電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器
【課題】外部からの水分浸入を防ぎ、十分な発光特性や発光寿命が得られる電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置としてのＥＬ表示装置１は、基体上に、第１の配線と、第一電極と、前記第一電極に対応する開口を有する隔壁と、前記第一電極上に設けられた有機機能層と、前記隔壁および前記有機機能層上に設けられた第二電極と、前記第二電極と前記第１の配線とを電気的に接続する接続部と、前記第二電極上に設けられた緩衝層と、前記緩衝層上に設けられたガスバリア層と、を備え、前記第二電極は、前記隔壁を覆う第１の領域と、前記接続部に設けられた第２の領域と、を有し、前記緩衝層は、前記第１の領域を覆う第１の緩衝層と、前記第２の領域を覆う第２の緩衝層と、を有し、前記第１の緩衝層と前記第２の緩衝層とは互いに接触していない。
【解決手段】電気光学装置としてのＥＬ表示装置１は、基体上に、第１の配線と、第一電極と、前記第一電極に対応する開口を有する隔壁と、前記第一電極上に設けられた有機機能層と、前記隔壁および前記有機機能層上に設けられた第二電極と、前記第二電極と前記第１の配線とを電気的に接続する接続部と、前記第二電極上に設けられた緩衝層と、前記緩衝層上に設けられたガスバリア層と、を備え、前記第二電極は、前記隔壁を覆う第１の領域と、前記接続部に設けられた第２の領域と、を有し、前記緩衝層は、前記第１の領域を覆う第１の緩衝層と、前記第２の領域を覆う第２の緩衝層と、を有し、前記第１の緩衝層と前記第２の緩衝層とは互いに接触していない。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び当該発光装置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報機器の多様化に伴い、消費電力が少なく軽量化された平面表示装置のニーズが高まっている。この様な平面表示装置の一つとして、発光層を備えた有機ＥＬ装置が知られている。このような有機ＥＬ装置は、陽極と陰極との間に発光層を備えた構成が一般的である。更に、正孔注入性や電子注入性を向上させるために、陽極と発光層の間に正孔注入層を配置した構成や、発光層と陰極のあいだに電子注入層を配置した構成が提案されている。
【０００３】
有機ＥＬ装置の発光層、正孔注入層、電子注入層、陰極に用いられる材料は、大気中の水分と反応し、劣化し易いものが多い。これらの層が劣化すると、有機ＥＬ装置にダークスポットと呼ばれる非発光領域が形成されてしまい、発光素子としての寿命が短くなってしまう。従って、このような有機ＥＬ装置において、水分や酸素等の影響を抑えることが課題となっている。
このような課題を解決するために、有機ＥＬ装置の基板にガラスや金属からなる封止部材を接着して、水分や酸素の浸入を防止する方法が一般的に採用されてきた。しかし、ディスプレイの大型化及び薄膜化、軽量化に伴い、接着した封止部材のみで水分や酸素の浸入を防ぐことが難しくなってきている。また、大型化に伴って駆動素子や配線を形成する面積を十分に確保するため、封止部材側から光を取り出すトップエミッション構造を用いる必要性も提案されている。このような要求を達成するためには、透明でかつ軽量、耐強度性に優れた薄膜を用いた薄膜を用いた封止構造が求められている。
【０００４】
そこで、近年では、表示装置の大型化及び軽量化に対応するために、発光素子上に透明でガスバリア性に優れた珪素窒化物、珪素酸化物、セラミックス等の薄膜を高密度プラズマ成膜法（例えば、イオンプレーティング、ＥＣＲプラズマスパッタ、ＥＣＲプラズマＣＶＤ、表面プラズマＣＶＤ、ＩＣＰ−ＣＶＤ等）によりガスバリア層として成膜される薄膜封止と呼ばれる技術が用いられている。しかしこれだけでは、発光層が設けられた画素には、画素隔壁があり、この隔壁により発生する凹凸（段差部）においてガスバリア層の剥離やクラックが発生して、そこからの水分の浸入が認められている。そのため、有機ＥＬ素子と隔壁とを覆う無機パッシベーション膜（ガスバリア層）の下側に略平坦な上面を有する樹脂製の封止膜を配置することにより、無機パッシベーション膜（ガスバリア層）におけるクラックの発生を防止することが提案されている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−２８４０４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、このような技術を採用した場合でも、外部からの水分浸入を完全に防ぐことができず、十分な発光特性や発光寿命が得られないという課題があった。これは、樹脂製の封止膜が形成されていない、基板配線や、電極と基板配線との接続部等の段差において無機パッシベーション膜（ガスバリア層）の剥離やクラックが発生して水分や酸素の浸入を発生させてしまうためである。水分や酸素の浸入は発光素子のみへ影響するのではなく、陰極や陽極の電極への到達することで、電気抵抗値の増大や、薄膜である電極を膨潤させる等の影響を与え、発光特性や発光寿命を低下させる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］本適用例に係る電気光学装置は、基体上に、第１の配線と、第一電極と、前記第一電極に対応する開口を有する隔壁と、前記第一電極上に設けられた有機機能層と、前記隔壁および前記有機機能層上に設けられた第二電極と、前記第二電極と前記第１の配線とを電気的に接続する接続部と、前記第二電極上に設けられた緩衝層と、前記緩衝層上に設けられたガスバリア層と、を備え、前記第二電極は、前記隔壁を覆う第１の領域と、前記接続部に設けられた第２の領域と、を有し、前記緩衝層は、前記第１の領域を覆う第１の緩衝層と、前記第２の領域を覆う第２の緩衝層と、を有し、前記第１の緩衝層と前記第２の緩衝層とは互いに接触していないことを特徴とする。
【０００９】
本適用例によれば、緩衝層が隔壁により生じた段差や接続部により生じた段差を覆うので段差面が略平坦となり、略平坦となった緩衝層上にガスバリア層が形成されるため、ガスバリア層の剥離やクラックの発生を防止でき、結果、発光特性や発光寿命の低下を防止できる。また、緩衝層を隔壁により生じた段差と接続部により生じた段差とを分けて覆うことにより、一方の緩衝層が形成されている段差部にガスバリア層に欠陥等が発生し、水分が浸入したとしても、他方の緩衝層部への水分侵入を防ぐことができる。
【００１０】
［適用例２］上記適用例に記載の電気光学装置において、基体上には、第２の配線が設けられ、平面視において、前記第２の配線上には第３の緩衝層が設けられており、前記第１の緩衝層、前記第２の緩衝層および前記第３の緩衝層とは互いに接触していないことを特徴とする。
【００１１】
上記適用例によれば、緩衝層が配線より生じた段差をも覆うことができるので、当該段差におけるガスバリア層の剥離やクラックの発生を効果的に防止することができる。
【００１２】
［適用例３］上記適用例に記載の電気光学装置において、前記第２の配線は、前記第一電極、前記有機機能層および前記陰極を有する発光素子を駆動制御するための配線であることを特徴とする。
【００１３】
上記適用例によれば、緩衝層は発光素子を駆動制御するための配線により生じた段差を覆うので、当該段差におけるガスバリア層の剥離やクラックの発生を効果的に防止することができる。
【００１４】
［適用例４］上記適用例に記載の電気光学装置において、前記緩衝層が有機材料からなり、前記ガスバリア層は絶縁性の無機化合物からなることを特徴とする。
【００１５】
上記適用例によれば、緩衝層は有機材料であるため厚膜化、平坦化できる。また、ガスバリア層が絶縁性の無機化合物であるため薄膜でも水分や酸素に対するバリア性を得ることができる。これによって平坦な緩衝層上にガスバリア層を形成できるため、ガスバリア層の剥離やクラックを防止できる。
【００１６】
［適用例５］上記適用例に記載の電気光学装置において、前記第二電極と前記ガスバリア層の間に、前記第二電極を覆う保護層を有することを特徴とする。
【００１７】
上記適用例によれば、第二電極上に保護層を設けることにより、第二電極上に緩衝層を形成する際に、薄膜である第二電極に加わる外力が緩和され、第二電極の剥離やクラック等の不具合の発生を防止できる。
【００１８】
［適用例６］上記適用例に記載の電気光学装置において、前記保護層が絶縁性の無機化合物からなることを特徴とする。
【００１９】
上記適用例によれば、保護層が絶縁性の無機化合物からなるので、薄膜で、弾性率が高い保護層を第二電極上に形成できるため、第二電極の剥離やクラック等の不具合を防止できる。
【００２０】
［適用例７］上記適用例に記載の電気光学装置において、前記緩衝層の膜厚は、前記第二電極の膜厚と前記保護層の膜厚とを合計した膜厚よりも厚いことを特徴とする。
【００２１】
上記適用例によれば、第二電極を覆う保護層に生じた段差を緩衝層で平坦化できるため、第二電極上の段差を保護層で平坦化する必要が無くなり、これらは必要膜厚のみとすることができる。
【００２２】
［適用例８］本適用例に係る電気光学装置の製造方法は、第１の基板上に、第１の配線と、第一電極と、前記第一電極に対応する開口を有する隔壁と、前記第一電極上に設けられた有機機能層と、前記隔壁および前記有機機能層上に設けられた第二電極と、を有する電気光学装置の製造方法であって、前記第二電極と前記第１の配線とを電気的に接続する接続部を形成する工程と、前記第二電極上に設けられた緩衝層を形成する工程と、前記緩衝層上に設けられたガスバリア層を形成する工程と、を有し、前記第二電極は、前記隔壁を覆う第１の領域と、前記接続部に設けられた第２の領域と、を有し、前記緩衝層は、前記第１の領域を覆う第１の緩衝層と、前記第２の領域を覆う第２の緩衝層と、を有し、前記緩衝層を形成する工程は、前記第１の緩衝層と前記第２の緩衝層とが互いに接触しないように形成することを特徴とする。
【００２３】
本適用例によれば、緩衝層が隔壁により生じた段差や接続部により生じた段差を覆うので段差面が略平坦となり、略平坦となった緩衝層上にガスバリア層が形成されるため、ガスバリア層の剥離やクラックの発生を防止でき、結果、発光特性や発光寿命の低下を防止できる。また、緩衝層を隔壁により生じた段差と接続部により生じた段差とを分けて覆うことにより、一方の緩衝層が形成されている段差部にガスバリア層に欠陥等が発生し、水分が浸入したとしても、他方の緩衝層部への水分侵入を防ぐことができる。
【００２４】
［適用例９］上記適用例に記載の電気光学装置の製造方法において、前記第１の基板上には、前記電気光学装置が複数形成されており、前記緩衝層を形成する工程は、前記第１の基板上において、前記第２の緩衝層を隣り合うそれぞれの前記電気光学装置の前記接続部に跨って共通して形成することを特徴とする。
【００２５】
上記適用例によれば、電気光学装置ごとに緩衝層を形成しなくてもよいので、緩衝層の形成精度を緩和することができる。したがって、緩衝層の形成により発生するパターン不良を防止できる。
【００２６】
［適用例１０］本適用例の電子機器は、上記適用例に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする。
【００２７】
本適用例によれば、発光特性や発光寿命の低下を防止した電気光学装置を備えた電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】第一実施形態に係るＥＬ表示装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図２】第一実施形態のＥＬ表示装置の構成を示す概略平面図。
【図３】図２のＡ−Ｂ線に沿う断面図。
【図４】図２のＣ−Ｄ線に沿う断面図。
【図５】有機緩衝層の端部を示す拡大図。
【図６】（ａ）〜（ｄ）はＥＬ表示装置の製造方法を工程順に示す図。
【図７】（ａ）〜（ｃ）はＥＬ表示装置の製造方法を工程順に示す図。
【図８】（ａ）および（ｂ）は第二実施形態のＥＬ表示装置の構造を示す概略図。
【図９】ＥＬ表示装置の基体の外周部構造を示す概略断面図。
【図１０】（ａ）〜（ｄ）は電子機器の例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明に係る電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器の実施形態について、図を参照して説明する。なお、参照する図面においては、図の視認性を向上させるため断面部分のハッチングを適宜省略している。また、電気光学装置として、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）材料を用いたＥＬ表示装置を例に挙げて説明する。
【００３０】
［第一実施形態］
図１は、第一実施形態に係るＥＬ表示装置の電気的な構成を示す等価回路図である。ＥＬ表示装置（発光装置）は、スイッチング素子として薄膜トランジスター（Thin Film Transistor、以下ＴＦＴと略記する）を用いたアクティブマトリクス型のＥＬ表示装置である。なお、以下の説明では、ＥＬ表示装置を構成する各部位や各層膜を認識可能とするために、各々の縮尺を異ならせている。
