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国際特許分類[H01L23/12]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体または他の固体装置の細部 (40,832) | マウント,例.分離できない絶縁基板 (9,861)

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【目的】 冷却や放熱のための付加的な装置を必要とせず軽量かつ小型で放熱性が良く安価であり信号線の増加を必要としない回路基板を提供する。
【構成】 絶縁性基板1とこの絶縁性基板上に半導体素子を接着固定するダイボンディングパッド3および配線層を設けた回路基板において、絶縁性基板上1の配線層およびダイボンディングパッド3が形成されていない個所に設けたダイボンディングパッドに熱的に接続した熱伝導放熱面8と、基板の裏面に設けた熱伝導放熱面9と、ダイボンディングパッド4もしくは熱伝導放熱面8と熱伝導放熱面9との間を接続する熱橋絡10を設けたことを特徴とする回路基板。 (もっと読む)


【目的】 信号伝送を差動信号により行っても効率の良い配線及び高速伝送を行うことができるようにする。
【構成】 LSI2が実装されると共に、このLSI2のパッケージピン3に接続される配線パターンが少なくとも片面に形成された多層プリント基板1にあって、差動信号または電源を扱うラインのパターンを、絶縁層6を介して金属層5と金属層7を絶縁層6を間に挟んで多層に構成した2層積層配線パターン4にする。 (もっと読む)


【目的】 多層積層材料から、内層のダイパットとボンディングパット等を削り出し、併せて封止用樹脂の流れ止め枠を形成した、放熱性が高く、密封性や回路間絶縁性など極めて信頼性の高いプラスチックリードレスチップキャリア、およびその製造方法。
【構成】 あらかじめ内層にダイパット10とボンディングパット11および熱伝導用のスルーホール4を形成し、スルーホール4が樹脂で埋まった多層積層材料から、この内層のダイパット10とボンディングパット11を削り出し、併せて封止用樹脂18の流れ止め枠を形成する。こうして、銅の密着力が強く、曲がりが無いフラットなダイパット10を持ち、樹脂流れ止め枠と基板が一体で密着力が強く、密封性がよいなどきわめて信頼性の高い、放熱性に優れた、密封されたサーマルビアを持ったプラスチックリードレスチップキャリアを製造することができる。 (もっと読む)


【目的】 ポリイミドを層間絶縁層とする薄膜多層基板の製造方法に関し、サーマルビアの効果的な製造方法を提供することを目的とする。
【構成】 セラミック基板上に放熱用金属層を形成し、この金属層上に反射防止用ポリイミド層を形成する工程と、サーマルビア形成位置に同じ穴径を有する層間絶縁層を位置合わせしながら積層する工程と、ドライエッチングを行なって穴の整形と反射防止用ポリイミド層の穴開けをする工程と、メッキ処理により穴を金属で埋める工程とを含むことを特徴として薄膜多層回路基板の製造方法を構成する。 (もっと読む)


【構成】 基板100の複数の誘電体層10に連続して備えたビア20を擬似同軸線路構造化している誘電体層10間に備えた最上のグランドプレーン30より上方のビア20aを備えた誘電体層10と最下のグランドプレーン30より下方のビア20bを備えた誘電体層10とに、グランドプレーン30に接続されたグランド用ビア50をビア20a、20bを囲むように複数本並べて備えて、ビア20a、20bを擬似同軸線路構造化する。
【効果】 グランド用ビア50で、ビア20a、20bの特性インピーダンスをそれに連なるその他のビア20の持つ特性インピーダンスにマッチングさせて、それらのビア20a、20bを高速信号を伝送損失少なく伝えることができる。 (もっと読む)


【目的】 基板による実効的な放熱面積を拡大することにより、表面実装された半導体素子等の十分な冷却を実現できる基板を提供すること。
【構成】 半導体素子1が、リード3によりガラスエポキシやセラミック製の基板2上のパッド4と電気的に接続されるとともに、結合材5により基板2上のパッド6aと熱的に接続され、このパッド6aは、基板2の内部に設けられた熱伝導層7とサーマルビア8により接続されており、さらに、半導体素子1が接続されていないパッド6bと熱伝導層7とをサーマルビア8により接続することにより構成される基板。 (もっと読む)



【目的】多層の配線構造を有するマルチチップモジュ−ル基板において、その上下層を接続するためのスルホ−ル数を層ごとに最適化して、不要なスルホ−ル長での浮遊容量の影響を最小にすることにより、高速信号の伝送を可能にする。
【構成】モジュ−ル基板を厚さ方向に多階層に分割して、LSIの搭載表面から下に各層毎でスルホ−ルの形成数を一定割合に削減し、モジュ−ル基板の入出力ピンに接続する構造。
【効果】これにより余分なスルホ−ルが持つ浮遊容量を約半減することができ、信号の伝搬遅延も約半減できる効果がある。 (もっと読む)


【目的】 サーマルビアの突出部とベアチップICの裏面との接触を避け、サーマルビアの突出に関係なく、安定したベアチップICのダイボンディングを可能にする。
【構成】 放熱用サーマルビアを有するセラミック多層基板において、サーマルビア12の突出高さのばらつきを吸収できるように、最上層を穴抜きしたキャビティ部14を設け、しかもキャビティ部14の外形はベアチップIC17の外形より小さくし、キャビティ内部へダイペースト16を塗布し、ベアチップIC17と基板を固着すると同時に、キャビティ上面外周部とベアチップIC下面外周を密着させる。 (もっと読む)


【目的】 基板の複数の誘電体層間にそれぞれ備えたグランドプレーンで擬似同軸線路構造化したヴィアであって、基板に上下に貫通して備えたヴィアの上下端にそれぞれ接続した基板上下面の信号線路の各内端とその各内端に連なる基板上下面のマイクロストリップ線路構造化した信号線路との間をそれぞれ接続する中間信号線路部分をそれぞれ短縮した、高速信号を伝送損失少なく伝える高周波用信号線路を得る。
【構成】 グランドプレーン30を、そのヴィア20に対向する内周縁32を基板12上部からその下部に行くに従い基板の信号線路22の逆側から基板下面の信号線路24の逆側へと漸次階段状に偏心させて、基板の複数の誘電体層10間にそれぞれ配設する。 (もっと読む)


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