有機ＥＬ表示装置及び電子機器
【課題】隣接画素へのリークの問題を解消して良好な色再現性を得ることが可能な有機ＥＬ表示装置、及び、当該有機ＥＬ表示装置を有する電子機器を提供する。
【解決手段】白色有機ＥＬ素子２１Wとカラーフィルタ８０との組み合わせにより、ＲＧＢの各色光を取り出す方式を採用し、しかも、タンデム構造の画素構造を有する有機ＥＬ表示装置において、有機層（電荷注入層２１４や接続層２１６，２１７）に対して電気的に接続された金属配線９０をアノード電極２１１の周囲を囲むように形成する。そして、当該金属配線９０の電位を有機ＥＬ素子２１が非発光時のアノード電極２１１の電位よりも低い電位に設定する。
【解決手段】白色有機ＥＬ素子２１Wとカラーフィルタ８０との組み合わせにより、ＲＧＢの各色光を取り出す方式を採用し、しかも、タンデム構造の画素構造を有する有機ＥＬ表示装置において、有機層（電荷注入層２１４や接続層２１６，２１７）に対して電気的に接続された金属配線９０をアノード電極２１１の周囲を囲むように形成する。そして、当該金属配線９０の電位を有機ＥＬ素子２１が非発光時のアノード電極２１１の電位よりも低い電位に設定する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、有機ＥＬ表示装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
平面型（フラットパネル型）の表示装置の一つとして、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する、所謂、電流駆動型の電気光学素子を画素の発光部（発光素子）として用いた表示装置がある。電流駆動型の電気光学素子としては、有機材料のエレクトロルミネッセンス（ＥＬ；Electroluminescence）を利用し、有機薄膜に電界をかけると発光する現象を用いた有機ＥＬ素子が知られている。
【０００３】
画素の発光部として有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬ表示装置は次のような特長を持っている。すなわち、有機ＥＬ素子は、１０Ｖ以下の印加電圧で駆動できるために低消費電力である。有機ＥＬ素子は自発光素子であるために、液晶表示装置に比べて、画像の視認性が高く、しかも、バックライト等の照明部材を必要としないために軽量化及び薄型化が容易である。更に、有機ＥＬ素子は、応答速度が数μｓｅｃ程度と非常に高速であるために動画表示時の残像が発生しない。
【０００４】
ところで、有機ＥＬ表示装置としては、Ｒ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）の有機ＥＬ材料を、マスクを利用して蒸着で塗り分ける、所謂、ＲＧＢマスク塗り分け方式のものが一般的に知られている。これに対して、大型化、高精細化を目的として、ＲＧＢマスク塗り分けを行わず、白色光を発光する有機ＥＬ素子（以下、「白色有機ＥＬ素子」と記述する）とカラーフィルタとの組み合わせにより、ＲＧＢの各色光を取り出す方式のものがある（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−１２３９７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述した、白色有機ＥＬ素子とカラーフィルタとの組み合わせからなる有機ＥＬ表示装置にあっては、各画素に対して共通に形成される共通層が存在することになる。このように、画素間に共通層が存在すると、当該共通層を通して隣接する画素へのリークが発生し、当該リークによって隣接する画素（以下、「隣接画素」と記述する）も僅かに発光してしまうために、色再現性（色純度）が悪化してしまうという問題がある。
【０００７】
かかる問題は、白色有機ＥＬ素子とカラーフィルタとの組み合わせからなる有機ＥＬ表示装置の場合に限られるものではない。すなわち、例えば、マスク塗り分け方式の有機ＥＬ表示装置においても、画素間に共通層が存在する限り、当該共通層を通して隣接画素へのリークが発生するため同様の問題が発生する。
【０００８】
そこで、本開示は、隣接画素へのリークの問題を解消して良好な色再現性（色純度）を得ることが可能な有機ＥＬ表示装置、及び、当該有機ＥＬ表示装置を有する電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本開示では、
アノード電極とカソード電極との間に有機層を挟んで成る有機ＥＬ素子を含む画素が行列状に配置され、
前記有機ＥＬ素子は、前記有機層内に画素間で共通に形成された共通層を少なくとも１層含む有機ＥＬ表示装置において、
前記アノード電極の周囲を囲み、かつ、前記有機層に対して電気的に接続された金属配線を有し、
前記金属配線の電位は、前記有機ＥＬ素子が非発光時の前記アノード電極の電位よりも低い電位に設定された
構成を採っている。
【００１０】
上記構成の有機ＥＬ表示装置において、アノード電極の周囲に、有機層に対して電気的に接続された金属配線が形成されていることで、有機層内の共通層を通して横方向にリーク電流が流れたとしても、当該リーク電流は金属配線側に流れる。これにより、隣接画素へ流れ込むリーク電流を低減できるために、隣接画素での発光を抑えることができる。
【発明の効果】
【００１１】
本開示によれば、有機層内の共通層を通して横方向にリーク電流が流れたとしても、隣接画素での発光を抑えることができるために、良好な色再現性（色純度）を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本開示が適用されるアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の構成の概略を示すシステム構成図である。
【図２】画素（画素回路）の具体的な回路構成の一例を示す回路図である。
【図３】本開示が適用される有機ＥＬ表示装置の基本的な回路動作の説明に供するタイミング波形図である。
【図４】本開示が適用される有機ＥＬ表示装置の基本的な回路動作の動作説明図（その１）である。
【図５】本開示が適用される有機ＥＬ表示装置の基本的な回路動作の動作説明図（その２）である。
【図６】駆動トランジスタの閾値電圧Ｖthのばらつきに起因する課題の説明（Ａ）、及び、駆動トランジスタの移動度μのばらつきに起因する課題の説明（Ｂ）に供する特性図である。
【図７】白色有機ＥＬ素子とカラーフィルタとの組み合わせ方式の画素構造の一例を示す断面図である。
【図８】典型的なタンデム構造の白色有機ＥＬ素子の構造の一例を示す要部の断面図である。
【図９】白色有機ＥＬ素子とカラーフィルタとの組み合わせ方式を採る表示パネルの等価回路を示す回路図である。
【図１０】実施形態に係るタンデム構造の白色有機ＥＬ素子を含む画素構造の一例を示す要部の断面図である。
【図１１】アノード電極及びその周囲を示す平面パターン図である。
【図１２】実施形態の作用、効果についての説明図である。
【図１３】実施形態に係る画素構造の表示パネルの等価回路を示す回路図である。
【図１４】ＲＧＢマスク塗り分け方式を採用する画素構造の一例を示す要部の断面図である。
【図１５】本開示が適用されるテレビジョンセットの外観を示す斜視図である。
【図１６】本開示が適用されるデジタルカメラの外観を示す斜視図であり、（Ａ）は表側から見た斜視図、（Ｂ）は裏側から見た斜視図である。
【図１７】本開示が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を示す斜視図である。
【図１８】本開示が適用されるビデオカメラの外観を示す斜視図である。
【図１９】本開示が適用される携帯電話機を示す外観図であり、（Ａ）は開いた状態での正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態での正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、発明を実施するための形態（以下、「実施形態」と記述する）について図面を用いて詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．本開示が適用される有機ＥＬ表示装置
１−１．システム構成
１−２．基本的な回路動作
１−３．白色有機ＥＬ素子とカラーフィルタとの組み合わせ方式
１−４．共通層の存在によるリーク電流の問題
２．実施形態の説明
２−１．リーク電流を低減するための画素構造
２−２．実施形態の作用、効果
３．変形例
４．適用例（電子機器）
【００１４】
＜１．本開示が適用される有機ＥＬ表示装置＞
［１−１．システム構成］
図１は、本開示が適用されるアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の構成の概略を示すシステム構成図である。
【００１５】
アクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置は、電流駆動型の電気光学素子である有機ＥＬ素子に流れる電流を、当該有機ＥＬ素子と同じ画素内に設けた能動素子、例えば絶縁ゲート型電界効果トランジスタにより制御する表示装置である。絶縁ゲート型電界効果トランジスタとしては、典型的には、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）が用いられる。
【００１６】
図１に示すように、本適用例に係る有機ＥＬ表示装置１０は、有機ＥＬ素子を含む複数の画素２０と、当該画素２０が行列状に２次元配置されてなる画素アレイ部３０と、当該画素アレイ部３０の周辺に配置される駆動回路部とを有する構成となっている。駆動回路部は、書込み走査回路４０、電源供給走査回路５０及び信号出力回路６０等からなり、画素アレイ部３０の各画素２０を駆動する。
【００１７】
ここで、有機ＥＬ表示装置１０がカラー表示対応の場合は、カラー画像を形成する単位となる１つの画素（単位画素）は複数の副画素（サブピクセル）から構成され、この副画素の各々が図１の画素２０に相当することになる。より具体的には、カラー表示対応の表示装置では、１つの画素は、例えば、赤色（Ｒｅｄ；Ｒ）光を発光する副画素、緑色（Ｇｒｅｅｎ；Ｇ）光を発光する副画素、青色（Ｂｌｕｅ；Ｂ）光を発光する副画素の３つの副画素から構成される。
【００１８】
但し、１つの画素としては、ＲＧＢの３原色の副画素の組み合わせに限られるものではなく、３原色の副画素に更に１色あるいは複数色の副画素を加えて１つの画素を構成することも可能である。より具体的には、例えば、輝度向上のために白色（Ｗｈｉｔｅ；Ｗ）光を発光する副画素を加えて１つの画素を構成したり、色再現範囲を拡大するために補色光を発光する少なくとも１つの副画素を加えて１つの画素を構成したりすることも可能である。
【００１９】
画素アレイ部３０には、ｍ行ｎ列の画素２０の配列に対して、行方向（画素行の画素の配列方向）に沿って走査線３１1〜３１mと電源供給線３２1〜３２mとが画素行毎に配線されている。更に、ｍ行ｎ列の画素２０の配列に対して、列方向（画素列の画素の配列方向）に沿って信号線３３1〜３３nが画素列毎に配線されている。
【００２０】
走査線３１1〜３１mは、書込み走査回路４０の対応する行の出力端にそれぞれ接続されている。電源供給線３２1〜３２mは、電源供給走査回路５０の対応する行の出力端にそれぞれ接続されている。信号線３３1〜３３nは、信号出力回路６０の対応する列の出力端にそれぞれ接続されている。
【００２１】
画素アレイ部３０は、通常、ガラス基板などの透明絶縁基板上に形成されている。これにより、有機ＥＬ表示装置１０は、平面型（フラット型）のパネル構造となっている。画素アレイ部３０の各画素２０の駆動回路は、アモルファスシリコンＴＦＴまたは低温ポリシリコンＴＦＴを用いて形成することができる。低温ポリシリコンＴＦＴを用いる場合には、図１に示すように、書込み走査回路４０、電源供給走査回路５０、及び、信号出力回路６０についても、画素アレイ部３０を形成する表示パネル（基板）７０上に実装することができる。
【００２２】
書込み走査回路４０は、クロックパルスｃｋに同期してスタートパルスｓｐを順にシフト（転送）するシフトレジスタ回路等によって構成されている。この書込み走査回路４０は、画素アレイ部３０の各画素２０への映像信号の信号電圧書込みに際して、走査線３１（３１1〜３１m）に対して書込み走査信号ＷＳ（ＷＳ1〜ＷＳ m）を順次供給することによって画素アレイ部３０の各画素２０を行単位で順番に走査（線順次走査）する。
【００２３】
電源供給走査回路５０は、クロックパルスｃｋに同期してスタートパルスｓｐを順にシフトするシフトレジスタ回路等によって構成されている。この電源供給走査回路５０は、書込み走査回路４０による線順次走査に同期して、第１電源電位Ｖccpと当該第１電源電位Ｖccpよりも低い第２電源電位Ｖiniとで切り替わることが可能な電源電位ＤＳ（ＤＳ1〜ＤＳm）を電源供給線３２（３２1〜３２m）に供給する。後述するように、電源電位ＤＳのＶccp／Ｖiniの切替えにより、画素２０の発光／非発光の制御が行なわれる。
【００２４】
信号出力回路６０は、信号供給源（図示せず）から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧（以下、単に「信号電圧」と記述する場合もある）Ｖsigと基準電圧Ｖofsとを選択的に出力する。ここで、基準電圧Ｖofsは、映像信号の信号電圧Ｖsigの基準となる電位（例えば、映像信号の黒レベルに相当する電位）であり、後述する閾値補正処理の際に用いられる。
【００２５】
信号出力回路６０から出力される信号電圧Ｖsig／基準電圧Ｖofsは、信号線３３（３３1〜３３n）を介して画素アレイ部３０の各画素２０に対して、書込み走査回路４０による走査によって選択された画素行の単位で書き込まれる。すなわち、信号出力回路６０は、信号電圧Ｖsigを行（ライン）単位で書き込む線順次書込みの駆動形態を採っている。
【００２６】
（画素回路）
図２は、画素（画素回路）２０の具体的な回路構成の一例を示す回路図である。画素２０の発光部は、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子である有機ＥＬ素子２１から成る。
【００２７】
図２に示すように、画素２０は、有機ＥＬ素子２１と、有機ＥＬ素子２１に電流を流すことによって当該有機ＥＬ素子２１を駆動する駆動回路とによって構成されている。有機ＥＬ素子２１は、全ての画素２０に対して共通に配線（所謂、ベタ配線）された共通電源供給線３４にカソード電極が接続されている。
【００２８】
有機ＥＬ素子２１を駆動する駆動回路は、駆動トランジスタ２２、書込みトランジスタ２３、保持容量２４、及び、補助容量２５を有する構成となっている。駆動トランジスタ２２及び書込みトランジスタ２３としてＮチャネル型のＴＦＴを用いることができる。但し、ここで示した、駆動トランジスタ２２及び書込みトランジスタ２３の導電型の組み合わせは一例に過ぎず、これらの組み合わせに限られるものではない。
【００２９】
駆動トランジスタ２２は、一方の電極（ソース／ドレイン電極）が有機ＥＬ素子２１のアノード電極に接続され、他方の電極（ドレイン／ソース電極）が電源供給線３２（３２1〜３２m）に接続されている。
【００３０】
書込みトランジスタ２３は、一方の電極（ソース／ドレイン電極）が信号線３３（３３1〜３３n）に接続され、他方の電極（ドレイン／ソース電極）が駆動トランジスタ２２のゲート電極に接続されている。また、書込みトランジスタ２３のゲート電極は、走査線３１（３１1〜３１m）に接続されている。
【００３１】