【００３１】
図１に示すように、本実施形態のＥＬ表示装置１は、複数の走査線１０１と、各走査線１０１に対して直角に交差する方向に延びる複数の信号線１０２と、各信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３とがそれぞれ配線された構成を有するとともに、走査線１０１と信号線１０２の各交点付近に画素領域Ｘが設けられる。
信号線１０２には、シフトレジスター、レベルシフター、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデーター線駆動回路１００が接続される。また、走査線１０１には、シフトレジスター及びレベルシフターを備える走査線駆動回路８０が接続される。
【００３２】
さらに、画素領域Xの各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ１１２と、このスイッチング用ＴＦＴ１１２を介して信号線１０２から供給される画素信号を保持する保持容量１１３と、該保持容量１１３によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ１２３と、この駆動用ＴＦＴ１２３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに該電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極（第一電極）２３と、この画素電極２３と陰極（第二電極）５０との間に挟み込まれた有機機能層１１０とが設けられる。画素電極２３と陰極５０と有機機能層１１０により、発光素子（有機ＥＬ素子）が構成される。
【００３３】
このＥＬ表示装置１によれば、走査線１０１が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ１１２がオン状態になると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量１１３に保持され、該保持容量１１３の状態に応じて、駆動用ＴＦＴ１２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１２３のチャネルを介して、電源線１０３から画素電極２３に電流が流れ、さらに有機機能層１１０を介して陰極５０に電流が流れる。有機機能層１１０は、これを流れる電流量に応じて発光する。
【００３４】
次に、ＥＬ表示装置１の具体的な構成について、図２〜図５を参照して説明する。
図２に示すように、ＥＬ表示装置１は、電気絶縁性を備えた基板２０と、スイッチング用ＴＦＴ（図示せず）に接続された画素電極２３が基板２０上にマトリックス状に配置されてなる画素電極域（図示せず）と、画素電極域の周囲に配置されるとともに各画素電極２３に接続される電源線１０３と、少なくとも画素電極域上に位置する平面視ほぼ矩形の画素部３（図２中の一点鎖線枠内）とを具備して構成されたアクティブマトリクス型のものである。
なお、本実施形態においては、基板２０と、基板２０上に形成されるＴＦＴを含む各種回路、及び層間絶縁膜などを含めて、基体２００と称している（図３、図４参照）。
【００３５】
画素部３は、中央部分の実表示領域４（図２中の二点鎖線枠内）と、実表示領域４の周囲に配置されたダミー領域５（一点鎖線および二点鎖線の間の領域）と、に区画される。
実表示領域４には、それぞれ画素電極２３を有する表示領域Ｒ，Ｇ，ＢがＡ−Ｂ方向およびＣ−Ｄ方向にそれぞれ離間してマトリックス状に配置される。
また、実表示領域４の図２中両側には、走査線駆動回路８０が配置される。これら走査線駆動回路８０は、ダミー領域５の下側に配置されたものである。
【００３６】
さらに、実表示領域４の図２中上側には、検査回路９０が配置される。この検査回路９０は、ＥＬ表示装置１の作動状況を検査するための回路であって、例えば検査結果を外部に出力する検査情報出力手段（図示せず）を備え、製造途中や出荷時の表示装置の品質、欠陥の検査を行うことができるように構成されたものである。なお、この検査回路９０も、ダミー領域５の下側に配置されたものである。
【００３７】
走査線駆動回路８０および検査回路９０は、その駆動電圧が、所定の電源部から駆動電圧導通部（図示しない）および駆動電圧導通部（図示しない）を介して、印加されるよう構成される。また、これら走査線駆動回路８０および検査回路９０への駆動制御信号は、このＥＬ表示装置１の作動制御を行う所定のメインドライバーなどから駆動制御信号導通部（図示しない）および駆動制御信号導通部（図示しない）を介して、送信および印加される。なお、この場合の駆動制御信号とは、走査線駆動回路８０および検査回路９０が信号を出力する際の制御に関連するメインドライバーなどからの指令信号である。
【００３８】
また、ＥＬ表示装置１は、図３、図４に示すように基体２００上に画素電極２３と有機隔壁層（画素隔壁）２２１、有機機能層１１０と陰極５０とを備えた発光素子（有機ＥＬ素子）を多数形成し、さらにこれらを覆って、保護層５２、緩衝層２１０、ガスバリア層３０等を形成させたものである。
なお、有機機能層１１０としては、代表的には発光層６０（エレクトロルミネッセンス層）であり、正孔注入層、正孔輸送層７０、電子注入層、電子輸送層などのキャリア注入層またはキャリア輸送層を備えるものである。さらには、正孔阻止層（ホールブロッキング層）、電子阻止層（エレクトロン阻止層）を備えるものであってもよい。
【００３９】
基体２００を構成する基板２０としては、いわゆるトップエミッション型の場合、この基板２０の対向側であるガスバリア層３０側から発光を取り出す構成であるので、透明基板及び不透明基板のいずれも用いることができる。不透明基板としては、例えばアルミナ等のセラミックス、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、また熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂、さらにはそのフィルム（プラスチックフィルム）などが挙げられる。
【００４０】
また、いわゆるボトムエミッション型の場合には、基板２０側から発光を取り出す構成であるので、基板２０としては、透明あるいは半透明のものが採用される。例えば、ガラス、石英、樹脂（プラスチック、プラスチックフィルム）等が挙げられ、特にガラス基板が好適に用いられる。なお、本実施形態では、ガスバリア層３０側から発光を取り出すトップエミッション型とし、よって基板２０としては上述した不透明基板、例えば不透明のプラスチックフィルムなどが用いられる。
【００４１】
また、基板２０上には、画素電極２３を駆動するための駆動用ＴＦＴ１２３などを含む回路部１１が形成されており、その上に発光素子（有機ＥＬ素子）が多数設けられる。発光素子は、陽極として機能する画素電極２３と、この画素電極２３からの正孔を注入／輸送する正孔輸送層７０と、有機ＥＬ材料を備える発光層６０と、陰極５０とが順に形成されたことによって構成されたものである。
このような構成のもとに、発光素子はその発光層６０において、正孔輸送層７０から注入された正孔と陰極５０からの電子とが結合することにより発光する。
【００４２】
画素電極２３は、本実施形態ではトップエミッション型であることから透明である必要はなく、反射性をより高めるために、例えば反射層／無機絶縁層／透明陽極のような多層構造をとっても良い。反射層は、発光層６０から出る光を積極的に陰極５０側に反射させる層でアルミニウム合金などが用いられ、珪素窒化物などの無機絶縁層を介して、仕事関数が５ｅＶ以上の正孔注入性の高いＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム錫酸化物）などの金属酸化物導電膜が陽極に用いられる。
【００４３】
正孔輸送層７０の形成材料としては、例えばポリチオフェン誘導体、ポリピロール誘導体など、またはそれらのドーピング体などが用いられる。具体的には、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）の分散液、すなわち、分散媒としてのポリスチレンスルフォン酸に３，４−ポリエチレンジオキシチオフェンを分散させ、さらにこれを水に分散させた分散液などを用いて正孔輸送層７０を形成することができる。
【００４４】
発光層６０を形成するための材料としては、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料を用いることができる。具体的には、（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）などのポリシラン系などが好適に用いられる。
また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系材料や、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることもできる。
なお、上述した高分子材料に代えて、従来公知の低分子材料を用いることもできる。また、必要に応じて、このような発光層６０の上に電子注入層を形成してもよい。
【００４５】
また、本実施形態において正孔輸送層７０と発光層６０とは、図３および図４に示すように基体２００上にて格子状に形成された親液性制御層２５（図４参照）と有機隔壁層（画素隔壁）２２１と、によって囲まれて配置され、これにより囲まれた正孔輸送層７０および発光層６０は単一の発光素子（有機ＥＬ素子）を構成する素子層となる。
なお、有機隔壁層２２１の開口部２２１ａの各壁面の基体２００表面に対する角度が、１１０度以上から１７０ 度以下となっている。このような角度としたのは、発光層６０をウエットプロセスにより形成する際に、開口部２２１ａ内に配置されやすくするためである。
【００４６】
陰極５０は、図２〜図４に示すように、実表示領域４およびダミー領域５の総面積より広い面積を備え、それぞれを覆うように形成されたもので、発光層６０と有機隔壁層２２１の上面、さらには有機隔壁層２２１の外側部を形成する壁面を覆った状態で基体２００上に形成されたものである。陰極５０は、図３に示すように有機隔壁層２２１の外側で基体２００の外周部に形成された接続部５０ｂにおいて陰極用配線２０２に接続される。陰極用配線２０２は、第１陰極用配線２０２ａおよび第２陰極用配線２０２ｂにより形成されており、いわゆる２重配線構造となっている。なお、陰極用配線２０２は、第１陰極用配線２０２ａもしくは第２陰極用配線２０２ｂのどちらか一方のみであってもよい。
具体的には、接続部５０ｂにおいて、陰極５０と陰極用配線２０２ａとが第二層間絶縁膜２８４に設けられたコンタクトホール５０ａを介して電気的に接続される。さらに、陰極用配線２０２はフレキシブル基板２０３に電気的に接続されており、これによって陰極５０は、フレキシブル基板２０３を介して駆動ＩＣ２０４に接続される。
【００４７】
陰極５０を形成するための材料としては、本実施形態はトップエミッション型であることから光透過性である必要があり、したがって透明導電材料が用いられる。透明導電材料としてはＩＴＯが好適とされるが、これ以外にも、例えば酸化インジウム・酸化亜鉛系アモルファス透明導電膜（Indium Zin Oxide：ＩＺＯ／アイ・ゼット・オー（登録商標））等を用いることができる。なお、本実施形態ではＩＴＯを用いるものとする。
【００４８】
また、陰極５０は、電子注入効果の大きい（仕事関数が４ｅＶ以下）材料が好適に用いられる。例えば、カルシウムやマグネシウム、ナトリウム、リチウム金属、又はこれらの金属化合物である。金属化合物としては、フッ化カルシウム等の金属フッ化物や酸化リチウム等の金属酸化物、アセチルアセトナトカルシウム等の有機金属錯体が該当する。また、これらの材料だけでは、電気抵抗が大きく電極として機能しないため、発光領域を避けるようにアルミニウムや金、銀、銅などの金属層をパターン形成したり、ＩＴＯや酸化錫などの透明な金属酸化物導電層との積層体と組み合わせて用いたりしてもよい。なお、本実施形態では、フッ化リチウムとマグネシウム−銀合金、ＩＴＯの積層体を、透明性が得られる膜厚に調整して用いるものとする。また、陰極５０の膜厚は、１０ｎｍ〜２００ｎｍ程度が好ましい。
【００４９】
陰極５０の上層部には、図３および図４に示すように、有機隔壁層２２１よりも広い範囲で、かつ陰極５０を覆った状態で保護層５２が形成される。保護層５２は、後述する緩衝層２１０を形成する際に、陰極５０上に加わる負荷を緩和するために設けられるものである。緩衝層２１０の残留水分等に起因する製造プロセス時における陰極５０へのダメージを防止するために設けられるものである。また、緩衝層形成材料を塗布する時の平坦性や消泡性、密着性、側面端部の低角度化を目的としても設けられるものである。
保護層５２は、透明性、緻密性、耐水性、絶縁性、ガスバリア性を考慮して、緻密かつ高弾性率の珪素窒化物や珪素窒酸化物などの窒素を含む珪素化合物などの材料により形成されたものが好ましい。保護層５２の形成方法としては、ＥＣＲスパッタ法やイオンプレーティング法等の高密度プラズマ成膜法が用いられる。また、保護層５２の膜厚は、５０ ｎｍ〜４００ｎｍ程度が好ましい。
