【課題】経時劣化が少なく、低損失（バリガ性能指数が１．５ＧＷ／ｃｍ²以上）の窒化ガリウム整流素子を提供する。
【解決手段】窒化ガリウム整流素子１は、ｐｎ接合を形成するｐ型窒化ガリウム系半導体層及びｎ型窒化ガリウム系半導体層を備え、前記ｐ型窒化ガリウム系半導体層のキャリアトラップ準位密度が１×１０¹⁸ｃｍ^-3以下、又は前記ｎ型窒化ガリウム系半導体層のキャリアトラップ準位密度が１×１０¹⁶ｃｍ^-3以下である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体装置の耐圧、及び耐圧安定性を高めることができる半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、第１導電型の半導体基板と、該半導体基板に形成された半導体素子と、該半導体基板に、該半導体素子を囲むように、第２導電型の拡散層で形成されたガードリングと、該半導体基板に、該ガードリングを囲むように、該半導体基板の主面より低く形成された低地部分と、該低地部分の内壁に沿って第１導電型の拡散層で形成されたチャネルストッパと、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＰＮ接合容量が小さい保護ダイオード及びこれを備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】
第１領域と当該第１領域を囲う第２領域と当該第２領域を囲う第３領域とを備える半導体基板と、当該第２領域と当該第３領域との間に設けられた第１絶縁層と、当該第３領域に設けられた第１導電型半導体と、当該第２領域に設けられた第２導電型半導体と、当該第１領域に設けられた容量緩和層と、を備えている保護ダイオード。当該保護ダイオードと、これに接続された第１のパッドと、当該容量緩和層を有しない構造の保護ダイオードと、これに接続された第２のパッドと、を備えている半導体装置。 （もっと読む）

【課題】ＩＧＢＴ領域とダイオード領域が混在している半導体装置において、ダイオードのリカバリー損失を低減し、ＩＧＢＴのアバランシェ耐量とダイオードのリカバリー耐量を改善する。
【解決手段】ダイオード領域Ｊ２に形成されているｐ型のアノード層５０の中間深さに、ｎ型の分離層９２を設けて、上部アノード層５０ａと下部アノード層５０ｂに分離する。分離層９２が、アノード層５０からドリフト層６０に向けて過剰な正孔が注入されることを防止し、リカバリー損失が低減する。ＩＧＢＴ領域Ｊ１とダイオード領域Ｊ２における半導体構造が類似し、電流集中が緩和され、アバランシェ耐量とリカバリー耐量が改善される。ダイオード領域に隣接する範囲Ｊ３の半導体基板の表面にｐ型層６２が配置されていることが多いために、分離層９２を挿入することによってｐｎｐｎのサイリスタ構造となってもダイオード動作する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハに厚みばらつきがある前提で、コストアップをすることなく高品質の半導体素子を提供すること。
【解決手段】第１導電型の活性層の下に第１導電型の埋込拡散層を有する半導体基板を準備するステップと、活性層と埋込拡散層の総厚を測定し、測定した総厚から前記活性層の厚さを求めるステップと、活性層に、埋込拡散層との間で電流が流れる第１導電型のコレクタ領域をイオン注入によって形成するステップと、活性層に、埋込拡散層との間で電流が流れる第２導電型のベース領域をイオン注入によって形成するステップと、ベース領域内に、ベース領域との間で電流が流れる第１導電型のエミッタ領域をイオン注入によって形成するステップとを備え、ベース領域を形成するステップは、活性層の厚さに応じてイオン加速エネルギーを変化させるステップであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ダイオードにおけるスイッチング時の損失を低減することが可能な技術を提供する。
【解決手段】 本明細書は、カソード電極と、第１導電型の半導体からなるカソード領域と、低濃度の第１導電型の半導体からなるドリフト領域と、第２導電型の半導体からなるアノード領域と、アノード電極を備えるダイオードを開示する。そのダイオードは、ドリフト領域とアノード領域の間に形成された、ドリフト領域よりも濃度が高い第１導電型の半導体からなるバリア領域と、アノード電極と接触するように形成された、第１導電型の半導体からなるコンタクト領域と、コンタクト領域とバリア領域の間のアノード領域に対して絶縁膜を挟んで対向する制御電極を備えている。そのダイオードでは、制御電極に電圧が印加されると、コンタクト領域とバリア領域の間のアノード領域に第１導電型のチャネルが形成される。 （もっと読む）

【課題】 周辺領域に多くの結晶欠陥を形成することなく、周辺領域の表面領域の下に不純物濃度が高い領域を形成する。
【解決手段】 半導体装置であって、半導体基板が素子領域と周辺領域を有している。素子領域内に、第１導電型を有しており、半導体基板の上面に露出している第１半導体領域が形成されている。周辺領域内に、第２〜第４半導体領域が形成されている。第２半導体領域は、第１導電型を有しており、第１半導体領域よりも第１導電型不純物濃度が低く、半導体基板の上面に露出しており、第１半導体領域と繋がっている。第３半導体領域は、第２導電型を有しており、第２半導体領域に対して下方から接している。第４半導体領域は、第２導電型を有しており、第３半導体領域よりも第２導電型不純物濃度が低く、第３半導体領域に対して下方から接している。第３半導体領域が、エピタキシャル層である。 （もっと読む）

【課題】高いスイッチング速度を有し、電圧降伏耐性を強化したネスト化複合ダイオードを提供する。
【解決手段】ネスト化複合ダイオードの種々の実現を、本明細書に開示する。１つの実現では、ネスト化複合ダイオードが、複合ダイオードに結合されたプライマリ・トランジスタを含む。複合ダイオードは、中間型トランジスタとカスコード接続された低電圧（ＬＶ）ダイオードを含み、中間型トランジスタは、ＬＶダイオードよりは大きく、プライマリ・トランジスタよりは小さい降伏電圧を有する。１つの実現では、プライマリ・トランジスタはIII-V族トランジスタとすることができ、ＬＶダイオードはIV族ＬＶダイオードとすることができる。 （もっと読む）

【課題】ダイオードを有する半導体装置のリカバリ特性を改善すること。
【解決手段】 半導体装置１の半導体基板１０は、アノード電極Ｅ１に接触しているｐ型のアノード領域８と、アノード電極Ｅ１に接触しているｎ型のｎ型領域９を有している。アノード領域８は、不純物濃度が高濃度な高濃度アノード部分領域７と低濃度な低濃度アノード部分領域６と中濃度な中濃度アノード部分領域５を含んでいる。高濃度アノード部分領域７と低濃度アノード部分領域６と中濃度アノード部分領域５は、アノード電極Ｅ１からカソード電極Ｅ２に向けて観測したときにその順で並んでいる。低濃度アノード部分領域６とｎ型領域９が接触している。 （もっと読む）

【課題】種結晶を用いた昇華システムにおいて形成された結晶の欠陥レベルが低く、より大きく、高品質のＳｉＣ単結晶ウェハを製造する方法を提供する。
【解決手段】少なくとも約１００ｍｍの直径と、約２５ｃｍ^−２未満のマイクロパイプ密度とを有し、また、３Ｃ、４Ｈ、６Ｈ、２Ｈおよび１５Ｒポリタイプからなる群から選択されるポリタイプを有するＳｉＣ単結晶ウェハ。なお、マイクロパイプ密度は、表面上にある全マイクロパイプの総数を、ウェハの表面積で割ったものを表す。 （もっと読む）