【課題】半導体素子を封止する際の流動性および硬化性に優れた樹脂組成物を得ることができる樹脂組成物の製造方法、樹脂組成物および半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の樹脂組成物の製造方法は、回路基板１１０上に設置された半導体チップ１２０を封止する樹脂組成物であって、その封止の際に、回路基板１１０と半導体チップ１２０との間の隙間にも充填される樹脂組成物を製造する製造方法であって、硬化性樹脂の粉末材料および第１の無機充填材の粉末材料を含む原材料を粉砕する粉砕工程と、第２の無機充填材の粉末材料に対し、表面処理を行う表面処理工程と、粉砕後の前記原材料と、表面処理された前記第２の無機充填材とを混合する混合工程と、前記混合工程で混合された混合物を混練する混練工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を封止する際の流動性および硬化性に優れた樹脂組成物を得ることができる樹脂組成物の製造方法、樹脂組成物および半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の樹脂組成物の製造方法は、回路基板１１０上に設置された半導体チップ１２０を封止する樹脂組成物であって、その封止の際に、回路基板１１０と半導体チップ１２０との間の隙間にも充填される樹脂組成物を製造する製造方法であって、硬化性樹脂の粉末材料および２４μｍを超える粒子の含有率が１質量％以下である無機充填材の粉末材料を含む原材料を粉砕する粉砕工程と、粉砕後の前記原材料を混練する混練工程とを有し、前記混練工程において、粉砕後の前記原材料１ｋｇあたりに与える混練エネルギーを０．０１〜０．５ｋＷｈ／ｋｇとする。 （もっと読む）

【課題】光半導体装置用白色硬化性組成物を成形した成形体を備える光半導体装置において金属部にマイグレーションが発生し難い光半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る光半導体装置１は、リードフレーム２と、リードフレーム２上に搭載された光半導体素子３と、リードフレーム２上に配置された成形体４とを備える。成形体４が、白色の光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られている。上記光半導体装置用白色硬化性組成物は、エポキシ化合物と、硬化剤と、酸化チタンと、酸化チタンとは異なる充填材と、硬化促進剤と、酸化防止剤とを含む。該酸化防止剤の分子量は６００以上、２０００未満である。上記酸化防止剤を構成する原子は、炭素原子、酸素原子及び水素原子の３種のみである。 （もっと読む）

【課題】取り扱い性、成形時の金型への充填性及び連続成形性に優れている半導体装置用白色硬化性材料を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置用白色硬化性材料は、白色の硬化性組成物であるか、又は該白色の硬化性組成物を熱処理した熱処理物である。上記白色の硬化性組成物は、エポキシ化合物と、硬化剤と、酸化チタンと、酸化チタンとは異なる充填材と、硬化促進剤とを含む。本発明に係る光半導体装置用白色硬化性材料では、軟化点が６０℃以上、１２０℃未満であり、１７０℃における粘度が１２０Ｐａ・ｓを超え、３００Ｐａ・ｓ以下であり、１７０℃におけるゲルタイムが３０秒以上、１００秒以下であり、成形温度１７０℃及び成形時間１００秒の条件で金型によりトランスファー成形した後、金型から成形体を取り出したときに、金型から取り出されてから５秒後の成形体の硬さがショアＤで７０以上である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体チップパッケージ及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の実施形態によると、（ａ）ＩＣ基板上に形成されたバンプパッド上にスズ系金属メッキ層を形成する段階と、（ｂ）ベアチップの電極パッド上にＣｕフィラーを形成する段階と、（ｃ）ベアチップのＣｕフィラーをＩＣ基板の金属メッキ層に載置し、Ｃｕフィラーと金属メッキ層とを接合させる段階と、（ｄ）接合されたＩＣ基板とベアチップとの間を絶縁体で充填する段階と、を含むスズメッキを利用した半導体チップパッケージの製造方法が提案される。また、その方法により製造された半導体チップパッケージが提案される。 （もっと読む）

