【課題】半導体装置を薄型化する技術を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板と、前記基板の上面に設けられた半導体素子と、前記基板の上面に設けられた接着剤と、を備え、前記基板の上面に、前記半導体素子の少なくとも一部を収容する凹部が形成され、前記接着剤は、前記基板と前記半導体素子との間に設けられているとともに、前記基板の凹部を覆っている。 （もっと読む）

【課題】圧接型半導体モジュールにおいて複数の半導体素子を備えた場合でも半導体素子と冷却部材との熱的接触性及び当該冷却部材の放熱性を維持させる。
【解決手段】半導体モジュール１は半導体素子４を介在させた積層部材２とこの部材２の両面に接触配置される一対の冷却部材３ａ，３ｂとを備える。冷却部材３ａ，３ｂの内部には冷却部材３ａ，３ｂと積層部材２との接触面３０ａ，３０ｂと重複しないように冷媒流路３１が形成されている。冷却部材３ａは付勢部材１６により積層部材２に圧接している。冷却部材３ａ，３ｂは接触面３０ａ，３０ｂと重複しない壁部３２ａ，３２ｂの壁厚が接触面３０ａ，３０ｂと重複する壁部３３ａ，３３ｂの壁厚よりも薄く設定されている。付勢部材１６は密閉部材１７の押圧を受けて壁部３３ａの面に圧接する。積層部材２間の空間には冷却部材３ａ，３ｂによって狭持される絶縁熱分離部材１５が具備される。 （もっと読む）

【課題】放熱性が向上するとともに、小型化の可能な電子モジュールを提供することにある。
【解決手段】金属基板３は、金属より成るベース３１の上面に樹脂による絶縁層３２を介して形成された導体配線３３を有する。モールドケース４は、金属基板３と電子部品を収容し、外部との電気的接続を行う為のバスバーやターミナル端子がインサートモールドされている。金属基板３は、導電性部材で構成された金属より成るベースが、車両の周囲にある接地されている導電性部材に対して非接触とし、絶縁部材で構成された接着部材によって、絶縁部材で構成された前記モールドケースに接着固定されており、前記金属基板のベースは電気的に非接地とした構造である。金属基板３は、モールドケース４の端面と接着固定されており、金属基板のベースの面は、モールドケース外側の大気中に露出している。 （もっと読む）

【課題】基板設計や放熱手段の設計の自由度が増し、小型化が容易な電力変換装置、およびそれを備えた空気調和装置を得ること。
【解決手段】第１のパワーモジュール７，１０と、第１のパワーモジュール７，１０よりも高耐熱な第２のパワーモジュール８と、第１のパワーモジュール７，１０と第２のパワーモジュール８とが混載される基板と、第１のパワーモジュール７，１０および第２のパワーモジュール８が発する熱を放熱する放熱手段１５と、第１のパワーモジュール７，１０と放熱手段１５とを密着固定する固定手段２０と、を備え、第２のパワーモジュール８は、第１のパワーモジュール７，１０の放熱面と放熱手段１５とが固定手段２０により密着固定されることにより、第２のパワーモジュールの放熱面と放熱手段１５とが密着する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、貫通電極のサイズ（直径）が縮小化された場合でも、４端子法により貫通電極の抵抗値を正確に測定することの可能な半導体チップ及びその抵抗測定方法、並びに半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】半導体基板１０１及び回路素子層１０２を有する半導体チップ本体５５と、半導体チップ本体５５を貫通する第１乃至第４の貫通電極６１〜６４と、回路素子層１０２に設けられた回路素子を介することなく、第１の貫通電極６１と第２の貫通電極６２とを電気的に接続する第１の導電経路９６と、回路素子を介することなく、第１の貫通電極６１と第３の貫通電極６３とを電気的に接続する第２の導電経路９７と、回路素子を介することなく、第２の貫通電極６２と第４の貫通電極６４とを電気的に接続する第３の導電経路９８と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ウエハトゥウエハ積層法によって製造される半導体チップ積層体の歩留りを改善する。
【解決手段】第１の半導体チップ１１が複数形成された第１種の半導体ウエハ１０、および第２の半導体チップ３１が複数形成された第２種の半導体ウエハ３０が積層してなる半導体ウエハ積層体の製造方法であって、前記第１の半導体チップ各々の物理的または電気的特性が既知である前記第１種の半導体ウエハを複数用意し、前記第２の半導体チップ各々の物理的または電気的特性が既知である前記第２種の半導体ウエハを複数用意し、前記第１種の半導体ウエハ各々における前記第１の半導体チップ各々の物理的または電気的特性、および前記第２種の半導体ウエハ各々における前記第２の半導体チップ各々の物理的または電気的特性に基づいて、前記複数の第１種および第２種の半導体ウエハの中から、積層させる第１種および第２種の半導体ウエハの選定を行う。 （もっと読む）