【００５０】
保護層５２の上層部には、図３および図４に示すように、緩衝層２１０が設けられる。なお、緩衝層２１０は、陰極５０が形成されている領域において、有機隔壁層２２１により発生している段差を覆う緩衝層２１０ａ、陰極５０と陰極用配線２０２の接続部５０ｂで発生している段差を覆う緩衝層２１０ｂと、で構成される。具体的には、緩衝層２１０ａは、基体２００上に設けられた有機隔壁層２２１により生じた凸状の段差を覆い、緩衝層２１０ｂは、陰極５０と陰極用配線２０２の接続部５０ｂのコンタクトホール５０ａにより生じた凹状の段差を覆うように基体２００上にそれぞれ形成される。緩衝層２１０により該段差面が略平坦となり、緩衝層２１０上に形成される硬い被膜からなるガスバリア層３０も平坦化されるので、応力が集中する部位がなくなり、これにより、ガスバリア層３０へのクラックの発生を防止することができる。なお緩衝層２１０は、該段差を連続して覆うように共通に形成してもよい。
【００５１】
緩衝層２１０の形成は、減圧真空下におけるスクリーン印刷法を用いて、保護層５２上に塗布することが好ましい。スクリーンメッシュに樹脂硬化物で非塗布領域をパターン形成したマスクを基体２００に接触させて、スキージで押し付けることで、緩衝層形成材料を基体２００上（保護層５２上）に転写する。減圧雰囲気で塗布（転写）が行われるので、水分の少ない環境を維持しつつ、転写時に塗布面に発生する気泡を除去することができる。
【００５２】
緩衝層２１０は、硬化前の原料主成分としては、減圧真空下で印刷形成するために、流動性に優れ、かつ溶媒や揮発成分の無い、全てが高分子骨格の原料となる有機化合物材料である必要があり、好ましくはエポキシ基を有する分子量３０００以下のエポキシモノマー／オリゴマーが用いられる（モノマーの定義：分子量１０００以下、オリゴマーの定義：分子量１０００〜３０００）。例えば、ビスフェノールＡ型エポキシオリゴマーやビスフェノールＦ型エポキシオリゴマー、フェノールノボラック型エポキシオリゴマー、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、アルキルグリシジルエーテル、３，４−エポキシシクロヘキセニルメチル-３'，４'−エポキシシクロヘキセンカルボキシレート、ε−カプロラクトン変性３，４−エポキシシクロヘキシルメチル３'，４'−エポキシシクロヘキサンカルボキレートなどがあり、これらが単独もしくは複数組み合わされて用いられる。
【００５３】
また、エポキシモノマー／オリゴマーと反応する硬化剤としては、電気絶縁性や接着性に優れ、かつ硬度が高く強靭で耐熱性に優れる硬化被膜を形成するものが良く、透明性に優れ、かつ硬化のばらつきの少ない付加重合型がよい。例えば、３−メチル−１，２， ３，６−テトラヒドロ無水フタル酸、メチル−３，６−エンドメチレン−１，２，３，６ −テトラヒドロ無水フタル酸、１，２，４，５−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、３，３'，４，４'−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物などの酸無水物系硬化剤が好ましい。さらに、酸無水物の反応（開環）を促進する反応促進剤として１，６−ヘキサンジオールなど分子量が大きく揮発しにくいアルコール類を添加することで低温硬化しやすくなる。これらの硬化は６０〜１００℃の範囲の加熱で行われ、その硬化被膜はエステル結合を持つ高分子となる。
更に、酸無水の開環を促進する硬化促進剤として、芳香続アミンやアルコール類、アミノフェノールなどの比較的分子量の高いものを添加することで、低温かつ短時間での硬化が可能となる。
硬化時間を短縮するためによく用いられるカチオン放出タイプの光重合開始剤は、着色や急激な硬化収縮を発生するため好ましくないが、ガスバリア層３０との密着性を向上させるシランカップリング剤や、イソシアネート化合物等の補水剤、硬化時の収縮を防ぐ微粒子などの添加剤が混入されていてもよい。
【００５４】
これらの原料毎の粘度は、１０００ｍＰａ・ｓ（室温：２５℃）以上が好ましい。塗布直後に発光層６０ へ浸透して、ダークスポットと呼ばれる非発光領域を発生させないためである。また、これらの原料を混合した緩衝層形成材料の粘度としては、５００ｍＰａ・ｓ〜２０ ０００ｍＰａ・ｓ、特に２０００ｍＰａ・ｓ〜１００００ｍＰａ・ｓ（室温）が好ましい。
【００５５】
また、緩衝層２１０の膜厚としては、２μｍ〜１０μｍが好ましい。緩衝層２１０の膜厚が２μｍ以上であれば、陰極５０と保護層５２を足し合わせた膜厚より厚いため、保護層５２により生じる段差を平坦化でき、さらに、異物が混入した場合であってもガスバリア層３０の欠陥発生を防止することができるからである。
また、硬化後の特性としては、緩衝層２１０の弾性率が１ＧＰａ〜１０ＧＰａであることが好ましい。１０ＧＰａ以上では、有機隔壁層２２１上を平坦化した際の応力を吸収することができず、１ＧＰａ以下では耐摩耗性や耐熱性等が不足するためである。
【００５６】
更に、緩衝層２１０の上層部には、図２〜図４に示すように、発光層６０及び有機隔壁層２２１、陰極５０を覆い、かつ封止層の中でも比較的に耐水性に欠ける有機隔壁層２２ １及び保護層５２の終端部まで覆うような広い範囲、もしくは保護層５２と同範囲に、ガスバリア層３０が形成されている。
ガスバリア層３０は、酸素や水分が浸入するのを防止するためのもので、これにより酸素や水分による陰極５０や発光層６０の劣化等を抑えることができる。ガスバリア層３０は、透明性、ガスバリア性、耐水性を考慮して、好ましくは窒素を含む珪素化合物、すなわち珪素窒化物や珪素酸窒化物などによって形成される。
ガスバリア層３０の成膜法としては、水蒸気などのガスを遮断するため緻密で欠陥の無い被膜にする必要があり、好適には低温で緻密な膜を形成できる高密度プラズマ成膜法を用いて形成する。
ガスバリア層３０は、保護層５２と同一の弾性率を有する材料で形成してもよい。また、ガスバリア層３０の膜厚は、２００ｎｍ〜６００ｎｍ程度が好ましい。２００ｎｍ未満であると、異物に対する被覆性が不足し部分的に貫通孔が形成されてしまい、ガスバリア性が損なわれてしまうおそれがあるからであり、６００ｎｍを越えると、応力による割れが生じてしまうおそれがあるからである。
【００５７】
更に、ガスバリア層３０としては、積層構造としてもよいし、その組成を不均一にして特にその酸素濃度が連続的に、あるいは非連続的に変化するような構成としてもよい。
また、本実施形態ではトップエミッション型としていることから、ガスバリア層３０は透光性を有する必要があり、したがってその材質や膜厚を適宜に調整することにより、本実施形態では可視光領域における光線透過率を例えば８０％以上にしている。
【００５８】
ここで、緩衝層２１０の端部の構造について図５を参照して説明する。図５は緩衝層の端部を示す拡大図である。とりわけ、保護層５２との接触角について説明する。
緩衝層２１０は、保護層５２上に形成され、その端部において保護層５２の表面と接触角αで接触している。ここで、接触角αは４５°以下であり、より好ましくは、１°〜２０°程度以下であることが好ましい。
これにより、緩衝層２１０の上層に形成されるガスバリア層３０は、その端部に急激な形状変化がなく、なだらかに形状が変化するので、緩衝層２１０の端部での応力集中によるクラック等の欠陥の発生が防止される。したがって、長期間に渡り、封止能力を維持することが可能となる。
【００５９】
図３および図４ に戻り、ガスバリア層３０の上層部には、接着層２０５と表面保護基板２０６が設けられる。
接着層２０５は、ガスバリア層３０上に表面保護基板２０６を固定させ、かつ外部からの機械的衝撃に対して緩衝機能を有し、有機機能層１１０やガスバリア層３０を保護するものである。接着層２０５は、例えばウレタン系、アクリル系、エポキシ系、ポリオレフィン系などの樹脂で、表面保護基板２０６より柔軟でガラス転移点の低い材料からなる接着剤によって形成されたものである。また、透明樹脂材料が好ましい。また、低温で硬化させるため硬化剤を添加する２液混合型の材料によって形成されたものでもよい。
なお、このような接着層２０５には、シランカップリング剤またはアルコキシシランを添加しておくのが好ましく、このようにすれば、形成される接着層２０５とガスバリア層３０との密着性がより良好になり、したがって機械的衝撃に対する緩衝機能が高くなる。
また、特にガスバリア層３０が珪素化合物で形成されている場合などでは、シランカップリング剤やアルコキシシランによってこのガスバリア層３０との密着性を向上させることができ、したがってガスバリア層３０のガスバリア性を高めることができる。
【００６０】
表面保護基板２０６は、接着層２０５上に設けられて、耐圧性や耐摩耗性、外部光反射防止性、ガスバリア性、紫外線遮断性などの機能の少なくとも一つを有してなる層である。
表面保護基板２０６の材質は、ガラス、ＤＬＣ（ダイアモンドライクカーボン）層、透明プラスチック、透明プラスチックフィルムが採用される。ここで、プラスチック材料としては、例えば、ＰＥＴ、アクリル、ポリカーボネート、ポリオレフィン等が採用される。
更に、当該表面保護基板２０６には、紫外線遮断／吸収層や光反射防止層、放熱層、レンズ、色波長変換層やミラー等の光学構造が設けられていてもよい。また、カラーフィルター機能を設けてもよい。
なお、ＥＬ表示装置１はトップエミッション型であるため、表面保護基板２０６、接着層２０５を共に透光性のものにする必要があるが、ボトムエミッション型とする場合にはその必要はない。
【００６１】
次に、本実施形態に係るＥＬ表示装置１の製造方法の一例を、図６及び図７を参照して説明する。図６及び図７に示す各断面図は、図２中のＡ−Ｂ線の断面図に対応した図である。
なお、本実施形態においては、発光装置としてのＥＬ表示装置１がトップエミッション型である場合であり、また、基板２０の表面に回路部１１を形成させる工程については、公知の技術を用いることができるので説明を省略する。
【００６２】
まず、図６（ａ）に示すように、表面に回路部１１が形成された基板２０の全面を覆うように、画素電極２３となる導電膜を形成し、更に、この透明導電膜をパターニングすることにより、第二層間絶縁膜２８４のコンタクトホール２３ａを介してドレイン電極２４４と導通する画素電極２３を形成すると同時に、ダミー領域のダミーパターン２６も形成する。
なお、図３および図４では、これら画素電極２３、ダミーパターン２６を総称して画素電極２３としている。ダミーパターン２６は、第二層間絶縁膜２８４を介して下層のメタル配線へ接続しない構成とされる。すなわち、ダミーパターン２６は、島状に配置され、実表示領域４に形成されている画素電極２３の形状とほぼ同一の形状を有する。もちろん、実表示領域４に形成されている画素電極２３の形状と異なる構造であってもよい。
【００６３】
次いで、図６（ｂ）に示すように、画素電極２３、ダミーパターン２６上、および第二層間絶縁膜２８４上に絶縁層である親液性制御層２５を形成する。なお、画素電極２３においては一部が開口する態様にて親液性制御層２５を形成し、開口部２５ａ（図３参照）において画素電極２３からの正孔移動が可能とされている。逆に、開口部２５ａを設けないダミーパターン２６においては、絶縁層（親液性制御層）２５が正孔移動遮蔽層となって正孔移動が生じないものとされている。続いて、親液性制御層２５において、異なる２つの画素電極２３の間に位置して形成された凹状部に不図示のＢＭ（ブラックマトリックス）を形成する。具体的には、親液性制御層２５の凹状部に対して、金属クロムを用いスパッタリング法にて成膜する。
【００６４】
そして、図６（ｃ）に示すように、親液性制御層２５の所定位置、詳しくは上述したＢＭを覆うように有機隔壁層２２１を形成する。
具体的な有機隔壁層２２１の形成方法としては、例えばアクリル系、イミド系材料などのレジストを溶媒に溶解したものを、スピンコート法、ディップコート法などの各種塗布法により塗布して有機樹脂層を形成する。なお、有機樹脂層の構成材料は、後述するインクの溶媒に溶解せず、しかもエッチングなどによってパターニングし易いものであればどのようなものでもよい。
【００６５】
更に、有機樹脂層をフォトリソグラフィ技術、エッチング技術を用いてパターニングし、有機樹脂層に開口部２２１ａを形成することにより、開口部２２１ａに壁面を有した有機隔壁層２２１を形成する。ここで、開口部２２１ａを形成する壁面について、基体２００ 表面に対する角度を１１０度以上から１７０度以下となるように形成する。
【００６６】
次いで、有機隔壁層２２１の表面に、親液性を示す領域と、撥液性を示す領域とを形成する。本実施形態においては、プラズマ処理によって各領域を形成する。具体的には、プラズマ処理を、予備加熱工程と、有機隔壁層２２１の上面および開口部２２１ａの壁面ならびに画素電極２３の電極面２３ｃ、親液性制御層２５の上面をそれぞれ親液性にする親インク化工程と、有機隔壁層２２１の上面および開口部２２１ａの壁面を撥液性にする撥インク化工程と、冷却工程とで構成する。
【００６７】
