【目的】 ＬＳＩおよびキャップの高さのばらつきをフランジの変形で解消する。
【構成】 ＬＳＩチップ７は、基板１の上面にフェイスダウン実装される。基板１の下面周縁部には、フランジ５が取り付けられている。基板１の上からキャップ６が被せられる。キャップ６の内面中央部は、ＬＳＩチップ７の非実装面に接着される。キャップ６の下端部は、フランジ５に当接する。フランジ５はキャップ６の寸法および形状に応じて変形し、キャップ６の下端部に密着する。キャップ６とフランジ５とを溶接することにより、ＬＳＩチップ７を密閉する。 （もっと読む）

【目的】 電子機器の内部は使用時に温度が上昇し、使用を停止すると温度が室温まで戻る。この使用・使用停止による熱サイクルでＢＧＡのはんだ付け部にヒビ割れが生じて電子機器の機能を悪くしてしまう。そこで本考案ではＢＧＡのはんだ付け部にヒビ割れが生じても電子機器の機能に影響しないようにする。
【構成】 ＢＧＡ１のはんだ付け部で熱サイクルによりヒビ割れの出やすいところに導通の全くないダミー端子８を設置する。該ダミー端子は、格子状に設置された端子のうち、最外側、つまり四隅や外辺とする。 （もっと読む）

【目的】 ＩＣベアチップで発生する熱を外部に有効に放熱することができ、回路基板に形成又は配置した他の電子部品の誤動作なく、熱信頼性が向上し、低背化し、表面配線の高密度化が達成できる半導体モジュールの製造方法を提供する。
【構成】 光硬化可能なモノマーを含有するセラミックスリップ材を塗布により絶縁膜１０ａ〜１０ｅを形成する工程、該絶縁膜１０ａ〜１０ｅでビアホール導体４となる位置及びヒートシンク金属部材５が配置される位置に、露光・現像処理によって貫通凹部４０、５０を形成する工程、該貫通凹部４０、５０に、導電性ペーストを充填し、該絶縁膜１０ａ〜１０ｅ上に内部配線３となる導体膜３０を形成する工程を順次繰り返し、さらに、一体的に焼結した後に、ＩＣベアチップ２を接合配置する工程かち成る半導体モジュールの製造方法。 （もっと読む）

【目的】 回路等の配線に用いられるアイソレーションが良好な小面積に形成できるマイクロ波伝送線路を提供することを目的とする。
【構成】 ＧａＡｓ基板１の表面にはマイクロ波を伝送する第１の導体線路２及び第２の導体線路３が離間して設置され、この二つの導体線路２、３の間の基板１表面の中央部には、厚みが導体線路２、３よりも大きく且つ断面形状が略Ｔ字形を成す接地導体線路４が導体線路２、３から等距離に離間して形成されている。また、基板１の裏面全面には接地導体５が設けられている。 （もっと読む）

【目的】 本発明は、半導体搭載部に階段状凹部を形成する多ピン半導体用の多層プリント配線板において、プリント配線板の最終仕上げ加工時に階段状凹部位置に形成される導体パターンを傷付けることなく、最上層位置の目隠し用配線板に安全な窓明け加工を施すことができるプリント配線板の製造方法に関する。
【構成】 ベース配線板の上面側に接着シートを介挿して順次大きな窓を有するように窓付き配線板を適宜枚数積層し、最上層に積層する目隠し用配線板の直下には窓付きのスペーサー部材を接着シートを介挿して積層し、該スペーサー部材の窓寸法は目隠し用配線板に形成すべき窓寸法よりも大寸とし、このようにして積層した各配線板を積層プレスしてからスルホール形成、スルホールめっき加工を行い、ついで目隠し用配線板に窓明け加工を行うこと。 （もっと読む）

【目的】 放熱性が良好で反りのないチップキャリアを提供する。
【構成】 絶縁基板１ａと、この絶縁基板１ａに搭載する電子部品７の実装面に形成された導電回路１０とからなるプリント配線板１及びこの実装面と反対側に付設された放熱用の金属層２を備えたチップキャリアにおいて、上記金属層２が、電子部品７からの熱による、導電回路１０の熱応力を相殺する応力を発生するパターン９を構成している。また、電子部品７と金属層２とを熱的に接続するサーマルビアを備えている。 （もっと読む）

【目的】 ダイパッドの下にサーマルビアが設けられていても、それによって信号線パターンの引き回しが疎外されることがなく、また、信号線パターンを通る信号の耐ノイズ性を向上させることができるような多層回路基板を得る。
【構成】 半導体ベアチップが実装される多層回路基板の構造を以下のようにした。半導体ベアチップを多層回路基板に実装するダイパッドの下に導電性材料が充填されることによりサーマルビアを形成するサーマルビア貫通孔を、その貫通孔断面の基板に対する投影面積がダイパッド断面の基板に対する投影面積に比しある面積割合となるように、そのサーマルビアは接地線パターンと導通させる。また、サーマルビア間に信号線パターンを設定する。そして同一の層においてそれらサーマルビア同士を導通パターンでつなぐ構成とする。 （もっと読む）

【目的】 プリント基板とこれに面実装するＩＣ部品の特性インピーダンスを高速信号に対応して整合できるようなＩＣ部品の基板構造を得る。
【構成】 ＩＣ部品の基板構造において、一様な厚さのセラミック基板１１を逆Ｕ字形に焼成する。信号端子リード１４とアース端子リード１５をセラミック基板１１の湾曲部を含む両端部外面に密着して配設する。セラミック基板１１の内面全面にアース導体１６を密着接合し、その突出端を内側に折り曲げてその一方にアース端子リード１５の下端部を接合し、両折曲部外面に半田メッキ膜１７を設ける。 （もっと読む）

【目的】この発明は、耐湿性および放熱性を大幅に向上させる。
【構成】エポキシ系からなる多層配線構造の基板11に複数のピン12を設け、これらピン12の先端を前記基板11の下から突出させている。この基板11の中央部に開口部11a を設け、この開口部11a に例えば銅からなる放熱板13を設けている。この放熱板13の下に導電膜であるペ−スト14を介して半導体チップ15を設け、この半導体チップ15をボンディングワイヤ16により前記基板11と電気的に接続させている。この基板11の上面且つ放熱板13の縁部にポリイミド系の樹脂17を塗布し、前記基板11の上面と側面、放熱板13の下面、半導体チップ15およびボンディングワイヤ16を樹脂18により封止している。すなわち、基板11の上面において、樹脂18と放熱板13との間にポリイミド系の樹脂17を塗布している。従って、半導体装置の耐湿性を大幅に向上させることができる。 （もっと読む）