【課題】ワイヤボンディング性に優れた湿式めっきレスの導体膜を基板の表面に備える電子部品ならびに該電子部品の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明によって提供される電子部品１０は、無機基材２０と、該基材の表面に形成された導体膜３０と、該導体膜の一部にボンディングされたボンディングワイヤ５０，５５とを備えており、少なくとも一部にワイヤボンディング部４０，４５が形成されている。導体膜のうちの少なくともワイヤボンディング部を形成する部分は、Ａｇ又はＡｇ主体の合金から成るＡｇ系金属と、該Ａｇ系金属をコーティングするＡｌ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｙ，Ｃａ，Ｍｇ及びＺｎから成る群から選択されるいずれかを構成要素とする金属酸化物とを含んでいる。金属酸化物のコーティング量は、Ａｇ系金属１００質量部に対して０．０２〜０．１質量部に相当する量である。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体デバイス貫通電極形成用のガラス基板に比べて、ワレや破損の生じにくいガラス基板を製造する方法。
【解決手段】半導体デバイス貫通電極形成用のガラス基板前駆体の製造方法であって、
厚さが０．０１ｍｍ〜５ｍｍの、ＳｉＯ_２含有量が５０ｗｔ％〜７０ｗｔ％のガラス基板であって、平均熱膨張係数が１０×１０^−７／Ｋ〜５０×１０^−７／Ｋのガラス基板を準備し、前記ガラス基板を、エキシマレーザ光発生装置からのエキシマレーザ光の光路上に配置し、前記エキシマレーザ光発生装置と、前記ガラス基板との間の前記光路上に、マスクを配置し、前記エキシマレーザ光発生装置から、前記光路に沿って前記ガラス基板の第１の表面に、前記エキシマレーザ光を照射し、これにより、前記ガラス基板の第１の表面に、複数の凹部を形成する、製造方法。 （もっと読む）

【課題】コーティング膜を有しながらも、反りや変形の抑制された半導体デバイス貫通電極用のガラス基板を提供する。
【解決手段】第１の表面から第２の表面まで延在する貫通孔を有する、半導体デバイス貫通電極用のガラス基板であって、０．００５ｍｍ〜１ｍｍの範囲の厚さを有し、５０℃〜３５０℃における平均熱膨張係数は、１０×１０^−７／Ｋ〜１００×１０^−７／Ｋの範囲であり、貫通孔の数密度は、０．１個／ｍｍ^２〜１００００個／ｍｍ^２の範囲であり、第１の表面および第２の表面には、それぞれ、第１のシリカ膜および第２のシリカ膜が設置され、第１のシリカ膜の厚さｔ１および第２のシリカ膜の厚さｔ２は、いずれも０．２μｍ〜１０μｍの範囲であり、第１のシリカ膜の厚さｔ１と、第２のシリカ膜の厚さｔ２の差の比ΔｔをΔｔ（％）＝（ｔ１−ｔ２）／ｔ１×１００で表したとき、Δｔは、±２０％以下である。 （もっと読む）

【課題】基板における配置に左右されず、ほぼ一定のエッチング速度で微細孔及び微細溝等の微細構造を形成することができる微細構造の形成方法、該形成方法に使用されるレーザー照射装置、及び該形成方法を用いて製造された基板の提供。
【解決手段】基板１において孔状をなす微細構造を設ける領域に、パルス時間幅がピコ秒オーダー以下のパルス幅を有するレーザー光５１を照射し、該レーザー光５１が集光した焦点５６を走査して改質部５３を形成する工程Ａと、改質部５３が形成された基板１に対してエッチング処理を行い、該改質部５３を除去して微細構造を形成する工程Ｂと、を含む微細構造の形成方法であって、前記工程Ａにおいて、レーザー光５１として直線偏光レーザー光を用い、該直線偏光の向きＰを、焦点５６を走査する方向に対して一定の方向に維持しつつレーザー照射することを特徴とする微細構造の形成方法。 （もっと読む）