駆動トランジスタ２２及び書込みトランジスタ２３において、一方の電極とは、ソース／ドレイン領域に電気的に接続された金属配線を言い、他方の電極とは、ドレイン／ソース領域に電気的に接続された金属配線を言う。また、一方の電極と他方の電極との電位関係によって一方の電極がソース電極ともなればドレイン電極ともなり、他方の電極がドレイン電極ともなればソース電極ともなる。
【００３２】
保持容量２４は、一方の電極が駆動トランジスタ２２のゲート電極に接続され、他方の電極が駆動トランジスタ２２の他方の電極、及び、有機ＥＬ素子２１のアノード電極に接続されている。
【００３３】
補助容量２５は、一方の電極が有機ＥＬ素子２１のアノード電極に、他方の電極が共通電源供給線３４にそれぞれ接続されている。この補助容量２５は、有機ＥＬ素子２１の容量不足分を補い、保持容量２４に対する映像信号の書込みゲインを高めるために、必要に応じて設けられるものである。すなわち、補助容量２５は必須の構成要素ではなく、有機ＥＬ素子２１の等価容量が十分に大きい場合は省略可能である。
【００３４】
ここでは、補助容量２５の他方の電極を共通電源供給線３４に接続するとしているが、他方の電極の接続先としては、共通電源供給線３４に限られるものではなく、固定電位のノードであればよい。補助容量２５の他方の電極を固定電位のノードに接続することで、有機ＥＬ素子２１の容量不足分を補い、保持容量２４に対する映像信号の書込みゲインを高めるという所期の目的を達成することができる。
【００３５】
上記構成の画素２０において、書込みトランジスタ２３は、書込み走査回路４０から走査線３１を通してゲート電極に印加されるＨｉｇｈアクティブの書込み走査信号ＷＳに応答して導通状態となる。これにより、書込みトランジスタ２３は、信号線３３を通して信号出力回路６０から供給される、輝度情報に応じた映像信号の信号電圧Ｖsigまたは基準電圧Ｖofsをサンプリングして画素２０内に書き込む。この書き込まれた信号電圧Ｖsigまたは基準電圧Ｖofsは、駆動トランジスタ２２のゲート電極に印加されるとともに保持容量２４に保持される。
【００３６】
駆動トランジスタ２２は、電源供給線３２（３２1〜３２m）の電源電位ＤＳが第１電源電位Ｖccpにあるときには、一方の電極がドレイン電極、他方の電極がソース電極となって飽和領域で動作する。これにより、駆動トランジスタ２２は、電源供給線３２から電流の供給を受けて有機ＥＬ素子２１を電流駆動にて発光駆動する。より具体的には、駆動トランジスタ２２は、飽和領域で動作することにより、保持容量２４に保持された信号電圧Ｖsigの電圧値に応じた電流値の駆動電流を有機ＥＬ素子２１に供給し、当該有機ＥＬ素子２１を電流駆動することによって発光させる。
【００３７】
駆動トランジスタ２２は更に、電源電位ＤＳが第１電源電位Ｖccpから第２電源電位Ｖiniに切り替わったときには、一方の電極がソース電極、他方の電極がドレイン電極となってスイッチングトランジスタとして動作する。これにより、駆動トランジスタ２２は、有機ＥＬ素子２１への駆動電流の供給を停止し、有機ＥＬ素子２１を非発光状態にする。すなわち、駆動トランジスタ２２は、有機ＥＬ素子２１の発光／非発光を制御するトランジスタとしての機能をも併せ持っている。
【００３８】
この駆動トランジスタ２２のスイッチング動作により、有機ＥＬ素子２１が非発光状態となる期間（非発光期間）を設け、有機ＥＬ素子２１の発光期間と非発光期間の割合（デューティ）を制御することができる。このデューティ制御により、１表示フレーム期間に亘って画素が発光することに伴う残像ボケを低減できるために、特に動画の画品位をより優れたものとすることができる。
【００３９】
電源供給走査回路５０から電源供給線３２を通して選択的に供給される第１，第２電源電位Ｖccp，Ｖiniのうち、第１電源電位Ｖccpは有機ＥＬ素子２１を発光駆動する駆動電流を駆動トランジスタ２２に供給するための電源電位である。また、第２電源電位Ｖiniは、有機ＥＬ素子２１に対して逆バイアスを掛けるための電源電位である。この第２電源電位Ｖiniは、基準電圧Ｖofsよりも低い電位、例えば、駆動トランジスタ２２の閾値電圧をＶthとするときＶofs−Ｖthよりも低い電位、好ましくは、Ｖofs−Ｖthよりも十分に低い電位に設定される。
【００４０】
［１−２．基本的な回路動作］
続いて、上記構成の有機ＥＬ表示装置１０の基本的な回路動作について、図３のタイミング波形図を基に図４及び図５の動作説明図を用いて説明する。尚、図４及び図５の動作説明図では、図面の簡略化のために、書込みトランジスタ２３をスイッチのシンボルで図示している。また、有機ＥＬ素子２１の等価容量２５についても図示している。
【００４１】
図３のタイミング波形図には、走査線３１の電位（書込み走査信号）ＷＳ、電源供給線３２の電位（電源電位）ＤＳ、信号線３３の電位（Ｖsig／Ｖofs）、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖg及びソース電位Ｖsのそれぞれの変化を示している。
【００４２】
（前表示フレームの発光期間）
図３のタイミング波形図において、時刻ｔ11以前は、前の表示フレームにおける有機ＥＬ素子２１の発光期間となる。この前表示フレームの発光期間では、電源供給線３２の電位ＤＳが第１電源電位（以下、「高電位」と記述する）Ｖccpにあり、また、書込みトランジスタ２３が非導通状態にある。
【００４３】
このとき、駆動トランジスタ２２は飽和領域で動作するように設計されている。これにより、図４（Ａ）に示すように、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖgsに応じた駆動電流（ドレイン−ソース間電流）Ｉdsが、電源供給線３２から駆動トランジスタ２２を通して有機ＥＬ素子２１に供給される。従って、有機ＥＬ素子２１が駆動電流Ｉdsの電流値に応じた輝度で発光する。
【００４４】
（閾値補正準備期間）
時刻ｔ11になると、線順次走査の新しい表示フレーム（現表示フレーム）に入る。そして、図４（Ｂ）に示すように、電源供給線３２の電位ＤＳが高電位Ｖccpから、信号線３３の基準電圧Ｖofsに対してＶofs−Ｖthよりも十分に低い第２電源電位（以下、「低電位」と記述する）Ｖiniに切り替わる。
【００４５】
ここで、有機ＥＬ素子２１の閾値電圧をＶthel、共通電源供給線３４の電位（カソード電位）をＶcathとする。このとき、低電位ＶiniをＶini＜Ｖthel＋Ｖcathとすると、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖsが低電位Ｖiniにほぼ等しくなるために、有機ＥＬ素子２１は逆バイアス状態となって消光する。
【００４６】
次に、時刻ｔ12で走査線３１の電位ＷＳが低電位側から高電位側に遷移することで、、図４（Ｃ）に示すように、書込みトランジスタ２３が導通状態となる。このとき信号出力回路６０から信号線３３に対して基準電圧Ｖofsが供給された状態にあるために、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖgが基準電圧Ｖofsになる。また、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖsは、基準電圧Ｖofsよりも十分に低い電位、即ち、低電位Ｖiniにある。
【００４７】
このとき、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧ＶgsはＶofs−Ｖiniとなる。ここで、Ｖofs−Ｖiniが駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖthよりも大きくないと、後述する閾値補正処理を行うことができないために、Ｖofs−Ｖini＞Ｖthなる電位関係に設定する必要がある。
【００４８】
このように、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖgを基準電圧Ｖofsに固定し、かつ、ソース電位Ｖsを低電位Ｖiniに固定して（確定させて）初期化する処理が、後述する閾値補正処理（閾値補正動作）を行う前の準備（閾値補正準備）の処理である。従って、基準電圧Ｖofs及び低電位Ｖiniが、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖg及びソース電位Ｖsの各初期化電位となる。
【００４９】
（閾値補正期間）
次に、時刻ｔ13で、図４（Ｄ）に示すように、電源供給線３２の電位ＤＳが低電位Ｖiniから高電位Ｖccpに切り替わると、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖgが基準電圧Ｖofsに保たれた状態で閾値補正処理が開始される。すなわち、ゲート電位Ｖgから駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖthを減じた電位に向けて駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖsが上昇を開始する。
【００５０】
ここでは、便宜上、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖgの初期化電位Ｖofsを基準とし、当該初期化電位Ｖofsから駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖthを減じた電位に向けてソース電位Ｖsを変化させる処理を閾値補正処理と呼んでいる。この閾値補正処理が進むと、やがて、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖgsが駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖthに収束する。この閾値電圧Ｖthに相当する電圧は保持容量２４に保持される。
【００５１】
尚、閾値補正処理を行う期間（閾値補正期間）において、電流が専ら保持容量２４側に流れ、有機ＥＬ素子２１側には流れないようにするために、有機ＥＬ素子２１がカットオフ状態となるように共通電源供給線３４の電位Ｖcathを設定しておくこととする。
【００５２】
次に、時刻ｔ14で、走査線３１の電位ＷＳが低電位側に遷移することで、図５（Ａ）に示すように、書込みトランジスタ２３が非導通状態となる。このとき、駆動トランジスタ２２のゲート電極が信号線３３から電気的に切り離されることによってフローティング状態になる。しかし、ゲート−ソース間電圧Ｖgsが駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖthに等しいために、当該駆動トランジスタ２２はカットオフ状態にある。従って、駆動トランジスタ２２にドレイン−ソース間電流Ｉdsは流れない。
【００５３】
（信号書込み＆移動度補正期間）
次に、時刻ｔ15で、図５（Ｂ）に示すように、信号線３３の電位が基準電圧Ｖofsから映像信号の信号電圧Ｖsigに切り替わる。続いて、時刻ｔ16で、走査線３１の電位ＷＳが高電位側に遷移することで、図５（Ｃ）に示すように、書込みトランジスタ２３が導通状態になって映像信号の信号電圧Ｖsigをサンプリングして画素２０内に書き込む。
【００５４】
この書込みトランジスタ２３による信号電圧Ｖsigの書込みにより、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖgが信号電圧Ｖsigになる。そして、映像信号の信号電圧Ｖsigによる駆動トランジスタ２２の駆動の際に、当該駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖthが保持容量２４に保持された閾値電圧Ｖthに相当する電圧と相殺される。この閾値キャンセルの原理の詳細については後述する。
【００５５】
このとき、有機ＥＬ素子２１は、カットオフ状態（ハイインピーダンス状態）にある。従って、映像信号の信号電圧Ｖsigに応じて電源供給線３２から駆動トランジスタ２２に流れる電流（ドレイン−ソース間電流Ｉds）は、有機ＥＬ素子２１の等価容量及び補助容量２５に流れ込む。これにより、有機ＥＬ素子２１の等価容量及び補助容量２５の充電が開始される。
【００５６】
有機ＥＬ素子２１の等価容量及び補助容量２５が充電されることにより、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖsが時間の経過と共に上昇していく。このとき既に、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖthの画素毎のばらつきがキャンセルされており、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉdsは当該駆動トランジスタ２２の移動度μに依存したものとなる。尚、駆動トランジスタ２２の移動度μは、当該駆動トランジスタ２２のチャネルを構成する半導体薄膜の移動度である。
【００５７】
ここで、映像信号の信号電圧Ｖsigに対する保持容量２４の保持電圧Ｖgsの比率、即ち、書込みゲインＧが１（理想値）であると仮定する。すると、駆動トランジスタ２２のソース電位ＶsがＶofs−Ｖth＋ΔＶの電位まで上昇することで、駆動トランジスタ２２のゲート‐ソース間電圧ＶgsはＶsig−Ｖofs＋Ｖth−ΔＶとなる。
【００５８】
すなわち、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓの上昇分ΔＶは、保持容量２４に保持された電圧（Ｖsig−Ｖofs＋Ｖth）から差し引かれるように、換言すれば、保持容量２４の充電電荷を放電するように作用する。換言すれば、ソース電位Ｖｓの上昇分ΔＶは、保持容量２４に対して負帰還がかけられたことになる。従って、ソース電位Ｖsの上昇分ΔＶは負帰還の帰還量となる。
【００５９】
このように、駆動トランジスタ２２に流れるドレイン−ソース間電流Ｉdsに応じた帰還量ΔＶでゲート‐ソース間電圧Ｖgsに負帰還をかけることで、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉdsの移動度μに対する依存性を打ち消すことができる。この打ち消す処理が、駆動トランジスタ２２の移動度μの画素毎のばらつきを補正する移動度補正処理である。
【００６０】
より具体的には、駆動トランジスタ２２のゲート電極に書き込まれる映像信号の信号振幅Ｖin（＝Ｖsig−Ｖofs）が高い程ドレイン−ソース間電流Ｉdsが大きくなるため、負帰還の帰還量ΔＶの絶対値も大きくなる。従って、発光輝度レベルに応じた移動度補正処理が行われる。
【００６１】
また、映像信号の信号振幅Ｖinを一定とした場合、駆動トランジスタ２２の移動度μが大きいほど負帰還の帰還量ΔＶの絶対値も大きくなるため、画素毎の移動度μのばらつきを取り除くことができる。従って、負帰還の帰還量ΔＶは、移動度補正処理の補正量とも言える。移動度補正の原理の詳細については後述する。
【００６２】
（発光期間）
次に、時刻ｔ17で、走査線３１の電位ＷＳが低電位側に遷移することで、図５（Ｄ）に示すように、書込みトランジスタ２３が非導通状態となる。これにより、駆動トランジスタ２２のゲート電極は、信号線３３から電気的に切り離されるためにフローティング状態になる。
【００６３】
ここで、駆動トランジスタ２２のゲート電極がフローティング状態にあるときは、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間に保持容量２４が接続されていることにより、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖsの変動に連動してゲート電位Ｖgも変動する。このように、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖgがソース電位Ｖsの変動に連動して変動する動作が、保持容量２４によるブートストラップ動作である。