次いで、正孔輸送層形成工程によって正孔輸送層７０の形成を行う。この正孔輸送層形成工程では、例えばインクジェット法等の液滴吐出法や、スピンコート法などにより、正孔輸送層材料を電極面２３ｃ上に塗布し、その後、乾燥処理および熱処理を行い、電極２３上に正孔輸送層７０を形成する。
【００６８】
次いで、発光層形成工程によって発光層６０の形成を行う。この発光層形成工程では、例えばインクジェット法により、発光層形成材料を正孔輸送層７０上に吐出し、その後、乾燥処理および熱処理を行うことにより、有機隔壁層２２１に形成された開口部２２１ａ内に発光層６０を形成する。この発光層形成工程では、正孔輸送層７０の再溶解を防止するため、発光層形成材料に用いる溶媒として、正孔輸送層７０に対して不溶な無極性溶媒を用いる。
【００６９】
次いで、図６（ｄ）に示すように、陰極層形成工程によって陰極５０の形成を行う。この陰極層形成工程では、例えば蒸着法によるマグネシウム−銀の共蒸着層と、イオンプレーティング法等の物理気相成長法によりＩＴＯを成膜した、積層層を陰極５０とする。このとき、この陰極５０については、発光層６０と有機隔壁層２２１の上面を覆うのはもちろん、有機隔壁層２２１の外側部を形成する壁面についてもこれを覆った状態となるように形成する。
【００７０】
次に、図７（ａ）に示すように、陰極５０上に、保護層５２を形成する。
例えば、珪素酸化物などの窒素を含む珪素化合物などの無機化合物を、ＥＣＲスパッタ法やイオンプレーティング法等の高密度プラズマ成膜法により、５０ｎｍ〜４００ｎｍ程度の膜厚に成膜する。
【００７１】
次に、図７（ｂ）に示すように、緩衝層２１０をスクリーン印刷法により、保護層５２上に塗布する。この際、気泡を原因とする膜欠陥を発生させないよう１００Ｐａ〜１００００Ｐａ範囲の減圧雰囲気下で塗布する。
【００７２】
スクリーン印刷法は、減圧雰囲気下で塗布が可能な方法であるため、比較的中〜高粘度の塗布液の使用を得意とする方式である。特に、スクリーン印刷法は、スキージの加圧移動により塗出制御が簡便で、スクリーンメッシュの使用により膜厚均一性およびパターニング性に優れる、という利点を有している。
【００７３】
図７（ｃ）に示すように、緩衝層２１０を覆って、ガスバリア層３０を形成する。ガスバリア層３０は、減圧下の高密度プラズマ成膜法等により形成される、主に珪素窒化物又は珪素酸窒化物からなる透明な薄膜が好ましい。また、小さな分子の水蒸気を完全に遮断するため緻密性を持たせており、若干の圧縮応力を持つことが好ましい。好ましい膜密度は、２．３／ｃｍ3以上、であることが好ましく、膜厚は２００ｎｍ〜６００ｎｍが好適である。
【００７４】
なお、ガスバリア層３０の具体的な形成方法としては、先にスパッタリング法やイオンプレーティング法等の物理気相成長法で成膜を行い、次いで、プラズマＣＶＤ法等の化学気相成長法で成膜を行ってもよい。スパッタリング法やイオンプレーティング法等の物理気相成長法は、有害な原料ガスを使わずに一般に異質な基板表面に対しても比較的密着性の良い緻密な膜が得られ、一方、化学気相成長法では、成膜速度が速く、応力が少なくステップカバーレッジ性に優れた欠陥が少なく緻密で良好な膜質のものが得られる。これらの方法は、量産性を考慮して適時選択できる。
また、ガスバリア層３０の形成については、上述したように同一の材料によって単層で形成してもよく、また異なる材料で複数の層に積層して形成してもよく、さらには、単層で形成するものの、その組成を膜厚方向で連続的あるいは非連続的に変化させるようにして形成してもよい。
【００７５】
次いで、ガスバリア層３０上に接着層２０５と表面保護基板２０６を設ける（図３、図４参照）。接着層２０５は、スクリーン印刷法やスリットコート法などによりガスバリア層３０上に略均一に塗布され、その上に表面保護基板２０６が貼り合わされる。
表面保護基板２０６が耐圧性や耐摩耗性、光反射防止性、ガスバリア性、紫外線遮断性などの機能を有していることにより、有機機能層１１０や陰極５０、さらにはガスバリア層３０もこの表面保護基板２０６によって保護することができ、したがって発光素子の長寿命化を図ることができる。
また、接着層２０５が機械的衝撃に対して緩衝機能を発揮するので、外部から機械的衝撃が加わった場合に、ガスバリア層３０やこの内側の発光素子への機械的衝撃を緩和し、この機械的衝撃による発光素子の機能劣化を防止することができる。
以上のようにして、ＥＬ表示装置１が形成される。
【００７６】
［第二実施形態］
以下、本発明の第二実施形態に係るＥＬ表示装置２および３について説明する。なお、本実施形態においては、第一実施形態と同一構成には同一符号を付して詳細な説明は省略する。
図８（ａ）は、ＥＬ表示装置２および３を互いに隣り合うように形成した概略平面図である。図８（ｂ）は、図８（ａ）におけるＥＬ表示装置２とＥＬ表示装置３との境界部を示すＥ−Ｆ断面の概略断面図である。
【００７７】
図８（ｂ）に示すように、ＥＬ表示装置２および３は、共通基板２１上に互いに隣り合うように形成されており、保護層５２、緩衝層２１０およびガスバリア層３０が、ＥＬ表示装置２および３に共通して形成されている。すなわち、陰極５０と陰極用配線２０２との接続部で発生している凹状の段差を覆う緩衝層２１０ｂがＥＬ表示装置２および３の間に跨って形成されている。
【００７８】
また、緩衝層２１０の下層の保護層５２と、緩衝層２１０の上層のガスバリア層３０も緩衝層２１０ｂと同様に、隣り合うＥＬ表示装置間に跨って形成される。緩衝層２１０ｂを隣り合うＥＬ表示装置が有するそれぞれの段差部に跨って形成することで、緩衝層２１０ｂのパターン精度を緩和することができる。なお、緩衝層２１０ｂ、保護層５２およびガスバリア層を隣り合うＥＬ表示装置間に跨って形成すること以外は第一の実施形態と同様の構成および材料を採用している。これにより、緩衝層２１０形成による不良を防止し、発光特性や発光寿命の低下を防止したＥＬ表示装置を得ることが可能となる。
【００７９】
さらに、上述したＥＬ表示装置の第一および第二実施形態において、緩衝層２１０は、基体２００上に設けられた有機隔壁層２２１により発生する凸状の段差を覆う緩衝層２１０ａと、陰極５０と陰極用配線２０２との接続部５０ｂにおいて第二層間絶縁膜２８４に発生する凹状の段差を覆う緩衝層２０１ｂについて述べたが、これに限定されない。図９のように、有機隔壁層２２１の外側の基体２００の外周部に、例えば電源線１０３や駆動電圧導通部３１０や駆動制御信号導通部３２０などの配線を設けた場合において、該配線に起因して第二層間絶縁膜２８４に発生する凸状の段差を緩衝層２１０ｃが覆うように形成してもよい。このようにすれば、配線に起因した凸状の段差を緩衝層２１０ｃが覆うので、緩衝層２１０により段差面が略平坦化されて緩衝層２１０上に形成される硬い被膜からなるガスバリア層３０が平坦化されるので、応力が集中する部位がなくなり、これにより、ガスバリア層３０へのクラックの発生を防止することができる。
【００８０】
なお、上述したＥＬ表示装置の実施形態では、トップエミッション型を例にして説明したが、本発明はこれに限定されることなく、ボトムエミッション型にも、また両側に発光光を出射するタイプのものにも適用可能である。
【００８１】
また、ボトムエミッション型、あるいは両側に発光を出射するタイプのものとした場合、基体２００に形成するスイッチング用ＴＦＴ１１２や駆動用ＴＦＴ１２３については、発光素子の直下ではなく、有機隔壁層２２１の直下に形成し、開口率を高めるのが好ましい。
また、実施形態では、第一電極を陽極２３として機能させ、第二電極を陰極５０として機能させたが、これらを逆にして第一電極を陰極、第二電極を陽極として、それぞれ機能させるように構成しても良い。ただし、その場合には、発光層６０と正孔輸送層７０との形成位置を入れ換えるようにする必要がある。
【００８２】
次に、本実施形態の電子機器について図１０を参照して説明する。
電子機器は、上述したＥＬ表示装置１を表示部として有したものであり、具体的には図１０に示すものが挙げられる。
図１０（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１０（ａ）において、携帯図電話１０００は、上述したＥＬ表示装置１を用いた表示部１００１を備える。
図１０（ｂ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１０（ｂ）において、時計（電子機器）１１００は、上述したＥＬ表示装置１を用いた表示部１１０１を備える。
図１０（ｃ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１０（ｃ）において、情報処理装置１２００は、キーボードなどの入力部１２００、上述したＥＬ表示装置１を用いた表示部１２０６、情報処理装置本体（筐体）１２０４を備える。
図１０（ｄ）は、薄型大画面テレビの一例を示した斜視図である。図１０（ｄ）において、薄型大画面テレビ１３００は、薄型大画面テレビ本体（筐体）１３０２、スピーカーなどの音声出力部１３０４、上述したＥＬ表示装置１を用いた表示部１３０６を備える。
【００８３】
図１０（ａ）〜（ｄ）に示すそれぞれの電子機器は、上述したＥＬ表示装置１を有した表示部１００１，１１０１，１２０６，１３０６を備えているので、表示部の長寿命化が図られたものとなる。
また、図１０（ｄ）に示す薄型大画面テレビ１３００は、面積に関係なく表示部を封止できる本発明を適用したので、従来と比較して大面積（例えば対角２０インチ以上）の表示部１３０６を備えるものとなる。
【００８４】
また、ＥＬ表示装置１を表示部として備える場合に限らず、発光部として備える電子機器であってもよい。例えば、ＥＬ表示装置１を露光ヘッド（ラインヘッド）として備えるページプリンター（画像形成装置）や、ＥＬ表示装置１を発光部として備える照明装置であってもよい。
【符号の説明】
【００８５】
１…ＥＬ表示装置（発光装置）、２３…画素電極（第一電極）、３０…ガスバリア層、５０…陰極（第二電極）、５２…保護層、６０…発光層、１１０…有機機能層、２００…基体、２１０…緩衝層、２２１…有機隔壁層（隔壁）、２２１ａ…開口部、１０００…携帯電話（電子機器）、１１００…時計（電子機器）、１２００…情報処理装置（電子機器）、１３００…薄型大画面テレビ（電子機器）、１００１，１１０１，１２０６，１３０６…表示部（発光装置）。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び当該発光装置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報機器の多様化に伴い、消費電力が少なく軽量化された平面表示装置のニーズが高まっている。この様な平面表示装置の一つとして、発光層を備えた有機ＥＬ装置が知られている。このような有機ＥＬ装置は、陽極と陰極との間に発光層を備えた構成が一般的である。更に、正孔注入性や電子注入性を向上させるために、陽極と発光層の間に正孔注入層を配置した構成や、発光層と陰極のあいだに電子注入層を配置した構成が提案されている。
【０００３】
有機ＥＬ装置の発光層、正孔注入層、電子注入層、陰極に用いられる材料は、大気中の水分と反応し、劣化し易いものが多い。これらの層が劣化すると、有機ＥＬ装置にダークスポットと呼ばれる非発光領域が形成されてしまい、発光素子としての寿命が短くなってしまう。従って、このような有機ＥＬ装置において、水分や酸素等の影響を抑えることが課題となっている。
このような課題を解決するために、有機ＥＬ装置の基板にガラスや金属からなる封止部材を接着して、水分や酸素の浸入を防止する方法が一般的に採用されてきた。しかし、ディスプレイの大型化及び薄膜化、軽量化に伴い、接着した封止部材のみで水分や酸素の浸入を防ぐことが難しくなってきている。また、大型化に伴って駆動素子や配線を形成する面積を十分に確保するため、封止部材側から光を取り出すトップエミッション構造を用いる必要性も提案されている。このような要求を達成するためには、透明でかつ軽量、耐強度性に優れた薄膜を用いた薄膜を用いた封止構造が求められている。
【０００４】
そこで、近年では、表示装置の大型化及び軽量化に対応するために、発光素子上に透明でガスバリア性に優れた珪素窒化物、珪素酸化物、セラミックス等の薄膜を高密度プラズマ成膜法（例えば、イオンプレーティング、ＥＣＲプラズマスパッタ、ＥＣＲプラズマＣＶＤ、表面プラズマＣＶＤ、ＩＣＰ−ＣＶＤ等）によりガスバリア層として成膜される薄膜封止と呼ばれる技術が用いられている。しかしこれだけでは、発光層が設けられた画素には、画素隔壁があり、この隔壁により発生する凹凸（段差部）においてガスバリア層の剥離やクラックが発生して、そこからの水分の浸入が認められている。そのため、有機ＥＬ素子と隔壁とを覆う無機パッシベーション膜（ガスバリア層）の下側に略平坦な上面を有する樹脂製の封止膜を配置することにより、無機パッシベーション膜（ガスバリア層）におけるクラックの発生を防止することが提案されている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−２８４０４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、このような技術を採用した場合でも、外部からの水分浸入を完全に防ぐことができず、十分な発光特性や発光寿命が得られないという課題があった。これは、樹脂製の封止膜が形成されていない、基板配線や、電極と基板配線との接続部等の段差において無機パッシベーション膜（ガスバリア層）の剥離やクラックが発生して水分や酸素の浸入を発生させてしまうためである。水分や酸素の浸入は発光素子のみへ影響するのではなく、陰極や陽極の電極への到達することで、電気抵抗値の増大や、薄膜である電極を膨潤させる等の影響を与え、発光特性や発光寿命を低下させる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］本適用例に係る電気光学装置は、基体上に、第１の配線と、第一電極と、前記第一電極に対応する開口を有する隔壁と、前記第一電極上に設けられた有機機能層と、前記隔壁および前記有機機能層上に設けられた第二電極と、前記第二電極と前記第１の配線とを電気的に接続する接続部と、前記第二電極上に設けられた緩衝層と、前記緩衝層上に設けられたガスバリア層と、を備え、前記第二電極は、前記隔壁を覆う第１の領域と、前記接続部に設けられた第２の領域と、を有し、前記緩衝層は、前記第１の領域を覆う第１の緩衝層と、前記第２の領域を覆う第２の緩衝層と、を有し、前記第１の緩衝層と前記第２の緩衝層とは互いに接触していないことを特徴とする。
