ガラス基板に物質を埋め込む方法が提供される。この方法は、ガラス成分と、凹陥部が画成されたパターン付き表面を有するモールド基板とを提供することを含む。モールド基板は、ガラス成分よりも、より高いリフロー温度を有する物質から形成される。パターン付き表面の表面湿潤性は、前記ガラス成分と比較して、より高くされる。ガラス成分の少なくとも１部分は、モールド基板のパターン付き表面により画成された凹陥部に流し込まれ、次いで、ガラス成分は凝固され、それにより、凝固ガラスレイヤが形成される。物質は、モールド基板の少なくとも１部分が凝固ガラスレイヤに埋め込まれた状態で、下方のモールド基板の構築されたパターン付き表面の１部分が露出されるまで、凝固ガラスレイヤから除去される。それにより、物質が埋め込まれたカラス基板が形成される。 （もっと読む）

【課題】高温ヒートサイクルに対する信頼性の高いアルミニウム−セラミックス接合基板を提供する。
【解決手段】３点曲げの抗折強度が５００〜６００ＭＰａのセラミックス基板に、ビッカース硬度３５〜４５のアルミニウム合金からなるアルミニウム部材を接合する。セラミックス基板として、高強度窒化アルミニウム、窒化珪素、ジルコニア添加アルミナまたは高純度アルミナからなるセラミックス基板を使用し、アルミニウム合金として、ケイ素およびホウ素を含むアルミニウム合金、または銅を含むアルミニウム合金を使用する。 （もっと読む）

【課題】チップデバイスの高密度実装時に用いる貫通電極付き基板を効率よく製造する手段を提供する。
【解決手段】貫通電極付き基板の製造工程は、貫通電極を構成する導電体材料の微粒子を液体に懸濁させる工程；上記の導電体材料の微粒子が通過し得ず、また上記の液体のみが通過可能なフィルター層１４０を、貫通孔１０２を有する基板１０１の片面に接触させる工程；フィルター層に接していない方の上記の基板面側から上記懸濁液１３０を圧力を加えながら貫通孔内に流し込み、上記貫通孔内に導電体微粒子を堆積させる工程；上記貫通孔内に堆積した導電体微粒子を濡らしている液体を乾燥させる工程；上記導電体微粒子が堆積している貫通孔内に導電性ペーストを注入し、その後に乾燥・硬化させる工程からなる。尚、導電体微粒子として合金からなる微粒子を用い、これを合金の融点以上の温度で溶解させたのち、冷却・固化させて貫通電極を形成する方法もある。 （もっと読む）

