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国際特許分類[H01L23/36]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体または他の固体装置の細部 (40,832) | 冷却,加熱,換気または温度補償用装置 (8,151) | 冷却または加熱を容易にするための材料の選択または成形,例.ヒート・シンク (3,707)

国際特許分類[H01L23/36]の下位に属する分類

装置の形状により容易になる冷却
装置用材料の選択により容易になる冷却 (910)

国際特許分類[H01L23/36]に分類される特許

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【課題】より簡単な構成で、熱雑音の増大や信頼性の低下を抑制する。
【解決手段】固体撮像装置は、複数の画素が配置されてなる画素アレイが形成される画素形成領域と、画素アレイから出力される電気信号に対する信号処理を行うロジック回路が形成されるロジック回路形成領域と、少なくとも一部がSi表面を同位体濃縮して形成されている基板とを備え、基板は、ロジック回路形成領域において発生した熱を、外装としてのパッケージに伝達するように設けられる。本技術は、CMOSイメージセンサに適用することができる。 (もっと読む)


【課題】 両面冷却型の半導体パワーモジュールにおいて、半導体チップの放熱性や信頼性の低下を抑えつつ、溢れたはんだによるリードフレーム間のショートや半導体チップ面内でのショートの発生を防止する。
【解決手段】 半導体素子と、第1の突起面が半導体素子の一方の面に形成された電極部とはんだで接続されている第1のリードフレームと、半導体素子の前記一方の面と反対側の面に形成された電極部とはんだで接続されている第2のリードフレームと、第1のリードフレームと熱的に接続された第1の放熱部材と、第2のリードフレームと熱的に接続された第2の放熱部材とを備えた両面冷却型半導体パワーモジュールにおいて、第1の突起面は半導体素子の一方の面に形成されたはんだ接続する電極部よりも小さい形状を有し、第1の突起面と電極部との形状の寸法差が第1の突起面の方向により異なるように構成した。 (もっと読む)


【課題】パワーモジュールからの熱伝導効率を向上させて冷却性能を向上させることができるパワーモジュールの冷却構造を提供する。
【解決手段】電流が流れることで熱が発生する電子部品を搭載したパワーモジュール1を伝熱部材2に実装し、この伝熱部材2を介してパワーモジュール1の発生熱をインバータケース11に放熱する。伝熱部材2には、パワーモジュール1の実装面21の反対側に突出する膨出部22を設け、この膨出部22をインバータケース11の内面に面接触させて接着し、伝熱部材2とインバータケース11との間の接触熱抵抗を低下する。 (もっと読む)


【課題】放熱性に優れる発熱デバイス組立体、および、かかる発熱デバイス組立体を製造する方法を提供すること。
【解決手段】発熱デバイス組立体10は、板状をなし金属材料で構成された金属板21と金属板21の上面211に形成された絶縁層22とを有するベース基板2と、絶縁層22上に配置され、通電により発熱する発熱体4と備える発熱デバイス1と、発熱デバイス1が搭載され、板状をなす搭載用基板9とを有している。そして、ベース基板2は、その平面視での面積Sが搭載用基板9の平面視での面積Sよりも小さいものである。 (もっと読む)


【課題】制御基板上の発熱電子部品の放熱性を向上させる。
【解決手段】ステアリングシャフトに操舵補助力を付与する電動モータと、該電動モータの出力軸とは反対側に配置され電動モータを制御するコントロールユニットとにより構成され、該コントロールユニットは、電動モータに底部が結合された有底筒形状のECUハウジングと、該ECUハウジングの内部に収容され電動モータを駆動制御するためのMOSFET17を実装した金属基板16と、該MOSFET17を制御するためのマイコン24を実装したプリント基板16とを有し、金属基板16をECUハウジング内の底面の近傍に配置する一方、プリント基板16をECUハウジング内における金属基板16の開口部側に配置し、該プリント基板16の金属基板16と対向する面にマイコン24を実装し、該マイコン24と金属基板16とを熱伝達部材26を介して接続した。 (もっと読む)


【課題】反りの発生を抑制することができるヒートシンク付パワーモジュール用基板及びその製造方法、並びに、ヒートシンク付パワーモジュール、パワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板12の一方の面に回路層13が形成されるとともに他方の面に金属層14が形成されたパワーモジュール用基板11と、金属層14側に接合されてパワーモジュール用基板11を冷却するヒートシンク17とを備えたヒートシンク付パワーモジュール用基板10であって、金属層14とヒートシンク17とが直接接合されており、回路層13の厚さAと金属層14の厚さBとの比率B/Aが、2.167≦B/A≦20の範囲内に設定されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】第1の基板上に第2の基板を搭載し、第2の基板上に電子部品を搭載し、さらに第2の基板上にて電子部品と放熱板とを熱的に接続してなる電子装置において、第2の基板を介することなく、放熱板から第1の基板に直接的に放熱できるようにする。
【解決手段】第1の基板10と、一面側に電子部品30が設けられ他面側が第1の基板10と熱的に接続された第2の基板20と、第2の基板20の一面側に設けられ電子部品30と熱的に接続された放熱板40とを備える電子装置において、放熱板40の周辺部には、直接第1の基板10に熱的に接続された延設部70が備えられ、この延設部70は、前放熱板40の周辺部から突出し、その先端部が第2の基板20の貫通穴21に挿入されて第2の基板20の他面側に露出する突出部41と、第2の基板20の他面側にて突出部41の先端部と第1の基板10とを熱的に接続するはんだ50とよりなる。 (もっと読む)


【課題】絶縁基板とサーマルビアとの界面におけるクラックの抑制および発光素子で発生した熱の放熱性の向上。
【解決手段】配線基板20は、外部接続用電極層120、セラミックス層130および配線層140を備える。セラミックス層130は、アルミナとホウ珪酸ガラスを材料として形成されており、熱伝導率が6W/m・K以下である。セラミックス層130は、複数の第1のサーマルビア132、および、第1のサーマルビア132より小さい直径を有する第2のサーマルビア134を配置することにより、熱伝導率の低いセラミックス層130を用いた配線基板20において、発光素子150で生じる熱の放熱性能を向上している。第1のサーマルビア132は、発光素子搭載領域150a内に格子状に配置され、第2のサーマルビア134は、隣接する全ての第1のサーマルビア132から等距離離れた位置に配置されている。 (もっと読む)


【課題】耐折曲強度を向上すると共に、簡単に種々の形状に加工しながら、熱伝導率を高くし、また振動に対する強度を向上する放熱シートの製造方法を提供する。
【解決手段】繊維と熱伝導粉末とを水に懸濁して抄紙用スラリーとし、この抄紙用スラリーを湿式抄紙してシート状とする。また、抄紙用スラリーに、叩解して表面に無数の微細繊維を設けてなる叩解パルプと、叩解されない非叩解繊維とを懸濁し、この叩解パルプと非叩解繊維とでもって、抄紙用スラリーに懸濁してなる熱伝導粉末を繊維に結合してシート状に抄紙し、抄紙して得られる抄紙シートを熱プレスする。 (もっと読む)


【課題】 高い放熱性を維持しつつ、装置の小型および薄膜化、回路基板への実装等にお
いて、高い自由度を備えることが可能な半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の半導体装置は、半導体素子と、その半導体素子を配置するパッケ
ージ10と、を備えた半導体装置であって、上記パッケージ10は、上記半導体素子に接
続される導体配線の下に熱伝導性部材12を有しており、その熱伝導性部材12は、上記
半導体素子の下に配置されており、上記パッケージ10を構成する絶縁性部材の内部に埋
設されていることを特徴とする。 (もっと読む)


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