【課題】半導体装置の特性を損なうことがない半導体装置およびその作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層を含むトランジスタ（半導体装置）において、電極層を酸化物半導体層の下部に接して形成し、不純物を添加する処理により酸化物半導体層に自己整合的にチャネル形成領域と、チャネル形成領域を挟むように一対の低抵抗領域を形成する。また、電極層および低抵抗領域と電気的に接続する配線層を絶縁層の開口を介して設ける。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を含み、高速動作が可能なトランジスタを提供する。または、該トランジスタを含む信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】下地絶縁層中に埋め込まれ、上面の少なくとも一部が下地絶縁層から露出した電極層上に、一対の低抵抗領域及びチャネル形成領域を含む酸化物半導体層を設け、電極層において、または、酸化物半導体層の低抵抗領域であって電極層と重畳する領域において、酸化物半導体層の上層に設けられる配線層との電気的な接続を行うトランジスタを提供する。 （もっと読む）

【課題】誤書き込み、及び誤動作を防止し、高信頼化、及び高密度化が可能な抵抗変化素子の提供。
【解決手段】第一の電極（２０１）と、抵抗変化膜（２０２）と、第二の電極（２０３）と、中間絶縁膜（２０４）と、制御電極（２０５）と、をこの順に積層した積層構造を備え、前記抵抗変化層（２０２）と前記中間絶縁膜（２０４）が直接接していない。 （もっと読む）

【課題】Ｉ_Ｄ^Ｐ／Ｉ_Ｄ^ＡＰ比を高めることのできるスピントランジスタおよびメモリを提供する。
【解決手段】本実施形態によるスピントランジスタは、基板上に形成されたソース／ドレインの一方となる第１磁性層と、前記第１磁性層上に設けられチャネルとなる絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられ前記ソース／ドレインの他方となる第２磁性層と、前記絶縁膜の側面に設けられたゲート電極と、前記ゲート電極と前記絶縁膜の前記側面との間に設けられたゲート絶縁膜と、備えている。 （もっと読む）

【課題】抵抗値の変化によって高い信頼性で情報を記憶する積層型の不揮発性記録装置を実現する。
【解決手段】基板の主面に沿うように延在する第１配線と、前記第１配線の上方に設けられる積層体と、前記積層体の上方に形成される第２配線と、前記第１配線と前記第２配線との交点に設けられ、電流を前記基板の主面に対して垂直方向に流す選択素子と、前記積層体の側面に沿って設けられる第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜に沿って設けられるチャネル層と、前記チャネル層に沿って設けられる接着層と、前記接着層に沿って設けられる抵抗変化材料層とを有し、前記第１配線および前記第２配線は、前記選択素子および前記チャネル層を介して電気的に接続されており、前記チャネル層と前記抵抗変化材料層との間の前記接着層を介した接触抵抗は低く、前記チャネル層の延在方向について前記接着層の抵抗が高く形成された不揮発性記録装置。 （もっと読む）

【課題】実施形態による、磁壁制御が容易な磁気メモリ素子を提供する。
【解決手段】磁気メモリ素子１００は、第１方向に延在し、磁壁により隔てられた複数の磁区を有する磁性細線２０と、前記磁性細線２０に対して前記第１の方向又は前記第１の方向と逆方向に通電可能な一対の第１の電極３０と、前記第１の方向に直交する第２の方向において、前記磁性細線２０上に設けられた第１の絶縁層４０と、前記第２の方向であって前記第１の絶縁層４０上に離間して設けられた複数の第２の電極５０と、複数の前記第２の電極５０と電気的に接続された第３の電極６０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 本発明の実施形態によれば、単方向電流で書き込みが可能であり、微細化が可能な磁気メモリ素子、磁気メモリ装置、スピントランジスタ、及び集積回路を提供することができる。
【解決手段】 磁気メモリ素子は、磁化が可変の第１の強磁性層と、第１のバンド及び第２のバンドを有する第２の強磁性層と、前記第１の強磁性層と前記第２の強磁性層との間に設けられた非磁性層と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高速動作を可能にする磁気メモリを提供する。
【解決手段】本実施形態の磁気メモリは、スピン注入書込みによって磁化の方向が不変の第１磁性層と、磁化の方向が可変の第２磁性層と、前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に設けられたトンネル障壁層とを有する磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子の前記第１および第２磁性層の一方の磁性層に電気的に接続された第１配線と、ソース／ドレインの一方が前記磁気抵抗素子の前記第１および第２磁性層の他方に電気的に接続された選択トランジスタと、前記選択トランジスタのソース／ドレインの他方に電気的に接続された第２配線と、前記磁気抵抗素子の前記第１および第２磁性層の他方に電気的に一端子が電気的に接続されたダイオードと、前記ダイオードの他の端子に電気的に接続された第３配線と、前記第３配線に電気的に接続されたセンスアンプと、を備えている。 （もっと読む）

【課題】頻繁なリフレッシュ動作が不要で、正常な読み出しを行うことのできる２トランジスタ型のＤＲＡＭを備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】本実施形態の半導体装置は、ゲートが第１配線に接続され、第１ソース／ドレインの一方が第２配線に接続された第１トランジスタと、ゲート絶縁膜、ゲート電極、および前記ゲート絶縁膜と前記ゲート電極との間に設けられしきい値を変調するしきい値変調膜を有するゲート構造と、第２ソース／ドレインとを備え、前記ゲート電極が前記第１トランジスタの前記第１ソース／ドレインの他方に接続され、前記第２ソース／ドレインの一方が第３配線に接続され、前記第２ソース／ドレインの他方が第４配線に接続された第２トランジスタと、を備えている。 （もっと読む）

【課題】外部磁場が半導体チャンネルに侵入することに起因するノイズやエラーを抑制することが可能なスピン伝導素子を提供すること。
【解決手段】磁気抵抗を利用したスピン伝導素子１は、スピンを半導体チャンネルに注入するための第一強磁性体１２Ａと、スピンを半導体チャンネルから抽出するための第二強磁性体１２Ｂと、第一強磁性体１２Ａから第二強磁性体１２Ｂまで延びる半導体チャンネル７と、第二強磁性体１２Ｂ、及びあるいは、半導体チャンネル７を覆う磁気シールドＳ１と、第二強磁性体１２Ｂ、及びあるいは、半導体チャンネル７と磁気シールドＳ１との間に設けられた絶縁膜と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）