説明

国際特許分類[H01L27/14]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置 (52,733) | 赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの (11,270)

国際特許分類[H01L27/14]の下位に属する分類

エネルギー変換装置
輻射線によって制御される装置 (6,258)

国際特許分類[H01L27/14]に分類される特許

31 - 40 / 5,012


【課題】隣接画素間で加算処理を行わない場合にはベイヤー配列と同程度の輝度及び色の解像度が得られ、隣接画素間で加算処理を行う場合にも十分に高い輝度及び色の解像度が得られるカラー固体撮像装置を提供する。
【解決手段】4行を単位配列とし、1行目は、行方向にG画素G11,G13,G15,G17とR画素R12,R14,R16,R18が交互に配列され、2行目は、G画素G22,G24,G26,G28が1行目のG画素と行方向に1画素ずれてG画素とB画素(第2の色画素)B21,B23,B25,B27が交互に配列され、3行目は1行目と同じ配列であり、4行目は2行目を行方向に1画素ずらした配列である。 (もっと読む)


【課題】撮像ユニットのトータルの厚さが低減された構造を有する撮像ユニットを提供する。
【解決手段】開口10aが設けられた基板10と、該基板10の一方の面に、開口10aを覆い、且つ、受光面11aが開口10aと対向するように実装された撮像素子11と、基板10の他方の面に、開口10aを覆うように固着され、撮像素子11の受光面11aを保護する保護ガラス13と、該保護ガラス13を収容可能な開口15aが設けられ、開口15a内に保護ガラス13を収容した状態で基板10に固定された固定部材15とを備える。 (もっと読む)


【課題】屈折率を高めたマイクロレンズを含む裏面照明イメージセンサピクセルを提供する。
【解決手段】イメージセンサピクセル200は、シリコン基板202内に形成されたフォトダイオード208と、基板の裏面に形成された第1のマイクロレンズと、基板の前面を覆って形成された第2のマイクロレンズと、基板の前面上に形成された誘電体スタック223と、第2レンズの上方で、記誘電体スタック内に形成されたと反射構造250とを含む。第1のマイクロレンズは、裏面にシャロートレンチアイソレーション構造214を形成することにより、第2のマイクロレンズは、基板の前面基板上にポリシリコンを堆積させることによって製造される。 (もっと読む)


【課題】複数のフォトダイオードアレイの画素同士を分離するイメージセンサを提供する。
【解決手段】複数のフォトダイオード画素のうちの少なくとも1つのフォトダイオード画素は、光が、隣接するフォトダイオード画素の上に伝播することを回避する反射素子を含む。反射素子は、イメージセンサの配線に近接するフローティングコンタクトであってよい。反射素子は、反射素子の反射面を最大化するアスペクト比を有していてよい。 (もっと読む)


【課題】バリア性および耐熱性に優れた光電変換素子およびその製造方法、ならびに撮像素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に形成された下部電極と、下部電極上に形成され、光が照射されると電荷を発生する有機層と、有機層上に形成された、可視光に対して透明な上部電極と、上部電極上に形成された素子保護層とを有する光電変換素子の製造方法である。この素子保護層を形成する工程は、有機層に対し不活性なキャリアガスを供給し、プラズマを生成する工程と、キャリアガスが供給されてプラズマが生成された状態で、さらにSiHガス、支燃性ガスおよびアンモニアガスを含む反応性プロセスガスを供給して珪素含有保護膜を形成する工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】CCD型の固体撮像装置において、水平方向の読み出しの際の転送動作による発熱を効率良く放熱し、且つ出力信号に含まれるノイズを低減する。
【解決手段】固体撮像装置2Aは、M×N個(M,Nは2以上の整数)の画素がM行N列に2次元配列されて成る撮像面12、及び、撮像面12に対して列方向の一端側に各列毎に配置されており各列から取り出される電荷の大きさに応じた電気信号をそれぞれ出力するN個の信号読出回路20を有するCCD型の固体撮像素子10と、信号読出回路20から各列毎に出力される電気信号をディジタル変換してシリアル信号として順次出力するC−MOS型の半導体素子50と、主面81a及び裏面81bを有する伝熱部材80と、裏面81b上に設けられた冷却ブロック84とを備え、半導体素子50と伝熱部材80の主面81aとが互いに接合されている。 (もっと読む)


【課題】グローバルシャッタ機能を有し、白点及び暗電流の抑制が可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】
半導体基体31と、半導体基体31に形成されているフォトダイオード32と、フォトダイオード32に蓄積された信号電荷が転送される浮遊拡散領域35とを備える。さらに、半導体基体31内において浮遊拡散領域35を覆う半導体基体面と平行な水平遮光部32Aと、半導体基体31面と垂直な垂直遮光部32Bとからなる遮光層32とを備える固体撮像素子30を構成する。 (もっと読む)


【課題】撮像素子が実装された後のフレキシブルプリント配線板の厚さが薄く、小型な撮像ユニット及び前記撮像ユニットを備えた内視鏡と前記撮像ユニットの製造方法を提供する。
【解決手段】撮像素子、及びフレキシブルプリント配線板を含む撮像ユニットにおいて、前記撮像素子は、受光部、前記受光部に電気的に接続された金属配線層、前記金属配線層に形成された金属パッド、及び前記金属パッドを受光側とは反対側に露出させるように設けられた開口部、を含み、前記フレキシブルプリント配線板は、前記開口部内において前記金属パッドと電気的に接続される金属線を含み、かつ前記撮像素子の受光側とは反対側の面上に接着剤によって接着される。 (もっと読む)


【課題】画素部の金属汚染や受光部の光電変換素子表面へのRIEによるダメージの発生を抑制することができる固体撮像素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、固体撮像素子は、所定の波長の光を透過させるカラーフィルタ51L,51M,51Sと、カラーフィルタ51L,51M,51Sを透過する光を検出するフォトダイオードPDと、を含む画素PL,PM,PSを、異なる波長の光を検出するように複数有する絵素が、所定の周期で2次元的に基板11上に配置される。絵素中の最も長い波長の光を検出する画素PLは、基板11の光の入射面と対向する面側のフォトダイオードPD上に設けられる保護膜12と、保護膜12上に設けられ、厚さ方向に貫通する円柱状の孔が2次元的に配置される回折格子部20Lと、を備える。回折格子部20Lは、画素PLに設けられるカラーフィルタ51Lを透過する光を反射させるように孔の径と配置される周期が選択される。 (もっと読む)


【課題】光電変換部の分割配置に伴って瞳強度分布に生じる低感度領域の影響を抑制する。
【解決手段】撮像素子107は、複数の画素200R,200G,200Bを有する。複数の画素の各々の画素は、マイクロレンズ350と、分離帯Sを間に挟んで互いに分離され、マイクロレンズを通過した光束を光電変換する複数の光電変換部306,307,310,311とを有する。該複数の光電変換部は、撮影光学系の異なる射出瞳を通過した複数の光束を光電変換する場合に、マイクロレンズは、光軸方向における分離帯上のレンズ部がレンズ部に入射する光束に対してパワーを持たない又は負のパワーを持つ。 (もっと読む)


31 - 40 / 5,012