【課題】特殊な工程を用いることなく高歩留かつ安価に薄型の半導体装置を提供する。
【解決手段】少なくとも第１導電型を有する半導体基板を用意し、前記半導体基板の主面側に第２導電型を有する拡散領域と該拡散領域に隣接する第１の主電極とを形成する工程と、前記半導体基板を前記半導体基板の裏面側から研削して薄厚化する工程と、薄厚化された前記半導体基板の裏面側に前記第１導電型または前記第２導電型を有する不純物をイオン注入する工程と、前記第１の主電極を構成する材料の融点以下の温度によって前記第１導電型または前記第２導電型を有する不純物を活性化する工程と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物半導体を用いて形成され、優れた特性を有する半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体素子が、電子を多数キャリアとするように構成されてなる第１半導体層の一方主面上に、それぞれが電気的に接続されてなる複数の単位アノード部、を有するアノード部と、それぞれが電気的に接続されてなる複数の単位カソード電極、を有するカソード部と、を備え、複数の単位アノード部のそれぞれと複数の単位カソード電極のそれぞれとが交互に配置された電極列が形成されてなり、複数の単位アノード部のそれぞれと第１半導体層との接合部がそれぞれ第１と第２の接合部からなり、第１接合部は、第１半導体層と接続する単位アノード部部分が正孔が多数キャリアの第２半導体層であるＰ−Ｎ接合部であり、第２接合部は、第１半導体層と接続する単位アノード部部分が金属によって構成されたショットキー接合部である、ようにした。 （もっと読む）

【課題】 発熱による半導体基板の温度上昇の影響を受けにくい構造で、ダイオードにおけるスイッチング損失の低減を実現することが可能な技術を開示する。
【解決手段】 本明細書で開示するダイオードは、カソード電極と、第１導電型の半導体からなるカソード領域と、低濃度の第１導電型の半導体からなるドリフト領域と、第２導電型の半導体からなるアノード領域と、アノード電極を備えている。そのダイオードは、前記ドリフト領域と前記アノード領域の間に形成された、前記ドリフト領域よりも濃度が高い第１導電型の半導体からなるバリア領域を備えている。そのダイオードでは、前記バリア領域が、外部の整流素子を介して、前記アノード電極と電気的に接続している。そのダイオードでは、前記整流素子の順方向電圧降下が、前記アノード領域と前記バリア領域の間のｐｎ接合のビルトイン電圧よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物半導体を用いて形成され、優れた特性を有する半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体素子が、ワイドバンドギャップ材料を用いて電子を多数キャリアとするように構成されてなる第１半導体層の一方主面上に、それぞれが電気的に接続されてなる複数の単位アノード部、を有するアノード部と、それぞれが電気的に接続されてなる複数の単位カソード電極、を有するカソード部と、を備え、複数の単位アノード部のそれぞれと複数の単位カソード電極のそれぞれとが交互に配置された電極列が形成されてなり、複数の単位アノード部のそれぞれの、少なくとも第１半導体層と接合する部分が、所定の半導体材料を用いて正孔を多数キャリアとするように構成されてなる第２半導体層であり、第１半導体層と第２半導体層との接合部においてはＰ−Ｎ接合が形成されてなる、ようにした。 （もっと読む）

【課題】 製造時に品質のバラつきを生じにくい構造で、ダイオードにおけるスイッチング損失の低減を実現することが可能な技術を開示する。
【解決手段】 本明細書で開示するダイオードは、カソード電極と、第１導電型の半導体からなるカソード領域と、低濃度の第１導電型の半導体からなるドリフト領域と、第２導電型の半導体からなるアノード領域と、アノード電極を備えている。そのダイオードは、前記ドリフト領域と前記アノード領域の間に形成された、前記ドリフト領域よりも濃度が高い第１導電型の半導体からなるバリア領域と、前記バリア領域と前記アノード電極を電気的に接続するように形成された、前記バリア領域よりもバンドギャップが小さい半導体からなるヘテロ半導体領域を備えている。そのダイオードでは、前記ヘテロ半導体領域と前記バリア領域がヘテロ接合している。 （もっと読む）