【課題】ボイドの発生を有効に防止しつつ、良好な冷却機能を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体素子１，２が配置される主面を有する第１の電極３と、第１の電極３の主面に配置された半導体素子１，２と、半導体素子１，２を介して、第１の電極３と対向するように配置された第２の電極４と、第１の電極３の周囲を覆う第１の樹脂からなる樹脂枠部５と、第１の電極３、第２の電極４、および樹脂枠部５により形成される空間に充填された第２の樹脂６１からなる樹脂封止部６と、を備え、樹脂枠部５には、第２の樹脂６１が充填された空間から外部へと、樹脂枠部５を貫通する１以上の連通路５１が形成されていることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】軽量、高放熱効率、高剛性のパワー半導体装置を提供する。
【解決手段】ベース１と、ベース１に配設される半導体回路２と、半導体回路２を冷却する冷却フィン３と、を備えるパワー半導体装置であって、ベース１には１つ以上の凸部１ａ，１ｂが形成され、凸部１ａ，１ｂにおける、ベース１表面に平行な方向の幅が、ベース１の厚さよりも長くなっていることにより、軽量、高放熱効率、高剛性のパワー半導体装置１００，２００，３００，４００を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】同じはんだ材料を用いながらも基板をヒータで加熱することによるマルチチップ実装を可能にするマルチチップモジュール等を提供する。
【解決手段】マルチチップモジュール１０は、一つのＰＬＣ２０上に複数のＬＤ３１，３２がそれぞれはんだバンプ４１，４２を介してかつＰＬＣ２０の表面２００に水平方向に実装されたものである。そして、複数のはんだバンプ４１，４２の融点Ｔｍが同じであり、ＰＬＣ２０を加熱してからはんだバンプ４１，４２が融点Ｔｍに達するまでの時間ｔ１，ｔ２はＬＤ３１，３２ごとに異なる。 （もっと読む）

【課題】貫通電極が絶縁膜で被覆されていようがいまいが、貫通電極と配線の接触面積を確保すること。
【解決手段】本実施形態に係る半導体装置は、第１の半導体チップ２００と、第１の半導体チップ２００上に積層された第２の半導体チップ３００と、第１の半導体チップ２００と第２の半導体チップ３００とを接続する貫通電極１２０と、を有している。貫通電極１２０は、第１の貫通電極部１２２と第２の貫通電極部１２４を有している。第１の貫通電極部１２２は、第２の半導体チップ３００において、第２の絶縁膜４２の上面から第２の配線３２の上部まで設けられている。第２の貫通電極部１２４は、第１の貫通電極部１２２の下面と繋がっており、かつ第２の配線３２と同一層から第２の半導体チップ３００の第１の配線３０上部まで設けられている。第１の貫通電極部１２２と第２の貫通電極部１２４の孔径は、平面視で、第１の貫通電極部１２２の孔径の方が大きい。 （もっと読む）