【課題】ＳｉＣ半導体基板の不純物元素を捕捉・固定するためのゲッタリング層の形成を含む半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ基板１０上にＳｉＣエピタキシャル層１６を形成し、該エピタキシャル層１６にイオン注入および熱処理を行なって半導体素子を製造する方法において、上記ＳｉＣ基板１０よりも欠陥密度の高いゲッタリング層１３を形成する工程を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高速・低損失であり、かつソフトなスイッチング特性を有するブロードバッファ構造の半導体装置を、ＦＺバルクウェハーを用いて安価に、かつ制御性および歩留まりよく作製すること。
【解決手段】Ｎ^-型第１半導体層となるＮ^-型ＦＺウェハー１０中に酸素を導入した後、ＦＺウェハー１０の表面にＰ型第２半導体層２およびアノード電極４を形成する。アノード電極４の側からＦＺウェハー１０にプロトンを照射して、ＦＺウェハー１０中に結晶欠陥１２を導入する。熱処理を行って、ＦＺウェハー１０中の結晶欠陥１２を回復させることにより、第１半導体層内の一部のネットドーピング濃度をＦＺウェハー１０の当初のネットドーピング濃度よりも高くし、所望のブロードバッファ構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ製のＪＢＳダイオードにおいて、サージ耐量を低下させることなく、通電劣化現象を抑制することのできる技術を提供する。
【解決手段】アクティブ領域のｎ⁻ドリフト層２内の表面側に、アノード電極４とオーミック接触する複数の第１ｐ領域６と、第１ｐ領域６とは分離され、アノード電極４とショットキー接触する複数の第２領域７とを形成し、アクティブ領域を（１１−２０）面に射影したときに、複数の第１ｐ領域６を＜１−１００＞方向に正孔の拡散長の２倍よりも広い間隔を置いて配置し、＜１−１００＞方向に配置された第１ｐ領域６と第１ｐ領域６との間に第２ｐ領域７を配置する。 （もっと読む）

【課題】透明酸化物膜を用いた半導体デバイスや回路を提供する。
【解決手段】電子キャリア濃度が１０^１５／ｃｍ^３以上、１０^１８／ｃｍ^３未満である、Ｉｎ―Ｚｎ―Ｇａ酸化物、Ｉｎ―Ｚｎ―Ｇａ―Ｍｇ酸化物、Ｉｎ―Ｚｎ酸化物、Ｉｎ―Ｓｎ酸化物、Ｓｎ−Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ酸化物、Ｚｎ―Ｇａ酸化物、及びＩｎ―Ｇａ酸化物のうちのいずれかである非晶質酸化物を、Ｎ型半導体として用いたＮ型ＴＦＴを含む回路を構成要素としており、前記Ｎ型ＴＦＴは、ゲート電圧無印加時のソース−ドレイン端子間の電流が１０マイクロアンペア未満であり、電界効果移動度が１ｃｍ^２／（Ｖ・秒）超であることを特徴とする集積回路。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ基板をｐ型とした結晶品質の良いＳｉＣバイポーラ素子を提供する。
【解決手段】このダイオード素子１によれば、ｐ型のＳｉＣアノード層１２,ｐ型のＳｉＣドリフト層１３とｎ＋型ＳｉＣカソード層１４をｎ型ＳｉＣ基板２１上にエピタキシャル成長により形成してから、ｎ型ＳｉＣ基板２１を除去した。つまり、ｐ型基板に見立てるｐ＋型４Ｈ-ＳｉＣアノード層１２は、エピタキシャル成長により作製するから、バルク成長で作製されるｐ型基板に比べて結晶成長速度が遅く、ｐ型ドーパントであるアルミニウムの濃度を上げても、結晶品質が良くなる。したがって、この結晶品質が良いｐ＋型４Ｈ-ＳｉＣアノード層１２を基板に見立てることができ、ＳｉＣ基板をｐ型とした結晶品質の良いＳｉＣダイオード素子を実現できる。 （もっと読む）

【課題】溝側面の損傷を抑制して、チャネル移動度の低下によるオン抵抗の増大を回避する半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】ドリフト領域１０２に形成された溝１０５に、ドリフト領域１０２よりも熱酸化速度が速い埋め込み材２０１を埋め込み、溝１０５の上部に埋め込まれた埋め込み材２０１を選択的に熱酸化して酸化膜２０２を形成した後この酸化膜２０２を除去して溝１０５の底部に埋め込み材２０１を残し、溝１０５の底部にドリフト領域１０２とは異なる材料からなる異種材領域１０６を形成する。 （もっと読む）

【課題】順方向電圧降下の増大が抑制され、且つ順方向サージ耐量の高い、整流機能を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】互いに対向する第１の主面１１０から第２の主面１２０に向かって延伸し、且つ底部が第２の主面１２０に達しない複数の溝部１５が形成された第１導電型の半導体積層体１０と、それぞれの外縁領域の一部が溝部１５の側面に露出するように半導体積層体１０の第１の主面１１０に互いに離間して埋め込まれた第２導電型の複数のアノード領域２０と、アノード領域２０の形成されていない領域において半導体積層体１０とショットキー接合を形成し、且つアノード領域２０とオーミック接合を形成して、半導体積層体１０の第１の主面１１０に配置されたアノード電極３０と、半導体積層体１０の第２の主面１２０に配置されたカソード電極４０とを備える。 （もっと読む）

【課題】ブートストラップ方式のドライブ回路を有する半導体装置において、ブートストラップダイオードの順バイアス時にｐ^-基板側に流れるホールによるリーク電流を抑制することができる半導体装置を提供することにある。
【解決手段】ブートストラップダイオードＤｂ下にＳＯＮ構造の空洞３を形成し、ブートストラップダイオードＤｂとグランド電位（ＧＮＤ）となるＧＮＤｐ領域４との間のｎ^-エピ層２にその空洞３に達するフローティングｐ領域５を形成することで、外部のブートストラップコンデンサＣ１充電時のｐ^-基板１へのホールによるリーク電流を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の表面に形成されている第１主電極領域と第２主電極領域を隔てている半導体領域によって、第１主電極領域と第２主電極領域の間に大きな電圧が印加されている状態に維持する場合、半導体基板の表面において電界集中が発生し、耐圧が低下しやすい。そこでフィールド絶縁膜の表面に、一端が第１主電極領域に導通しているとともに他端が第２主電極領域に導通している螺旋形状のフィールドプレートを設けて半導体基板表面の電界集中を緩和する。それでも、フィールドプレートの電位分布と半導体基板表面の電位分布が一致しないために、フィールドプレートによる耐圧向上効果が低い。
【解決手段】フィールドプレートを、外端に接近するにつれて線間間隔が拡大する対数螺旋形状に形成する。フィールドプレートの電位分布と半導体基板表面の電位分布がよく一致するので、フィールドプレートによる耐圧向上効果が増大する。 （もっと読む）

【課題】ナノワイヤの成長技術により、先端が平坦な形状のナノオーダの寸法の柱状構造体が、より容易に形成できるようにする。
【解決手段】基板１０１の上に、直径が５ｎｍ以下の粒子径の金属微粒子１０２を形成する。次に、金属微粒子１０２を触媒とした化学的気相成長法により化合物半導体のナノワイヤ１０３を形成する。次に、化学的気相成長法により、化合物半導体からなる半導体層１０４を、ナノワイヤ１０３を覆って形成することで柱状のナノピラー１０５を形成する。半導体層１０４は、ナノワイヤ１０３の側面および上面を覆って柱状に成長する。 （もっと読む）