【００６４】
駆動トランジスタ２２のゲート電極がフローティング状態になり、それと同時に、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉdsが有機ＥＬ素子２１に流れ始めることにより、当該電流Ｉdsに応じて有機ＥＬ素子２１のアノード電位が上昇する。
【００６５】
そして、有機ＥＬ素子２１のアノード電位がＶthel＋Ｖcathを越えると、有機ＥＬ素子２１に駆動電流が流れ始めるため有機ＥＬ素子２１が発光を開始する。また、有機ＥＬ素子２１のアノード電位の上昇は、即ち、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖsの上昇に他ならない。そして、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖsが上昇すると、保持容量２４のブートストラップ動作により、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖgも連動して上昇する。
【００６６】
このとき、ブートストラップゲインが１（理想値）であると仮定した場合、ゲート電位Ｖgの上昇量はソース電位Ｖsの上昇量に等しくなる。故に、発光期間中、駆動トランジスタ２２のゲート‐ソース間電圧Ｖgsは、Ｖsig−Ｖofs＋Ｖth−ΔＶで一定に保持される。そして、時刻ｔ18で信号線３３の電位が映像信号の信号電圧Ｖsigから基準電圧Ｖofsに切り替わる。
【００６７】
以上説明した一連の回路動作において、閾値補正準備、閾値補正、信号電圧Ｖsigの書込み（信号書込み）、及び、移動度補正の各処理動作は、１水平走査期間（１Ｈ）において実行される。また、信号書込み及び移動度補正の各処理動作は、時刻ｔ16−ｔ17の期間において並行して実行される。
【００６８】
〔分割閾値補正〕
尚、ここでは、閾値補正処理を１回だけ実行する駆動法を採る場合を例に挙げて説明したが、この駆動法は一例に過ぎず、この駆動法に限られるものではない。例えば、閾値補正処理を移動度補正及び信号書込み処理と共に行う１Ｈ期間に加えて、当該１Ｈ期間に先行する複数の水平走査期間に亘って分割して閾値補正処理を複数回実行する、所謂、分割閾値補正を行う駆動法を採ることも可能である。
【００６９】
この分割閾値補正の駆動法によれば、高精細化に伴う多画素化によって１水平走査期間として割り当てられる時間が短くなったとしても、閾値補正期間として複数の水平走査期間に亘って十分な時間を確保することができる。従って、１水平走査期間として割り当てられる時間が短くなっても、閾値補正期間として十分な時間を確保できるため、閾値補正処理を確実に実行できることになる。
【００７０】
〔閾値キャンセルの原理〕
ここで、駆動トランジスタ２２の閾値キャンセル（即ち、閾値補正）の原理について説明する。駆動トランジスタ２２は、飽和領域で動作するように設計されているために定電流源として動作する。これにより、有機ＥＬ素子２１には駆動トランジスタ２２から、次式（１）で与えられる一定のドレイン−ソース間電流（駆動電流）Ｉdsが供給される。
Ｉds＝（１／２）・μ（Ｗ／Ｌ）Ｃox（Ｖgs−Ｖth）2 ……（１）
ここで、Ｗは駆動トランジスタ２２のチャネル幅、Ｌはチャネル長、Ｃoxは単位面積当たりのゲート容量である。
【００７１】
図６（Ａ）に、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉds対ゲート−ソース間電圧Ｖgsの特性を示す。図６（Ａ）の特性図に示すように、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖthの画素毎のばらつきに対するキャンセル処理（補正処理）を行わないと、閾値電圧ＶthがＶth1のときに、ゲート−ソース間電圧Ｖgsに対応するドレイン−ソース間電流ＩdsがＩds1になる。
【００７２】
これに対して、閾値電圧ＶthがＶth2（Ｖth2＞Ｖth1）のとき、同じゲート−ソース間電圧Ｖgsに対応するドレイン−ソース間電流ＩdsがＩds2（Ｉds2＜Ｉds1）になる。すなわち、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖthが変動すると、ゲート−ソース間電圧Ｖgsが一定であってもドレイン−ソース間電流Ｉdsが変動する。
【００７３】
一方、上記構成の画素（画素回路）２０では、先述したように、発光時の駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧ＶgsはＶsig−Ｖofs＋Ｖth−ΔＶである。従って、これを式（１）に代入すると、ドレイン−ソース間電流Ｉdsは、次式（２）で表される。
Ｉds＝（１／２）・μ（Ｗ／Ｌ）Ｃox（Ｖsig−Ｖofs−ΔＶ）2 ……（２）
【００７４】
すなわち、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖthの項がキャンセルされており、駆動トランジスタ２２から有機ＥＬ素子２１に供給されるドレイン−ソース間電流Ｉdsは、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖthに依存しない。その結果、駆動トランジスタ２２の製造プロセスのばらつきや経時変化等により、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖthが画素毎に変動したとしても、ドレイン−ソース間電流Ｉdsが変動しないために、有機ＥＬ素子２１の発光輝度を一定に保つことができる。
【００７５】
〔移動度補正の原理〕
次に、駆動トランジスタ２２の移動度補正の原理について説明する。図６（Ｂ）に、駆動トランジスタ２２の移動度μが相対的に大きい画素Ａと、駆動トランジスタ２２の移動度μが相対的に小さい画素Ｂとを比較した状態で特性カーブを示す。駆動トランジスタ２２をポリシリコン薄膜トランジスタなどで構成した場合、画素Ａや画素Ｂのように、画素間で移動度μがばらつくことは避けられない。
【００７６】
画素Ａと画素Ｂで移動度μにばらつきがある状態で、駆動トランジスタ２２のゲート電極に対して、例えば両画素Ａ，Ｂに同レベルの信号振幅Ｖin（＝Ｖsig−Ｖofs）を書き込んだ場合を考える。この場合、何ら移動度μの補正を行わないと、移動度μの大きい画素Ａに流れるドレイン−ソース間電流Ｉds1′と移動度μの小さい画素Ｂに流れるドレイン−ソース間電流Ｉds2′との間には大きな差が生じてしまう。このように、移動度μの画素毎のばらつきに起因してドレイン−ソース間電流Ｉdsに画素間で大きな差が生じると、画面のユニフォーミティ（一様性）が損なわれる。
【００７７】
ここで、先述した式（１）のトランジスタ特性式から明らかなように、移動度μが大きいとドレイン−ソース間電流Ｉdsが大きくなる。従って、負帰還における帰還量ΔＶは移動度μが大きくなるほど大きくなる。図６（Ｂ）に示すように、移動度μの大きな画素Ａの帰還量ΔＶ1は、移動度の小さな画素Ｂの帰還量ΔＶ2に比べて大きい。
【００７８】
そこで、移動度補正処理によって駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉdsに応じた帰還量ΔＶでゲート−ソース間電圧Ｖgsに負帰還をかけることにより、移動度μが大きいほど負帰還が大きくかかることになる。その結果、移動度μの画素毎のばらつきを抑制することができる。
【００７９】
具体的には、移動度μの大きな画素Ａで帰還量ΔＶ1の補正をかけると、ドレイン−ソース間電流ＩdsはＩds1′からＩds1まで大きく下降する。一方、移動度μの小さな画素Ｂの帰還量ΔＶ2は小さいために、ドレイン−ソース間電流ＩdsはＩds2′からＩds2までの下降となり、それ程大きく下降しない。結果的に、画素Ａのドレイン−ソース間電流Ｉds1と画素Ｂのドレイン−ソース間電流Ｉds2とはほぼ等しくなるために、移動度μの画素毎のばらつきが補正される。
【００８０】
以上をまとめると、移動度μの異なる画素Ａと画素Ｂがあった場合、移動度μの大きい画素Ａの帰還量ΔＶ１は移動度μの小さい画素Ｂの帰還量ΔＶ２に比べて大きくなる。つまり、移動度μが大きい画素ほど帰還量ΔＶが大きく、ドレイン−ソース間電流Ｉdsの減少量が大きくなる。
【００８１】
従って、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉdsに応じた帰還量ΔＶで、ゲート−ソース間電圧Ｖgsに負帰還をかけることで、移動度μの異なる画素のドレイン−ソース間電流Ｉdsの電流値が均一化される。その結果、移動度μの画素毎のばらつきを補正することができる。すなわち、駆動トランジスタ２２に流れる電流（ドレイン−ソース間電流Ｉds）に応じた帰還量（補正量）ΔＶで、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖgsに対して、即ち、保持容量２４に対して負帰還をかける処理が移動度補正処理となる。
【００８２】
［１−３．白色有機ＥＬ素子とカラーフィルタとの組み合わせ方式］
ところで、以上説明した本適用例に係る有機ＥＬ表示装置１０にあっては、ＲＧＢマスク塗り分け方式を採らず、図７に示すように、白色有機ＥＬ素子２１Wとカラーフィルタ８０との組み合わせにより、ＲＧＢの各色光を取り出す方式を採っている。ここで、ＲＧＢマスク塗り分け方式とは、ＲＧＢの有機ＥＬ材料を、マスクを利用して蒸着で塗り分ける方式である。白色有機ＥＬ素子２１Wとカラーフィルタ８０との組み合わせ方式は、表示パネル７０の大型化、高精細化に適している。
【００８３】
（タンデム構造の白色有機ＥＬ素子）
白色有機ＥＬ素子２１Wとしては、例えば、ＲＧＢの各発光層を含む有機層のユニット（発光ユニット）を複数、接続層を介して直列的に（タンデムに）連結（積層）して成るタンデム構造の有機ＥＬ素子が広く知られている。このタンデム構造の白色有機ＥＬ素子は、ＲＧＢの各発光ユニットの発光が重ね合わされることによって白色光が得られるようになっている。
【００８４】
図８は、典型的なタンデム構造の白色有機ＥＬ素子の構造の一例を示す要部の断面図である。ここでは、一例として、３段タンデム構造の場合を例に挙げ、図面の簡略化のために、基本的な構造について簡素化して示している。また、ＲＧＢの３つの副画素のうち、ＲＧの２つの副画素の画素構造について図示している。
【００８５】
図８において、ウインド絶縁膜７１の凹部７１Aの底部には、アノード電極２１１（２１１R，２１１G，２１１B）が画素単位で設けられている。このアノード電極２１１と全画素共通に設けられたカソード電極２１２との間には、有機層２１３が全画素共通に設けられて白色有機ＥＬ素子２１Wを構成している。そして、カソード電極２１２の上には層間絶縁膜７２が積層され、当該層間絶縁膜７２の上にはカラーフィルタ８０がオンチップにて形成されている（オンチップカラーフィルタ）。
【００８６】
白色有機ＥＬ素子２１Wにおいて、有機層２１３は、アノード電極２１１の上に、一例として、電荷注入層２１４、Ｒの発光層２１５R、接続層２１６、Ｇの発光層２１５G、接続層２１７、及び、Ｂの発光層２１５Bが順に全画素共通に堆積されることによって形成されている。そして、図２の駆動トランジスタ２２による電流駆動の下に、駆動トランジスタ２２からアノード電極２１１を通して有機層２１３に電流が流れることで、当該有機層２１３内の各発光層２１５R，２１５G，２１５Bにおいて電子と正孔が再結合する際に発光するようになっている。
【００８７】
このとき、Ｒ，Ｇ，Ｂの各発光層２１５R，２１５G，２１５Bの発光色が重ね合わされて（合成されて）白色光となる。そして、画素単位で白色有機ＥＬ素子２１Wから発せられる白色光はカラーフィルタ８０を透過する。このようにして、白色有機ＥＬ素子２１Wをカラーフィルタ８０と組み合わせることにより、白色光からＲ，Ｇ，Ｂの各色光を取り出すことができる。
【００８８】
［１−４．共通層の存在によるリーク電流の問題］
上述したタンデム構造の白色有機ＥＬ素子２１Wを含む画素（副画素）が配置されて成る有機ＥＬ表示装置１０にあっては、各画素に対して共通に形成される共通層が存在することになる。具体的には、特に図８から明らかなように、電荷注入層２１４、接続層２１６、及び、接続層２１７が各画素に共通に形成された共通層となる。
【００８９】
ここで、共通層の存在によるリーク電流（共通層を通して流れるリーク電流）の問題について、図８においてＲの画素（副画素）のみが発光している場合を例に挙げて考える。図９に、白色有機ＥＬ素子２１Wとカラーフィルタ８０との組み合わせ方式を採る場合の表示パネル７０の等価回路を示す。
【００９０】
白色有機ＥＬ素子２１Wとカラーフィルタ８０との組み合わせ方式を採る表示パネル７０では、電荷注入層２１４や接続層２１６，２１７などの比較的インピーダンスが小さいレイヤー（共通層）において横方向のリークが発生する。ここで、横方向とは、白色有機ＥＬ素子２１W内で流れる電流の流れる方向を縦方向としたときのリーク電流の流れる方向である。そして、このリーク電流によってアノード電極２１１の外側の領域も発光することになる。
【００９１】
このとき、隣接画素間の距離が十分に遠い（離れている）場合は問題ないが、隣接画素間の距離が近く、リーク電流が隣接画素まで流れ込む場合は、リーク電流に伴う発光領域が隣接画素まで及ぶことになる。その結果、隣接画素も発光してしまう。図８において、発光色を表わす矢印の大きさは、当該光の強度を概念的に表わしている。本例の場合は、本来発光すべきＲの画素の隣のＧの画素も発光してしまう。これにより、色再現性（色純度）が悪化してしまう。因みに、発光層２１５R，２１５G，２１５Bも共通層ではあるが、電荷注入層２１４や接続層２１６，２１７などに比べてインピーダンスが大きいために、一般的には、リークの問題は生じない。
【００９２】
＜２．実施形態の説明＞
本実施形態では、有機層内に画素間で共通に形成された共通層を少なくとも１層含む有機ＥＬ表示装置において、共通層の存在によるリーク電流の問題を解決するために、有機層に対して電気的に接続された金属配線をアノード電極の周囲を囲むように形成する。そして、当該金属配線の電位を有機ＥＬ素子が非発光時のアノード電極の電位よりも低い電位に設定する構成を採るようにする。
【００９３】
アノード電極の周囲に、有機層に対して電気的に接続された金属配線が形成されていることで、有機層内の共通層を通して横方向にリーク電流が流れたとしても、当該リーク電流は金属配線側に流れる。これにより、隣接画素へ流れ込むリーク電流を低減できるために、隣接画素での発光を抑えることができる。結果として、良好な色再現性（色純度）を得ることができる。
【００９４】
［２−１．リーク電流を低減するための画素構造］
以下に、有機層内の共通層を通して流れるリーク電流を低減するための画素構造について具体的に説明する。
【００９５】
図１０は、実施形態に係るタンデム構造の白色有機ＥＬ素子を含む画素構造の一例を示す要部の断面図であり、図中、図８と同等部位には同一符号を付して示している。また、図１１に、アノード電極及びその周囲の平面パターン図を示す。ここでは、一例として、３段タンデム構造の場合を例に挙げ、図面の簡略化のために、基本的な構造について簡素化して示している。また、ＲＧＢの３つの副画素のうち、ＲＧの２つの副画素の画素構造について図示している。
