【課題】抵抗変化膜の抵抗変化を容易にする半導体記憶装置の製造方法及び半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体記憶装置の製造方法は、金属酸化物を含む抵抗変化膜との接触対象層にハロゲンを導入する工程と、前記ハロゲンを熱処理により前記接触対象層から前記抵抗変化膜に拡散させる工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】製造プロセスが容易であり、かつ、電流駆動能力の高い半導体基板およびその製造方法を提供することである。
【解決手段】本実施形態による半導体装置は、半導体基板を備える。第１導電型のＦｉｎ型半導体層は、半導体基板上に形成されている。第１導電型のソース層および第１導電型のドレイン層は、Ｆｉｎ型半導体層の長手方向の両端に設けられている。ゲート絶縁膜は、Ｆｉｎ型半導体層の両側面に設けられている。ゲート電極は、Ｆｉｎ型半導体層の両側面にゲート絶縁膜を介して設けられている。第２導電型のパンチスルーストッパ層は、ゲート電極およびＦｉｎ型半導体層の下に設けられている。パンチスルーストッパ層の不純物濃度は、ソース層およびドレイン層の下にある半導体基板の不純物濃度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】本発明は、磁気抵抗材料と集積回路とを巧みに統合することのできる、磁気抵抗素子構造の製造方法を提供する。
【解決手段】基板を提供する工程と、上記基板の上に金属ダマシン構造を形成する工程と、該金属ダマシン構造に電気的に接続するように該金属ダマシン構造の上にパターン化磁気抵抗ユニットを形成する工程とを含む、磁気抵抗素子構造の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】低駆動電流値で電流誘起磁化反転を行うことのできる強磁性トンネル接合素子を提供する。
【解決手段】磁化固定層１００と非磁性絶縁層１１０と磁化自由層１２０を有する強磁性トンネル接合素子１０において、磁化自由層１２０は非磁性金属層２２１を挟んで強磁性層２２０、２２２を有し、２つの強磁性層２２０、２２２の磁化の方向が互いに平行である。２つの強磁性層の磁化の方向を互いに平行にすることにより、スピントランスファートルクが有効に働き、駆動電流を低減できる。 （もっと読む）

【課題】微細な構造であっても高い電気特性を有するトランジスタを提供する。
【解決手段】酸化物半導体層、及びチャネル保護層を覆うようにソース電極層、及びドレイン電極層となる導電膜を形成した後、酸化物半導体層、及びチャネル保護層と重畳する領域の導電膜を化学的機械研磨処理により除去する。ソース電極層、及びドレイン電極層となる導電膜の一部を除去する工程において、レジストマスクを用いたエッチング工程を用いないため、精密な加工を正確に行うことができる。また、チャネル保護層を有することにより、導電膜の化学的機械研磨処理時に当該酸化物半導体層に与える損傷、または膜減りを低減できる。 （もっと読む）

【課題】機能性デバイスの高性能化、又はそのような機能性デバイスの製造プロセスの簡素化と省エネルギー化を提供する。
【解決手段】機能性デバイスの製造方法は、型押し工程と、機能性固体材料層形成工程を含む。型押し工程では、機能性固体材料前駆体溶液を出発材とする機能性固体材料前駆体層に対して型押し構造を形成する型を押圧している間の少なくとも一部の時間においてその機能性固体材料前駆体層に対して熱を供給する熱源の第１温度がその機能性固体材料前駆体層の第２温度よりも高くなるように、その機能性固体材料前駆体層に対して型押し加工を施す。また、機能性固体材料層形成工程では、型押し工程の後、酸素含有雰囲気中において、機能性固体材料前駆体層を前述の第１温度よりも高い第３温度で熱処理することにより、機能性固体材料前駆体層から機能性固体材料層を形成する。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を維持しつつ微細化を達成した半導体装置を提供する。また、微細化された半導体装置を歩留まりよく提供する。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に設けられた酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜の側面に接して設けられ、かつ酸化物半導体膜よりも膜厚が大きいソース電極層及びドレイン電極層と、酸化物半導体膜、ソース電極層、及びドレイン電極層上に設けられたゲート絶縁膜と、酸化物半導体膜の上面と、ソース電極層及びドレイン電極層の上面との間に生じた段差により生じた凹部に設けられたゲート電極層と、を有する構造である。 （もっと読む）

【課題】有機化合物を含む層を有する素子が設けられたフレキシブルな記憶装置及び半導
体装置を歩留まり高く作製する。また、信頼性の高いフレキシブルな記憶装置及び半導体
装置を歩留まり高く作製する。
【解決手段】剥離層を有する基板上に素子層及び素子層を封止する絶縁層を有する積層体
を形成し、剥離層から積層体を剥離してフレキシブルな記憶装置及び半導体装置を作製す
る方法であって、素子層において第１の電極層及び第２の電極層からなる一対の電極間に
有機化合物を含む層を有する記憶素子を含み、少なくとも一方の電極層はスズを含む合金
層で形成する。また、第１の電極層及び第２の電極層からなる一対の電極間に有機化合物
を含む層を有する記憶素子を含み、少なくとも一方の電極層はスズを含む合金層で形成さ
れるフレキシブルな記憶装置及び半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】微細な構造であっても高い電気特性を有するトランジスタを歩留まりよく提供する。該トランジスタを含む半導体装置においても、高性能化、高信頼性化、及び高生産化を達成する。
【解決手段】酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層を、酸化物半導体層上のゲート絶縁層及び絶縁層の開口を埋め込むように設ける。ソース電極層を設けるための開口とドレイン電極層を設けるための開口は、それぞれ別のマスクを用いた別のエッチング処理によって形成される。これにより、ソース電極層（またはドレイン電極層）と酸化物半導体層が接する領域と、ゲート電極層との距離を十分に縮小することができる。また、ソース電極層またはドレイン電極層は、開口を埋め込むように絶縁層上に導電膜を形成し、絶縁層上の導電膜を化学的機械研磨処理によって除去することで形成される。 （もっと読む）

【課題】第１の磁性部分と、第２の磁性部分と、第１の磁性部分と第２の磁性部分の間の
バリア層とを有するセンサスタックを含む磁気センサを提供する。
【解決手段】第１の磁性部分及び第２の磁性部分のうち少なくとも一方が、バリア層に隣接する正の磁気ひずみを有する第１の磁性層と、第２の磁性層と、第１の磁性層と第２の磁性層の間の中間層とを有する多層構造を含む。この磁気センサは、その抵抗−面積（ＲＡ）積が約１．０Ω・μｍ^２であるとき、少なくとも約８０％のＭＲ比を有する。 （もっと読む）