【課題】強い磁界に配置された場合であっても、導体層の磁化の程度が比較的小さいセラミック構造体、および、半導体装置を提供する。
【解決手段】セラミックスの表面に導体層が設けられたセラミック構造体１０であって、導体層は、セラミックスの表面に被着されたメタライズ層１４と、メタライズ層上に設けられたＮｉメッキ層１６と、Ｎｉメッキ層上に設けられた反磁性金属層１８、１９と、を有して構成されたことを特徴とするセラミック構造体。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率が高く、放熱性に優れる高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体を提供すること。
【解決手段】焼結助剤として少なくともＹ化合物を用いてなる高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体であって、窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度をＩ_ＡｌＮ、Ｙ_２Ｏ_３（２２２面）のＸ線回折強度をＩ_Ｙ２Ｏ３、ＹＡＭ（２０１面）のＸ線回折強度をＩ_ＹＡＭとしたとき、Ｉ_Ｙ２Ｏ３／Ｉ_ＡｌＮが０．００２未満（０を含む）かつＩ_ＹＡＭ／Ｉ_ＡｌＮが０．００２未満（０を含む）であり、Ｉ_Ｙ２Ｏ３／Ｉ_ＡｌＮまたはＩ_ＹＡＭ／Ｉ_ＡｌＮの少なくとも一方は０を超えた値であり、窒化アルミニウム結晶粒子の平均径が８μｍ以上、最小径が３μｍ以上、および最大径が３５μｍ以下、任意の結晶組織面積１００μｍ×１００μｍあたりに存在する窒化アルミニウム結晶粒子の粒子数が１２５個以下、熱伝導率が２６０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であるもの。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率が１９０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の優れた熱放熱性を有し、外観不良および半田付け性の低下を防止した高品質な窒化アルミニウム基板を得る。
【解決手段】同時焼成法により形成されたＷまたはＭｏを主成分とするメタライズ層を表面に備える厚さ１．５ｍｍ以下の単層の窒化アルミニウム基板において、メタライズ層を除く窒化アルミニウム基板は１９０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導率を有し、メタライズ層の厚さは１〜２０μｍであり、メタライズ層表面を２０倍に拡大観察した際に液相成分が観察されないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低コストで耐熱衝撃性などに優れた信頼性の高いセラミックス回路基板を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１２の一方および他方の表面に金属回路板１４および金属板１６がそれぞれ接合されたセラミックス回路基板１０において、セラミックス回路基板１０が金属回路板１４側に凹状に反っているときのセラミックス回路基板１０の反り量を正（＋）の反り量とすると、セラミックス回路基板の初期の反り量が＋０．０７８〜＋０．２２５ｍｍ、セラミックス回路基板１０の３５０℃に加熱したときの反り量が＋０．０１５〜＋０．０４８ｍｍであり、その後に室温に戻したときの反り量が＋０．１７６〜＋０．４０５ｍｍである。 （もっと読む）

【課題】電子部品と回路基板とのハンダ付け実装品質を向上させるなどする。
【解決手段】ベース３は、貫通電極７、１７が形成されたガラスによって構成されており、ベース３の底面には、水晶振動子６の電極と導通する外部電極８が形成されている。外部電極８は、ハンダ付けの際にハンダと接合する接合用電極膜３１と、その上に形成された酸化防止膜５１から構成されている。酸化防止膜５１は、Ａｕ層とＣｒ層を交互に重ねて構成されており、Ａｕ層の最上面は接合用電極膜３１に接合している。酸化防止膜５１を構成するＡｕ層の厚さの合計値は、３００［ｎｍ］以上で１０００［ｎｍ］以下、好ましくは、３００［ｎｍ］以上で４５０［ｎｍ］以下となるように設定されており、接合用電極膜３１の酸化を効果的に防止するのに十分な厚さを確保すると共に、Ａｕが多すぎることによりハンダの脆弱化を防いでいる。 （もっと読む）

【課題】 配線密度の向上と、配線間のクロストークノイズの低減とを両立する配線基板及び半導体装置を提供する。
【解決手段】 第１の層に設けた信号線となる第１の導体層と、第２の層に設けたグランド導体或いは電源用導体のいずれかの第２の導体層と、第１の導体層と第２の導体層間の第３の層に設けた第３の導体層とを有し、第３の導体層は第２の導体層と電気的に接続され、第３の導体層は第１の導体層より線幅が狭く、且つ、第３の導体層は第１の導体層が有する線幅の範囲内の第３の層に配置されているマイクロストリップ構造配線を有し、第３の導体層は、第２の導体層と複数の層間接続ビアによって接続され、第３の導体層と第２の導体層との間に第３の導体層より線幅の狭い第４の導体層を設けるとともに、第４の導体層は、第３の導体層及び第２の導体層と面で接続している。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つの導電性層と電気デバイスを導電性結合する方法に関するものであり、導電性層は光の可視波長領域で実質的に透明の基板に塗布され、次の各ステップを含んでおり、すなわち、電気デバイスまたは導電性層にデバイスが導電性層と結合されるべき領域ではんだ材料が施され、はんだ材料にエネルギー源から放出されるエネルギーが供給され、それにより、はんだ材料が溶融し、取外し可能でない物質接合式の導電性結合が電気デバイスと導電性層との間に構成される。 （もっと読む）