【課題】積層された半導体ウエハーが備える接続部間の電気的な接続を安定的に行い得るとともに、効率よく複数の半導体素子を製造し得る半導体ウエハーの接合方法および信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体ウエハーの接合方法では、半導体ウエハー２１０と半導体ウエハー２２０との間に、フラックス活性を有する硬化剤と、熱硬化性樹脂とを含む接合層６０を介在させて、半導体ウエハー２１０、２２０が積層された半導体ウエハー積層体２３０を得た後に、半導体ウエハー積層体２３０を、加熱しつつ、その厚さ方向に加圧することにより、半田バンプ２２４を溶融・固化するとともに、前記熱硬化性樹脂を硬化して、半導体ウエハー２１０と半導体ウエハー２２０とが固着することにより、接続部（半田バンプの固化物）２２５で、接続部２１２と接続部２２２とが電気的に接続された半導体ウエハー接合体２４０を得る。 （もっと読む）

【課題】はんだの高さを確保し、接合の信頼性を向上させることができる接合体、該接合体を用いることで小面積化が可能な半導体装置、該接合体でプリント配線板に接合される半導体装置を有するプリント回路板を提供する。
【解決手段】プリント回路板１００は、半導体素子１が実装され、片面に電極パッド８が形成されたインターポーザ２と、インターポーザ２に対向する片面に電極パッド９が形成されたプリント配線板３と、電極パッド８，９を接合する接合体７０と、を備えている。接合体７０は、はんだ層６０と、電極パッド８，９に接合された金属層５０，５０と、を有している。各金属層５０，５０は、金属粒子同士が結合して形成された金属粒子集合体１０と、金属粒子集合体１０の隙間に埋められたはんだ１１とからなる。 （もっと読む）

【課題】
実施形態は、製造ばらつきが生じても、電極を安定的に露出できる半導体装置を提供する。
【解決手段】
本実施形態の半導体装置は、半導体チップを内部に封止しており、第１主面と前記第１主面と対向する第２主面とを有するユニットパッケージを含む半導体装置において、前記ユニットパッケージ内に、前記第１主面側に設けられた第１部分、前記第２主面から露出した円弧部を含む第２部分が設けられた電極を有するリードフレームを備え、前記電極は、前記半導体チップの電極と電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】 絶縁性能を損なうことなく、冷却性能が向上したパワーモジュールを提供する。
【解決手段】 第１のヒートスプレッダ４と半導体チップ１，２と第２のヒートスプレッダ８とをこの順に重ね合わせ、第１のヒートスプレッダ４の一方の主面に第１の固定板１１と一体化された未硬化の熱硬化性樹脂からなる第１の絶縁シート９を接着し、第２のヒートスプレッダ８の一方の主面に第２の固定板１２と一体化された未硬化の熱硬化性樹脂からなる第２の絶縁シート１０を接着することにより構成される構造体を形成する工程と、上記構造体をモールドプレスの金型のキャビティに収納する工程と、上金型１４と下金型１５を型締めする工程と、金型の温度を上げると共にキャビティに熱硬化性樹脂からなる未硬化のモールド樹脂を注入することにより、第１の絶縁シート９、第２の絶縁シート１０及びモールド樹脂を硬化させる工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】外部振動や機械的衝撃に対して高い信頼性を確保した電子モジュールとその製造方法を提供する。
【解決手段】コア層１の上下面にビルドアップ層２b，２ａを積層した多層基板２０を用い、基板２０の一部にコア層１を貫通した開口３に収納されたＳＡＷフィルタ５を内蔵させ、上面のビルドアップ層２b上に形成した配線/回路パターン１０aにＳＡＷフィルタ５の端子５cおよび電子部品１２a，１２bを接続する。また、基板２０の上面側のコア層１上に設けた配線/回路パターン６bにＩＣチップ１１a，１１bを接続して搭載し、配線基板２０の下面のビルドアップ層２ａの表面に設置された放熱パターン９を有する。そして、基板２０の上面から下面に貫通し、ＩＣチップ１１a，１１bと放熱パターン９に達する熱伝達用のビアホール４を複数備え、ＩＣチップ１１a，１１bを含む複数の電子部品が搭載された上面の全面を覆って補強板１６を固定した。 （もっと読む）

