【課題】ハロゲンガスを用いることなく、かつ、ホールやトレンチの側壁形状をより垂直に近付けることのできる金属膜のドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】白金を含む金属膜を、マスク層を介してドライエッチングする金属膜のドライエッチング方法であって、水素ガスと二酸化炭素ガスとメタンガスと希ガスとを含む混合ガスからなるエッチングガスのプラズマを発生させて、金属膜をドライエッチングする。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路の内蔵メモリとしてのＭＲＡＭへの不正アクセスに対する保護を改善すること。
【解決手段】半導体集積回路(１０)は、プロセッサ(１)と不揮発性メモリ(３)とを具備する。不揮発性メモリ(３)は、複数の磁気ランダムアクセスメモリセルと、複数の磁気リードオンリーメモリセルとを含む。複数の磁気ランダムアクセスメモリセルはプロセッサ(１)による通常書き込みによって書き換えが可能とされ、複数の磁気リードオンリーメモリセルはプロセッサ(１)による通常書き込みによって書き換えが不可能とされる。不揮発性メモリ(３)と接続された感知回路(２)は、不揮発性メモリ(３)の不正アクセスによる複数の磁気リードオンリーメモリセルの状態遷移を感知する。状態遷移に応答して、感知回路(２)は不正アクセスの検出結果をプロセッサ(１)に通知する。 （もっと読む）

【課題】放射線耐性能力をさらに向上することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１の上方に形成された第１絶縁膜１２と、第１絶縁膜１２の上方に形成され、下部電極１７と上部電極１９に挟まれる強誘電体膜１８を有するキャパシタＱと、キャパシタの上に形成される第２絶縁膜２６と、を有し、第１絶縁膜１２と下部電極１７の間に、Ｐｂ又はＢｉが添加された結晶を持つ絶縁材料膜から形成される第３絶縁膜１６、３８と、
を有する。 （もっと読む）

【課題】素子駆動電圧、消費電力がともに低く、高安定性・高信頼性・高耐久性かつ、酸素ないしは金属欠損型の金属酸化物層を抵抗変化層に用いる抵抗変化素子形成時のフォーミング処理ないしは欠損への電子注入という動作（フィラメントの形成）を必要としない、金属―絶縁体（抵抗変化層）−金属（ＭＩＭ）構造の抵抗変化型メモリ素子を提供する。
【解決手段】抵抗変化層に金属ないしは半導体、窒素を添加することにより、あらかじめ伝導パスの一部を形成する（プレフィラメント）ことにより、従来の高電圧フォーミングによるフィラメント形成プロセスを経ることなく、ＯＮ電圧と同等レベルの低電圧化することにより、素子駆動電圧、消費電力がともに低く、高安定性・高信頼性・高耐久性の抵抗変化素子。 （もっと読む）

【課題】抵抗変化素子を備える半導体装置（半導体チップ）のチップ面積を削減すること。
【解決手段】半導体装置（１）は、半導体基板（５０）上に形成されたトランジスタ（７１）を含む下層回路（７０）と、半導体基板（５０）の上方の配線層（６０）に形成されたメモリセルアレイ（２０）と、を備える。メモリセルアレイ（２０）の各メモリセル（ＭＣ）は、配線層（６０）に形成された抵抗変化素子（４０）を記憶素子として備る。メモリセルアレイ（２０）は、メモリセル（ＭＣ）の直下に当該メモリセル（ＭＣ）との電気的接続用のビアが形成されていない第１領域（ＲＦ）を有している。下層回路（７０）は、第１領域（ＲＦ）の少なくとも一部とオーバーラップするように配置されている。 （もっと読む）

【課題】記憶層に印加される漏れ磁界を低減する。
【解決手段】磁気記憶素子１０は、膜面に垂直方向の磁気異方性を有し、かつ磁化方向が可変である記憶層１１と、記憶層１１上に設けられた非磁性層１２と、非磁性層１２上に設けられ、かつ膜面に垂直方向の磁気異方性を有し、かつ磁化方向が不変である参照層１３と、参照層１３上に設けられた非磁性層１４と、非磁性層１４上に設けられ、かつ参照層１３からの漏れ磁界を低減する調整層１５とを含む。調整層１５は、界面層１６と、膜面に垂直方向の磁気異方性を有する磁性層１７とが積層されて構成され、界面層１６の飽和磁化は、磁性層１７の飽和磁化より大きい。 （もっと読む）

【課題】向上された信頼性を有する不揮発性メモリ装置のプログラム方法が提供される。
【解決手段】本発明のプログラム方法は、第１メモリセルトランジスターの閾値電圧がプログラム状態から移動する傾向を判別する段階と、判別結果に応答して、複数の検証電圧の中で第１検証電圧を選択する段階と、第１メモリセルトランジスターの閾値電圧が変化するように第１メモリセルトランジスターをプログラムする段階と、で構成される。プログラムする段階は第１メモリセルトランジスターの閾値電圧が十分に変化されたかを第１検証電圧を利用して検証する段階を含む。判別する段階は第１メモリセルトランジスターの閾値電圧の第１範囲からの変化を判別する段階を含む。 （もっと読む）

【課題】少なくともＢｉ、Ｂａ、Ｆｅ及びＴｉを含む圧電体層を有する圧電素子、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置の性能を向上させる製造方法を提供する。
【解決手段】少なくともＢｉ、Ｂａ、Ｆｅ及びＴｉを含む前駆体溶液であって、水溶液とした場合にｐＨが７以上である前駆体溶液３１を下電極２０上に塗布し、塗布した前駆体溶液３１を結晶化させてペロブスカイト型酸化物を含む圧電セラミックスを形成する。圧電素子の製造方法は、圧電セラミックス３０に電極を形成する工程を備える。液体噴射ヘッドの製造方法は、圧電素子の製造方法により圧電素子を形成する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマを用いたスパッタ法によって、Ｐｂ、Ｚｒ、Ｔｉを含む誘電体薄膜を成膜する場合でも、圧電特性の高い誘電体薄膜を安定して成膜する。
【解決手段】誘電体薄膜のスパッタによる成膜中に、プラズマの発光分析を行って、上記プラズマの発光スペクトルを取得する。そして、上記発光スペクトルに含まれる、Ｐｂ（４０６ｎｍ）のスペクトル強度Ｉ_Ｐｂ、Ｚｒ（４６８ｎｍ）のスペクトル強度Ｉ_Ｚｒ、Ｔｉ（４５３ｎｍ）のスペクトル強度Ｉ_Ｔｉをそれぞれ求める。Ｉ_Ｐｂ／（Ｉ_Ｚｒ＋Ｉ_Ｔｉ）の値をＰ_１としたとき、０．４＜Ｐ_１＜０．７を満足するように成膜条件を制御しながら、上記誘電体薄膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高い記憶装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る記憶装置は、下部電極層と、前記下部電極層上に設けられた絶縁性の芯材層と、前記芯材層上に設けられ、前記芯材層の側面上には設けられていない上部電極層と、前記芯材層の側面上に設けられ、前記下部電極層及び前記上部電極層に接し、複数の微小導電体が隙間を介して集合した抵抗変化層と、を備える。 （もっと読む）