【０００９】
本適用例によれば、緩衝層が隔壁により生じた段差や接続部により生じた段差を覆うので段差面が略平坦となり、略平坦となった緩衝層上にガスバリア層が形成されるため、ガスバリア層の剥離やクラックの発生を防止でき、結果、発光特性や発光寿命の低下を防止できる。また、緩衝層を隔壁により生じた段差と接続部により生じた段差とを分けて覆うことにより、一方の緩衝層が形成されている段差部にガスバリア層に欠陥等が発生し、水分が浸入したとしても、他方の緩衝層部への水分侵入を防ぐことができる。
【００１０】
［適用例２］上記適用例に記載の電気光学装置において、基体上には、第２の配線が設けられ、平面視において、前記第２の配線上には第３の緩衝層が設けられており、前記第１の緩衝層、前記第２の緩衝層および前記第３の緩衝層とは互いに接触していないことを特徴とする。
【００１１】
上記適用例によれば、緩衝層が配線より生じた段差をも覆うことができるので、当該段差におけるガスバリア層の剥離やクラックの発生を効果的に防止することができる。
【００１２】
［適用例３］上記適用例に記載の電気光学装置において、前記第２の配線は、前記第一電極、前記有機機能層および前記陰極を有する発光素子を駆動制御するための配線であることを特徴とする。
【００１３】
上記適用例によれば、緩衝層は発光素子を駆動制御するための配線により生じた段差を覆うので、当該段差におけるガスバリア層の剥離やクラックの発生を効果的に防止することができる。
【００１４】
［適用例４］上記適用例に記載の電気光学装置において、前記緩衝層が有機材料からなり、前記ガスバリア層は絶縁性の無機化合物からなることを特徴とする。
【００１５】
上記適用例によれば、緩衝層は有機材料であるため厚膜化、平坦化できる。また、ガスバリア層が絶縁性の無機化合物であるため薄膜でも水分や酸素に対するバリア性を得ることができる。これによって平坦な緩衝層上にガスバリア層を形成できるため、ガスバリア層の剥離やクラックを防止できる。
【００１６】
［適用例５］上記適用例に記載の電気光学装置において、前記第二電極と前記ガスバリア層の間に、前記第二電極を覆う保護層を有することを特徴とする。
【００１７】
上記適用例によれば、第二電極上に保護層を設けることにより、第二電極上に緩衝層を形成する際に、薄膜である第二電極に加わる外力が緩和され、第二電極の剥離やクラック等の不具合の発生を防止できる。
【００１８】
［適用例６］上記適用例に記載の電気光学装置において、前記保護層が絶縁性の無機化合物からなることを特徴とする。
【００１９】
上記適用例によれば、保護層が絶縁性の無機化合物からなるので、薄膜で、弾性率が高い保護層を第二電極上に形成できるため、第二電極の剥離やクラック等の不具合を防止できる。
【００２０】
［適用例７］上記適用例に記載の電気光学装置において、前記緩衝層の膜厚は、前記第二電極の膜厚と前記保護層の膜厚とを合計した膜厚よりも厚いことを特徴とする。
【００２１】
上記適用例によれば、第二電極を覆う保護層に生じた段差を緩衝層で平坦化できるため、第二電極上の段差を保護層で平坦化する必要が無くなり、これらは必要膜厚のみとすることができる。
【００２２】
［適用例８］本適用例に係る電気光学装置の製造方法は、第１の基板上に、第１の配線と、第一電極と、前記第一電極に対応する開口を有する隔壁と、前記第一電極上に設けられた有機機能層と、前記隔壁および前記有機機能層上に設けられた第二電極と、を有する電気光学装置の製造方法であって、前記第二電極と前記第１の配線とを電気的に接続する接続部を形成する工程と、前記第二電極上に設けられた緩衝層を形成する工程と、前記緩衝層上に設けられたガスバリア層を形成する工程と、を有し、前記第二電極は、前記隔壁を覆う第１の領域と、前記接続部に設けられた第２の領域と、を有し、前記緩衝層は、前記第１の領域を覆う第１の緩衝層と、前記第２の領域を覆う第２の緩衝層と、を有し、前記緩衝層を形成する工程は、前記第１の緩衝層と前記第２の緩衝層とが互いに接触しないように形成することを特徴とする。
【００２３】
本適用例によれば、緩衝層が隔壁により生じた段差や接続部により生じた段差を覆うので段差面が略平坦となり、略平坦となった緩衝層上にガスバリア層が形成されるため、ガスバリア層の剥離やクラックの発生を防止でき、結果、発光特性や発光寿命の低下を防止できる。また、緩衝層を隔壁により生じた段差と接続部により生じた段差とを分けて覆うことにより、一方の緩衝層が形成されている段差部にガスバリア層に欠陥等が発生し、水分が浸入したとしても、他方の緩衝層部への水分侵入を防ぐことができる。
【００２４】
［適用例９］上記適用例に記載の電気光学装置の製造方法において、前記第１の基板上には、前記電気光学装置が複数形成されており、前記緩衝層を形成する工程は、前記第１の基板上において、前記第２の緩衝層を隣り合うそれぞれの前記電気光学装置の前記接続部に跨って共通して形成することを特徴とする。
【００２５】
上記適用例によれば、電気光学装置ごとに緩衝層を形成しなくてもよいので、緩衝層の形成精度を緩和することができる。したがって、緩衝層の形成により発生するパターン不良を防止できる。
【００２６】
［適用例１０］本適用例の電子機器は、上記適用例に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする。
【００２７】
本適用例によれば、発光特性や発光寿命の低下を防止した電気光学装置を備えた電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】第一実施形態に係るＥＬ表示装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図２】第一実施形態のＥＬ表示装置の構成を示す概略平面図。
【図３】図２のＡ−Ｂ線に沿う断面図。
【図４】図２のＣ−Ｄ線に沿う断面図。
【図５】有機緩衝層の端部を示す拡大図。
【図６】（ａ）〜（ｄ）はＥＬ表示装置の製造方法を工程順に示す図。
【図７】（ａ）〜（ｃ）はＥＬ表示装置の製造方法を工程順に示す図。
【図８】（ａ）および（ｂ）は第二実施形態のＥＬ表示装置の構造を示す概略図。
【図９】ＥＬ表示装置の基体の外周部構造を示す概略断面図。
【図１０】（ａ）〜（ｄ）は電子機器の例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明に係る電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器の実施形態について、図を参照して説明する。なお、参照する図面においては、図の視認性を向上させるため断面部分のハッチングを適宜省略している。また、電気光学装置として、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）材料を用いたＥＬ表示装置を例に挙げて説明する。
【００３０】
［第一実施形態］
図１は、第一実施形態に係るＥＬ表示装置の電気的な構成を示す等価回路図である。ＥＬ表示装置（発光装置）は、スイッチング素子として薄膜トランジスター（Thin Film Transistor、以下ＴＦＴと略記する）を用いたアクティブマトリクス型のＥＬ表示装置である。なお、以下の説明では、ＥＬ表示装置を構成する各部位や各層膜を認識可能とするために、各々の縮尺を異ならせている。
【００３１】
図１に示すように、本実施形態のＥＬ表示装置１は、複数の走査線１０１と、各走査線１０１に対して直角に交差する方向に延びる複数の信号線１０２と、各信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３とがそれぞれ配線された構成を有するとともに、走査線１０１と信号線１０２の各交点付近に画素領域Ｘが設けられる。
信号線１０２には、シフトレジスター、レベルシフター、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデーター線駆動回路１００が接続される。また、走査線１０１には、シフトレジスター及びレベルシフターを備える走査線駆動回路８０が接続される。
【００３２】
さらに、画素領域Xの各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ１１２と、このスイッチング用ＴＦＴ１１２を介して信号線１０２から供給される画素信号を保持する保持容量１１３と、該保持容量１１３によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ１２３と、この駆動用ＴＦＴ１２３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに該電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極（第一電極）２３と、この画素電極２３と陰極（第二電極）５０との間に挟み込まれた有機機能層１１０とが設けられる。画素電極２３と陰極５０と有機機能層１１０により、発光素子（有機ＥＬ素子）が構成される。
【００３３】
このＥＬ表示装置１によれば、走査線１０１が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ１１２がオン状態になると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量１１３に保持され、該保持容量１１３の状態に応じて、駆動用ＴＦＴ１２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１２３のチャネルを介して、電源線１０３から画素電極２３に電流が流れ、さらに有機機能層１１０を介して陰極５０に電流が流れる。有機機能層１１０は、これを流れる電流量に応じて発光する。
【００３４】
次に、ＥＬ表示装置１の具体的な構成について、図２〜図５を参照して説明する。
図２に示すように、ＥＬ表示装置１は、電気絶縁性を備えた基板２０と、スイッチング用ＴＦＴ（図示せず）に接続された画素電極２３が基板２０上にマトリックス状に配置されてなる画素電極域（図示せず）と、画素電極域の周囲に配置されるとともに各画素電極２３に接続される電源線１０３と、少なくとも画素電極域上に位置する平面視ほぼ矩形の画素部３（図２中の一点鎖線枠内）とを具備して構成されたアクティブマトリクス型のものである。
なお、本実施形態においては、基板２０と、基板２０上に形成されるＴＦＴを含む各種回路、及び層間絶縁膜などを含めて、基体２００と称している（図３、図４参照）。
【００３５】
画素部３は、中央部分の実表示領域４（図２中の二点鎖線枠内）と、実表示領域４の周囲に配置されたダミー領域５（一点鎖線および二点鎖線の間の領域）と、に区画される。
実表示領域４には、それぞれ画素電極２３を有する表示領域Ｒ，Ｇ，ＢがＡ−Ｂ方向およびＣ−Ｄ方向にそれぞれ離間してマトリックス状に配置される。
また、実表示領域４の図２中両側には、走査線駆動回路８０が配置される。これら走査線駆動回路８０は、ダミー領域５の下側に配置されたものである。
【００３６】
さらに、実表示領域４の図２中上側には、検査回路９０が配置される。この検査回路９０は、ＥＬ表示装置１の作動状況を検査するための回路であって、例えば検査結果を外部に出力する検査情報出力手段（図示せず）を備え、製造途中や出荷時の表示装置の品質、欠陥の検査を行うことができるように構成されたものである。なお、この検査回路９０も、ダミー領域５の下側に配置されたものである。
【００３７】
走査線駆動回路８０および検査回路９０は、その駆動電圧が、所定の電源部から駆動電圧導通部（図示しない）および駆動電圧導通部（図示しない）を介して、印加されるよう構成される。また、これら走査線駆動回路８０および検査回路９０への駆動制御信号は、このＥＬ表示装置１の作動制御を行う所定のメインドライバーなどから駆動制御信号導通部（図示しない）および駆動制御信号導通部（図示しない）を介して、送信および印加される。なお、この場合の駆動制御信号とは、走査線駆動回路８０および検査回路９０が信号を出力する際の制御に関連するメインドライバーなどからの指令信号である。
