【課題】耐熱衝撃性を一段と向上させた半導体搭載用セラミックス回路基板およびこれを用いたモジュールに関する。
【解決手段】セラミックス基板１の一方の面に金属回路３、他方の面に金属放熱板４が設けられてなるものであって、金属回路３の半導体搭載領域端部から０．３ｍｍ〜２ｍｍの範囲に金属回路３とろう材２の合計の厚さＤに対し２０〜６０％の厚さｄの薄肉部分を有しており、その薄肉部分が溝状、若しくは複数の穴で形成され、溝状で形成されている場合、溝幅が、０．１〜０．８ｍｍであり、複数の穴で形成される場合、穴径が０．１〜０．８ｍｍであることを特徴とするセラミックス回路基板を用いることで、半導体素子５搭載後のはんだ層および金属回路端部のクラックを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体チップなどの電子部品が実装される配線基板の製造方法において、基板に貫通電極を信頼性よく形成すること。
【解決手段】厚み方向に貫通するスルーホールＴＨを備えた基板１０を用意する工程と、基板１０の下面に保護フィルム２０を配置する工程と、スルーホールＴＨ内に樹脂部３０を充填する工程と、保護フィルム２０を除去する工程と、基板１０の下面にシード層４０を形成する工程と、スルーホールＴＨ内から樹脂部３０を除去する工程と、シード層４０をめっき給電経路に利用する電解めっきによりスルーホールＴＨ内に金属めっき層を充填して貫通電極５０を得る工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】実装用の回路基板とのハンダ接合の際の短絡不良がなく、ハンダ接合の強度が向上された素子基板とそのような素子基板を用いた信頼性が高い発光装置を提供する。
【解決手段】無機絶縁材料からなり、一部が発光素子１１の搭載される搭載部となる搭載面を有する基板本体２と、前記発光素子の電極を外部回路に電気的に接続するように前記基板本体の表面および内部に形成された導体であり、その一部は前記搭載面の反対側の面である非搭載面に複数の外部接続端子５として配設された配線導体を備え、前記外部接続端子が回路基板の配線回路上にハンダ接合される素子基板であって、前記基板本体の非搭載面において、前記外部接続端子と該外部接続端子と対向する外部接続端子との間の領域に、ガラスを主体とする無機絶縁材料からなり０．０３μｍ以下の表面粗さＲａを有するハンダ付着防止層６が形成されている素子基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、製造時における薬品処理や熱処理の際に配線が腐食したり切断
したりしないチップスケールパッケージを提供することである。
【解決手段】本発明の半導体素子用ガラス基板は、表面に金属膜からなる配線を配設した
半導体素子用ガラス基板であって、質量％表示で、ＳｉＯ_２ ５８〜７５％、Ａｌ_２Ｏ_３ ０．５〜１５％、Ｂ_２Ｏ_３ ５〜２０％、アルカリ金属酸化物 １〜２０％、アルカリ土類金属酸化物 ０〜２０％、ＺｎＯ ０〜１０％を含有し、ハロゲン元素の含有量が０．１％以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率が高く放熱性が優れた窒化アルミニウム焼結体を提供する。
【解決手段】Ｙ元素を０．１４〜１．５質量％含有し、窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対するＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９（２０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９の比（ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９／ＩＡｌＮ）が０．００２〜０．０６であり、且つＹ_２Ｏ_３（２２２面）のＸ線回折強度ＩＹ_２Ｏ_３の窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対する比（ＩＹ_２Ｏ_３／ＩＡｌＮ）が０．００８〜０．０６であり、熱伝導率が２４０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、三点曲げ強度が２００ＭＰａ以上であることを特徴とする高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体である。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率が高く放熱性が優れた半導体装置用基板を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対するＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９（２０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９の比（ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９／ＩＡｌＮ）が０．００２〜０．０６であり、且つＹ_２Ｏ_３（２２２面）のＸ線回折強度ＩＹ_２Ｏ_３の窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対する比（ＩＹ_２Ｏ_３／ＩＡｌＮ）が０．００８〜０．０６であり、熱伝導率が２４０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、三点曲げ強度が２００ＭＰａ以上である窒化アルミニウム焼結体から成ることを特徴とする半導体装置用基板である。 （もっと読む）

【課題】 絶縁耐力が高く、優れた放熱特性および機械的特性を有する窒化珪素質焼結体およびこれを用いた回路基板ならびに電子装置を提供する。
【解決手段】 窒化珪素を主成分とし、マグネシウム，希土類金属，アルミニウムおよび硼素を酸化物換算でそれぞれ２質量％以上６質量％以下，12質量％以上16質量％以下，0.1質量％以上0.5質量％以下，0.06質量％以上0.32質量％以下含んでなり、β−Ｓｉ_３Ｎ_４を主結晶相と、組成式がＲＥ_４Ｓｉ_２Ｎ_２Ｏ_７（ＲＥは希土類金属）として示される成分を含む粒界相とにより構成され、Ｘ線回折法によって求められる、回折角27°〜28°におけるβ−Ｓｉ_３Ｎ_４の第１のピーク強度Ｉ_０に対する、回折角30°〜35°におけるＲＥ_４Ｓｉ_２Ｎ_２Ｏ_７の第１のピーク強度Ｉ_１の比率（Ｉ_１／Ｉ_０）が20％以下（但し、０％を除く）の窒化珪素質焼結体である。 （もっと読む）

【課題】紫外線から赤外線までの領域（350〜1000ｎｍ）における反射率が90％以上と高く、かつ、良好な機械的特性も備えた発光素子搭載用セラミックス基体を提供する。
【解決手段】含有量が94質量％以上97質量％以下の酸化アルミニウムと、酸化珪素と、酸化カルシウムおよび酸化マグネシウムの少なくとも１種とを含む発光素子搭載用セラミックス基体１であって、基体１の表面１ａの9.074×10^５μｍ^２の表面積の部分において、円相当径0.8μｍ以上の気孔について見たときに、気孔率が2.5％以上4.5％以下であり、気孔数が7000個以上11000個以下であり、気孔分布における円相当径1.6μｍ以下の累積相対度数が70％以上の発光素子搭載用セラミックス基体１である。紫外線から赤外線までの領域における反射率が90％以上と高く機械的特性も良好な、発光装置21に好適な基体１となる。 （もっと読む）

【課題】冷熱サイクル負荷時において、回路層の表面にうねりやシワが発生することを抑制でき、かつ、セラミックス基板と回路層との接合界面に熱応力が作用することを抑制でき、冷熱サイクル信頼性に優れたパワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１１の一方の面に回路層１２が接合されてなり、この回路層１２の表面に電子部品が搭載されるパワーモジュール用基板１０であって、回路層１２は、アルミニウムの母相中に析出物粒子が分散された析出分散型のアルミニウム合金で構成されており、回路層１２の断面の走査型電子顕微鏡観察において、回路層１２のうちセラミックス基板１１との接合界面部分には、粒径０．１μｍ以上の析出物粒子の存在比率が３％未満とされた析出物欠乏層１２Ａが形成されており、回路層１２の一方の面側においては、粒径０．１μｍ以上の析出物粒子の存在比率が３％以上とされていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】内部の気泡が少ないため薄型化しても配線の断線を引き起こしにくく、かつ高性能な高周波回路に十分対応可能な低誘電損失特性を有するガラスセラミック誘電体に好適な結晶性ガラス粉末を提供する。
【解決手段】熱処理によって、主結晶としてディオプサイド結晶を析出するとともに、長石結晶を析出することを特徴とする結晶性ガラス粉末、およびそれを焼成してなるガラスセラミック誘電体。 （もっと読む）