【課題】基板の表裏を導通する導通部における電気特性を向上した貫通電極基板及びそれを用いた半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の貫通電極基板の製造方法は、ウェハ状の基板に前記基板を貫通しない複数の有底孔を形成し、前記基板及び前記有底孔の表面に絶縁膜を形成し、前記有底孔が開口する側の前記基板及び前記有底孔の絶縁膜上に金属からなるシード膜を形成し、前記シード膜に第１の時間直流電流を供給する電解めっき法により、前記シード層が形成されている面の前記有底孔の底部に金属層を形成し、前記シード膜及び前記金属層にパルス電流を供給する電解めっき法により、前記有底孔内に金属材料を充填して導通部を形成し、前記有底孔が形成されている側と反対側の前記基板の表面を、前記導通部の表面が露出するまで研磨する。 （もっと読む）

【課題】モールド樹脂で封止された半導体装置において、絶縁耐圧の高い電力制御用の半導体装置を提供する。
【解決手段】電力制御用の半導体装置１は、電極部４０Ａを有する低電圧側の第１電極端子４０と、電極部５０Ａを有する高電圧側の第２電極端子５０と、電極部４０Ａ，５０Ａに接続されているスイッチング素子１０と、スイッチング素子１０をモールド樹脂で封止する封止部８０とを備えている。絶縁シート４３，５３は封止部８０から露出するように電極部４０Ａ，５０Ａの第２面４２，５２に設けられている。絶縁シート４３，５３は第２面４２，５２よりも大きい形状とされている。 （もっと読む）

【課題】インバータ等のパワーモジュールを始めとする大容量モジュールにおいて、小型軽量化、低サージ化、及び低損失化を達成しつつ、パワー半導体素子等の高発熱素子から発生する熱をより効率良く外部に伝達することができる、信頼性の高い大容量モジュールの周辺回路用の回路基板、当該回路基板を用いる周辺回路を含む大容量モジュール、及び当該大容量モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】パワー回路基板１１１上に配設されたパワー半導体素子１１３上に周辺回路基板１２１を積層してモジュール１００の小型軽量化及び低損失化を達成しつつ、周辺回路基板１２１内にコンデンサ１２６を埋設して低サージ化を達成し、更に、周辺回路基板１２１のパワー半導体素子１１３と対向する表面に対応する領域にはコンデンサを配設しない構成により周辺回路基板１２１を経由する熱伝導経路を確保する。 （もっと読む）

【課題】この発明は、金属配線部材とヒートシンクとの間に介装される絶縁樹脂層の厚みを高精度に管理できるようにし、要求される電気絶縁性と熱伝導性を安定して確保することができる電力変換装置およびその製造方法を得る。
【解決手段】半導体素子３が表面に搭載された金属配線部材４、金属配線部材４の裏面を露出させて、金属配線部材４および半導体素子３を埋設するモールド樹脂５、およびモールド樹脂５から延出する入出力端子７，９を有するパワーモジュール２と、金属配線部材４の露出面に対向して配設されるヒートシンク１１と、モールド樹脂４の金属配線部材４の露出面の外側部位とヒートシンク１１との間に挟持されて、金属配線部材４の露出面とヒートシンク１１との間に所定の隙間を形成する樹脂厚み規制部材１３と、金属配線部材４の露出面を覆うようにパワーモジュール２とヒートシンク１１との間に充填された絶縁樹脂層１２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】外層のケースを用いない、また、小型化が容易となる電子モジュールを実現する。
【解決手段】この電子モジュール１０は、板状のカード形状を呈しており、配線板１２と、配線板１２に実装された電子部品１１と、接続端子１３と、外層部１５とを備える。電子部品１１は、抵抗、コンデンサ等のチップ部品やＩＣ（集積回路）である。接続端子１３は、被接続モジュールの端子と電気的に接続する。外層部１５は、プリプレグであって、ガラスクロスにエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させたものが用いられる。 （もっと読む）

【課題】アライメントマークに集中する応力の方向依存性を低減して、クラックを発生しにくくする。
【解決手段】基板の第１の主面に、環状の第１の溝及びドット形状の第２の溝を形成する。第１及び第２の溝を埋め込むように絶縁膜を形成した後、基板の第１の主面にフォトレジスト膜を形成する。絶縁膜で埋め込まれた第２の溝の基板上での位置を基準として位置合わせした第１のパターンを、フォトレジスト膜に転写する。絶縁膜で埋め込まれた環状の第１の溝の内側に位置する基板に、基板を厚さ方向に貫通する貫通電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子等の複数の電子部品を備え、薄型化、小型化及び製造の低コスト化の要求に対応することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、支持基板１１と、前記支持基板１１の一方の主面に搭載された第１の半導体素子２１と、前記支持基板１１と前記第１の半導体素子２１との間に配置された電子部品３１と、を具備し、前記支持基板１１は、前記第１の半導体素子２１から離間する方向に変形して形成される凹部Ｓを有し、前記電子部品３１は、その厚さの少なくとも一部が前記凹部Ｓに収容されて搭載されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 シリコン貫通ビアが形成されたＬＳＩチップが搭載されたパッケージ内において、ＬＳＩチップから受動部品までの配線距離を短くする構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
本発明は、基板上に積層された複数のＬＳＩチップからなる半導体装置であって、シリコン貫通ビアが形成されたＬＳＩチップと、前記シリコン貫通ビアが形成されたＬＳＩチップ上に搭載され、前記シリコン貫通ビアを介して電源経路と電気的に接続する１以上の受動部品と、を有することを特徴とする半導体装置に関する。 （もっと読む）

【課題】受熱板とカバーケースの間に絶縁部材が設けられた電力変換装置において、受熱板とカバーケースを締結する締結部材の締結力の低下を防止する。
【解決手段】受熱板（１４）とケース（１９）との間に設けられた絶縁部材（２０）を備えた電力変換装置において、前記受熱板（１４）は、締結部材の軸部（１６ｂ）が挿通される挿通孔（１７）と、前記挿通孔の周囲において前記締結部材の前記軸部以外の一部（１６ａ）と接触して押圧される接触部（１４ｅ）とを備える。前記ケース（１９）は、前記受熱板の前記挿通孔（１７）に対向する凹部（２５）と、前記凹部に連通して前記締結部材の軸部（１６ｂ）が挿入される穴部（２１）とを備える。前記凹部（２５）は、前記受熱板（１４）の面（１４ｃ）に沿った方向において前記接触部（１４ｅ）よりも大きな断面を有する。 （もっと読む）

【課題】信号にノイズがのることを抑制する。
【解決手段】第１配線基板１００の第１面１０２上には、半導体チップが搭載される。第１配線基板１００の第１面１０２は、ボンディング電極１１０の外に、第１グランドプレーン１２０、信号用第１配線１３２、グランド用第１配線１３４、及び電源電位用第１配線１３６を有している。グランド用第１配線１３４は、信号用第１配線１３２に隣接するように延伸しており、グランド用ボンディング電極１１４を第１グランドプレーン１２０に接続している。グランド用ホール配線１４４は、信号用ホール配線１４２に隣接している。グランド用ホール配線１４４は、第１グランドプレーン１２０を、第２面１０４に設けられたグランド用第２配線に接続している。 （もっと読む）