【課題】電気的接続信頼性を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ３は、第１主面３０Ａと第２主面３０Ｂとの間を貫通する貫通孔３０Ｘを有する半導体基板３０と、半導体基板３０の第２主面３０Ｂを覆うように形成され、貫通孔３０Ｘと対向する位置に開口部３１Ｘが形成された絶縁層３１と、絶縁膜３３によって覆われた貫通孔３０Ｘ及び開口部３１Ｘに形成された貫通電極３２とを有する。絶縁層３１から露出される貫通電極３２の上端面は、当該半導体チップ３に他の半導体チップ４が積層される際のパッドになる。また、貫通電極３２の上端面は、絶縁層３１の半導体基板３０と接する面と反対側の面と面一になるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】アンダーフィルの収縮が半導体チップの電気特性に及ぼす影響を低減できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、半導体チップ２とベース材３との積層構造を有する。半導体チップ２の表面上に電極２１が形成されており、ベース材３の表面上に電極３１が形成されている。半導体チップ２の前記表面とベース材３の前記表面とが対向すると共に電極２１と電極３１とが突起電極４を介して電気的に接続されている。半導体チップ２の前記表面とベース材３の前記表面とに挟まれた領域のうち、電極配置領域Ｂ以外の他の領域に位置する部分のアンダーフィル５に分断領域６が設けられている。 （もっと読む）

【課題】より高品質、高生産性及び高歩留まりで電気部品の積層構造体を製造することができる電気部品の積層構造体の製造方法及び電気部品の平面配置集合体を提供する。
【解決手段】水平に配置されたチップ１０同士の隙間を再配置材料２２で固定して再配置チップ集合体２０を形成し、再配置チップ集合体２０同士をそれぞれのチップ１０同士が対応するように重ね合わせて結合させる。このため、再配置チップ集合体２０の積層構造体を一括して製造できる。再配置チップ集合体２０それぞれの再配置材料を溶解可能な液体で溶解させることにより再配置チップ集合体２０内のチップ１０それぞれを分離して積層チップ４０を形成する。ダイシングによるチップ１０及びチップ１０同士の結合部への機械的ダメージや歩留まりの低下が無くなる。より高品質、高生産性及び高歩留まりで電気部品の積層構造体を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】自己インダクタンスの低減性能を向上させた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、相隔てて配置される正電極材１１および負電極材１３と、正電極材１１と負電極材１３の間において、正電極材１１と負電極材１３を結ぶ直線ＳＬと平行となる平行部（凹部１５ａ）、または正電極材と負電極材とを結ぶ曲線の接線と平行となる平行部を有する導電層（第１の導電材１５）とを備える。これにより、主電流による磁束が集中する箇所に導電層の一部が配置されることになる。よって、導電層に磁束が集中し易くなり、誘導電流を効率的に発生可能となり、電極材１１、１３に生じる自己インダクタンスの低減性能を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】固相拡散接合により、プロセス温度が低温化され、プロセス時間が短縮化され、かつフリップチップ構造の半導体装置提供する。
【解決手段】絶縁基板８と、絶縁基板８上に配置された信号配線電極１２と、絶縁基板８上に若しくは絶縁基板８を貫通して配置されたパワー配線電極１６と、絶縁基板８上にフリップチップに配置され、半導体基板２６と、半導体基板２６の表面上に配置されたソースパッド電極ＳＰおよびゲートパッド電極ＧＰと、半導体基板２６の裏面上に配置されたドレインパッド電極３６とを有する半導体デバイス１０と、ゲートパッド電極ＧＰ上に配置されたゲートコネクタ１８と、ソースパッド電極ＳＰ上に配置されたソースコネクタ２０とを備え、ゲートコネクタ１８とゲートパッド電極ＧＰおよび信号配線電極１２、ソースコネクタ２０とソースパッド電極ＳＰおよびパワー配線電極１６は、固相拡散接合される半導体装置１。 （もっと読む）