【課題】キャリア捕獲中心の少ないＳｉＣ半導体素子を提供する。
【解決手段】ｎ型またはｐ型のＳｉＣ基板１１と、ｎ型またはｐ型の少なくとも１つのＳｉＣエピタキシャル層１２、あるいはｎ型またはｐ型の少なくとも１つのイオン注入層１４と、を有し、ｐｎ接合界面付近および伝導度変調層（ベース層）内を除いた、ＳｉＣ基板表面付近、ＳｉＣ基板とＳｉＣエピタキシャル層との界面付近、およびＳｉＣエピタキシャル層の表面付近のうち少なくとも１つの領域１００に、炭素注入層、珪素注入層、水素注入層、またはヘリウム注入層を有し、かつ、炭素原子、珪素原子、水素原子、またはヘリウム原子をイオン注入することで導入した格子間炭素原子をアニーリングにより伝導度変調層内へ拡散させるとともに格子間炭素原子と点欠陥とを結合させることで、電気的に活性な点欠陥が低減された領域を伝導度変調層内に有するＳｉＣバイポーラ型半導体素子。 （もっと読む）

【課題】 ダイオードにおけるスイッチング時の損失を低減することが可能な技術を開示する。
【解決手段】 本明細書で開示するダイオードは、カソード電極と、第１導電型の半導体からなるカソード領域と、低濃度の第１導電型の半導体からなるドリフト領域と、第２導電型の半導体からなるアノード領域と、金属からなるアノード電極を備えている。そのダイオードは、前記ドリフト領域と前記アノード領域の間に形成された、前記ドリフト領域よりも濃度が高い第１導電型の半導体からなるバリア領域と、前記バリア領域と前記アノード電極を接続するように形成された、前記バリア領域よりも濃度が高い第１導電型の半導体からなるピラー領域を備えている。そのダイオードでは、前記ピラー領域と前記アノード電極がショットキー接合している。 （もっと読む）

【課題】エネルギー変換素子並びにその製造及び動作方法を提供する。
【解決手段】エネルギー変換素子並びにその製造及び動作方法に係り、該エネルギー変換素子は、複数のドーピング領域を含むモノリシック単結晶シリコン層、単結晶シリコン層に内在し、複数のドーピング領域のうち１つのドーピング領域３０にのみ連結された振動体３２、３４、振動体３２、３４に印加される入力信号が経由するＰＮ接合ダイオード（第１ダイオード）、及び振動体３２、３４から出力される信号が経由するＰＮ接合ダイオード（第２ダイオード）を含み、単結晶シリコン層は、内部に密閉された空間６０を含み、振動体３２、３４は、空間６０に備えられてもよい。 （もっと読む）

【課題】深い不純物拡散層の形成が容易な誘電体分離基板および半導体装置を提供する。
【解決手段】誘電体分離基板１０では、半導体基板１１に第１の厚さｔ１を有する絶縁膜１２が設けられている。絶縁膜１２上に第２の厚さｔ２を有する第１導電型の半導体層１３が設けられている。半導体層１３の下部に絶縁膜１２に接して第２導電型の不純物拡散層１４が部分的に設けられている。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリ要素及びこれを含むメモリ素子を提供する。
【解決手段】両電極の間にメモリ層を含み、該メモリ層は複数層構造を持つ不揮発性メモリ要素である。メモリ層は、ベース層及びイオン種交換層を含み、これらの間のイオン種の移動による抵抗変化特性を持つ。イオン種交換層は、少なくとも２つの層を含む複数層構造を持つ。不揮発性メモリ要素は、複数層構造のイオン種交換層によりマルチビットメモリ特性を持つ。ベース層は酸素供給層であり、イオン種交換層は酸素交換層である。 （もっと読む）