【００３８】
また、ＥＬ表示装置１は、図３、図４に示すように基体２００上に画素電極２３と有機隔壁層（画素隔壁）２２１、有機機能層１１０と陰極５０とを備えた発光素子（有機ＥＬ素子）を多数形成し、さらにこれらを覆って、保護層５２、緩衝層２１０、ガスバリア層３０等を形成させたものである。
なお、有機機能層１１０としては、代表的には発光層６０（エレクトロルミネッセンス層）であり、正孔注入層、正孔輸送層７０、電子注入層、電子輸送層などのキャリア注入層またはキャリア輸送層を備えるものである。さらには、正孔阻止層（ホールブロッキング層）、電子阻止層（エレクトロン阻止層）を備えるものであってもよい。
【００３９】
基体２００を構成する基板２０としては、いわゆるトップエミッション型の場合、この基板２０の対向側であるガスバリア層３０側から発光を取り出す構成であるので、透明基板及び不透明基板のいずれも用いることができる。不透明基板としては、例えばアルミナ等のセラミックス、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、また熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂、さらにはそのフィルム（プラスチックフィルム）などが挙げられる。
【００４０】
また、いわゆるボトムエミッション型の場合には、基板２０側から発光を取り出す構成であるので、基板２０としては、透明あるいは半透明のものが採用される。例えば、ガラス、石英、樹脂（プラスチック、プラスチックフィルム）等が挙げられ、特にガラス基板が好適に用いられる。なお、本実施形態では、ガスバリア層３０側から発光を取り出すトップエミッション型とし、よって基板２０としては上述した不透明基板、例えば不透明のプラスチックフィルムなどが用いられる。
【００４１】
また、基板２０上には、画素電極２３を駆動するための駆動用ＴＦＴ１２３などを含む回路部１１が形成されており、その上に発光素子（有機ＥＬ素子）が多数設けられる。発光素子は、陽極として機能する画素電極２３と、この画素電極２３からの正孔を注入／輸送する正孔輸送層７０と、有機ＥＬ材料を備える発光層６０と、陰極５０とが順に形成されたことによって構成されたものである。
このような構成のもとに、発光素子はその発光層６０において、正孔輸送層７０から注入された正孔と陰極５０からの電子とが結合することにより発光する。
【００４２】
画素電極２３は、本実施形態ではトップエミッション型であることから透明である必要はなく、反射性をより高めるために、例えば反射層／無機絶縁層／透明陽極のような多層構造をとっても良い。反射層は、発光層６０から出る光を積極的に陰極５０側に反射させる層でアルミニウム合金などが用いられ、珪素窒化物などの無機絶縁層を介して、仕事関数が５ｅＶ以上の正孔注入性の高いＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム錫酸化物）などの金属酸化物導電膜が陽極に用いられる。
【００４３】
正孔輸送層７０の形成材料としては、例えばポリチオフェン誘導体、ポリピロール誘導体など、またはそれらのドーピング体などが用いられる。具体的には、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）の分散液、すなわち、分散媒としてのポリスチレンスルフォン酸に３，４−ポリエチレンジオキシチオフェンを分散させ、さらにこれを水に分散させた分散液などを用いて正孔輸送層７０を形成することができる。
【００４４】
発光層６０を形成するための材料としては、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料を用いることができる。具体的には、（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）などのポリシラン系などが好適に用いられる。
また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系材料や、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることもできる。
なお、上述した高分子材料に代えて、従来公知の低分子材料を用いることもできる。また、必要に応じて、このような発光層６０の上に電子注入層を形成してもよい。
【００４５】
また、本実施形態において正孔輸送層７０と発光層６０とは、図３および図４に示すように基体２００上にて格子状に形成された親液性制御層２５（図４参照）と有機隔壁層（画素隔壁）２２１と、によって囲まれて配置され、これにより囲まれた正孔輸送層７０および発光層６０は単一の発光素子（有機ＥＬ素子）を構成する素子層となる。
なお、有機隔壁層２２１の開口部２２１ａの各壁面の基体２００表面に対する角度が、１１０度以上から１７０ 度以下となっている。このような角度としたのは、発光層６０をウエットプロセスにより形成する際に、開口部２２１ａ内に配置されやすくするためである。
【００４６】
陰極５０は、図２〜図４に示すように、実表示領域４およびダミー領域５の総面積より広い面積を備え、それぞれを覆うように形成されたもので、発光層６０と有機隔壁層２２１の上面、さらには有機隔壁層２２１の外側部を形成する壁面を覆った状態で基体２００上に形成されたものである。陰極５０は、図３に示すように有機隔壁層２２１の外側で基体２００の外周部に形成された接続部５０ｂにおいて陰極用配線２０２に接続される。陰極用配線２０２は、第１陰極用配線２０２ａおよび第２陰極用配線２０２ｂにより形成されており、いわゆる２重配線構造となっている。なお、陰極用配線２０２は、第１陰極用配線２０２ａもしくは第２陰極用配線２０２ｂのどちらか一方のみであってもよい。
具体的には、接続部５０ｂにおいて、陰極５０と陰極用配線２０２ａとが第二層間絶縁膜２８４に設けられたコンタクトホール５０ａを介して電気的に接続される。さらに、陰極用配線２０２はフレキシブル基板２０３に電気的に接続されており、これによって陰極５０は、フレキシブル基板２０３を介して駆動ＩＣ２０４に接続される。
【００４７】
陰極５０を形成するための材料としては、本実施形態はトップエミッション型であることから光透過性である必要があり、したがって透明導電材料が用いられる。透明導電材料としてはＩＴＯが好適とされるが、これ以外にも、例えば酸化インジウム・酸化亜鉛系アモルファス透明導電膜（Indium Zin Oxide：ＩＺＯ／アイ・ゼット・オー（登録商標））等を用いることができる。なお、本実施形態ではＩＴＯを用いるものとする。
【００４８】
また、陰極５０は、電子注入効果の大きい（仕事関数が４ｅＶ以下）材料が好適に用いられる。例えば、カルシウムやマグネシウム、ナトリウム、リチウム金属、又はこれらの金属化合物である。金属化合物としては、フッ化カルシウム等の金属フッ化物や酸化リチウム等の金属酸化物、アセチルアセトナトカルシウム等の有機金属錯体が該当する。また、これらの材料だけでは、電気抵抗が大きく電極として機能しないため、発光領域を避けるようにアルミニウムや金、銀、銅などの金属層をパターン形成したり、ＩＴＯや酸化錫などの透明な金属酸化物導電層との積層体と組み合わせて用いたりしてもよい。なお、本実施形態では、フッ化リチウムとマグネシウム−銀合金、ＩＴＯの積層体を、透明性が得られる膜厚に調整して用いるものとする。また、陰極５０の膜厚は、１０ｎｍ〜２００ｎｍ程度が好ましい。
【００４９】
陰極５０の上層部には、図３および図４に示すように、有機隔壁層２２１よりも広い範囲で、かつ陰極５０を覆った状態で保護層５２が形成される。保護層５２は、後述する緩衝層２１０を形成する際に、陰極５０上に加わる負荷を緩和するために設けられるものである。緩衝層２１０の残留水分等に起因する製造プロセス時における陰極５０へのダメージを防止するために設けられるものである。また、緩衝層形成材料を塗布する時の平坦性や消泡性、密着性、側面端部の低角度化を目的としても設けられるものである。
保護層５２は、透明性、緻密性、耐水性、絶縁性、ガスバリア性を考慮して、緻密かつ高弾性率の珪素窒化物や珪素窒酸化物などの窒素を含む珪素化合物などの材料により形成されたものが好ましい。保護層５２の形成方法としては、ＥＣＲスパッタ法やイオンプレーティング法等の高密度プラズマ成膜法が用いられる。また、保護層５２の膜厚は、５０ ｎｍ〜４００ｎｍ程度が好ましい。
【００５０】
保護層５２の上層部には、図３および図４に示すように、緩衝層２１０が設けられる。なお、緩衝層２１０は、陰極５０が形成されている領域において、有機隔壁層２２１により発生している段差を覆う緩衝層２１０ａ、陰極５０と陰極用配線２０２の接続部５０ｂで発生している段差を覆う緩衝層２１０ｂと、で構成される。具体的には、緩衝層２１０ａは、基体２００上に設けられた有機隔壁層２２１により生じた凸状の段差を覆い、緩衝層２１０ｂは、陰極５０と陰極用配線２０２の接続部５０ｂのコンタクトホール５０ａにより生じた凹状の段差を覆うように基体２００上にそれぞれ形成される。緩衝層２１０により該段差面が略平坦となり、緩衝層２１０上に形成される硬い被膜からなるガスバリア層３０も平坦化されるので、応力が集中する部位がなくなり、これにより、ガスバリア層３０へのクラックの発生を防止することができる。なお緩衝層２１０は、該段差を連続して覆うように共通に形成してもよい。
【００５１】
緩衝層２１０の形成は、減圧真空下におけるスクリーン印刷法を用いて、保護層５２上に塗布することが好ましい。スクリーンメッシュに樹脂硬化物で非塗布領域をパターン形成したマスクを基体２００に接触させて、スキージで押し付けることで、緩衝層形成材料を基体２００上（保護層５２上）に転写する。減圧雰囲気で塗布（転写）が行われるので、水分の少ない環境を維持しつつ、転写時に塗布面に発生する気泡を除去することができる。
【００５２】
緩衝層２１０は、硬化前の原料主成分としては、減圧真空下で印刷形成するために、流動性に優れ、かつ溶媒や揮発成分の無い、全てが高分子骨格の原料となる有機化合物材料である必要があり、好ましくはエポキシ基を有する分子量３０００以下のエポキシモノマー／オリゴマーが用いられる（モノマーの定義：分子量１０００以下、オリゴマーの定義：分子量１０００〜３０００）。例えば、ビスフェノールＡ型エポキシオリゴマーやビスフェノールＦ型エポキシオリゴマー、フェノールノボラック型エポキシオリゴマー、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、アルキルグリシジルエーテル、３，４−エポキシシクロヘキセニルメチル-３'，４'−エポキシシクロヘキセンカルボキシレート、ε−カプロラクトン変性３，４−エポキシシクロヘキシルメチル３'，４'−エポキシシクロヘキサンカルボキレートなどがあり、これらが単独もしくは複数組み合わされて用いられる。
【００５３】
また、エポキシモノマー／オリゴマーと反応する硬化剤としては、電気絶縁性や接着性に優れ、かつ硬度が高く強靭で耐熱性に優れる硬化被膜を形成するものが良く、透明性に優れ、かつ硬化のばらつきの少ない付加重合型がよい。例えば、３−メチル−１，２， ３，６−テトラヒドロ無水フタル酸、メチル−３，６−エンドメチレン−１，２，３，６ −テトラヒドロ無水フタル酸、１，２，４，５−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、３，３'，４，４'−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物などの酸無水物系硬化剤が好ましい。さらに、酸無水物の反応（開環）を促進する反応促進剤として１，６−ヘキサンジオールなど分子量が大きく揮発しにくいアルコール類を添加することで低温硬化しやすくなる。これらの硬化は６０〜１００℃の範囲の加熱で行われ、その硬化被膜はエステル結合を持つ高分子となる。
更に、酸無水の開環を促進する硬化促進剤として、芳香続アミンやアルコール類、アミノフェノールなどの比較的分子量の高いものを添加することで、低温かつ短時間での硬化が可能となる。
硬化時間を短縮するためによく用いられるカチオン放出タイプの光重合開始剤は、着色や急激な硬化収縮を発生するため好ましくないが、ガスバリア層３０との密着性を向上させるシランカップリング剤や、イソシアネート化合物等の補水剤、硬化時の収縮を防ぐ微粒子などの添加剤が混入されていてもよい。
【００５４】
これらの原料毎の粘度は、１０００ｍＰａ・ｓ（室温：２５℃）以上が好ましい。塗布直後に発光層６０ へ浸透して、ダークスポットと呼ばれる非発光領域を発生させないためである。また、これらの原料を混合した緩衝層形成材料の粘度としては、５００ｍＰａ・ｓ〜２０ ０００ｍＰａ・ｓ、特に２０００ｍＰａ・ｓ〜１００００ｍＰａ・ｓ（室温）が好ましい。
【００５５】
また、緩衝層２１０の膜厚としては、２μｍ〜１０μｍが好ましい。緩衝層２１０の膜厚が２μｍ以上であれば、陰極５０と保護層５２を足し合わせた膜厚より厚いため、保護層５２により生じる段差を平坦化でき、さらに、異物が混入した場合であってもガスバリア層３０の欠陥発生を防止することができるからである。
