【課題】静電気放電が印加されたときの熱破壊を抑制すること。
【解決手段】半導体装置１の半導体活性層１６には、ｎ型領域２３とｐ型領域２６とｎ型の埋込み領域３０が形成されている。ｎ型領域２３は、カソード電極Ｋに電気的に接続している。ｐ型領域２６は、アノード電極Ａに電気的に接続している。埋込み領域３０は、半導体活性層１６のうちのｐ型領域２６の裏面側の少なくも一部を含むように形成されており、ｐ型領域２６の裏面に接触しているとともに、不純物濃度が半導体活性層１６の不純物濃度よりも濃い。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の耐圧の低下を抑制する。
【解決手段】 半導体装置５４は、半導体基板５０と、半導体基板の表面上に配置される絶縁膜２０と、絶縁膜の表面上に配置される電極１６，２８と、電極１６，１８に電圧を印加する電圧印加回路４４を有している。半導体基板５０は、セル領域１００と、そのセル領域に隣接する非セル領域２００とを備える。セル領域１００には半導体素子が形成されており、非セル領域２００には耐圧構造が形成されている。絶縁膜２０は、非セル領域の表面に形成されている。電極１６，１８は、半導体基板から電気的に分離されている。電圧印加回路４４は、半導体素子に電圧が印加されていない期間の少なくとも一部において電極１６，１８に電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】特性の低下を抑制しながらノーマリオフ動作を実現することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体装置の一態様には、基板１と、基板１上方に形成された電子走行層３及び電子供給層５と、電子供給層５上方に形成されたゲート電極１１ｇ、ソース電極１１ｓ及びドレイン電極１１ｄと、電子供給層５とゲート電極１１ｇとの間に形成されたｐ型半導体層８と、が含まれている。ｐ型半導体層８に含まれるｐ型不純物として、少なくとも電子走行層３及び電子供給層５のいずれかを構成する元素と同種の元素が用いられている。 （もっと読む）

【課題】非選択メモリセルに流れる逆方向電流を低減させた不揮発性半導体記憶装置を提供することを目的とする。
【解決手段】実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置は、複数のメモリセルを有するメモリセルアレイと、選択第１配線に選択第１配線電圧を供給し、非選択第１配線に非選択第１配線電圧を供給する第１配線制御回路と、アクセス対象となるメモリセルに接続された第２配線である選択第２配線に選択第２配線電圧を供給し、その他の第２配線である非選択第２配線に非選択第２配線電圧を供給する第２配線制御回路とを備え、メモリセルは、第１ダイオードのアノード側に第２配線が接続され、第１ダイオードのカソード側に第１配線が接続され、メモリセルアレイは、第２配線制御回路及びメモリセル間の第２配線に挿入され、第２配線制御回路側をアノード、メモリセル側をカソードとする第２ダイオードを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ホモエピタキシャルＬＥＤ、ＬＤ、光検出器又は電子デバイスを形成するために役立つＧａＮ基板の形成方法の提供。
【解決手段】約１０^４／ｃｍ^２未満の転位密度を有し、傾角粒界が実質的に存在せず、酸素不純物レベルが１０^１９ｃｍ^−３未満の窒化ガリウムからなる単結晶基板上に配設された１以上のエピタキシャル半導体層を含むデバイス。かかる電子デバイスは、発光ダイオード（ＬＥＤ）及びレーザーダイオード（ＬＤ）用途のような照明用途、並びにＧａＮを基材とするトランジスター、整流器、サイリスター及びカスコードスイッチなどのデバイスの形態を有し得る。また、約１０^４／ｃｍ^２未満の転位密度を有し、傾角粒界が実質的に存在せず、酸素不純物レベルが１０^１９ｃｍ^−３未満の窒化ガリウムからなる単結晶基板を形成し、該基板上に１以上の半導体層をホモエピタキシャルに形成する方法及び電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】基板中央部の温度上昇を抑制可能な電力用半導体装置を提供する。
【解決手段】電力用半導体装置１０Ａは半導体基板１００Ａを有し、半導体基板１００Ａの厚さ方向１０３に電流が流れる。半導体基板１００Ａは、上記電流に対する抵抗が半導体基板１００Ａの外周部よりも半導体基板１００Ａの中央部において高くなるように構成された抵抗制御構造を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】ダイオードにおける逆回復時間の短縮を図るとともに、逆バイアス時のリーク電流を低減することを可能とする。
【解決手段】第１導電型の第１の半導体層１１と、第１の半導体層の上層に設けられる第２導電型の第２の半導体層１４と、第２の半導体層の上層に設けられ、第２の半導体層より高濃度の第２導電型の第３の半導体層１５と、第３の半導体層の上層に設けられる第１の電極１６と、第１の半導体層の下層に設けられ、第１の半導体層より高濃度の第２導電型の第４の半導体層１２と、第４の半導体層の下層に設けられる第２の電極１３と、第２の半導体層中で前記第３の半導体層に近接して設けられる局所ライフタイム制御層１７と、第１の半導体層中に選択的に設けられる第２導電型の第５の半導体層１８と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高速回復整流器構造体の装置および方法を提供する。
【解決手段】具体的には構造体は第１のドーパントの基板（１２０）を含む。第１のドーパントが低濃度ドープされた第１のエピタキシャル層（１４０）が基板に結合されている。第１の金属層（１９０）が第１のエピタキシャル層に結合されている。複数のトレンチ（１７５）が第１のエピタキシャル層内に窪んでおり、その各々が金属層と結合している。装置は各々第２のドーパント型がドープされた複数のウェルも含み、各ウェルは対応するトレンチの下に且つ隣接して形成されている。複数の酸化物層（１７０）が対応するトレンチの壁および底部上に形成されている。第１のドーパントがドープされた複数のチャネル領域が、２つの対応するウェル間の第１のエピタキシャル層内に形成されている。複数のチャネル領域（１５０）の各々は第１のエピタキシャル層より高濃度に第１のドーパントがドープされている。 （もっと読む）

【課題】終端領域の耐圧が高い電力用半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る電力用半導体装置は、第１電極と、前記第１電極上に設けられ、その上面におけるセル領域と終端領域との境界を含む領域に終端トレンチが形成された半導体基板と、前記終端トレンチの内面上に設けられた絶縁部材と、を備える。前記半導体基板は、前記第１電極に接続された第１導電形の第１部分と、第１導電形であり、実効的な不純物濃度が前記第１部分の実効的な不純物濃度よりも低い第２部分と、前記セル領域における前記第２部分上に設けられ、前記第２電極に接続された第２導電形の第３部分と、前記第３部分上に選択的に設けられ、前記第２電極に接続された第１導電形の第４部分と、を有する。そして、前記セル領域から前記終端領域に向かう方向において、前記絶縁部材は、前記第３部分と前記第２部分との間に配置されている。 （もっと読む）

【課題】配線を形成したときに電極と配線との密着性を向上できる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の面と、第１の面と反対の第２の面とを有する炭化珪素半導体層１１０が準備される。炭化珪素半導体層１１０の第２の面を部分的に覆う金属層と、炭化珪素半導体層１１０の第２の面を部分的に覆う熱酸化膜１３０とが形成される。金属層を熱処理することにより電極１５０が形成される。金属層を形成する工程は、金属層を熱処理する温度において炭素よりもシリコンとの反応性が高い材料を用いて行われる。電極１５０を形成する工程において電極１５０の表面上に炭素が偏析する。電極１５０の表面および熱酸化膜１３０の表面の両方において、炭素を除去可能なエッチングが行われる。 （もっと読む）