【課題】硬化物における難燃性、耐熱性に優れる硬化性樹脂組成物、その硬化物、及び、該硬化性樹脂組成物を用いたプリント配線基板用樹脂組成物、プリント配線基板、フレキシブル配線基板用樹脂組成物、半導体封止材料用樹脂組成物、及びビルドアップ基板用層間絶縁材料用樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、及び、下記構造式（１）
【化１】


（式中、Ｘ^１及びＸ^２は、それぞれ独立的に水素原子又は水酸基であり、Ａは水素原子、又は水酸基である。但し、Ｘ^１及びＸ^２の少なくとも一方は水酸基である。）で表されるリン原子含有化合物（Ｃ）を必須成分とする。 （もっと読む）

【課題】熱発生素子を搭載することに適したパッケージキャリアを提供し、さらに、パッケージキャリアを製造する方法を提供する。
【解決手段】パッケージキャリアの製造方法が提供される。基板の上表面と下表面とを連通する第１開口が形成される。頂表面と底表面とを有する熱伝導素子が第１開口中に配置されるとともに、絶縁材料を介して第１開口中に固定される。第１絶縁層と第１金属層とが上表面にラミネートされる。第２絶縁層と第２金属層が下表面にラミネートされる。それぞれ頂表面および底表面の一部を露出させる第２開口と第３開口とが形成される。第１金属層、第１絶縁層、基板、第２絶縁層、第２金属層を貫通する少なくとも１つのスルービアが形成される。第１および第２金属層ならびにスルービアの内壁を被覆する第３金属層が形成される。 （もっと読む）

【課題】セラミックス基板とアルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム層との界面強度が高く信頼性に優れたパワーモジュール用基板を効率よく生産することができるパワーモジュール用基板の製造方法、及び、パワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１１の一方の面のうち少なくともアルミニウム層１２が形成される領域に、Ｍｇ，Ｃａ及びＮｉから選択される１種又は２種以上の添加元素を固着し、前記添加元素を含有する固着層２４を形成する固着工程と、固着層２４が形成されたセラミックス基板１１を鋳型５０内に配置し、この鋳型５０内に溶融アルミニウムＭを充填し、セラミックス基板１１と溶融アルミニウムＭとを接触させる溶融アルミニウム充填工程と、セラミックス基板１１と接触した状態で溶融アルミニウムＭを凝固させる凝固工程と、を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】熱サイクル時における亀裂の進展が抑制されるとともに、焼結性および接合性に優れたパワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】回路層となる金属板と接合されてパワーモジュール用基板を形成するセラミックス基板であって、繊維状Ｓｉ_３Ｎ_４粒子と、非晶質Ｓｉ_３Ｎ_４粒子とが焼結されており、前記繊維状Ｓｉ_３Ｎ_４粒子が、０．０５μｍ以上３μｍ以下の短軸径と３以上２０以下のアスペクト比を有し、且つ、一つの断面における前記繊維状Ｓｉ_３Ｎ_４粒子のセラミックス基板に占める割合が、５面積％以上９５面積％以下であり、前記非晶質Ｓｉ_３Ｎ_４粒子の平均粒子径が１ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】セラミックス基板とアルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム層との界面強度が高く信頼性に優れたパワーモジュール用基板を効率よく生産することができるパワーモジュール用基板の製造方法、及び、パワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１１の一方の面のうち少なくともアルミニウム層１２が形成される領域に、Ｃｕを固着し、Ｃｕを含有する固着層２４を形成する固着工程と、固着層２４が形成されたセラミックス基板１１を鋳型５０内に配置し、この鋳型５０内に溶融アルミニウムＭを充填し、セラミックス基板１１と溶融アルミニウムＭとを接触させる溶融アルミニウム充填工程と、セラミックス基板１１と接触した状態で溶融アルミニウムＭを凝固させる凝固工程と、を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低温焼成が可能で、高周波領域での誘電損失が低く、メッキ耐食性に優れた焼結体を得ることが可能なセラミックス組成物及び電子部品を提供する。
【解決手段】Ｂａ_４（Ｒｅ_{（１−ｘ）}，Ｂｉ_ｘ）_９．３３Ｔｉ_１８Ｏ_５４で現わされる主相成分と、主相成分１００質量部に対し酸化物換算で、Ｂ成分を０．３〜１．４質量部、Ｌｉ成分を０．１〜０．３質量部、Ｚｎ成分を１．５〜７質量部及びＡｇ成分を１．５〜２質量部含有する第１副成分と、主相成分１００質量部に対し酸化物換算で、Ｓｉ成分を０〜１．２５質量部、Ａｌ成分を０〜１．２５質量部、Ｂｉ成分を０〜５質量部含有する第２副成分とを含むセラミックス組成物。該セラミックス組成物を焼成して得られるセラミックス層と、該セラミックス層の表面及び／又は内部にあって、セラミックス組成物と同時焼成して得られる導体層とを有する電子部品。 （もっと読む）

【課題】内部の気泡を低減し得るとともに、高性能な高周波回路に十分対応可能な低誘電損失特性を有する結晶性ガラス粉末を提供する。
【解決手段】熱処理によって、主結晶としてディオプサイド結晶と長石結晶が析出することを特徴とする結晶性ガラス粉末。結晶性ガラス粉末は、ガラス組成として質量％で、ＳｉＯ_２ ２０〜６５％、ＣａＯ ３〜２５％、ＭｇＯ ７〜３０％、Ａｌ_２Ｏ_３ ０〜２０％、ＢａＯ ５〜４０％を含有し、かつ質量比で、１≦ＳｉＯ_２／ＢａＯ≦４の関係を満たすことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】表面実装型電子部品の外部電極の耐衝撃性を向上させる。
【解決の手段】貫通電極５が形成された基板１に下地金属層１２が形成されその上に下地金属層１２とはんだ付け金属層１３に熱膨張率が近く、かつ下地金属層１２とはんだ付け金属層１３とはんだ付け温度で反応しにくい金属よりなるバリア金属層１５が形成され、更にその上にはんだ付け金属層１３が形成される。そして最終的に最上層には保護金属層１４が形成される。 （もっと読む）

【課題】材料コストが安く高周波特性が良好な貫通電極基板を簡便な工程で得ることができ、製造時間とコストの大幅な削減が可能な貫通電極基板の製造方法を提供する。
【解決手段】厚さ方向に形成された複数の貫通孔を有するガラス基板の前記貫通孔内に、導電性材料からなる貫通電極を有する貫通電極基板の製造方法であって、金属粒子を含む流動性の導電性組成物を前記ガラス基板上に塗布して、該導電性組成物を前記貫通孔内に充填する工程と、前記貫通孔内に充填された前記導電性組成物を加熱して、該貫通孔内に前記貫通電極を形成する工程を備える貫通電極基板の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率が高く放熱性が優れた半導体装置用放熱板を提供する。
【解決手段】Ｙ元素を０．１４〜１．５質量％含有し、窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対するＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９（２０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９の比（ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９／ＩＡｌＮ）が０．００２〜０．０６であり、且つＹ_２Ｏ_３（２２２面）のＸ線回折強度ＩＹ_２Ｏ_３の窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対する比（ＩＹ_２Ｏ_３／ＩＡｌＮ）が０．００８〜０．０６であり、熱伝導率が２４０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、三点曲げ強度が２００ＭＰａ以上である窒化アルミニウム焼結体から成ることを特徴とする半導体装置用放熱板である。 （もっと読む）