【００９６】
本実施形態に係るタンデム構造の白色有機ＥＬ素子は、基本的な構造については、先述した典型的なタンデム構造の白色有機ＥＬ素子と同じである。すなわち、図１０に示すように、ウインド絶縁膜７１の凹部７１Aの底部には、アノード電極２１１（２１１R，２１１G，２１１B）が画素単位で設けられている。このアノード電極２１１と、全画素共通に設けられたカソード電極２１２との間には、有機層２１３が全画素共通に設けられて白色有機ＥＬ素子２１Wを構成している。
【００９７】
白色有機ＥＬ素子２１Wにおいて、有機層２１３は、アノード電極２１１の上に、一例として、電荷注入層２１４、Ｒの発光層２１５R、接続層２１６、Ｇの発光層２１５G、接続層２１７、及び、Ｂの発光層２１５Bが順に全画素共通に堆積されることによって形成されている。そして、カソード電極２１２の上には層間絶縁膜７２が積層され、当該層間絶縁膜７２の上にはカラーフィルタ８０がオンチップにて形成されている。
【００９８】
上記構成のタンデム構造の白色有機ＥＬ素子２１Wを含む画素構造において、本実施形態では、次の点を特徴としている。先ず、画素単位で形成されたアノード電極２１１（２１１R，２１１G，２１１B）の周囲を囲むように、具体的には、当該アノード電極２１１と同じ層に金属配線９０を形成する。
【００９９】
そして、この金属配線９０には、白色有機ＥＬ素子２１Wが非発光時のアノード電極２１１の電位よりも低い電位、例えば、カソード電極２１２の電位（カソード電位Ｖcath）を与えるようにする。金属配線９０の電位としてカソード電位Ｖcathを用いることで、金属配線９０専用の電位を用意しなくて済む利点がある。
【０１００】
ここで、金属配線９０としては、アノード電極２１１と同一の材料、例えば、アルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）等の配線材料を用いるのが好ましい。何故なら、金属配線９０の材料としてアノード電極２１１と同一の材料を用いることで、アノード電極２１１と同じ工程で金属配線９０を形成でき、工程数を増やさなくて済むからである。金属配線９０をアノード電極２１１と同じ層に形成するのも同様の理由による。
【０１０１】
また、ウインド絶縁膜７１における画素間の部位、即ち、金属配線９０が形成されている部位にはコンタクトホール７１Bを形成する。そして、このコンタクトホール７１Bを介して、有機層２１３、本例では、有機層２１３の最下層の電荷注入層２１４と金属配線９０とを電気的に接続する。
【０１０２】
［２−２．実施形態の作用、効果］
上述したように、有機層２１３に対して電気的に接続された金属配線９０をアノード電極２１１の周囲を囲むように形成し、当該金属配線９０の電位をカソード電位Ｖcathに設定することで、次のような作用、効果を得ることができる。すなわち、有機層２１３内の共通層、本例では、電荷注入層２１４や接続層２１６，２１７を通して横方向にリーク電流が流れた場合、図１２に示すように、リーク電流はコンタクトホール７１Bの部位（以下、コンタクト部７１B」と記述する）を通して金属配線９０に流れ込む。
【０１０３】
これにより、電荷注入層２１４を通して流れるリーク電流は、当該電荷注入層２１４が金属配線９０に対して電気的に接続されているため完全に金属配線９０に流れ込む。すなわち、電荷注入層２１４を通して横方向に流れるリーク電流については、隣接画素側に流れ込むのをコンタクト部７１Bで完全に遮断される。
【０１０４】
また、接続層２１６，２１７を通して横方向に流れるリーク電流については、コンタクト部７１Bに流れ込む成分と、隣接画素側に流れる成分と、発光に寄与する成分とに分けられる。従って、接続層２１６，２１７を通して流れるリーク電流についても、金属配線９０を設けない場合に比べて低減することができる。図１２において、発光色を表わす矢印の大きさは、当該光の強度を概念的に表わしている。図１３に、実施形態に係る画素構造の表示パネルの等価回路を示す。
【０１０５】
このように、電荷注入層２１４や接続層２１６，２１７を通して横方向にリーク電流が流れたとしても、隣接画素側へ流れ込むリーク電流を低減できる。これにより、リーク電流に起因する隣接画素での発光を抑えることができるために、良好な色再現性（色純度）を得ることができる。
【０１０６】
尚、本実施形態では、アノード電極２１１の周囲を囲む金属配線９０を、アノード電極２１１と共通のレイヤーに形成するとしたが、これに限られるものではない。すなわち、白色有機ＥＬ素子２１Wの有機層２１３と電気的に接続可能なレイヤーであれば、金属配線９０を形成するレイヤーとしてはどのようなレイヤーでも構わない。
【０１０７】
また、本実施形態では、アノード電極２１１の周囲を囲む金属配線９０の電位をカソード電位Ｖcathに設定するとしたが、カソード電位Ｖcathに限られるものではなく、白色有機ＥＬ素子２１Wが非発光時のアノード電極２１１の電位よりも低い電位であれば、どのような電位でも構わない。
【０１０８】
＜３．適用例＞
上記実施形態では、白色有機ＥＬ素子２１Wとカラーフィルタ８０との組み合わせにより、ＲＧＢの各色光を取り出す方式を採用し、しかも、タンデム構造の画素構造（表示パネル）に適用した場合を例に挙げて説明したが、本開示はこの適用例に限られるものではない。すなわち、本開示は、タンデム構造の構成を採らなくても、有機層内に画素間で共通に形成された共通層を少なくとも１層含む画素構造を持つ有機ＥＬ表示装置全般に対して適用可能である。
【０１０９】
但し、タンデム構造の画素構造の場合には、各色光の発光素子を含む発光ユニットを連結する接続層２１６，２１７が存在し、これら接続層２１６，２１７を通してリーク電流が流れることから、リーク電流に伴う問題は顕著である。従って、特に、タンデム構造の画素構造に本開示を適用すると、その効果は極めて大きいと言うことができる。
【０１１０】
有機層内に共通層を少なくとも１層含む他の画素構造としては、例えば、ＲＧＢの有機ＥＬ材料を、マスクを利用して蒸着で塗り分ける、ＲＧＢマスク塗り分け方式を採用する画素構造が挙げられる。この画素構造について図１４を用いて説明する。
【０１１１】
図１４において、画素毎に形成されたアノード電極２１１R，２１１G，２１１B、及び、ウインド絶縁膜７１の上には、電荷注入層２１４が共通層として形成され、当該電荷注入層２１４の上には、Ｒ，Ｇ，Ｂの有機ＥＬ素子２１R，２１G，２１Bが形成されている。また、有機ＥＬ素子２１R，２１G，２１Bの上にはカソード電極２１２が全画素共通に形成され、その上には層間絶縁膜７２を介してカラーフィルタ８０がオンチップにて形成させている。
【０１１２】
ＲＧＢマスク塗り分け方式を採用する画素構造の場合には、Ｒ，Ｇ，Ｂの有機ＥＬ素子２１R，２１G，２１Bそれ自体が各色光を発光するので、本来、カラーフィルタ８０は不要である。しかし、カラーフィルタ８０を併用することで、色純度を高めることができる利点がある。
【０１１３】
上述したＲＧＢマスク塗り分け方式を採用する画素構造であっても、画素間で共通となる共通層、本例では、電荷注入層２１４が存在することで、当該電荷注入層２１４を通して隣接画素へ流れ込むリーク電流に伴う問題の発生は避けられない。従って、ＲＧＢマスク塗り分け方式を採用し、画素間で共通層を有する画素構造に対しても、先述した実施形態を同様に適用することができる。
【０１１４】
すなわち、図１４に示すＲＧＢマスク塗り分け方式を採用する画素構造において、有機層（電荷注入層２１４）に対して電気的に接続された金属配線をアノード電極２１１R，２１１G，２１１Bの周囲を囲むように形成する。そして、当該金属配線の電位を有機ＥＬ素子２１R，２１G，２１Bが非発光時のアノード電極２１１R，２１１G，２１１Bの電位よりも低い電位に設定することで、先述した実施形態の場合と同様の作用、効果を得ることができる。
【０１１５】
＜４．電子機器＞
以上説明した本開示による有機ＥＬ表示装置は、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示部（表示装置）に適用できる。一例として、図１５〜図１９に示す様々な電子機器、例えば、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置、ビデオカメラなどの表示部に適用することが可能である。
【０１１６】
このように、あらゆる分野の電子機器の表示部として本開示による有機ＥＬ表示装置を用いることにより、各種の電子機器の表示品位を高めることができる。すなわち、先述した実施形態の説明から明らかなように、本開示による有機ＥＬ表示装置は、有機層内の共通層を通して横方向にリーク電流が流れたとしても、隣接画素での発光を抑えることができるために、良好な色再現性（色純度）を得ることができる。その結果、各種の電子機器において、品位の高い、良好な表示画像をことができる。
【０１１７】
本開示による表示装置は、封止された構成のモジュール形状のものをも含む。一例として、画素アレイ部に透明なガラス等の対向部が貼り付けられて形成された表示モジュールが該当する。尚、表示モジュールには、外部から画素アレイ部への信号等を入出力するための回路部やＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）等が設けられていてもよい。
【０１１８】
以下に、本開示が適用される電子機器の具体例について説明する。
【０１１９】
図１５は、本開示が適用されるテレビジョンセットの外観を示す斜視図である。本適用例に係るテレビジョンセットは、フロントパネル１０２やフィルターガラス１０３等から構成される映像表示画面部１０１を含み、その映像表示画面部１０１として本開示による有機ＥＬ表示装置を用いることにより作製される。
【０１２０】
図１６は、本開示が適用されるデジタルカメラの外観を示す斜視図であり、（Ａ）は表側から見た斜視図、（Ｂ）は裏側から見た斜視図である。本適用例に係るデジタルカメラは、フラッシュ用の発光部１１１、表示部１１２、メニュースイッチ１１３、シャッターボタン１１４等を含み、その表示部１１２として本開示による表示装置を用いることにより作製される。
【０１２１】
図１７は、本開示が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を示す斜視図である。本適用例に係るノート型パーソナルコンピュータは、本体１２１に、文字等を入力するとき操作されるキーボード１２２、画像を表示する表示部１２３等を含み、その表示部１２３として本開示による有機ＥＬ表示装置を用いることにより作製される。
【０１２２】
図１８は、本開示が適用されるビデオカメラの外観を示す斜視図である。本適用例に係るビデオカメラは、本体部１３１、前方を向いた側面に被写体撮影用のレンズ１３２、撮影時のスタート／ストップスイッチ１３３、表示部１３４等を含み、その表示部１３４として本開示による有機ＥＬ表示装置を用いることにより作製される。
【０１２３】
図１９は、本開示が適用される携帯端末装置、例えば携帯電話機を示す外観図であり、（Ａ）は開いた状態での正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態での正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。本適用例に係る携帯電話機は、上側筐体１４１、下側筐体１４２、連結部（ここではヒンジ部）１４３、ディスプレイ１４４、サブディスプレイ１４５、ピクチャーライト１４６、カメラ１４７等を含んでいる。そして、ディスプレイ１４４やサブディスプレイ１４５として本開示による有機ＥＬ表示装置を用いることにより、本適用例に係る携帯電話機が作製される。
【符号の説明】
【０１２４】
１０…有機ＥＬ表示装置、２０…画素（画素回路）、２１…有機ＥＬ素子、２１W…白色有機ＥＬ素子、２２…駆動トランジスタ、２３…書込みトランジスタ、２４…保持容量、２５…補助容量、３０…画素アレイ部、３１（３１1〜３１m）…走査線、３２（３２1〜３２m）…電源供給線、３３（３３1〜３３n）…信号線、３４…共通電源供給線、４０…書込み走査回路、５０…電源供給走査回路、６０…信号出力回路、７０…表示パネル、８０…カラーフィルタ、９０…金属配線、２１１（２１１R，２１１G，２１１B）…アノード電極、２１２…カソード電極、２１３…有機層、２１４…電荷注入層（共通層）、２１５R，２１５G，２１５B…発光層、２１６，２１７…接続層（共通層）
【技術分野】
【０００１】
本開示は、有機ＥＬ表示装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
平面型（フラットパネル型）の表示装置の一つとして、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する、所謂、電流駆動型の電気光学素子を画素の発光部（発光素子）として用いた表示装置がある。電流駆動型の電気光学素子としては、有機材料のエレクトロルミネッセンス（ＥＬ；Electroluminescence）を利用し、有機薄膜に電界をかけると発光する現象を用いた有機ＥＬ素子が知られている。
【０００３】
画素の発光部として有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬ表示装置は次のような特長を持っている。すなわち、有機ＥＬ素子は、１０Ｖ以下の印加電圧で駆動できるために低消費電力である。有機ＥＬ素子は自発光素子であるために、液晶表示装置に比べて、画像の視認性が高く、しかも、バックライト等の照明部材を必要としないために軽量化及び薄型化が容易である。更に、有機ＥＬ素子は、応答速度が数μｓｅｃ程度と非常に高速であるために動画表示時の残像が発生しない。
【０００４】
ところで、有機ＥＬ表示装置としては、Ｒ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）の有機ＥＬ材料を、マスクを利用して蒸着で塗り分ける、所謂、ＲＧＢマスク塗り分け方式のものが一般的に知られている。これに対して、大型化、高精細化を目的として、ＲＧＢマスク塗り分けを行わず、白色光を発光する有機ＥＬ素子（以下、「白色有機ＥＬ素子」と記述する）とカラーフィルタとの組み合わせにより、ＲＧＢの各色光を取り出す方式のものがある（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−１２３９７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述した、白色有機ＥＬ素子とカラーフィルタとの組み合わせからなる有機ＥＬ表示装置にあっては、各画素に対して共通に形成される共通層が存在することになる。このように、画素間に共通層が存在すると、当該共通層を通して隣接する画素へのリークが発生し、当該リークによって隣接する画素（以下、「隣接画素」と記述する）も僅かに発光してしまうために、色再現性（色純度）が悪化してしまうという問題がある。
【０００７】
かかる問題は、白色有機ＥＬ素子とカラーフィルタとの組み合わせからなる有機ＥＬ表示装置の場合に限られるものではない。すなわち、例えば、マスク塗り分け方式の有機ＥＬ表示装置においても、画素間に共通層が存在する限り、当該共通層を通して隣接画素へのリークが発生するため同様の問題が発生する。
【０００８】
そこで、本開示は、隣接画素へのリークの問題を解消して良好な色再現性（色純度）を得ることが可能な有機ＥＬ表示装置、及び、当該有機ＥＬ表示装置を有する電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本開示では、
