【課題】製造装置に改良を加えることなく製品の小型化を可能とする固体撮像装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板１と、前記基板１の一方の面上に設けられた透明支持基体３と、前記基板１の前記一方の面上に形成され、該基板と前記透明支持基体３とを固定する接着剤５と、前記透明支持基体３上であって、該透明支持基体３を介して、前記接着剤５と相対する領域に形成された第１導電層２と、前記基板１の他方の面上に配置された外部端子７と、前記基板１内に形成され、前記外部端子７に接続された第２導電層６とを具備する。 （もっと読む）

【課題】半導体発光装置のためのパッケージ、特に、厚い銅層を有する基板を含むパッケージを提供する。
【解決手段】半導体発光装置パッケージは、コア及びコアの上に重なる銅層を有する基板を含む。発光装置は、直接的又は配線基板を通じて間接的に基板に接続される。基板のコアは、例えば、セラミック、Ａｌ₂Ｏ₃、ＡｌＮ、アルミナ、窒化珪素、又はプリント回路基板とすることができる。銅層は、銅の直接結合又は活性金属蝋着のような処理によってコアに結合することができる。 （もっと読む）

【課題】 小型で性能が高い受動素子を備えた半導体装置を実現する。
【解決手段】 インダクタ１３などの受動素子が形成された絶縁基板１１を、第１の回路１２と電気的に接続された第２の回路２２が形成された半導体基板２１と積層して一体的に形成した半導体装置１０を構成する。これにより、受動素子の配線と基板間の寄生容量を低減し、配線の相互干渉を低減することができるため、受動素子の性能を向上させることができる。相互干渉を低減することができるため隣接する配線の間隔を狭くすることが可能で、アンテナの構成要素としてのインダクタ１３の専有面積を小さくすることができるので、半導体装置１０を小型化することができる。 （もっと読む）

【課題】基板が変形せず、かつ反射層の腐食を防ぎ、長期信頼性に優れた発光素子搭載用基板を提供する。また、この発光素子搭載用基板を用いた発光装置を提供する。
【解決手段】発光素子が搭載される搭載面を有する基板本体と、この基板本体の搭載面の一部に形成される銀を含む反射層と、この反射層上に形成される絶縁層とを有し、前記絶縁層はガラス質であって、酸化物基準のモル％表示で、ＳｉＯ_２を６５〜８４％、Ａｌ_２Ｏ_３を１〜１０％、Ｂ_２Ｏ_３を０〜２０％、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯを０〜１５％、Ｌｉ_２Ｏ＋Ｎａ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏを４〜２０％含有するガラスで形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体チップとワイヤボンドされる実装基板の設計自由度を向上することのできる技術を提供する。
【解決手段】実装基板１は、厚さ方向に互いに並行して延在する複数の線状導体１１が形成された陽極酸化層１２と、陽極酸化層１２の主面上に形成された絶縁層１３と、陽極酸化層１２の裏面上に形成された絶縁層１４と、絶縁層１３に形成された開口部１５の陽極酸化層１２上に設けられたワイヤボンドパッド部１７と、絶縁層１４に形成された開口部１６の陽極酸化層１２上に設けられた端子部１８とを備えている。ここで、複数の線状導体１１は、一端部がワイヤボンドパッド部１７と接合され、他端部が端子部１８と接合されている接続部２１を有しており、ワイヤボンドパッド部１７、接続部２１、および端子部１８は、陽極酸化層１２の平面視で同位置にある。 （もっと読む）

【課題】基板が変形せず、かつ反射層の腐食を防ぎ、長期信頼性に優れた発光素子搭載用基板を提供する。また、この発光素子搭載用基板を用いた発光装置を提供する。
【解決手段】発光素子が搭載される搭載面を有する基板本体と、この基板本体の搭載面の一部に形成される銀を含む反射層と、この反射層上に形成される絶縁層とを有し、前記絶縁層はガラス質であって、酸化物基準のモル％表示で、ＳｉＯ_２を３０〜６５％、Ａｌ_２Ｏ_３を１〜１０％、Ｂ_２Ｏ_３を０〜４０、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯを５〜５０％、ＺｎＯを０〜２０％、Ｌｉ_２Ｏ＋Ｎａ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏを０〜１％含有するガラスで形成されている。 （もっと読む）

【課題】層間接続導体部の近傍にクラックが発生することを抑制し、基板の破壊を防止して、突出部材の接合強度を高めることができる多層セラミック基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】スタッド２３の底面の外周におけるロウ材層５９の外接円と、最表面の低温焼成セラミック層において表面金属層５７の周りに配置されるビア５５の面積中心との間の距離Ｚが２．５ｍｍ以上、スタッド２３の底面の面積中心を中心にして、表面金属層５７の半径方向の長さＭＬと、ロウ材層５９の底面の同じ半径方向の長さＲＬとの差（ＭＬ−ＲＬ）がスタッド２３の外周の全周にわたり０．６５ｍｍ以上、スタッド２３の底面の面積中心を中心にして、スタッド２３に最も近いビア５５の面積中心までの半径方向における長さＶＬとスタッド２３の底面の同じ半径方向における長さＳＬとの比（ＶＬ／ＳＬ）が１．６〜２．０である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電気的特性及び電気的信頼性を向上させる要求に応える配線基板を提供するものである。
【解決手段】本発明の一形態にかかる配線基板３は、厚み方向に沿って離間した第１無機絶縁層１１ａ及び第２無機絶縁層１１ｂと、該第１無機絶縁層１１ａ及び第２無機絶縁層１１ｂの間に部分的に形成された第１導電層１３ａと、第１無機絶縁層１１ａ及び第２無機絶縁層１１ｂの間に介在され、第１導電層１３ａに並設された樹脂層１２と、を備え、第１導電層１３ａは、一主面の少なくとも一部が第１無機絶縁層１１ａに当接され、他主面の少なくとも一部が第２無機絶縁層１１ｂに当接されている。 （もっと読む）

【課題】基板上に接合された電子部品をキャップ体により封止した電子装置、および、その製造方法を提供する。
【解決手段】セラミック基板１０の振動片接合端子１８が設けられた他方の主面側の周縁部には、その他方の主面と平行に段部１１が形成されている。段部１１と電子部品接合領域とによる段差の壁面１２は、段部１１側から振動片接合領域の面側に傾斜して設けられている。また、段部１１と壁面１２には金属層１３が設けられている。圧電振動片２０は、振動片接合端子１８に接合部材３９を介して接合されている。そして、セラミック基板１０の段部１１および壁面１２上の金属層１３と、キャップ体１９の当接脚部１９ｃの下面側およびその側壁部１９ｂの内側の当接脚部１９ｃ寄りとが、ろう材２９を介して接合され、キャップ体１９とセラミック基板１０の圧電振動片２０接合面とで囲まれたキャビティーＴ内に圧電振動片２０が気密封止されている。 （もっと読む）

【課題】製造コストの増大を抑制でき、かつ、微細配線に対応可能な配線基板及びその製造方法並びに前記配線基板を有する半導体パッケージを提供する。
【解決手段】本配線基板は、積層された複数のセラミック層及び内部配線を備え、前記内部配線と電気的に接続された電極が一方の面から露出しているセラミック基板と、主面に形成された配線パターンと、一端が前記配線パターンと電気的に接続され、他端が前記主面の反対面である裏面から露出しているビアフィルと、を含む配線層を備えたシリコン基板と、を有し、前記シリコン基板の前記ビアフィルは、金属層を介して、前記セラミック基板の前記電極と接合されている。 （もっと読む）