また、硬化後の特性としては、緩衝層２１０の弾性率が１ＧＰａ〜１０ＧＰａであることが好ましい。１０ＧＰａ以上では、有機隔壁層２２１上を平坦化した際の応力を吸収することができず、１ＧＰａ以下では耐摩耗性や耐熱性等が不足するためである。
【００５６】
更に、緩衝層２１０の上層部には、図２〜図４に示すように、発光層６０及び有機隔壁層２２１、陰極５０を覆い、かつ封止層の中でも比較的に耐水性に欠ける有機隔壁層２２ １及び保護層５２の終端部まで覆うような広い範囲、もしくは保護層５２と同範囲に、ガスバリア層３０が形成されている。
ガスバリア層３０は、酸素や水分が浸入するのを防止するためのもので、これにより酸素や水分による陰極５０や発光層６０の劣化等を抑えることができる。ガスバリア層３０は、透明性、ガスバリア性、耐水性を考慮して、好ましくは窒素を含む珪素化合物、すなわち珪素窒化物や珪素酸窒化物などによって形成される。
ガスバリア層３０の成膜法としては、水蒸気などのガスを遮断するため緻密で欠陥の無い被膜にする必要があり、好適には低温で緻密な膜を形成できる高密度プラズマ成膜法を用いて形成する。
ガスバリア層３０は、保護層５２と同一の弾性率を有する材料で形成してもよい。また、ガスバリア層３０の膜厚は、２００ｎｍ〜６００ｎｍ程度が好ましい。２００ｎｍ未満であると、異物に対する被覆性が不足し部分的に貫通孔が形成されてしまい、ガスバリア性が損なわれてしまうおそれがあるからであり、６００ｎｍを越えると、応力による割れが生じてしまうおそれがあるからである。
【００５７】
更に、ガスバリア層３０としては、積層構造としてもよいし、その組成を不均一にして特にその酸素濃度が連続的に、あるいは非連続的に変化するような構成としてもよい。
また、本実施形態ではトップエミッション型としていることから、ガスバリア層３０は透光性を有する必要があり、したがってその材質や膜厚を適宜に調整することにより、本実施形態では可視光領域における光線透過率を例えば８０％以上にしている。
【００５８】
ここで、緩衝層２１０の端部の構造について図５を参照して説明する。図５は緩衝層の端部を示す拡大図である。とりわけ、保護層５２との接触角について説明する。
緩衝層２１０は、保護層５２上に形成され、その端部において保護層５２の表面と接触角αで接触している。ここで、接触角αは４５°以下であり、より好ましくは、１°〜２０°程度以下であることが好ましい。
これにより、緩衝層２１０の上層に形成されるガスバリア層３０は、その端部に急激な形状変化がなく、なだらかに形状が変化するので、緩衝層２１０の端部での応力集中によるクラック等の欠陥の発生が防止される。したがって、長期間に渡り、封止能力を維持することが可能となる。
【００５９】
図３および図４ に戻り、ガスバリア層３０の上層部には、接着層２０５と表面保護基板２０６が設けられる。
接着層２０５は、ガスバリア層３０上に表面保護基板２０６を固定させ、かつ外部からの機械的衝撃に対して緩衝機能を有し、有機機能層１１０やガスバリア層３０を保護するものである。接着層２０５は、例えばウレタン系、アクリル系、エポキシ系、ポリオレフィン系などの樹脂で、表面保護基板２０６より柔軟でガラス転移点の低い材料からなる接着剤によって形成されたものである。また、透明樹脂材料が好ましい。また、低温で硬化させるため硬化剤を添加する２液混合型の材料によって形成されたものでもよい。
なお、このような接着層２０５には、シランカップリング剤またはアルコキシシランを添加しておくのが好ましく、このようにすれば、形成される接着層２０５とガスバリア層３０との密着性がより良好になり、したがって機械的衝撃に対する緩衝機能が高くなる。
また、特にガスバリア層３０が珪素化合物で形成されている場合などでは、シランカップリング剤やアルコキシシランによってこのガスバリア層３０との密着性を向上させることができ、したがってガスバリア層３０のガスバリア性を高めることができる。
【００６０】
表面保護基板２０６は、接着層２０５上に設けられて、耐圧性や耐摩耗性、外部光反射防止性、ガスバリア性、紫外線遮断性などの機能の少なくとも一つを有してなる層である。
表面保護基板２０６の材質は、ガラス、ＤＬＣ（ダイアモンドライクカーボン）層、透明プラスチック、透明プラスチックフィルムが採用される。ここで、プラスチック材料としては、例えば、ＰＥＴ、アクリル、ポリカーボネート、ポリオレフィン等が採用される。
更に、当該表面保護基板２０６には、紫外線遮断／吸収層や光反射防止層、放熱層、レンズ、色波長変換層やミラー等の光学構造が設けられていてもよい。また、カラーフィルター機能を設けてもよい。
なお、ＥＬ表示装置１はトップエミッション型であるため、表面保護基板２０６、接着層２０５を共に透光性のものにする必要があるが、ボトムエミッション型とする場合にはその必要はない。
【００６１】
次に、本実施形態に係るＥＬ表示装置１の製造方法の一例を、図６及び図７を参照して説明する。図６及び図７に示す各断面図は、図２中のＡ−Ｂ線の断面図に対応した図である。
なお、本実施形態においては、発光装置としてのＥＬ表示装置１がトップエミッション型である場合であり、また、基板２０の表面に回路部１１を形成させる工程については、公知の技術を用いることができるので説明を省略する。
【００６２】
まず、図６（ａ）に示すように、表面に回路部１１が形成された基板２０の全面を覆うように、画素電極２３となる導電膜を形成し、更に、この透明導電膜をパターニングすることにより、第二層間絶縁膜２８４のコンタクトホール２３ａを介してドレイン電極２４４と導通する画素電極２３を形成すると同時に、ダミー領域のダミーパターン２６も形成する。
なお、図３および図４では、これら画素電極２３、ダミーパターン２６を総称して画素電極２３としている。ダミーパターン２６は、第二層間絶縁膜２８４を介して下層のメタル配線へ接続しない構成とされる。すなわち、ダミーパターン２６は、島状に配置され、実表示領域４に形成されている画素電極２３の形状とほぼ同一の形状を有する。もちろん、実表示領域４に形成されている画素電極２３の形状と異なる構造であってもよい。
【００６３】
次いで、図６（ｂ）に示すように、画素電極２３、ダミーパターン２６上、および第二層間絶縁膜２８４上に絶縁層である親液性制御層２５を形成する。なお、画素電極２３においては一部が開口する態様にて親液性制御層２５を形成し、開口部２５ａ（図３参照）において画素電極２３からの正孔移動が可能とされている。逆に、開口部２５ａを設けないダミーパターン２６においては、絶縁層（親液性制御層）２５が正孔移動遮蔽層となって正孔移動が生じないものとされている。続いて、親液性制御層２５において、異なる２つの画素電極２３の間に位置して形成された凹状部に不図示のＢＭ（ブラックマトリックス）を形成する。具体的には、親液性制御層２５の凹状部に対して、金属クロムを用いスパッタリング法にて成膜する。
【００６４】
そして、図６（ｃ）に示すように、親液性制御層２５の所定位置、詳しくは上述したＢＭを覆うように有機隔壁層２２１を形成する。
具体的な有機隔壁層２２１の形成方法としては、例えばアクリル系、イミド系材料などのレジストを溶媒に溶解したものを、スピンコート法、ディップコート法などの各種塗布法により塗布して有機樹脂層を形成する。なお、有機樹脂層の構成材料は、後述するインクの溶媒に溶解せず、しかもエッチングなどによってパターニングし易いものであればどのようなものでもよい。
【００６５】
更に、有機樹脂層をフォトリソグラフィ技術、エッチング技術を用いてパターニングし、有機樹脂層に開口部２２１ａを形成することにより、開口部２２１ａに壁面を有した有機隔壁層２２１を形成する。ここで、開口部２２１ａを形成する壁面について、基体２００ 表面に対する角度を１１０度以上から１７０度以下となるように形成する。
【００６６】
次いで、有機隔壁層２２１の表面に、親液性を示す領域と、撥液性を示す領域とを形成する。本実施形態においては、プラズマ処理によって各領域を形成する。具体的には、プラズマ処理を、予備加熱工程と、有機隔壁層２２１の上面および開口部２２１ａの壁面ならびに画素電極２３の電極面２３ｃ、親液性制御層２５の上面をそれぞれ親液性にする親インク化工程と、有機隔壁層２２１の上面および開口部２２１ａの壁面を撥液性にする撥インク化工程と、冷却工程とで構成する。
【００６７】
次いで、正孔輸送層形成工程によって正孔輸送層７０の形成を行う。この正孔輸送層形成工程では、例えばインクジェット法等の液滴吐出法や、スピンコート法などにより、正孔輸送層材料を電極面２３ｃ上に塗布し、その後、乾燥処理および熱処理を行い、電極２３上に正孔輸送層７０を形成する。
【００６８】
次いで、発光層形成工程によって発光層６０の形成を行う。この発光層形成工程では、例えばインクジェット法により、発光層形成材料を正孔輸送層７０上に吐出し、その後、乾燥処理および熱処理を行うことにより、有機隔壁層２２１に形成された開口部２２１ａ内に発光層６０を形成する。この発光層形成工程では、正孔輸送層７０の再溶解を防止するため、発光層形成材料に用いる溶媒として、正孔輸送層７０に対して不溶な無極性溶媒を用いる。
【００６９】
次いで、図６（ｄ）に示すように、陰極層形成工程によって陰極５０の形成を行う。この陰極層形成工程では、例えば蒸着法によるマグネシウム−銀の共蒸着層と、イオンプレーティング法等の物理気相成長法によりＩＴＯを成膜した、積層層を陰極５０とする。このとき、この陰極５０については、発光層６０と有機隔壁層２２１の上面を覆うのはもちろん、有機隔壁層２２１の外側部を形成する壁面についてもこれを覆った状態となるように形成する。
【００７０】
次に、図７（ａ）に示すように、陰極５０上に、保護層５２を形成する。
例えば、珪素酸化物などの窒素を含む珪素化合物などの無機化合物を、ＥＣＲスパッタ法やイオンプレーティング法等の高密度プラズマ成膜法により、５０ｎｍ〜４００ｎｍ程度の膜厚に成膜する。
【００７１】
次に、図７（ｂ）に示すように、緩衝層２１０をスクリーン印刷法により、保護層５２上に塗布する。この際、気泡を原因とする膜欠陥を発生させないよう１００Ｐａ〜１００００Ｐａ範囲の減圧雰囲気下で塗布する。
【００７２】
スクリーン印刷法は、減圧雰囲気下で塗布が可能な方法であるため、比較的中〜高粘度の塗布液の使用を得意とする方式である。特に、スクリーン印刷法は、スキージの加圧移動により塗出制御が簡便で、スクリーンメッシュの使用により膜厚均一性およびパターニング性に優れる、という利点を有している。
【００７３】
図７（ｃ）に示すように、緩衝層２１０を覆って、ガスバリア層３０を形成する。ガスバリア層３０は、減圧下の高密度プラズマ成膜法等により形成される、主に珪素窒化物又は珪素酸窒化物からなる透明な薄膜が好ましい。また、小さな分子の水蒸気を完全に遮断するため緻密性を持たせており、若干の圧縮応力を持つことが好ましい。好ましい膜密度は、２．３／ｃｍ3以上、であることが好ましく、膜厚は２００ｎｍ〜６００ｎｍが好適である。
【００７４】
なお、ガスバリア層３０の具体的な形成方法としては、先にスパッタリング法やイオンプレーティング法等の物理気相成長法で成膜を行い、次いで、プラズマＣＶＤ法等の化学気相成長法で成膜を行ってもよい。スパッタリング法やイオンプレーティング法等の物理気相成長法は、有害な原料ガスを使わずに一般に異質な基板表面に対しても比較的密着性の良い緻密な膜が得られ、一方、化学気相成長法では、成膜速度が速く、応力が少なくステップカバーレッジ性に優れた欠陥が少なく緻密で良好な膜質のものが得られる。これらの方法は、量産性を考慮して適時選択できる。
また、ガスバリア層３０の形成については、上述したように同一の材料によって単層で形成してもよく、また異なる材料で複数の層に積層して形成してもよく、さらには、単層で形成するものの、その組成を膜厚方向で連続的あるいは非連続的に変化させるようにして形成してもよい。
【００７５】
次いで、ガスバリア層３０上に接着層２０５と表面保護基板２０６を設ける（図３、図４参照）。接着層２０５は、スクリーン印刷法やスリットコート法などによりガスバリア層３０上に略均一に塗布され、その上に表面保護基板２０６が貼り合わされる。
表面保護基板２０６が耐圧性や耐摩耗性、光反射防止性、ガスバリア性、紫外線遮断性などの機能を有していることにより、有機機能層１１０や陰極５０、さらにはガスバリア層３０もこの表面保護基板２０６によって保護することができ、したがって発光素子の長寿命化を図ることができる。
また、接着層２０５が機械的衝撃に対して緩衝機能を発揮するので、外部から機械的衝撃が加わった場合に、ガスバリア層３０やこの内側の発光素子への機械的衝撃を緩和し、この機械的衝撃による発光素子の機能劣化を防止することができる。
以上のようにして、ＥＬ表示装置１が形成される。
【００７６】
［第二実施形態］
以下、本発明の第二実施形態に係るＥＬ表示装置２および３について説明する。なお、本実施形態においては、第一実施形態と同一構成には同一符号を付して詳細な説明は省略する。
図８（ａ）は、ＥＬ表示装置２および３を互いに隣り合うように形成した概略平面図である。図８（ｂ）は、図８（ａ）におけるＥＬ表示装置２とＥＬ表示装置３との境界部を示すＥ−Ｆ断面の概略断面図である。