アノード電極とカソード電極との間に有機層を挟んで成る有機ＥＬ素子を含む画素が行列状に配置され、
前記有機ＥＬ素子は、前記有機層内に画素間で共通に形成された共通層を少なくとも１層含む有機ＥＬ表示装置において、
前記アノード電極の周囲を囲み、かつ、前記有機層に対して電気的に接続された金属配線を有し、
前記金属配線の電位は、前記有機ＥＬ素子が非発光時の前記アノード電極の電位よりも低い電位に設定された
構成を採っている。
【００１０】
上記構成の有機ＥＬ表示装置において、アノード電極の周囲に、有機層に対して電気的に接続された金属配線が形成されていることで、有機層内の共通層を通して横方向にリーク電流が流れたとしても、当該リーク電流は金属配線側に流れる。これにより、隣接画素へ流れ込むリーク電流を低減できるために、隣接画素での発光を抑えることができる。
【発明の効果】
【００１１】
本開示によれば、有機層内の共通層を通して横方向にリーク電流が流れたとしても、隣接画素での発光を抑えることができるために、良好な色再現性（色純度）を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本開示が適用されるアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の構成の概略を示すシステム構成図である。
【図２】画素（画素回路）の具体的な回路構成の一例を示す回路図である。
【図３】本開示が適用される有機ＥＬ表示装置の基本的な回路動作の説明に供するタイミング波形図である。
【図４】本開示が適用される有機ＥＬ表示装置の基本的な回路動作の動作説明図（その１）である。
【図５】本開示が適用される有機ＥＬ表示装置の基本的な回路動作の動作説明図（その２）である。
【図６】駆動トランジスタの閾値電圧Ｖthのばらつきに起因する課題の説明（Ａ）、及び、駆動トランジスタの移動度μのばらつきに起因する課題の説明（Ｂ）に供する特性図である。
【図７】白色有機ＥＬ素子とカラーフィルタとの組み合わせ方式の画素構造の一例を示す断面図である。
【図８】典型的なタンデム構造の白色有機ＥＬ素子の構造の一例を示す要部の断面図である。
【図９】白色有機ＥＬ素子とカラーフィルタとの組み合わせ方式を採る表示パネルの等価回路を示す回路図である。
【図１０】実施形態に係るタンデム構造の白色有機ＥＬ素子を含む画素構造の一例を示す要部の断面図である。
【図１１】アノード電極及びその周囲を示す平面パターン図である。
【図１２】実施形態の作用、効果についての説明図である。
【図１３】実施形態に係る画素構造の表示パネルの等価回路を示す回路図である。
【図１４】ＲＧＢマスク塗り分け方式を採用する画素構造の一例を示す要部の断面図である。
【図１５】本開示が適用されるテレビジョンセットの外観を示す斜視図である。
【図１６】本開示が適用されるデジタルカメラの外観を示す斜視図であり、（Ａ）は表側から見た斜視図、（Ｂ）は裏側から見た斜視図である。
【図１７】本開示が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を示す斜視図である。
【図１８】本開示が適用されるビデオカメラの外観を示す斜視図である。
【図１９】本開示が適用される携帯電話機を示す外観図であり、（Ａ）は開いた状態での正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態での正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、発明を実施するための形態（以下、「実施形態」と記述する）について図面を用いて詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．本開示が適用される有機ＥＬ表示装置
１−１．システム構成
１−２．基本的な回路動作
１−３．白色有機ＥＬ素子とカラーフィルタとの組み合わせ方式
１−４．共通層の存在によるリーク電流の問題
２．実施形態の説明
２−１．リーク電流を低減するための画素構造
２−２．実施形態の作用、効果
３．変形例
４．適用例（電子機器）
【００１４】
＜１．本開示が適用される有機ＥＬ表示装置＞
［１−１．システム構成］
図１は、本開示が適用されるアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の構成の概略を示すシステム構成図である。
【００１５】
アクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置は、電流駆動型の電気光学素子である有機ＥＬ素子に流れる電流を、当該有機ＥＬ素子と同じ画素内に設けた能動素子、例えば絶縁ゲート型電界効果トランジスタにより制御する表示装置である。絶縁ゲート型電界効果トランジスタとしては、典型的には、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）が用いられる。
【００１６】
図１に示すように、本適用例に係る有機ＥＬ表示装置１０は、有機ＥＬ素子を含む複数の画素２０と、当該画素２０が行列状に２次元配置されてなる画素アレイ部３０と、当該画素アレイ部３０の周辺に配置される駆動回路部とを有する構成となっている。駆動回路部は、書込み走査回路４０、電源供給走査回路５０及び信号出力回路６０等からなり、画素アレイ部３０の各画素２０を駆動する。
【００１７】
ここで、有機ＥＬ表示装置１０がカラー表示対応の場合は、カラー画像を形成する単位となる１つの画素（単位画素）は複数の副画素（サブピクセル）から構成され、この副画素の各々が図１の画素２０に相当することになる。より具体的には、カラー表示対応の表示装置では、１つの画素は、例えば、赤色（Ｒｅｄ；Ｒ）光を発光する副画素、緑色（Ｇｒｅｅｎ；Ｇ）光を発光する副画素、青色（Ｂｌｕｅ；Ｂ）光を発光する副画素の３つの副画素から構成される。
【００１８】
但し、１つの画素としては、ＲＧＢの３原色の副画素の組み合わせに限られるものではなく、３原色の副画素に更に１色あるいは複数色の副画素を加えて１つの画素を構成することも可能である。より具体的には、例えば、輝度向上のために白色（Ｗｈｉｔｅ；Ｗ）光を発光する副画素を加えて１つの画素を構成したり、色再現範囲を拡大するために補色光を発光する少なくとも１つの副画素を加えて１つの画素を構成したりすることも可能である。
【００１９】
画素アレイ部３０には、ｍ行ｎ列の画素２０の配列に対して、行方向（画素行の画素の配列方向）に沿って走査線３１1〜３１mと電源供給線３２1〜３２mとが画素行毎に配線されている。更に、ｍ行ｎ列の画素２０の配列に対して、列方向（画素列の画素の配列方向）に沿って信号線３３1〜３３nが画素列毎に配線されている。
【００２０】
走査線３１1〜３１mは、書込み走査回路４０の対応する行の出力端にそれぞれ接続されている。電源供給線３２1〜３２mは、電源供給走査回路５０の対応する行の出力端にそれぞれ接続されている。信号線３３1〜３３nは、信号出力回路６０の対応する列の出力端にそれぞれ接続されている。
【００２１】
画素アレイ部３０は、通常、ガラス基板などの透明絶縁基板上に形成されている。これにより、有機ＥＬ表示装置１０は、平面型（フラット型）のパネル構造となっている。画素アレイ部３０の各画素２０の駆動回路は、アモルファスシリコンＴＦＴまたは低温ポリシリコンＴＦＴを用いて形成することができる。低温ポリシリコンＴＦＴを用いる場合には、図１に示すように、書込み走査回路４０、電源供給走査回路５０、及び、信号出力回路６０についても、画素アレイ部３０を形成する表示パネル（基板）７０上に実装することができる。
【００２２】
書込み走査回路４０は、クロックパルスｃｋに同期してスタートパルスｓｐを順にシフト（転送）するシフトレジスタ回路等によって構成されている。この書込み走査回路４０は、画素アレイ部３０の各画素２０への映像信号の信号電圧書込みに際して、走査線３１（３１1〜３１m）に対して書込み走査信号ＷＳ（ＷＳ1〜ＷＳ m）を順次供給することによって画素アレイ部３０の各画素２０を行単位で順番に走査（線順次走査）する。
【００２３】
電源供給走査回路５０は、クロックパルスｃｋに同期してスタートパルスｓｐを順にシフトするシフトレジスタ回路等によって構成されている。この電源供給走査回路５０は、書込み走査回路４０による線順次走査に同期して、第１電源電位Ｖccpと当該第１電源電位Ｖccpよりも低い第２電源電位Ｖiniとで切り替わることが可能な電源電位ＤＳ（ＤＳ1〜ＤＳm）を電源供給線３２（３２1〜３２m）に供給する。後述するように、電源電位ＤＳのＶccp／Ｖiniの切替えにより、画素２０の発光／非発光の制御が行なわれる。
【００２４】
信号出力回路６０は、信号供給源（図示せず）から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧（以下、単に「信号電圧」と記述する場合もある）Ｖsigと基準電圧Ｖofsとを選択的に出力する。ここで、基準電圧Ｖofsは、映像信号の信号電圧Ｖsigの基準となる電位（例えば、映像信号の黒レベルに相当する電位）であり、後述する閾値補正処理の際に用いられる。
【００２５】
信号出力回路６０から出力される信号電圧Ｖsig／基準電圧Ｖofsは、信号線３３（３３1〜３３n）を介して画素アレイ部３０の各画素２０に対して、書込み走査回路４０による走査によって選択された画素行の単位で書き込まれる。すなわち、信号出力回路６０は、信号電圧Ｖsigを行（ライン）単位で書き込む線順次書込みの駆動形態を採っている。
【００２６】
（画素回路）
図２は、画素（画素回路）２０の具体的な回路構成の一例を示す回路図である。画素２０の発光部は、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子である有機ＥＬ素子２１から成る。
【００２７】
図２に示すように、画素２０は、有機ＥＬ素子２１と、有機ＥＬ素子２１に電流を流すことによって当該有機ＥＬ素子２１を駆動する駆動回路とによって構成されている。有機ＥＬ素子２１は、全ての画素２０に対して共通に配線（所謂、ベタ配線）された共通電源供給線３４にカソード電極が接続されている。
【００２８】
有機ＥＬ素子２１を駆動する駆動回路は、駆動トランジスタ２２、書込みトランジスタ２３、保持容量２４、及び、補助容量２５を有する構成となっている。駆動トランジスタ２２及び書込みトランジスタ２３としてＮチャネル型のＴＦＴを用いることができる。但し、ここで示した、駆動トランジスタ２２及び書込みトランジスタ２３の導電型の組み合わせは一例に過ぎず、これらの組み合わせに限られるものではない。
【００２９】
駆動トランジスタ２２は、一方の電極（ソース／ドレイン電極）が有機ＥＬ素子２１のアノード電極に接続され、他方の電極（ドレイン／ソース電極）が電源供給線３２（３２1〜３２m）に接続されている。
【００３０】
書込みトランジスタ２３は、一方の電極（ソース／ドレイン電極）が信号線３３（３３1〜３３n）に接続され、他方の電極（ドレイン／ソース電極）が駆動トランジスタ２２のゲート電極に接続されている。また、書込みトランジスタ２３のゲート電極は、走査線３１（３１1〜３１m）に接続されている。
【００３１】
駆動トランジスタ２２及び書込みトランジスタ２３において、一方の電極とは、ソース／ドレイン領域に電気的に接続された金属配線を言い、他方の電極とは、ドレイン／ソース領域に電気的に接続された金属配線を言う。また、一方の電極と他方の電極との電位関係によって一方の電極がソース電極ともなればドレイン電極ともなり、他方の電極がドレイン電極ともなればソース電極ともなる。
【００３２】
保持容量２４は、一方の電極が駆動トランジスタ２２のゲート電極に接続され、他方の電極が駆動トランジスタ２２の他方の電極、及び、有機ＥＬ素子２１のアノード電極に接続されている。
【００３３】
補助容量２５は、一方の電極が有機ＥＬ素子２１のアノード電極に、他方の電極が共通電源供給線３４にそれぞれ接続されている。この補助容量２５は、有機ＥＬ素子２１の容量不足分を補い、保持容量２４に対する映像信号の書込みゲインを高めるために、必要に応じて設けられるものである。すなわち、補助容量２５は必須の構成要素ではなく、有機ＥＬ素子２１の等価容量が十分に大きい場合は省略可能である。
【００３４】
ここでは、補助容量２５の他方の電極を共通電源供給線３４に接続するとしているが、他方の電極の接続先としては、共通電源供給線３４に限られるものではなく、固定電位のノードであればよい。補助容量２５の他方の電極を固定電位のノードに接続することで、有機ＥＬ素子２１の容量不足分を補い、保持容量２４に対する映像信号の書込みゲインを高めるという所期の目的を達成することができる。
【００３５】
上記構成の画素２０において、書込みトランジスタ２３は、書込み走査回路４０から走査線３１を通してゲート電極に印加されるＨｉｇｈアクティブの書込み走査信号ＷＳに応答して導通状態となる。これにより、書込みトランジスタ２３は、信号線３３を通して信号出力回路６０から供給される、輝度情報に応じた映像信号の信号電圧Ｖsigまたは基準電圧Ｖofsをサンプリングして画素２０内に書き込む。この書き込まれた信号電圧Ｖsigまたは基準電圧Ｖofsは、駆動トランジスタ２２のゲート電極に印加されるとともに保持容量２４に保持される。
【００３６】
駆動トランジスタ２２は、電源供給線３２（３２1〜３２m）の電源電位ＤＳが第１電源電位Ｖccpにあるときには、一方の電極がドレイン電極、他方の電極がソース電極となって飽和領域で動作する。これにより、駆動トランジスタ２２は、電源供給線３２から電流の供給を受けて有機ＥＬ素子２１を電流駆動にて発光駆動する。より具体的には、駆動トランジスタ２２は、飽和領域で動作することにより、保持容量２４に保持された信号電圧Ｖsigの電圧値に応じた電流値の駆動電流を有機ＥＬ素子２１に供給し、当該有機ＥＬ素子２１を電流駆動することによって発光させる。
【００３７】
駆動トランジスタ２２は更に、電源電位ＤＳが第１電源電位Ｖccpから第２電源電位Ｖiniに切り替わったときには、一方の電極がソース電極、他方の電極がドレイン電極となってスイッチングトランジスタとして動作する。これにより、駆動トランジスタ２２は、有機ＥＬ素子２１への駆動電流の供給を停止し、有機ＥＬ素子２１を非発光状態にする。すなわち、駆動トランジスタ２２は、有機ＥＬ素子２１の発光／非発光を制御するトランジスタとしての機能をも併せ持っている。
【００３８】
この駆動トランジスタ２２のスイッチング動作により、有機ＥＬ素子２１が非発光状態となる期間（非発光期間）を設け、有機ＥＬ素子２１の発光期間と非発光期間の割合（デューティ）を制御することができる。このデューティ制御により、１表示フレーム期間に亘って画素が発光することに伴う残像ボケを低減できるために、特に動画の画品位をより優れたものとすることができる。
【００３９】
電源供給走査回路５０から電源供給線３２を通して選択的に供給される第１，第２電源電位Ｖccp，Ｖiniのうち、第１電源電位Ｖccpは有機ＥＬ素子２１を発光駆動する駆動電流を駆動トランジスタ２２に供給するための電源電位である。また、第２電源電位Ｖiniは、有機ＥＬ素子２１に対して逆バイアスを掛けるための電源電位である。この第２電源電位Ｖiniは、基準電圧Ｖofsよりも低い電位、例えば、駆動トランジスタ２２の閾値電圧をＶthとするときＶofs−Ｖthよりも低い電位、好ましくは、Ｖofs−Ｖthよりも十分に低い電位に設定される。
【００４０】
［１−２．基本的な回路動作］
続いて、上記構成の有機ＥＬ表示装置１０の基本的な回路動作について、図３のタイミング波形図を基に図４及び図５の動作説明図を用いて説明する。尚、図４及び図５の動作説明図では、図面の簡略化のために、書込みトランジスタ２３をスイッチのシンボルで図示している。また、有機ＥＬ素子２１の等価容量２５についても図示している。
