【課題】より小型化可能な電力変換装置を提供する。
【解決手段】電力変換装置１は、複数の半導体モジュール２と複数の冷媒流路１１とを積層した積層体１０を備える。半導体モジュール２のパワー端子２１の突出側には電子機器３が配置されている。半導体モジュール２の本体部２０と電子機器３との間に、パワー端子２１に接続した複数のバスバー４が介在している。また、半導体モジュール２を電子機器３に電気的に接続する接続部５が形成されている。バスバー４には、正極バスバー４ａと負極バスバー４ｂとがある。正極バスバー４ａと負極バスバー４ｂとは、パワー端子２１の突出方向（Ｚ方向）に所定間隔をおいて対向配置されている。接続部５は、電子機器３と積層体１０との間において、正極バスバー４ａ及び負極バスバー４ｂに対して、冷媒流路１１の長手方向（Ｙ方向）に隣接する位置に配置されている。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの両面冷却により効率的な放熱が可能な積層構造を有する半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１は第１半導体チップ１０ａと、前記第１半導体チップ１０ａの一方の面に設けられた放熱作用を有する第１エミッタ電極１４ａと、第２半導体チップ１０と、前記第２半導体チップ１０ｂの一方の面に設けられた放熱作用を有する第２エミッタ電極１４ｂとを有する。また、放熱作用を有する取り出しエミッタ電極１４を介して、前記第１エミッタ電極１４ａと前記第２エミッタ電極１４ｂが接するように設けられる。半導体装置１の製造方法は、第１半導体チップ１０ａの一方の面に放熱作用を有する第１エミッタ電極１４ａを接合する工程と、第２半導体チップ１０ｂの一方の面に放熱作用を有する第２エミッタ電極１４ｂを接合する工程と、前記第１エミッタ電極１４ａと前記第２エミッタ電極１４ｂを接合する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】改良されたＣｕ−Ｃｕ接合を実現した三次元（３Ｄ）集積回路を提供する。
【解決手段】第一デバイス・ウエハの少なくともＣｕ表面上に少なくとも一つの金属接着層が形成される。別のＣｕ表面を有する第二デバイス・ウエハが、第一デバイス・ウエハのＣｕ表面の上で且つ少なくとも一つの金属接着層上に位置付けられる。次いで、第一および第二デバイス・ウエハが共に接合される。この接合ステップは、外部から加える圧力の使用の有無にかかわらず、これらデバイス・ウエハを４００℃未満の温度に加熱するステップを含む。加熱の過程で、２つのＣｕ表面は共に接合され、該少なくとも一つの金属接着層が２つのＣｕ表面から酸素原子を得て、これらＣｕ表面の間に少なくとも一つの金属酸化物接合層を形成する。 （もっと読む）

【課題】製造コストの安い記憶装置、半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に搭載され、ボンディングワイヤによって基板と接続された第１のチップと、第１のチップ上に積層される様に基板上に搭載され、第１のチップよりも大きい第２のチップとを有する半導体装置の製造方法である。第２のチップの第１のチップとの接着面のボンディングワイヤが形成された部分と対応する部分に絶縁層を塗布し、第２のチップの接着面に接着層を形成し、基板と第２のチップとを貼り合わせる。 （もっと読む）

【課題】空洞部の破壊を防ぐと共に、基板間の接続の信頼性を向上できるようにした半導体装置の製造方法及び半導体装置、電子機器を提供する。
【解決手段】第１の基板は、第１の面と第２の面とを有する第１の基材と、第１の基材の第１の面側に設けられた犠牲層と、第１の基材の第１の面と第２の面との間を貫通する貫通電極と、貫通電極と第１の基材との間に設けられた絶縁膜と、を有する。第２の基板は、第３の面を有する第２の基材と、第２の基材の第３の面側に設けられたバンプと、第２の基材の第３の面側に設けられ、バンプを囲む環状導電部と、を有する。第２の面と第３の面とを対向させた状態で、貫通電極とバンプとを接続すると共に、第１の基板の周縁部を環状導電部に埋入させる実装工程と、実装工程の後で、犠牲層をエッチングして第１の基材の第１の面側に空洞部を形成するエッチング工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】貫通ビアを用いた実装における端子間のショートや実装精度の低下を防止する。
【解決手段】半導体チップ８８の貫通ビア８６の上に、他の半導体チップ１０１を実装する。半導体チップ１０１のバンプ１０３は、４つの貫通ビア８６で囲まれた領域に導かれて接合される。各貫通ビア８６は、バンプ１０３に面する側面及び上面の保護膜３１がエッチングによって除去されており、バンプ１０３のハンダ材料への濡れ性が保護膜３１で覆われた領域よりも良好になっている。このために、ハンダ材料のはみ出しによる他の電極との間のショートが防止される。さらに、１つのバンプ１０３に複数の貫通ビア８６からなる接続端子を配置するので、バンプ１０３に確実に接合できる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を有する回路基板とベースとの間において高い位置決め精度を有する半導体モジュール及び半導体モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体モジュールは、ベース２０と、少なくとも１つの回路基板３０とを備える。少なくとも１つの回路基板が、支持基板３１と支持基板によって支持される半導体素子とを有する。ベース及び／又は支持基板が、少なくとも１つの回路基板をベースに嵌め合わせるための構造２２、３５を有する。 （もっと読む）

【課題】基板等に鑞材を介して接合される接続端子の傾きを改善することができる半導体装置の提供。
【解決手段】本発明は、接続端子を備える半導体装置１であって、接続端子１４０は、基板、又は、基板上に配置される１つの半導体素子である接合対象物に、それぞれ鑞材を介して接合される２つの脚部１４２と、２つの脚部１４２に接続され、基板又は１つの半導体素子から離間しつつ２つの脚部間を延在する連結部１４１と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】組立工数の短縮化および熱履歴の軽減を図る。
【解決手段】半導体素子、半導体素子が実装される絶縁基板および絶縁基板が搭載される金属ベース板を有する回路部と、回路部を収容する外囲ケースとを用意する工程と、回路部と外囲ケースとの少なくとも一方の接着面に接着剤を塗布する工程と、外囲ケースに形成されている端子部と、回路部の半田部位との少なくとも一方に半田を塗布する工程と、トレー部と固定枠部の間で回路部および外囲ケースを組み合わせ、トレー部と固定枠部とを互いに接続することにより、回路部および外囲ケースを、トレー部と固定枠部との間で均一に押圧されて固定された状態にし、加熱処理を施す工程と備える。加熱処理により、回路部と外囲ケースとの接着および端子部と回路部との半田付けを一括して行って半導体装置を組み立てる。 （もっと読む）

【課題】複数の電力変換装置を一体化した一体型電力変換装置及びそれに用いられるＤＣＤＣコンバータ装置の小型化を図ることである。
【解決手段】本発明に係る一体型電力変換装置は、第１電力変換装置と第２電力変換装置を接続した一体型電力変換装置であって、前記第１電力変換装置は、電力を変換する第１パワー半導体モジュールと、冷却冷媒が流れる流路を形成する流路形成部と、前記第１パワー半導体モジュールと前記流路形成体を収納する第１ケースと、前記流路と繋がる入口配管と、前記流路と繋がる出口配管と、を備え、前記第２電力変換装置は、電力を変換する第２パワー半導体モジュールと、前記第２パワー半導体モジュールを収納する第２ケースと、前記流路形成体は、前記流路と繋がる開口部を有し、前記第２ケースは、当該第２ケースの一部が前記開口部を塞ぐように、前記流路形成体または前記第１ケースに固定される。 （もっと読む）