【課題】加工精度を維持しつつ、固体撮像装置の特性劣化を抑制する。
【解決手段】固体撮像装置に設けられるカラーフィルタは、格子状に形成される、複数の画素のうちの所定の画素に対応した所定の色成分のフィルタと、所定の色成分のフィルタが形成される領域以外の領域に形成される、他の画素に対応した他の色成分のフィルタと、所定の色成分のフィルタと他の色成分のフィルタとの境界に、光透過率を減衰させる光減衰膜とを備え、所定の色成分のフィルタが形成される領域は、少なくとも一部で互いに結合し、他の色成分のフィルタおよび光減衰膜の底面は、所定の色成分のフィルタの底面より低い。本技術は、例えばCMOSイメージセンサに適用することができる。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置の感度の低下を抑制しつつ、混色を低減させる。
【解決手段】赤色用イメージセンサ３ｒの光電変換部１２ｒは、青色用イメージセンサ３ｂの光電変換部１２ｂおよび緑色用イメージセンサ３ｇの光電変換部１２ｇに対して光入射面から深い位置に配置する。 （もっと読む）

【課題】小型化もしくは受光部の拡大が可能で、信頼性を確保でき、さらに、解像度特性を改善できる放射線検出器を提供する。
【解決手段】複数の光電変換素子13が配列された受光部14、および光電変換素子13と電気的に接続された素子用電極パッド15を有する固体撮像素子12を備える。外部接続用電極パッド18およびこの外部接続用電極パッド18と電気的に接続されている電極端子19を有する基台17に、固体撮像素子12を固定する。素子用電極パッド15と外部接続用電極パッド18とを配線20で電気的に接続する。素子用電極パッド15、外部接続用電極パッド18および配線20を一体に被覆する保護層21を気相成長法によって形成する。固体撮像素子12の受光部14上とともに、保護層21で被覆された素子用電極パッド15、外部接続用電極パッド18および配線20上にシンチレータ層22を形成する。配線20をシンチレータ層22内に埋没固定する。 （もっと読む）

【課題】広く普及したカラーフィルタを有するイメージセンサを用いることによって安価に可視光画像と赤外光画像を分離し、あるいは合成するとともに、赤外光画像の解像度の向上をはかる。
【解決手段】ＣＭＹＧ４色のカラーフィルタ付きの撮像素子で撮像された赤外光を含む色信号成分からＲＧＢを変数とする連立方程式の解を求め、ＲＧＢの可視光の信号成分と赤外光の信号成分とを分離する演算を、全ての画素に対して行ない、ＲＧＢの信号成分からなる可視光画像と、赤外光の信号成分からなる赤外光画像とを出力する。また、出力された可視光画像を、赤外光を含む輝度信号と色差信号に変換して合成出力してもよい。 （もっと読む）

【課題】光学混色を低減させ、色再現性を向上させることができるようにする。
【解決手段】固体撮像素子の２次元配列された各画素は、光電変換素子の上側に形成された平坦化膜と、平坦化膜の上側に形成されたフィルタと、フィルタの上側に形成されたマイクロレンズとを少なくとも有する。複数の画素のうち、一部のフィルタは、所定の色成分の光を透過させるカラーフィルタであり、他の一部のフィルタは、可視光領域全体の光を透過させるホワイトフィルタである。ホワイトフィルタ、マイクロレンズ、および平坦化膜の各屈折率は、ホワイトフィルタ≧マイクロレンズ＞平坦化膜の関係にある。本発明は、例えば、固体撮像素子に適用できる。 （もっと読む）

【課題】チップサイズパッケージ製造工程中のＣＭＯＳイメージセンサ用ウエハとガラスウエハを貼りあわせにおいて、パターン形成された接着剤が流れ出し、イメージセンサ面への接着剤の付着を防止し、イメージセンサ面ギリギリまで接着剤にて埋め、合わせて遮光性を付加した方法を提供する。
【解決手段】ＣＭＯＳイメージセンサが多面付け形成されたウエハと貼り合せる、
封止用ガラスウエハ面のダイシングライン上に、
格子パターン状に溝加工を行い、
格子パターン及び格子パターンの交点部分の、格子交点から同一距離の点を結ぶ直線内又は同一距離の曲線内を含んだパターン状に、
接着剤ペーストをスクリーン印刷、あるいはディスペンサーによりパターン状に塗布し、前記ＣＭＯＳイメージセンサが多面付けされたウエハと前記ガラスウエハとを貼り合せる。 （もっと読む）

【課題】感度の低下を抑制しつつ、混色を低減させることが可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】イメージセンサ３ｂ、３ｇは、ダイクロイックプリズム２ｂ、２ｇ、２ｒにて分離された青色光Ｂおよび緑色光Ｇの光電変換を画素ごとに行い、イメージセンサ３ｒは、イメージセンサ３ｂ、３ｇに対して光の吸収係数が異なる光電変換部が画素ごとに設けられ、ダイクロイックプリズム２ｂ、２ｇ、２ｒにて分離された赤色光Ｒの光電変換を画素ごとに行う。 （もっと読む）

【課題】裏面照射型イメージセンサチップの金属遮蔽層およびその製造方法を提供する。
【解決手段】前面側および裏面側を有する半導体基板２６と、前記半導体基板２６の表面に配置され、前記半導体基板２６の裏面側より光信号６２を受けるように構成され、前記光信号６２を電子信号に変換する第１感光デバイス２４Ｂと、前記半導体基板２６の裏面側に配置され、窒素および金属の化合物を含む非晶質接着層５０、および前記半導体基板の裏面側上に配置され、前記非晶質接着層５０に接触する金属遮蔽層５２を含む。 （もっと読む）

【課題】良好な感度特性およびスミア特性を両立する撮像機能を備えた電子機器を提供する。
【解決手段】画素２１は、全ての画素２１において同時に光電変換部３１で発生した電荷をメモリ部３３に転送し、メタルゲート６１、６２を有する転送部３２、３４と、転送部３２、３４の周囲の層間絶縁膜６７を掘り込むことにより形成された溝部にメタル６６を埋め込むことにより形成される遮光部とを有する。また、遮光部は、その先端部が、転送部の周囲において、層間絶縁膜６７と半導体基板５１との間に形成されるライナー膜６５の膜厚よりも半導体基板側に突出するように形成される。 （もっと読む）