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国際特許分類[H01L27/32]の内容

国際特許分類[H01L27/32]に分類される特許

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【課題】白色有機EL素子+カラーフィルタの方式を用いるに当たって、工程数を増やすことなく、白色光の光漏れを抑えることが可能な有機EL表示装置、及び、当該有機EL表示装置を有する電子機器を提供する。
【解決手段】白色有機EL素子21Wの発光部及びカラーフィルタ74の周囲を囲むように、信号線33、電源供給線32、駆動トランジスタ22のゲート電極221、保持容量24の電極241、及び、書込みトランジスタ23のゲート電極231等の金属配線を設ける。これらの金属配線は、カラーフィルタ74の各色のフィルタ間を遮光する遮光層としての機能を持つ。これにより、カラーフィルタ74の各色のフィルタ間での白色光の光漏れを防止する。 (もっと読む)


【課題】信頼性の高いEL表示装置を提供する。
【解決手段】アクティブマトリクス型のEL表示装置において、EL素子はシール材とフレーム材により封止されており、EL素子の上部電極とフレキブルプリントサーキット(FPC)とは接続配線により電気的に接続される。接続配線は、下部基板とシール材及びフレーム材との間を、上面がシール材と接するように設けられ、トランジスタのソース電極及びドレイン電極と同一層から形成される。この構造によりEL素子の劣化を防止するとともに、FPCとの電気的接続もスムーズに行うことができる。 (もっと読む)


【課題】表示品位を改善することが可能な表示装置及び表示装置用アレイ基板を提供する。
【解決手段】 絶縁基板と、前記絶縁基板の上に配置され可視光領域での透過率が0.5以上の下地層、前記下地層より厚い膜厚を有するとともに前記下地層の上に積層された透明材料からなる透明層、及び、前記透明層の上に積層された主配線材料からなる主配線層の積層体によって形成された信号配線と、を備え、前記透明層の膜厚をd(nm)とし、前記透明層の屈折率をnとしたとき、積n×dが400より小さいことを特徴とする表示装置用アレイ基板。 (もっと読む)


【課題】電源パッドから電流出力用MOSトランジスタまでの距離に関わらず、各電流出力用MOSトランジスタから定電流が出力できるようにすること。
【解決手段】電流駆動部3において、電源パッドP1(電源電位VDD)から各駆動セルまでの距離にかかわらず、駆動セル内のP型MOSトランジスタの基板電位が共通となるように、電源電位VDDの配線(L1)とは別に基板電位を設定するための配線(L2)を設ける。 (もっと読む)


【課題】シリコン膜を精度良く検査するシリコン膜検査方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、シリコン膜の形成された領域を第1膜厚の第1領域と前記第1膜厚と異なる第2膜厚の第2領域とに仮想的に分割する分割工程と、互いに異なる波長の第1波長と第2波長とを含む照射光を前記シリコン膜に照射する照射工程と、前記照射光が照射された前記第1領域からの前記第1波長の第1反射光を用いて第1反射率の測定を行う第1測定工程と、前記第1反射率から前記シリコン膜の第1結晶化率を導出する第1導出工程と、前記照射光が照射された前記第2領域からの前記第2波長の第2反射光を用いて第2反射率の測定を行う第2測定工程と、前記第2反射率から前記シリコン膜の第2結晶化率を導出する第2導出工程と、を含む有機EL表示装置用シリコン膜検査方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】隣接画素へのリークの問題を解消して良好な色再現性を得ることが可能な有機EL表示装置、及び、当該有機EL表示装置を有する電子機器を提供する。
【解決手段】白色有機EL素子21Wとカラーフィルタ80との組み合わせにより、RGBの各色光を取り出す方式を採用し、しかも、タンデム構造の画素構造を有する有機EL表示装置において、有機層(電荷注入層214や接続層216,217)に対して電気的に接続された金属配線90をアノード電極211の周囲を囲むように形成する。そして、当該金属配線90の電位を有機EL素子21が非発光時のアノード電極211の電位よりも低い電位に設定する。 (もっと読む)


【課題】外部からの水分浸入を防ぎ、十分な発光特性や発光寿命が得られる電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置としてのEL表示装置1は、基体上に、第1の配線と、第一電極と、前記第一電極に対応する開口を有する隔壁と、前記第一電極上に設けられた有機機能層と、前記隔壁および前記有機機能層上に設けられた第二電極と、前記第二電極と前記第1の配線とを電気的に接続する接続部と、前記第二電極上に設けられた緩衝層と、前記緩衝層上に設けられたガスバリア層と、を備え、前記第二電極は、前記隔壁を覆う第1の領域と、前記接続部に設けられた第2の領域と、を有し、前記緩衝層は、前記第1の領域を覆う第1の緩衝層と、前記第2の領域を覆う第2の緩衝層と、を有し、前記第1の緩衝層と前記第2の緩衝層とは互いに接触していない。 (もっと読む)


【課題】一定の大きさの領域内に形成するコンタクト部の数をより少なくできるようにした半導体装置、当該半導体装置を用いる表示装置、及び、当該表示装置を有する電子機器を提供する。
【解決手段】駆動トランジスタ22及び書込みトランジスタ23の少なくとも2つのトランジスタを有する画素20が2次元配置されて成る有機EL表示装置において、中間層である書込みトランジスタ23の半導体層232を、コンタクト部81,87の側壁部に対して電気的に接続する、所謂、サイドコンタクトの技術を用いることで、コンタクト部の数の削減を図る。 (もっと読む)


【課題】新規なp型酸化物半導体を活性層に用いた電界効果型トランジスタなどの提供。
【解決手段】ゲート電圧を印加するためのゲート電極と、電流を取り出すためのソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極との間に形成されたp型酸化物半導体からなる活性層と、前記ゲート電極と前記活性層との間に形成されたゲート絶縁層とを有し、前記p型酸化物半導体が、一般式ABO(Aは、Sr及びBaの少なくともいずれかを含む。Bは少なくともBiを含む。)で表され、かつ擬ペロブスカイト構造である電界効果型トランジスタである。 (もっと読む)


【課題】開口部をシンプルにしてシュリンクの問題を解決する。
【解決手段】駆動トランジスタと、スイッチングトランジスタと、消去用トランジスタと、を画素内に有する3トランジスタ型の発光装置の場合において、スイッチング用TFT5505と消去用TFT5506の2つのTFTを、第1のゲート信号線5502と第2のゲート信号線5503の間に配置する。このように配置することで開口率を上げ、開口部もシンプルな形状にすることが出来る。 (もっと読む)


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