【００７７】
図８（ｂ）に示すように、ＥＬ表示装置２および３は、共通基板２１上に互いに隣り合うように形成されており、保護層５２、緩衝層２１０およびガスバリア層３０が、ＥＬ表示装置２および３に共通して形成されている。すなわち、陰極５０と陰極用配線２０２との接続部で発生している凹状の段差を覆う緩衝層２１０ｂがＥＬ表示装置２および３の間に跨って形成されている。
【００７８】
また、緩衝層２１０の下層の保護層５２と、緩衝層２１０の上層のガスバリア層３０も緩衝層２１０ｂと同様に、隣り合うＥＬ表示装置間に跨って形成される。緩衝層２１０ｂを隣り合うＥＬ表示装置が有するそれぞれの段差部に跨って形成することで、緩衝層２１０ｂのパターン精度を緩和することができる。なお、緩衝層２１０ｂ、保護層５２およびガスバリア層を隣り合うＥＬ表示装置間に跨って形成すること以外は第一の実施形態と同様の構成および材料を採用している。これにより、緩衝層２１０形成による不良を防止し、発光特性や発光寿命の低下を防止したＥＬ表示装置を得ることが可能となる。
【００７９】
さらに、上述したＥＬ表示装置の第一および第二実施形態において、緩衝層２１０は、基体２００上に設けられた有機隔壁層２２１により発生する凸状の段差を覆う緩衝層２１０ａと、陰極５０と陰極用配線２０２との接続部５０ｂにおいて第二層間絶縁膜２８４に発生する凹状の段差を覆う緩衝層２０１ｂについて述べたが、これに限定されない。図９のように、有機隔壁層２２１の外側の基体２００の外周部に、例えば電源線１０３や駆動電圧導通部３１０や駆動制御信号導通部３２０などの配線を設けた場合において、該配線に起因して第二層間絶縁膜２８４に発生する凸状の段差を緩衝層２１０ｃが覆うように形成してもよい。このようにすれば、配線に起因した凸状の段差を緩衝層２１０ｃが覆うので、緩衝層２１０により段差面が略平坦化されて緩衝層２１０上に形成される硬い被膜からなるガスバリア層３０が平坦化されるので、応力が集中する部位がなくなり、これにより、ガスバリア層３０へのクラックの発生を防止することができる。
【００８０】
なお、上述したＥＬ表示装置の実施形態では、トップエミッション型を例にして説明したが、本発明はこれに限定されることなく、ボトムエミッション型にも、また両側に発光光を出射するタイプのものにも適用可能である。
【００８１】
また、ボトムエミッション型、あるいは両側に発光を出射するタイプのものとした場合、基体２００に形成するスイッチング用ＴＦＴ１１２や駆動用ＴＦＴ１２３については、発光素子の直下ではなく、有機隔壁層２２１の直下に形成し、開口率を高めるのが好ましい。
また、実施形態では、第一電極を陽極２３として機能させ、第二電極を陰極５０として機能させたが、これらを逆にして第一電極を陰極、第二電極を陽極として、それぞれ機能させるように構成しても良い。ただし、その場合には、発光層６０と正孔輸送層７０との形成位置を入れ換えるようにする必要がある。
【００８２】
次に、本実施形態の電子機器について図１０を参照して説明する。
電子機器は、上述したＥＬ表示装置１を表示部として有したものであり、具体的には図１０に示すものが挙げられる。
図１０（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１０（ａ）において、携帯図電話１０００は、上述したＥＬ表示装置１を用いた表示部１００１を備える。
図１０（ｂ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１０（ｂ）において、時計（電子機器）１１００は、上述したＥＬ表示装置１を用いた表示部１１０１を備える。
図１０（ｃ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１０（ｃ）において、情報処理装置１２００は、キーボードなどの入力部１２００、上述したＥＬ表示装置１を用いた表示部１２０６、情報処理装置本体（筐体）１２０４を備える。
図１０（ｄ）は、薄型大画面テレビの一例を示した斜視図である。図１０（ｄ）において、薄型大画面テレビ１３００は、薄型大画面テレビ本体（筐体）１３０２、スピーカーなどの音声出力部１３０４、上述したＥＬ表示装置１を用いた表示部１３０６を備える。
【００８３】
図１０（ａ）〜（ｄ）に示すそれぞれの電子機器は、上述したＥＬ表示装置１を有した表示部１００１，１１０１，１２０６，１３０６を備えているので、表示部の長寿命化が図られたものとなる。
また、図１０（ｄ）に示す薄型大画面テレビ１３００は、面積に関係なく表示部を封止できる本発明を適用したので、従来と比較して大面積（例えば対角２０インチ以上）の表示部１３０６を備えるものとなる。
【００８４】
また、ＥＬ表示装置１を表示部として備える場合に限らず、発光部として備える電子機器であってもよい。例えば、ＥＬ表示装置１を露光ヘッド（ラインヘッド）として備えるページプリンター（画像形成装置）や、ＥＬ表示装置１を発光部として備える照明装置であってもよい。
【符号の説明】
【００８５】
１…ＥＬ表示装置（発光装置）、２３…画素電極（第一電極）、３０…ガスバリア層、５０…陰極（第二電極）、５２…保護層、６０…発光層、１１０…有機機能層、２００…基体、２１０…緩衝層、２２１…有機隔壁層（隔壁）、２２１ａ…開口部、１０００…携帯電話（電子機器）、１１００…時計（電子機器）、１２００…情報処理装置（電子機器）、１３００…薄型大画面テレビ（電子機器）、１００１，１１０１，１２０６，１３０６…表示部（発光装置）。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上に、
第１の配線と、
第一電極と、
前記第一電極に対応する開口を有する隔壁と、
前記第一電極上に設けられた有機機能層と、
前記隔壁および前記有機機能層上に設けられた第二電極と、
前記第二電極と前記第１の配線とを電気的に接続する接続部と、
前記第二電極上に設けられた緩衝層と、
前記緩衝層上に設けられたガスバリア層と、を備え、
前記第二電極は、前記隔壁を覆う第１の領域と、前記接続部に設けられた第２の領域と、を有し、
前記緩衝層は、前記第１の領域を覆う第１の緩衝層と、前記第２の領域を覆う第２の緩衝層と、を有し、
前記第１の緩衝層と前記第２の緩衝層とは互いに接触していないことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
基体上には、第２の配線が設けられ、
平面視において、前記第２の配線上には第３の緩衝層が設けられており、
前記第１の緩衝層、前記第２の緩衝層および前記第３の緩衝層とは互いに接触していないことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第２の配線は、前記第一電極、前記有機機能層および前記陰極を有する発光素子を駆動制御するための配線であることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記緩衝層が有機材料からなり、前記ガスバリア層は絶縁性の無機化合物からなることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記第二電極と前記ガスバリア層の間に、前記第二電極を覆う保護層を有することを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記保護層が絶縁性の無機化合物からなることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記緩衝層の膜厚は、前記第二電極の膜厚と前記保護層の膜厚とを合計した膜厚よりも厚いことを特徴とする請求項５または請求項６に記載の電気光学装置。
【請求項８】
第１の基板上に、第１の配線と、第一電極と、前記第一電極に対応する開口を有する隔壁と、前記第一電極上に設けられた有機機能層と、前記隔壁および前記有機機能層上に設けられた第二電極と、を有する電気光学装置の製造方法であって、
前記第二電極と前記第１の配線とを電気的に接続する接続部を形成する工程と、
前記第二電極上に設けられた緩衝層を形成する工程と、
前記緩衝層上に設けられたガスバリア層を形成する工程と、を有し、
前記第二電極は、前記隔壁を覆う第１の領域と、前記接続部に設けられた第２の領域と、を有し、
前記緩衝層は、前記第１の領域を覆う第１の緩衝層と、前記第２の領域を覆う第２の緩衝層と、を有し、
前記緩衝層を形成する工程は、前記第１の緩衝層と前記第２の緩衝層とが互いに接触しないように形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１の基板上には、前記電気光学装置が複数形成されており、
前記緩衝層を形成する工程は、前記第１の基板上において、前記第２の緩衝層を隣り合うそれぞれの前記電気光学装置の前記接続部に跨って共通して形成することを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項１】
基体上に、
第１の配線と、
第一電極と、
前記第一電極に対応する開口を有する隔壁と、
前記第一電極上に設けられた有機機能層と、
前記隔壁および前記有機機能層上に設けられた第二電極と、
前記第二電極と前記第１の配線とを電気的に接続する接続部と、
前記第二電極上に設けられた緩衝層と、
前記緩衝層上に設けられたガスバリア層と、を備え、
前記第二電極は、前記隔壁を覆う第１の領域と、前記接続部に設けられた第２の領域と、を有し、
前記緩衝層は、前記第１の領域を覆う第１の緩衝層と、前記第２の領域を覆う第２の緩衝層と、を有し、
前記第１の緩衝層と前記第２の緩衝層とは互いに接触していないことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
基体上には、第２の配線が設けられ、
平面視において、前記第２の配線上には第３の緩衝層が設けられており、
前記第１の緩衝層、前記第２の緩衝層および前記第３の緩衝層とは互いに接触していないことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第２の配線は、前記第一電極、前記有機機能層および前記陰極を有する発光素子を駆動制御するための配線であることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記緩衝層が有機材料からなり、前記ガスバリア層は絶縁性の無機化合物からなることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記第二電極と前記ガスバリア層の間に、前記第二電極を覆う保護層を有することを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記保護層が絶縁性の無機化合物からなることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記緩衝層の膜厚は、前記第二電極の膜厚と前記保護層の膜厚とを合計した膜厚よりも厚いことを特徴とする請求項５または請求項６に記載の電気光学装置。
【請求項８】
第１の基板上に、第１の配線と、第一電極と、前記第一電極に対応する開口を有する隔壁と、前記第一電極上に設けられた有機機能層と、前記隔壁および前記有機機能層上に設けられた第二電極と、を有する電気光学装置の製造方法であって、
前記第二電極と前記第１の配線とを電気的に接続する接続部を形成する工程と、
前記第二電極上に設けられた緩衝層を形成する工程と、
前記緩衝層上に設けられたガスバリア層を形成する工程と、を有し、
前記第二電極は、前記隔壁を覆う第１の領域と、前記接続部に設けられた第２の領域と、を有し、
前記緩衝層は、前記第１の領域を覆う第１の緩衝層と、前記第２の領域を覆う第２の緩衝層と、を有し、
前記緩衝層を形成する工程は、前記第１の緩衝層と前記第２の緩衝層とが互いに接触しないように形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１の基板上には、前記電気光学装置が複数形成されており、
前記緩衝層を形成する工程は、前記第１の基板上において、前記第２の緩衝層を隣り合うそれぞれの前記電気光学装置の前記接続部に跨って共通して形成することを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２０１２−１５５９８７（Ｐ２０１２−１５５９８７Ａ）
【公開日】平成２４年８月１６日（２０１２．８．１６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１３７４８（Ｐ２０１１−１３７４８）
【出願日】平成２３年１月２６日（２０１１．１．２６）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年８月１６日（２０１２．８．１６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１月２６日（２０１１．１．２６）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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