【００４１】
図３のタイミング波形図には、走査線３１の電位（書込み走査信号）ＷＳ、電源供給線３２の電位（電源電位）ＤＳ、信号線３３の電位（Ｖsig／Ｖofs）、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖg及びソース電位Ｖsのそれぞれの変化を示している。
【００４２】
（前表示フレームの発光期間）
図３のタイミング波形図において、時刻ｔ11以前は、前の表示フレームにおける有機ＥＬ素子２１の発光期間となる。この前表示フレームの発光期間では、電源供給線３２の電位ＤＳが第１電源電位（以下、「高電位」と記述する）Ｖccpにあり、また、書込みトランジスタ２３が非導通状態にある。
【００４３】
このとき、駆動トランジスタ２２は飽和領域で動作するように設計されている。これにより、図４（Ａ）に示すように、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖgsに応じた駆動電流（ドレイン−ソース間電流）Ｉdsが、電源供給線３２から駆動トランジスタ２２を通して有機ＥＬ素子２１に供給される。従って、有機ＥＬ素子２１が駆動電流Ｉdsの電流値に応じた輝度で発光する。
【００４４】
（閾値補正準備期間）
時刻ｔ11になると、線順次走査の新しい表示フレーム（現表示フレーム）に入る。そして、図４（Ｂ）に示すように、電源供給線３２の電位ＤＳが高電位Ｖccpから、信号線３３の基準電圧Ｖofsに対してＶofs−Ｖthよりも十分に低い第２電源電位（以下、「低電位」と記述する）Ｖiniに切り替わる。
【００４５】
ここで、有機ＥＬ素子２１の閾値電圧をＶthel、共通電源供給線３４の電位（カソード電位）をＶcathとする。このとき、低電位ＶiniをＶini＜Ｖthel＋Ｖcathとすると、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖsが低電位Ｖiniにほぼ等しくなるために、有機ＥＬ素子２１は逆バイアス状態となって消光する。
【００４６】
次に、時刻ｔ12で走査線３１の電位ＷＳが低電位側から高電位側に遷移することで、、図４（Ｃ）に示すように、書込みトランジスタ２３が導通状態となる。このとき信号出力回路６０から信号線３３に対して基準電圧Ｖofsが供給された状態にあるために、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖgが基準電圧Ｖofsになる。また、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖsは、基準電圧Ｖofsよりも十分に低い電位、即ち、低電位Ｖiniにある。
【００４７】
このとき、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧ＶgsはＶofs−Ｖiniとなる。ここで、Ｖofs−Ｖiniが駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖthよりも大きくないと、後述する閾値補正処理を行うことができないために、Ｖofs−Ｖini＞Ｖthなる電位関係に設定する必要がある。
【００４８】
このように、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖgを基準電圧Ｖofsに固定し、かつ、ソース電位Ｖsを低電位Ｖiniに固定して（確定させて）初期化する処理が、後述する閾値補正処理（閾値補正動作）を行う前の準備（閾値補正準備）の処理である。従って、基準電圧Ｖofs及び低電位Ｖiniが、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖg及びソース電位Ｖsの各初期化電位となる。
【００４９】
（閾値補正期間）
次に、時刻ｔ13で、図４（Ｄ）に示すように、電源供給線３２の電位ＤＳが低電位Ｖiniから高電位Ｖccpに切り替わると、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖgが基準電圧Ｖofsに保たれた状態で閾値補正処理が開始される。すなわち、ゲート電位Ｖgから駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖthを減じた電位に向けて駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖsが上昇を開始する。
【００５０】
ここでは、便宜上、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖgの初期化電位Ｖofsを基準とし、当該初期化電位Ｖofsから駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖthを減じた電位に向けてソース電位Ｖsを変化させる処理を閾値補正処理と呼んでいる。この閾値補正処理が進むと、やがて、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖgsが駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖthに収束する。この閾値電圧Ｖthに相当する電圧は保持容量２４に保持される。
【００５１】
尚、閾値補正処理を行う期間（閾値補正期間）において、電流が専ら保持容量２４側に流れ、有機ＥＬ素子２１側には流れないようにするために、有機ＥＬ素子２１がカットオフ状態となるように共通電源供給線３４の電位Ｖcathを設定しておくこととする。
【００５２】
次に、時刻ｔ14で、走査線３１の電位ＷＳが低電位側に遷移することで、図５（Ａ）に示すように、書込みトランジスタ２３が非導通状態となる。このとき、駆動トランジスタ２２のゲート電極が信号線３３から電気的に切り離されることによってフローティング状態になる。しかし、ゲート−ソース間電圧Ｖgsが駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖthに等しいために、当該駆動トランジスタ２２はカットオフ状態にある。従って、駆動トランジスタ２２にドレイン−ソース間電流Ｉdsは流れない。
【００５３】
（信号書込み＆移動度補正期間）
次に、時刻ｔ15で、図５（Ｂ）に示すように、信号線３３の電位が基準電圧Ｖofsから映像信号の信号電圧Ｖsigに切り替わる。続いて、時刻ｔ16で、走査線３１の電位ＷＳが高電位側に遷移することで、図５（Ｃ）に示すように、書込みトランジスタ２３が導通状態になって映像信号の信号電圧Ｖsigをサンプリングして画素２０内に書き込む。
【００５４】
この書込みトランジスタ２３による信号電圧Ｖsigの書込みにより、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖgが信号電圧Ｖsigになる。そして、映像信号の信号電圧Ｖsigによる駆動トランジスタ２２の駆動の際に、当該駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖthが保持容量２４に保持された閾値電圧Ｖthに相当する電圧と相殺される。この閾値キャンセルの原理の詳細については後述する。
【００５５】
このとき、有機ＥＬ素子２１は、カットオフ状態（ハイインピーダンス状態）にある。従って、映像信号の信号電圧Ｖsigに応じて電源供給線３２から駆動トランジスタ２２に流れる電流（ドレイン−ソース間電流Ｉds）は、有機ＥＬ素子２１の等価容量及び補助容量２５に流れ込む。これにより、有機ＥＬ素子２１の等価容量及び補助容量２５の充電が開始される。
【００５６】
有機ＥＬ素子２１の等価容量及び補助容量２５が充電されることにより、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖsが時間の経過と共に上昇していく。このとき既に、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖthの画素毎のばらつきがキャンセルされており、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉdsは当該駆動トランジスタ２２の移動度μに依存したものとなる。尚、駆動トランジスタ２２の移動度μは、当該駆動トランジスタ２２のチャネルを構成する半導体薄膜の移動度である。
【００５７】
ここで、映像信号の信号電圧Ｖsigに対する保持容量２４の保持電圧Ｖgsの比率、即ち、書込みゲインＧが１（理想値）であると仮定する。すると、駆動トランジスタ２２のソース電位ＶsがＶofs−Ｖth＋ΔＶの電位まで上昇することで、駆動トランジスタ２２のゲート‐ソース間電圧ＶgsはＶsig−Ｖofs＋Ｖth−ΔＶとなる。
【００５８】
すなわち、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓの上昇分ΔＶは、保持容量２４に保持された電圧（Ｖsig−Ｖofs＋Ｖth）から差し引かれるように、換言すれば、保持容量２４の充電電荷を放電するように作用する。換言すれば、ソース電位Ｖｓの上昇分ΔＶは、保持容量２４に対して負帰還がかけられたことになる。従って、ソース電位Ｖsの上昇分ΔＶは負帰還の帰還量となる。
【００５９】
このように、駆動トランジスタ２２に流れるドレイン−ソース間電流Ｉdsに応じた帰還量ΔＶでゲート‐ソース間電圧Ｖgsに負帰還をかけることで、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉdsの移動度μに対する依存性を打ち消すことができる。この打ち消す処理が、駆動トランジスタ２２の移動度μの画素毎のばらつきを補正する移動度補正処理である。
【００６０】
より具体的には、駆動トランジスタ２２のゲート電極に書き込まれる映像信号の信号振幅Ｖin（＝Ｖsig−Ｖofs）が高い程ドレイン−ソース間電流Ｉdsが大きくなるため、負帰還の帰還量ΔＶの絶対値も大きくなる。従って、発光輝度レベルに応じた移動度補正処理が行われる。
【００６１】
また、映像信号の信号振幅Ｖinを一定とした場合、駆動トランジスタ２２の移動度μが大きいほど負帰還の帰還量ΔＶの絶対値も大きくなるため、画素毎の移動度μのばらつきを取り除くことができる。従って、負帰還の帰還量ΔＶは、移動度補正処理の補正量とも言える。移動度補正の原理の詳細については後述する。
【００６２】
（発光期間）
次に、時刻ｔ17で、走査線３１の電位ＷＳが低電位側に遷移することで、図５（Ｄ）に示すように、書込みトランジスタ２３が非導通状態となる。これにより、駆動トランジスタ２２のゲート電極は、信号線３３から電気的に切り離されるためにフローティング状態になる。
【００６３】
ここで、駆動トランジスタ２２のゲート電極がフローティング状態にあるときは、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間に保持容量２４が接続されていることにより、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖsの変動に連動してゲート電位Ｖgも変動する。このように、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖgがソース電位Ｖsの変動に連動して変動する動作が、保持容量２４によるブートストラップ動作である。
【００６４】
駆動トランジスタ２２のゲート電極がフローティング状態になり、それと同時に、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉdsが有機ＥＬ素子２１に流れ始めることにより、当該電流Ｉdsに応じて有機ＥＬ素子２１のアノード電位が上昇する。
【００６５】
そして、有機ＥＬ素子２１のアノード電位がＶthel＋Ｖcathを越えると、有機ＥＬ素子２１に駆動電流が流れ始めるため有機ＥＬ素子２１が発光を開始する。また、有機ＥＬ素子２１のアノード電位の上昇は、即ち、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖsの上昇に他ならない。そして、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖsが上昇すると、保持容量２４のブートストラップ動作により、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖgも連動して上昇する。
【００６６】
このとき、ブートストラップゲインが１（理想値）であると仮定した場合、ゲート電位Ｖgの上昇量はソース電位Ｖsの上昇量に等しくなる。故に、発光期間中、駆動トランジスタ２２のゲート‐ソース間電圧Ｖgsは、Ｖsig−Ｖofs＋Ｖth−ΔＶで一定に保持される。そして、時刻ｔ18で信号線３３の電位が映像信号の信号電圧Ｖsigから基準電圧Ｖofsに切り替わる。
【００６７】
以上説明した一連の回路動作において、閾値補正準備、閾値補正、信号電圧Ｖsigの書込み（信号書込み）、及び、移動度補正の各処理動作は、１水平走査期間（１Ｈ）において実行される。また、信号書込み及び移動度補正の各処理動作は、時刻ｔ16−ｔ17の期間において並行して実行される。
【００６８】
〔分割閾値補正〕
尚、ここでは、閾値補正処理を１回だけ実行する駆動法を採る場合を例に挙げて説明したが、この駆動法は一例に過ぎず、この駆動法に限られるものではない。例えば、閾値補正処理を移動度補正及び信号書込み処理と共に行う１Ｈ期間に加えて、当該１Ｈ期間に先行する複数の水平走査期間に亘って分割して閾値補正処理を複数回実行する、所謂、分割閾値補正を行う駆動法を採ることも可能である。
【００６９】
この分割閾値補正の駆動法によれば、高精細化に伴う多画素化によって１水平走査期間として割り当てられる時間が短くなったとしても、閾値補正期間として複数の水平走査期間に亘って十分な時間を確保することができる。従って、１水平走査期間として割り当てられる時間が短くなっても、閾値補正期間として十分な時間を確保できるため、閾値補正処理を確実に実行できることになる。
【００７０】
〔閾値キャンセルの原理〕
ここで、駆動トランジスタ２２の閾値キャンセル（即ち、閾値補正）の原理について説明する。駆動トランジスタ２２は、飽和領域で動作するように設計されているために定電流源として動作する。これにより、有機ＥＬ素子２１には駆動トランジスタ２２から、次式（１）で与えられる一定のドレイン−ソース間電流（駆動電流）Ｉdsが供給される。
Ｉds＝（１／２）・μ（Ｗ／Ｌ）Ｃox（Ｖgs−Ｖth）2 ……（１）
ここで、Ｗは駆動トランジスタ２２のチャネル幅、Ｌはチャネル長、Ｃoxは単位面積当たりのゲート容量である。
【００７１】
図６（Ａ）に、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉds対ゲート−ソース間電圧Ｖgsの特性を示す。図６（Ａ）の特性図に示すように、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖthの画素毎のばらつきに対するキャンセル処理（補正処理）を行わないと、閾値電圧ＶthがＶth1のときに、ゲート−ソース間電圧Ｖgsに対応するドレイン−ソース間電流ＩdsがＩds1になる。
【００７２】
これに対して、閾値電圧ＶthがＶth2（Ｖth2＞Ｖth1）のとき、同じゲート−ソース間電圧Ｖgsに対応するドレイン−ソース間電流ＩdsがＩds2（Ｉds2＜Ｉds1）になる。すなわち、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖthが変動すると、ゲート−ソース間電圧Ｖgsが一定であってもドレイン−ソース間電流Ｉdsが変動する。