【課題】 配線抵抗が低く、熱負荷試験時において、プローブカード用セラミック配線基板に設けられたプローブピンとＳｉウエハの表面に形成された測定パッドとの位置ずれが小さく、電気特性の検査に好適に使用できるプローブカード用セラミック配線基板とこれを用いたプローブカードを提供する。
【解決手段】 複数のセラミック絶縁層が積層された絶縁基体の前記セラミック絶縁層の層間に、導体層として、銅、タングステンおよびモリブデンから選ばれる少なくとも１種の導体材料を主成分とするシグナル配線層とグランド配線層とを具備するプローブカード用セラミック配線基板において、前記セラミック絶縁層がムライト質焼結体からなり、前記セラミック絶縁層のうち、前記グランド配線層と接する前記セラミック絶縁層には、当該セラミック絶縁層の表面にアスペクト比が４以上の針状のアルミナ結晶を有する。 （もっと読む）

【課題】メタライズ層を設けるための複数の高度な技術を要する工程を必要とせず、またセラミック材料としての最適焼結条件内での焼結を実現した状態で、十分な強度を有する光半導体素子用パッケージ向け光反射セラミック材およびそれを用いたとそれを用いた光半導体素子用パッケージを提供することを目的とする。
【解決手段】光半導体素子用パッケージに用いるＡｌを主成分とする酸化物セラミック材であって、少なくとも前記光半導体素子の光の反射面となる前記セラミック材の表面に前記セラミック材の結晶粒子の粒子径以下の凹凸を形成し、凹凸の形成部分における表面積率が２．５以上であることを特徴とする光半導体素子用パッケージ向け光反射セラミック材。 （もっと読む）

【課題】反りや表面のしわの問題を解消し、信頼性を高めることができるパワーモジュール用基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板の両面に金属層が積層されたパワーモジュール用基板であって、金属層は、その結晶粒の平均粒径が０．５μｍ以下であり、金属層及びセラミックス基板の表面に真空雰囲気中で表面浄化エッチングを施した後に、真空雰囲気中でセラミックス基板と金属層とのエッチングした面どうしを重ね合わせることにより、セラミックス基板の表面に金属層が直接接合されている。 （もっと読む）

【課題】セラミックス基板と金属層との接合部に悪影響を与えることなく金属層とヒートシンクとを接合して、信頼性を高めることができるパワーモジュール用基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板２の両面に金属層６，７が積層されるとともに、その一方の金属層７にヒートシンク５が接合されたパワーモジュール用基板３であって、金属層６，７は、その結晶粒の平均粒径が０．５μｍ以下であり、金属層７及びヒートシンク５の表面に真空雰囲気中で表面浄化エッチングを施した後に、真空雰囲気中でヒートシンク５と金属層７とのエッチングした面どうしを重ね合わせることにより、ヒートシンク５と金属層７とが直接接合されている。 （もっと読む）

【課題】抵抗値が低く、且つデバイスの小型化に貢献する金属埋込ガラス基板及びその製造方法、及びこの金属埋込ガラス基板を用いたＭＥＭＳデバイスを提供する。
【解決手段】金属埋込ガラス基板は、対向する第１の主面ＳＦ１及び第２の主面ＳＦ２を有するガラス基板５４と、ガラス基板５４の第１の主面ＳＦ１と第２の主面ＳＦ２の間を貫通する金属からなる貫通金属部材５５とを備える。貫通金属部材５５の径は１００μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】製造コストの低減及び製造効率の向上を図った上で、導通性に優れたガラス基板の製造方法、パッケージの製造方法、パッケージ、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計を提供する。
【解決手段】コンテナ７３内に軸方向に沿って、貫通電極となる線材７２を張架する線材張架工程と、コンテナ７３内に溶融ガラス７１を充填する充填工程と、溶融ガラス７１を硬化させ、線材７２が一体化されたガラス体を形成する硬化工程と、ガラス体を軸方向に直交するように切断する切断工程とを有していることを特徴とする。 （もっと読む）