【課題】貯蔵安定性と硬化性とを高度に両立することができるエポキシ樹脂用潜在性の硬化触媒、一液性エポキシ樹脂組成物、及びその硬化物を提供すること。
【解決手段】マイクロカプセル型潜在性硬化触媒と酸無水物を含む混合物を加熱処理して得られることを特徴とする処理硬化触媒、その処理硬化触媒と、２５℃で液状のエポキシ樹脂、酸無水物系の硬化剤を含むことを特徴とする一液性エポキシ樹脂組成物、及び、その一液性エポキシ樹脂組成物を加熱により硬化して得られることを特徴とする硬化物。 （もっと読む）

【課題】
耐湿信頼性が高く、高温接続条件においてボイド抑制が可能であり、かつフラックス成分を添加することなく、良好なはんだ接合部の形成が可能となる先供給方式に対応した半導体封止充てん用エポキシ樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】
エポキシ樹脂、酸無水物、硬化促進剤を必須成分としており、酸無水物が下記一般式（１）で表されるコハク酸無水物誘導体である半導体封止充てん用エポキシ樹脂組成物、並びに該半導体封止充てん用エポキシ樹脂組成物を用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置。



［式（１）中、Ｒは炭素数３以上のアルケニル基を表す。］ （もっと読む）

【課題】無機充填剤を高充填しても低粘度で、かつ、ガラス転移温度が高く、線膨張係数が小さい硬化物を比較的低温且つ短時間で得ることができるアンダーフィル材料、及び、このものを用いて実装されてなる半導体装置及びその製造方法の提供。
【解決手段】式（Ｉ）で表される脂環式エポキシ樹脂ＡとビスフェノールＦ型液状エポキシ樹脂、酸無水物硬化剤、マイクロカプセル型潜在性エポキシ樹脂硬化促進剤、及び、平均粒径５μｍ以下の球状シリカを含有し、（脂環式エポキシ樹脂Ａの重量）／（エポキシ樹脂全体の重量）で０．２〜０．８であるアンダーフィル材料、並びに、該アンダーフィル材料を用いた半導体装置及びその製造方法。
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【課題】
ＤＭＡ法により測定した０℃での貯蔵弾性率が０〜１５０ＭＰａの範囲である硬化物を与える硬化性樹脂組成物は、特に光学特性、ヒートサイクル耐性が必要な材料、例えば、光半導体用（ＬＥＤ製品など）の封止材としてきわめて有用な樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】
（１）
硬化物の、ＤＭＡ法により測定したガラス転移温度（Ｔｇ）が−１０〜１０℃の範囲であり、ＤＭＡ法により測定した０℃での貯蔵弾性率が０〜１５０ＭＰａの範囲である光半導体素子封止用硬化性樹脂組成物。
（２）
エポキシ樹脂（Ａ）及びエポキシ樹脂硬化剤を含有する、（１）に記載の光半導体素子封止用硬化性樹脂組成物。
（３）
エポキシ樹脂（Ａ）が、シリコーン骨格エポキシ樹脂である、（２）に記載の光半導体素子封止用硬化性樹脂組成物。
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【課題】封止樹脂により半導体チップの電極形成面が封止され、再配線基板と実装基板との対向領域に封止樹脂が充填された半導体装置を、安価で提供すること。
【解決手段】再配線基板は、第１ランド及び第２ランドを同一面に有するとともに、これらランドの形成面が半導体チップの一面に対向配置されている。第２ランドは、半導体チップとの対向領域を取り囲む外周領域内であって、半導体チップとの距離が第１ランドよりも遠い位置に設けられている。実装基板は、半導体チップに対して再配線基板と反対側に配置されており、第３ランドは、半導体チップとの対向面において、半導体チップとの対向領域を取り囲む外周領域内に設けられている。そして、封止樹脂は、再配線基板と実装基板との対向領域に充填されて、再配線基板と実装基板の両方に接触しつつ、半導体チップの電極形成面を封止している。 （もっと読む）