【００７３】
一方、上記構成の画素（画素回路）２０では、先述したように、発光時の駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧ＶgsはＶsig−Ｖofs＋Ｖth−ΔＶである。従って、これを式（１）に代入すると、ドレイン−ソース間電流Ｉdsは、次式（２）で表される。
Ｉds＝（１／２）・μ（Ｗ／Ｌ）Ｃox（Ｖsig−Ｖofs−ΔＶ）2 ……（２）
【００７４】
すなわち、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖthの項がキャンセルされており、駆動トランジスタ２２から有機ＥＬ素子２１に供給されるドレイン−ソース間電流Ｉdsは、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖthに依存しない。その結果、駆動トランジスタ２２の製造プロセスのばらつきや経時変化等により、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖthが画素毎に変動したとしても、ドレイン−ソース間電流Ｉdsが変動しないために、有機ＥＬ素子２１の発光輝度を一定に保つことができる。
【００７５】
〔移動度補正の原理〕
次に、駆動トランジスタ２２の移動度補正の原理について説明する。図６（Ｂ）に、駆動トランジスタ２２の移動度μが相対的に大きい画素Ａと、駆動トランジスタ２２の移動度μが相対的に小さい画素Ｂとを比較した状態で特性カーブを示す。駆動トランジスタ２２をポリシリコン薄膜トランジスタなどで構成した場合、画素Ａや画素Ｂのように、画素間で移動度μがばらつくことは避けられない。
【００７６】
画素Ａと画素Ｂで移動度μにばらつきがある状態で、駆動トランジスタ２２のゲート電極に対して、例えば両画素Ａ，Ｂに同レベルの信号振幅Ｖin（＝Ｖsig−Ｖofs）を書き込んだ場合を考える。この場合、何ら移動度μの補正を行わないと、移動度μの大きい画素Ａに流れるドレイン−ソース間電流Ｉds1′と移動度μの小さい画素Ｂに流れるドレイン−ソース間電流Ｉds2′との間には大きな差が生じてしまう。このように、移動度μの画素毎のばらつきに起因してドレイン−ソース間電流Ｉdsに画素間で大きな差が生じると、画面のユニフォーミティ（一様性）が損なわれる。
【００７７】
ここで、先述した式（１）のトランジスタ特性式から明らかなように、移動度μが大きいとドレイン−ソース間電流Ｉdsが大きくなる。従って、負帰還における帰還量ΔＶは移動度μが大きくなるほど大きくなる。図６（Ｂ）に示すように、移動度μの大きな画素Ａの帰還量ΔＶ1は、移動度の小さな画素Ｂの帰還量ΔＶ2に比べて大きい。
【００７８】
そこで、移動度補正処理によって駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉdsに応じた帰還量ΔＶでゲート−ソース間電圧Ｖgsに負帰還をかけることにより、移動度μが大きいほど負帰還が大きくかかることになる。その結果、移動度μの画素毎のばらつきを抑制することができる。
【００７９】
具体的には、移動度μの大きな画素Ａで帰還量ΔＶ1の補正をかけると、ドレイン−ソース間電流ＩdsはＩds1′からＩds1まで大きく下降する。一方、移動度μの小さな画素Ｂの帰還量ΔＶ2は小さいために、ドレイン−ソース間電流ＩdsはＩds2′からＩds2までの下降となり、それ程大きく下降しない。結果的に、画素Ａのドレイン−ソース間電流Ｉds1と画素Ｂのドレイン−ソース間電流Ｉds2とはほぼ等しくなるために、移動度μの画素毎のばらつきが補正される。
【００８０】
以上をまとめると、移動度μの異なる画素Ａと画素Ｂがあった場合、移動度μの大きい画素Ａの帰還量ΔＶ１は移動度μの小さい画素Ｂの帰還量ΔＶ２に比べて大きくなる。つまり、移動度μが大きい画素ほど帰還量ΔＶが大きく、ドレイン−ソース間電流Ｉdsの減少量が大きくなる。
【００８１】
従って、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉdsに応じた帰還量ΔＶで、ゲート−ソース間電圧Ｖgsに負帰還をかけることで、移動度μの異なる画素のドレイン−ソース間電流Ｉdsの電流値が均一化される。その結果、移動度μの画素毎のばらつきを補正することができる。すなわち、駆動トランジスタ２２に流れる電流（ドレイン−ソース間電流Ｉds）に応じた帰還量（補正量）ΔＶで、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖgsに対して、即ち、保持容量２４に対して負帰還をかける処理が移動度補正処理となる。
【００８２】
［１−３．白色有機ＥＬ素子とカラーフィルタとの組み合わせ方式］
ところで、以上説明した本適用例に係る有機ＥＬ表示装置１０にあっては、ＲＧＢマスク塗り分け方式を採らず、図７に示すように、白色有機ＥＬ素子２１Wとカラーフィルタ８０との組み合わせにより、ＲＧＢの各色光を取り出す方式を採っている。ここで、ＲＧＢマスク塗り分け方式とは、ＲＧＢの有機ＥＬ材料を、マスクを利用して蒸着で塗り分ける方式である。白色有機ＥＬ素子２１Wとカラーフィルタ８０との組み合わせ方式は、表示パネル７０の大型化、高精細化に適している。
【００８３】
（タンデム構造の白色有機ＥＬ素子）
白色有機ＥＬ素子２１Wとしては、例えば、ＲＧＢの各発光層を含む有機層のユニット（発光ユニット）を複数、接続層を介して直列的に（タンデムに）連結（積層）して成るタンデム構造の有機ＥＬ素子が広く知られている。このタンデム構造の白色有機ＥＬ素子は、ＲＧＢの各発光ユニットの発光が重ね合わされることによって白色光が得られるようになっている。
【００８４】
図８は、典型的なタンデム構造の白色有機ＥＬ素子の構造の一例を示す要部の断面図である。ここでは、一例として、３段タンデム構造の場合を例に挙げ、図面の簡略化のために、基本的な構造について簡素化して示している。また、ＲＧＢの３つの副画素のうち、ＲＧの２つの副画素の画素構造について図示している。
【００８５】
図８において、ウインド絶縁膜７１の凹部７１Aの底部には、アノード電極２１１（２１１R，２１１G，２１１B）が画素単位で設けられている。このアノード電極２１１と全画素共通に設けられたカソード電極２１２との間には、有機層２１３が全画素共通に設けられて白色有機ＥＬ素子２１Wを構成している。そして、カソード電極２１２の上には層間絶縁膜７２が積層され、当該層間絶縁膜７２の上にはカラーフィルタ８０がオンチップにて形成されている（オンチップカラーフィルタ）。
【００８６】
白色有機ＥＬ素子２１Wにおいて、有機層２１３は、アノード電極２１１の上に、一例として、電荷注入層２１４、Ｒの発光層２１５R、接続層２１６、Ｇの発光層２１５G、接続層２１７、及び、Ｂの発光層２１５Bが順に全画素共通に堆積されることによって形成されている。そして、図２の駆動トランジスタ２２による電流駆動の下に、駆動トランジスタ２２からアノード電極２１１を通して有機層２１３に電流が流れることで、当該有機層２１３内の各発光層２１５R，２１５G，２１５Bにおいて電子と正孔が再結合する際に発光するようになっている。
【００８７】
このとき、Ｒ，Ｇ，Ｂの各発光層２１５R，２１５G，２１５Bの発光色が重ね合わされて（合成されて）白色光となる。そして、画素単位で白色有機ＥＬ素子２１Wから発せられる白色光はカラーフィルタ８０を透過する。このようにして、白色有機ＥＬ素子２１Wをカラーフィルタ８０と組み合わせることにより、白色光からＲ，Ｇ，Ｂの各色光を取り出すことができる。
【００８８】
［１−４．共通層の存在によるリーク電流の問題］
上述したタンデム構造の白色有機ＥＬ素子２１Wを含む画素（副画素）が配置されて成る有機ＥＬ表示装置１０にあっては、各画素に対して共通に形成される共通層が存在することになる。具体的には、特に図８から明らかなように、電荷注入層２１４、接続層２１６、及び、接続層２１７が各画素に共通に形成された共通層となる。
【００８９】
ここで、共通層の存在によるリーク電流（共通層を通して流れるリーク電流）の問題について、図８においてＲの画素（副画素）のみが発光している場合を例に挙げて考える。図９に、白色有機ＥＬ素子２１Wとカラーフィルタ８０との組み合わせ方式を採る場合の表示パネル７０の等価回路を示す。
【００９０】
白色有機ＥＬ素子２１Wとカラーフィルタ８０との組み合わせ方式を採る表示パネル７０では、電荷注入層２１４や接続層２１６，２１７などの比較的インピーダンスが小さいレイヤー（共通層）において横方向のリークが発生する。ここで、横方向とは、白色有機ＥＬ素子２１W内で流れる電流の流れる方向を縦方向としたときのリーク電流の流れる方向である。そして、このリーク電流によってアノード電極２１１の外側の領域も発光することになる。
【００９１】
このとき、隣接画素間の距離が十分に遠い（離れている）場合は問題ないが、隣接画素間の距離が近く、リーク電流が隣接画素まで流れ込む場合は、リーク電流に伴う発光領域が隣接画素まで及ぶことになる。その結果、隣接画素も発光してしまう。図８において、発光色を表わす矢印の大きさは、当該光の強度を概念的に表わしている。本例の場合は、本来発光すべきＲの画素の隣のＧの画素も発光してしまう。これにより、色再現性（色純度）が悪化してしまう。因みに、発光層２１５R，２１５G，２１５Bも共通層ではあるが、電荷注入層２１４や接続層２１６，２１７などに比べてインピーダンスが大きいために、一般的には、リークの問題は生じない。
【００９２】
＜２．実施形態の説明＞
本実施形態では、有機層内に画素間で共通に形成された共通層を少なくとも１層含む有機ＥＬ表示装置において、共通層の存在によるリーク電流の問題を解決するために、有機層に対して電気的に接続された金属配線をアノード電極の周囲を囲むように形成する。そして、当該金属配線の電位を有機ＥＬ素子が非発光時のアノード電極の電位よりも低い電位に設定する構成を採るようにする。
【００９３】
アノード電極の周囲に、有機層に対して電気的に接続された金属配線が形成されていることで、有機層内の共通層を通して横方向にリーク電流が流れたとしても、当該リーク電流は金属配線側に流れる。これにより、隣接画素へ流れ込むリーク電流を低減できるために、隣接画素での発光を抑えることができる。結果として、良好な色再現性（色純度）を得ることができる。
【００９４】
［２−１．リーク電流を低減するための画素構造］
以下に、有機層内の共通層を通して流れるリーク電流を低減するための画素構造について具体的に説明する。
【００９５】
図１０は、実施形態に係るタンデム構造の白色有機ＥＬ素子を含む画素構造の一例を示す要部の断面図であり、図中、図８と同等部位には同一符号を付して示している。また、図１１に、アノード電極及びその周囲の平面パターン図を示す。ここでは、一例として、３段タンデム構造の場合を例に挙げ、図面の簡略化のために、基本的な構造について簡素化して示している。また、ＲＧＢの３つの副画素のうち、ＲＧの２つの副画素の画素構造について図示している。
【００９６】
本実施形態に係るタンデム構造の白色有機ＥＬ素子は、基本的な構造については、先述した典型的なタンデム構造の白色有機ＥＬ素子と同じである。すなわち、図１０に示すように、ウインド絶縁膜７１の凹部７１Aの底部には、アノード電極２１１（２１１R，２１１G，２１１B）が画素単位で設けられている。このアノード電極２１１と、全画素共通に設けられたカソード電極２１２との間には、有機層２１３が全画素共通に設けられて白色有機ＥＬ素子２１Wを構成している。
【００９７】
白色有機ＥＬ素子２１Wにおいて、有機層２１３は、アノード電極２１１の上に、一例として、電荷注入層２１４、Ｒの発光層２１５R、接続層２１６、Ｇの発光層２１５G、接続層２１７、及び、Ｂの発光層２１５Bが順に全画素共通に堆積されることによって形成されている。そして、カソード電極２１２の上には層間絶縁膜７２が積層され、当該層間絶縁膜７２の上にはカラーフィルタ８０がオンチップにて形成されている。
【００９８】
上記構成のタンデム構造の白色有機ＥＬ素子２１Wを含む画素構造において、本実施形態では、次の点を特徴としている。先ず、画素単位で形成されたアノード電極２１１（２１１R，２１１G，２１１B）の周囲を囲むように、具体的には、当該アノード電極２１１と同じ層に金属配線９０を形成する。
【００９９】
そして、この金属配線９０には、白色有機ＥＬ素子２１Wが非発光時のアノード電極２１１の電位よりも低い電位、例えば、カソード電極２１２の電位（カソード電位Ｖcath）を与えるようにする。金属配線９０の電位としてカソード電位Ｖcathを用いることで、金属配線９０専用の電位を用意しなくて済む利点がある。
【０１００】
ここで、金属配線９０としては、アノード電極２１１と同一の材料、例えば、アルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）等の配線材料を用いるのが好ましい。何故なら、金属配線９０の材料としてアノード電極２１１と同一の材料を用いることで、アノード電極２１１と同じ工程で金属配線９０を形成でき、工程数を増やさなくて済むからである。金属配線９０をアノード電極２１１と同じ層に形成するのも同様の理由による。
【０１０１】
また、ウインド絶縁膜７１における画素間の部位、即ち、金属配線９０が形成されている部位にはコンタクトホール７１Bを形成する。そして、このコンタクトホール７１Bを介して、有機層２１３、本例では、有機層２１３の最下層の電荷注入層２１４と金属配線９０とを電気的に接続する。
【０１０２】
［２−２．実施形態の作用、効果］
上述したように、有機層２１３に対して電気的に接続された金属配線９０をアノード電極２１１の周囲を囲むように形成し、当該金属配線９０の電位をカソード電位Ｖcathに設定することで、次のような作用、効果を得ることができる。すなわち、有機層２１３内の共通層、本例では、電荷注入層２１４や接続層２１６，２１７を通して横方向にリーク電流が流れた場合、図１２に示すように、リーク電流はコンタクトホール７１Bの部位（以下、コンタクト部７１B」と記述する）を通して金属配線９０に流れ込む。
【０１０３】
これにより、電荷注入層２１４を通して流れるリーク電流は、当該電荷注入層２１４が金属配線９０に対して電気的に接続されているため完全に金属配線９０に流れ込む。すなわち、電荷注入層２１４を通して横方向に流れるリーク電流については、隣接画素側に流れ込むのをコンタクト部７１Bで完全に遮断される。
【０１０４】
また、接続層２１６，２１７を通して横方向に流れるリーク電流については、コンタクト部７１Bに流れ込む成分と、隣接画素側に流れる成分と、発光に寄与する成分とに分けられる。従って、接続層２１６，２１７を通して流れるリーク電流についても、金属配線９０を設けない場合に比べて低減することができる。図１２において、発光色を表わす矢印の大きさは、当該光の強度を概念的に表わしている。図１３に、実施形態に係る画素構造の表示パネルの等価回路を示す。
【０１０５】
このように、電荷注入層２１４や接続層２１６，２１７を通して横方向にリーク電流が流れたとしても、隣接画素側へ流れ込むリーク電流を低減できる。これにより、リーク電流に起因する隣接画素での発光を抑えることができるために、良好な色再現性（色純度）を得ることができる。
【０１０６】
尚、本実施形態では、アノード電極２１１の周囲を囲む金属配線９０を、アノード電極２１１と共通のレイヤーに形成するとしたが、これに限られるものではない。すなわち、白色有機ＥＬ素子２１Wの有機層２１３と電気的に接続可能なレイヤーであれば、金属配線９０を形成するレイヤーとしてはどのようなレイヤーでも構わない。
