【目的】 異なる配線層の第１と第２方向のそれぞれの配線を接続するスルーホールを分散させることによって、多層配線構造による高密度化を達成した多層配線構造を提供すると共に、その形成方法を提供するものである。
【構成】 ｘ方向の第１配線層の配線１１０乃至１１９と第３配線層の配線１３０乃至１３９と、ｙ方向の第２配線層の配線２２０乃至２２９と第４配線層の配線２４０乃至２４９を、層間絶縁層等を貫通するスルーホール３１０乃至３１９並びに３３０乃至３３９を介して接続して、ブラインドスルーホールを避けられるようにし、且つ、スルーホールの直接隣接を避け、任意のスルホールと周囲に隣接するスルホール間に、何れかの配線が１本以上通るスルーホールパターンとしたものである。 （もっと読む）

【目的】略平行に配置された１対のサブストレートの接触パッド間を相互接続接続するコンタクトモジュール及びそれを使用するピングリッドアレイ（ＰＧＡ）を提供すること。
【構成】平板状のホルダ１８にアレイ（マトリクス）状に多数の開口２６を形成する。各開口２６にコンタクトモジュール２０を挿入する。各コンタクトモジュール２０は、つば４８を一端に有する略筒状モジュールボディ２４と、その両端間を貫通する通路６４内に挿入され、両端からそれぞれ第１及び第２コンタクト部３２，３４が突出する略Ｗ状のコンタクト２２を有する。コンタクトモジュール２０は交互に上下反対に配置可能である。 （もっと読む）

【目的】 高速動作が可能でかつ高密度で信頼性の高い多層配線基板、及びこの多層配線基板を具備する半導体装置を提供することを目的とする。
【構成】 基板と、第１の方向に走行するストライプ状の電源配線または接地配線からなる第１の配線層と、この第１の配線層の上又は下に絶縁層を介して形成された、第２の方向に走行するストライプ状の信号配線からなる第２の配線層とを具備し、前記第１の方向と第２の方向とはねじれの位置にあることを特徴とする多層配線基板。 （もっと読む）

【目的】 インピーダンスのマッチングが図れ、さらに矩形の擬似同軸構造によりクロストークが抑えられる。
【構成】 ビア付きフィルム１０が信号層を挟んで２層以上の多層に積層され、隣接するフィルム１０間の信号層１４を挾む両フィルム１０のビア１３が導通され、かつ両フィルム１０の他面に形成された接地層１２にビア１３が接続されて、信号層１４を囲む断面矩形の擬似同軸構造が形成されている。 （もっと読む）

【目的】 多層プリント回路基板の熱設計を提供する。
【構成】 めっき材料の融点より高い温度にめっき材料を加熱することによって、回路基板のめっきされたスルーホールへコンポーメントを固定するあるいはスルーホールからコンポーネントを除去する際、回路基板への熱の拡散を防ぐために、回路基板の少なくとも１つの層に少なくとも１つの通路を含む、多層プリント回路基板。 （もっと読む）

【目的】 本発明は、セラミック多層基板における放熱用サーマルビアの製造方法に関するもので、該多層基板焼成後に発生するサーマルビアの突出やクラックを除去することと、ボンディング時にダイペースト中に発生するボイドを除去することが可能となる製法を提供することを目的とする。
【構成】 本発明は、スルーホール２を形成したグリーンシート１を重ね合わせて多層基板７とした後、ダイペースト５を塗布し、ベアチップＩＣ６を搭載し、その後、真空引き１１を行なって前記スルーホール内に前記ダイペースト５を充填させるようにしたものである。 （もっと読む）

【目的】 高速信号伝送時の伝送ロスを低減することを目的とする。
【構成】 多層基板１に形成された凹状のキャビティ部２と、キャビティ部２の底部に搭載されたＩＣチップ３と、キャビティ部２の側部に搭載された抵抗及びコンデンサ等のチップ部品８と、ＩＣチップ３をチップ部品８に接続するワイヤ５とを具備した。 （もっと読む）

【目的】 多層配線構造を形成する際に塗布材料を用いるとその塗布膜１５に盛り上がり部Ｐが生じこれが密着露光法に悪影響を与える。これを除去できる方法を提供する。
【構成】 塗布法により形成した層間絶縁膜形成用の膜１５であって盛り上がり部Ｐを有する膜１５上にポジ型レジスト層１７を形成する（図１（Ｂ））。このレジスト層１７及び層間絶縁膜形成用の膜１５の盛り上がり部Ｐに当たる部分を露光法やエッチング手段により選択的に除去する（図１（Ｃ）〜（Ｄ））。盛り上がり部の除去の済んだレジストパターン１７ｘにホトマスク密着させて配線形成のための露光をする。 （もっと読む）

【目的】 樹脂で構成された層間絶縁膜の比誘電率を多層配線構造を形成する際に制御できる方法を提供する。
【構成】 ポリイミド樹脂にナフトキノンジアジド化合物３３を混入させたものの膜３５を、基板３１上に形成する。この試料を２５０〜４００℃の温度で加熱してポリイミド樹脂の層３５を硬化させる。
【効果】 ポリイミド樹脂の膜３５を硬化させるための熱処理においてナフトキノンジアジド化合物が分解し窒素ガスを発するのでこれによりポリイミド樹脂の膜３５は発泡する。この結果、空隙３７ａを有する層間絶縁膜３７が得られる。ナフトキノンジアジド化合物３３の添加量を制御することで空隙３７ａの数を制御して層間絶縁膜３７の比誘電率を制御する。 （もっと読む）