【課題】酸化物半導体を用いた整流特性の良い非線形素子（例えば、ダイオード）を提供
する。
【解決手段】水素濃度が５×１０^１９／ｃｍ^３以下である酸化物半導体を有する薄膜トラ
ンジスタにおいて、酸化物半導体に接するソース電極の仕事関数φｍｓと、酸化物半導体
に接するドレイン電極の仕事関数φｍｄと、酸化物半導体の電子親和力χが、φｍｓ≦χ
＜φｍｄの関係になるように構成する。また、薄膜トランジスタのゲート電極とドレイン
電極を電気的に接続することで、さらに整流特性の良い非線形素子を実現することができ
る。 （もっと読む）

【課題】 電流容量が大きいダイオードを提供する。
【解決手段】 ダイオードであって、半導体基板を有している。半導体基板の一方の表面にアノード電極が形成されている。半導体基板に、前記一方の表面に露出しており、アノード電極と導通しているｐ型のアノード領域と、アノード領域に接しているｎ型のカソード領域が形成されている。前記一方の表面にアノード領域が露出している露出範囲内に、アノード電極とアノード領域が導通しているコンタクト領域と、アノード電極とアノード領域が導通していない非コンタクト領域が存在している。コンタクト領域の面積Ｓｃと非コンタクト領域の面積Ｓｎとの比率Ｓｃ／Ｓｎが、露出範囲の外周部よりも露出範囲の中央部で大きい。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系トランジスタを簡便な構造で適切に保護することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極１１０ｇと保護ダイオード用電極１１５ｐとが互いに接続されている。絶縁膜１１３は、所定値以上の電圧がゲート電極１１０ｇに印加された場合にリーク電流を保護ダイオード用電極１１５ｐと電子走行層１０４及び電子供給層１０３との間に流し、所定値は、ＨＥＭＴがオン動作する電圧より高く、ゲート絶縁膜１０９ｇの耐圧よりも低い。 （もっと読む）

【課題】絶縁トレンチとバリア領域を備えたダイオードにおいて、リカバリ特性を改善すること。
【解決手段】ダイオード１０は、ｐ型のアノード領域２７と、アノード領域２７を貫通している複数の絶縁トレンチ３６と、アノード領域２７よりも深いとともに絶縁トレンチ３６よりも浅い深さに位置するｎ型のバリア領域２６と、バリア領域２６よりも深いとともに絶縁トレンチ３６よりも浅い深さに位置するｐ型の電界緩和領域２５とを備えている。 （もっと読む）

【課題】ワイドバンドギャップ半導体層とメタル電極のコンタクト抵抗を低減することができる半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】まず、シリコンに比べてバンドギャップが大きいIII−Ｖ族化合物半導体又はIV−IV族化合物半導体からなるｐ型窒化ガリウム層１の表面に、３−ヘリウム又は４−ヘリウムのイオンを照射してイオン照射領域２を形成する。イオン照射領域２を形成した後に、ｐ型窒化ガリウム層１の表面にオーミックコンタクトしたメタル電極３を形成する。 （もっと読む）

【課題】絶縁トレンチとバリア領域を備えたダイオードにおいて、素子毎の特性のばらつきが抑えられる技術を提供すること。
【解決手段】縦型ダイオード１０は、ｐ型のアノード領域２８と、アノード領域２８を貫通している複数の絶縁トレンチ３６と、アノード領域２８よりも深いとともに絶縁トレンチ３６よりも浅い深さにピーク濃度を有するｎ型のバリア領域２６を備えている。バリア領域２６とアノード領域２８が離れていることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】塩害に対する信頼性が向上された、半導体素子を被覆する封止材から外部電極が露出する半導体装置を提供する。
【解決手段】アノード電極とカソード電極を有する半導体素子と、半導体素子を被覆する封止材と、カソード電極と電気的に接続され、少なくとも一部が封止材の外部に露出する第１の外部電極と、アノード電極と電気的に接続され、少なくとも一部が封止材の外部に露出する第２の外部電極と、第１の外部電極と直接に接触して、又は第１の外部電極と塩水により電気的に接続され得るようにして封止材の外部に配置された、第１の外部電極を構成するいずれの金属よりもイオン化傾向の大きい金属が含まれる犠牲金属体とを備える。 （もっと読む）

【課題】漏洩電流が少なく、ソフト・ターン・オフに対して最適化された、ダイオードを提供する。
【解決手段】カソード側１３に第一の導電性タイプのドリフト・レイヤ２を有し、アノード側１４に第二の導電性タイプのアノード・レイヤ３を有する。アノード・レイヤ３は、拡散されたアノード接触レイヤ５、及び二重の拡散されたアノード・バッファ・レイヤ４を有している。アノード・バッファ・レイヤ４は、１８μｍから２５μｍまでの深さに配置され、５μｍの深さ付近と、１５μｍの深さ付近で、異なつたドーピング濃度を有することにより、デバイスの良好なソフトネス及び低い漏洩電流特性が可能となつた。従来のアノード・レイヤ・ドーピング濃度は、全ての深さに亘って、低いドーピング濃度を有しているか（高い漏洩電流の原因）、あるいは、高いドーピング濃度を有しているか（悪いソフトネスの原因）であつた。 （もっと読む）

【課題】低電圧化を可能にする。
【解決手段】実施形態は、第１の配線と、その上に積層されたメモリセルと、その上に第１の配線と交差するように形成された第２の配線とを有するセルアレイ層を備え、メモリセルが極性の異なる電気信号が印加されることにより電気的書き換えが可能な可変抵抗素子及び可変抵抗素子に双方向の電流を流す電流制御素子を直列に接続してなる。電流制御素子は、ｉ型半導体とその両側に接する第１及び第２導電型半導体とを有する。第２導電型半導体中の第２の不純物の拡散長は第１導電型半導体中の第１の不純物の拡散長より長く、第１導電型半導体とｉ型半導体との接合部に、第２導電型半導体とｉ型半導体との接合部よりも多くのインパクトイオンを発生させるインパクトイオン化促進部が形成される。 （もっと読む）

【課題】オン抵抗の増大を招くことなく、逆方向耐電圧特性を大きく向上できる半導体ダイオードを提供する。
【解決手段】基板上にｎ型半導体層４，５とｐ型半導体層２，３とが積層されｐｎ接合が形成された半導体積層部の一部がエッチング除去されて、前記ｐ型半導体層の主表面から前記ｎ型半導体層の一部にまで至るメサ構造部１０を有する半導体ダイオードにおいて、前記メサ構造部の主表面と、前記ｐｎ接合の界面が露出した前記メサ構造部の側面と、エッチングされて露出した前記ｎ型半導体層の表面とを被覆して形成された保護絶縁膜８と、前記保護絶縁膜の前記メサ構造部の主表面上の一部に形成された開口から露出した前記ｐ型半導体層２にオーミック接触し、更に、前記メサ構造部の主表面、側面及び前記ｎ型半導体層の表面にまで至る、前記保護絶縁膜上に形成されたアノード電極１０ａと、を備えた半導体ダイオードである。 （もっと読む）