【０１０７】
また、本実施形態では、アノード電極２１１の周囲を囲む金属配線９０の電位をカソード電位Ｖcathに設定するとしたが、カソード電位Ｖcathに限られるものではなく、白色有機ＥＬ素子２１Wが非発光時のアノード電極２１１の電位よりも低い電位であれば、どのような電位でも構わない。
【０１０８】
＜３．適用例＞
上記実施形態では、白色有機ＥＬ素子２１Wとカラーフィルタ８０との組み合わせにより、ＲＧＢの各色光を取り出す方式を採用し、しかも、タンデム構造の画素構造（表示パネル）に適用した場合を例に挙げて説明したが、本開示はこの適用例に限られるものではない。すなわち、本開示は、タンデム構造の構成を採らなくても、有機層内に画素間で共通に形成された共通層を少なくとも１層含む画素構造を持つ有機ＥＬ表示装置全般に対して適用可能である。
【０１０９】
但し、タンデム構造の画素構造の場合には、各色光の発光素子を含む発光ユニットを連結する接続層２１６，２１７が存在し、これら接続層２１６，２１７を通してリーク電流が流れることから、リーク電流に伴う問題は顕著である。従って、特に、タンデム構造の画素構造に本開示を適用すると、その効果は極めて大きいと言うことができる。
【０１１０】
有機層内に共通層を少なくとも１層含む他の画素構造としては、例えば、ＲＧＢの有機ＥＬ材料を、マスクを利用して蒸着で塗り分ける、ＲＧＢマスク塗り分け方式を採用する画素構造が挙げられる。この画素構造について図１４を用いて説明する。
【０１１１】
図１４において、画素毎に形成されたアノード電極２１１R，２１１G，２１１B、及び、ウインド絶縁膜７１の上には、電荷注入層２１４が共通層として形成され、当該電荷注入層２１４の上には、Ｒ，Ｇ，Ｂの有機ＥＬ素子２１R，２１G，２１Bが形成されている。また、有機ＥＬ素子２１R，２１G，２１Bの上にはカソード電極２１２が全画素共通に形成され、その上には層間絶縁膜７２を介してカラーフィルタ８０がオンチップにて形成させている。
【０１１２】
ＲＧＢマスク塗り分け方式を採用する画素構造の場合には、Ｒ，Ｇ，Ｂの有機ＥＬ素子２１R，２１G，２１Bそれ自体が各色光を発光するので、本来、カラーフィルタ８０は不要である。しかし、カラーフィルタ８０を併用することで、色純度を高めることができる利点がある。
【０１１３】
上述したＲＧＢマスク塗り分け方式を採用する画素構造であっても、画素間で共通となる共通層、本例では、電荷注入層２１４が存在することで、当該電荷注入層２１４を通して隣接画素へ流れ込むリーク電流に伴う問題の発生は避けられない。従って、ＲＧＢマスク塗り分け方式を採用し、画素間で共通層を有する画素構造に対しても、先述した実施形態を同様に適用することができる。
【０１１４】
すなわち、図１４に示すＲＧＢマスク塗り分け方式を採用する画素構造において、有機層（電荷注入層２１４）に対して電気的に接続された金属配線をアノード電極２１１R，２１１G，２１１Bの周囲を囲むように形成する。そして、当該金属配線の電位を有機ＥＬ素子２１R，２１G，２１Bが非発光時のアノード電極２１１R，２１１G，２１１Bの電位よりも低い電位に設定することで、先述した実施形態の場合と同様の作用、効果を得ることができる。
【０１１５】
＜４．電子機器＞
以上説明した本開示による有機ＥＬ表示装置は、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示部（表示装置）に適用できる。一例として、図１５〜図１９に示す様々な電子機器、例えば、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置、ビデオカメラなどの表示部に適用することが可能である。
【０１１６】
このように、あらゆる分野の電子機器の表示部として本開示による有機ＥＬ表示装置を用いることにより、各種の電子機器の表示品位を高めることができる。すなわち、先述した実施形態の説明から明らかなように、本開示による有機ＥＬ表示装置は、有機層内の共通層を通して横方向にリーク電流が流れたとしても、隣接画素での発光を抑えることができるために、良好な色再現性（色純度）を得ることができる。その結果、各種の電子機器において、品位の高い、良好な表示画像をことができる。
【０１１７】
本開示による表示装置は、封止された構成のモジュール形状のものをも含む。一例として、画素アレイ部に透明なガラス等の対向部が貼り付けられて形成された表示モジュールが該当する。尚、表示モジュールには、外部から画素アレイ部への信号等を入出力するための回路部やＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）等が設けられていてもよい。
【０１１８】
以下に、本開示が適用される電子機器の具体例について説明する。
【０１１９】
図１５は、本開示が適用されるテレビジョンセットの外観を示す斜視図である。本適用例に係るテレビジョンセットは、フロントパネル１０２やフィルターガラス１０３等から構成される映像表示画面部１０１を含み、その映像表示画面部１０１として本開示による有機ＥＬ表示装置を用いることにより作製される。
【０１２０】
図１６は、本開示が適用されるデジタルカメラの外観を示す斜視図であり、（Ａ）は表側から見た斜視図、（Ｂ）は裏側から見た斜視図である。本適用例に係るデジタルカメラは、フラッシュ用の発光部１１１、表示部１１２、メニュースイッチ１１３、シャッターボタン１１４等を含み、その表示部１１２として本開示による表示装置を用いることにより作製される。
【０１２１】
図１７は、本開示が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を示す斜視図である。本適用例に係るノート型パーソナルコンピュータは、本体１２１に、文字等を入力するとき操作されるキーボード１２２、画像を表示する表示部１２３等を含み、その表示部１２３として本開示による有機ＥＬ表示装置を用いることにより作製される。
【０１２２】
図１８は、本開示が適用されるビデオカメラの外観を示す斜視図である。本適用例に係るビデオカメラは、本体部１３１、前方を向いた側面に被写体撮影用のレンズ１３２、撮影時のスタート／ストップスイッチ１３３、表示部１３４等を含み、その表示部１３４として本開示による有機ＥＬ表示装置を用いることにより作製される。
【０１２３】
図１９は、本開示が適用される携帯端末装置、例えば携帯電話機を示す外観図であり、（Ａ）は開いた状態での正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態での正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。本適用例に係る携帯電話機は、上側筐体１４１、下側筐体１４２、連結部（ここではヒンジ部）１４３、ディスプレイ１４４、サブディスプレイ１４５、ピクチャーライト１４６、カメラ１４７等を含んでいる。そして、ディスプレイ１４４やサブディスプレイ１４５として本開示による有機ＥＬ表示装置を用いることにより、本適用例に係る携帯電話機が作製される。
【符号の説明】
【０１２４】
１０…有機ＥＬ表示装置、２０…画素（画素回路）、２１…有機ＥＬ素子、２１W…白色有機ＥＬ素子、２２…駆動トランジスタ、２３…書込みトランジスタ、２４…保持容量、２５…補助容量、３０…画素アレイ部、３１（３１1〜３１m）…走査線、３２（３２1〜３２m）…電源供給線、３３（３３1〜３３n）…信号線、３４…共通電源供給線、４０…書込み走査回路、５０…電源供給走査回路、６０…信号出力回路、７０…表示パネル、８０…カラーフィルタ、９０…金属配線、２１１（２１１R，２１１G，２１１B）…アノード電極、２１２…カソード電極、２１３…有機層、２１４…電荷注入層（共通層）、２１５R，２１５G，２１５B…発光層、２１６，２１７…接続層（共通層）
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アノード電極とカソード電極との間に有機層を挟んで成る有機ＥＬ素子を含む画素が行列状に配置され、
前記有機ＥＬ素子は、前記有機層内に画素間で共通に形成された共通層を少なくとも１層含んでおり、
前記アノード電極の周囲を囲み、かつ、前記有機層に対して電気的に接続された金属配線を有し、
前記金属配線の電位は、前記有機ＥＬ素子が非発光時の前記アノード電極の電位よりも低い電位に設定されている
有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記有機ＥＬ素子は、白色光を発光する白色有機ＥＬ素子であり、
前記白色有機ＥＬ素子とカラーフィルタとの組み合わせにより、各色光を取り出す
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記白色有機ＥＬ素子は、各色光の発光ユニットを複数、接続層を介して直列的に連結して成るタンデム構造である
請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記共通層は、画素間で共通に形成され、前記有機層に含まれる発光層に電荷を注入する電荷注入層である
請求項３に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記金属配線は、前記有機ＥＬ素子が設けられるウインド絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記電荷注入層と電気的に接続されている
請求項４に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
前記共通層は、前記接続層である
請求項３に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
前記金属配線は、前記アノード電極と同じ層に形成されている
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項８】
前記金属配線は、前記アノード電極と同一の材料で形成されている
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項９】
前記金属配線の電位は、前記カソード電極の電位に設定されている
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１０】
前記有機ＥＬ素子は、各色の有機ＥＬ材料を、マスクを利用して蒸着で塗り分けることによって形成され、
各色光の前記有機ＥＬ素子には、各有機層に含まれる発光層に電荷を注入する電荷注入層が前記共通層として形成されている
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１１】
アノード電極とカソード電極との間に有機層を挟んで成る有機ＥＬ素子を含む画素が行列状に配置され、
前記有機ＥＬ素子は、前記有機層内に画素間で共通に形成された共通層を少なくとも１層含んでおり、
前記アノード電極の周囲を囲み、かつ、前記有機層に対して電気的に接続された金属配線を有し、
前記金属配線の電位は、前記有機ＥＬ素子が非発光時の前記アノード電極の電位よりも低い電位に設定されている
有機ＥＬ表示装置を有する表示装置。
【請求項１】
アノード電極とカソード電極との間に有機層を挟んで成る有機ＥＬ素子を含む画素が行列状に配置され、
前記有機ＥＬ素子は、前記有機層内に画素間で共通に形成された共通層を少なくとも１層含んでおり、
前記アノード電極の周囲を囲み、かつ、前記有機層に対して電気的に接続された金属配線を有し、
前記金属配線の電位は、前記有機ＥＬ素子が非発光時の前記アノード電極の電位よりも低い電位に設定されている
有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記有機ＥＬ素子は、白色光を発光する白色有機ＥＬ素子であり、
前記白色有機ＥＬ素子とカラーフィルタとの組み合わせにより、各色光を取り出す
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記白色有機ＥＬ素子は、各色光の発光ユニットを複数、接続層を介して直列的に連結して成るタンデム構造である
請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記共通層は、画素間で共通に形成され、前記有機層に含まれる発光層に電荷を注入する電荷注入層である
請求項３に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記金属配線は、前記有機ＥＬ素子が設けられるウインド絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記電荷注入層と電気的に接続されている
請求項４に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
前記共通層は、前記接続層である
請求項３に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
前記金属配線は、前記アノード電極と同じ層に形成されている
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項８】
前記金属配線は、前記アノード電極と同一の材料で形成されている
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項９】
前記金属配線の電位は、前記カソード電極の電位に設定されている
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１０】
前記有機ＥＬ素子は、各色の有機ＥＬ材料を、マスクを利用して蒸着で塗り分けることによって形成され、
各色光の前記有機ＥＬ素子には、各有機層に含まれる発光層に電荷を注入する電荷注入層が前記共通層として形成されている
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１１】
アノード電極とカソード電極との間に有機層を挟んで成る有機ＥＬ素子を含む画素が行列状に配置され、
前記有機ＥＬ素子は、前記有機層内に画素間で共通に形成された共通層を少なくとも１層含んでおり、
前記アノード電極の周囲を囲み、かつ、前記有機層に対して電気的に接続された金属配線を有し、
前記金属配線の電位は、前記有機ＥＬ素子が非発光時の前記アノード電極の電位よりも低い電位に設定されている
有機ＥＬ表示装置を有する表示装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【公開番号】特開２０１２−１５５９５３（Ｐ２０１２−１５５９５３Ａ）
【公開日】平成２４年８月１６日（２０１２．８．１６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１３０４９（Ｐ２０１１−１３０４９）
【出願日】平成２３年１月２５日（２０１１．１．２５）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年８月１６日（２０１２．８．１６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１月２５日（２０１１．１．２５）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
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