の混成集積回路を得る。 （もっと読む）

【目的】 サーマルビア間の相互インダクタンスを増加させて実効インダクタンスを低減でき、また電源−グランド間のキャパシタンスを増加でき、電気特性を向上させ得る半導体セラミックパッケージを提供する。
【構成】 積層された絶縁体層を有する半導体セラミックパッケージにおいて、パッケージ表層に半導体チップを実装する半導体チップ搭載部、パッケージ内層に電源導体層とグランド導体層を有し、また該半導体チップ搭載部の下部にサーマルビアを有し、該サーマルビアが、前記電源導体層に接続される電源接続サーマルビアと、前記グランド導体層に接続されるグランド接続サーマルビアを有する構成よりなる。 （もっと読む）

【目的】貫通めっきスルーホールの穴を形成した多層配線基板において、その外側に形成する絶縁膜と銅の逐次積層形薄膜層において高密度に配線を可能にする。また、低コストで、放熱性および高周波特性に優れた構造の多層配線基板を製造可能にする。
【構成】両面プリント板の穴埋めされた貫通めっきスルーホールのランドを一部拡張した部分に、その外側の配線層との接続をとるためのビアを形成し、その上に逐次積層形薄膜層を形成する。また、スルーホール上に柱状の銅体を形成して、熱伝導率の良い導体で他の半導体等と接続する。さらに、基板の配線領域を絶縁体とグランド層で遮蔽する。また、これらの製造方法において、フィラー含有無溶剤形流動性高分子前駆体を加熱溶融させて、精密定量吐き出し装置にて、基板上に供給する。 （もっと読む）

【目的】 高周波信号を伝送中の信号線路に隣合うグランド線路に発生する寄生共振が信号線路に逆流入して、信号線路に寄生共振が生ずるのを防ぐことのできるグランド付コプレナー線路構造をした電子部品用伝送線路構造体を得る。
【構成】 誘電体からなる基板１０の表面に信号線路２０とグランド線路３０とを交互に複数本並べて備えると共に、基板１０の裏面にグランド層４０を備えた電子部品用伝送線路構造体において、グランド線路３０の端部をグランド層４０にグランド線路３０の持つ特性インピーダンスに整合する抵抗値を持った抵抗体６０を介して電気的に接続する。そして、グランド線路３０に発生する寄生共振を抵抗体６０を通してグランド層４０に吸収させて消滅させる。 （もっと読む）

【目的】 バイパスコンデンサのリードインダクタンスを並列共振回路の要素とする並列共振に起因した電源ノイズを低減できるようにする。
【構成】 ＬＳＩ５が実装されると共に所定の配線パターンが施された信号パターン層１、ＬＳＩ５に対する電源供給を行うための電源層２及びグランド層３の各々を積層した多層基板であって、内部に形成された貫通孔に誘電体８が充填された磁性体７を電源層２とグランド層３の間に配設し、電源ライン間の浮遊静電容量と外付けのバイパスコンデンサ６のリードインダクタンスとによる並列共振が生じないようにする。 （もっと読む）