【課題】オン抵抗を増大させることなく、ゲート−ソース間のＥＳＤ耐量を向上させることのできる半導体装置を提供すること。
【解決手段】ポリシリコンゲート層を利用して形成したツェナーダイオードをＥＳＤ耐量を向上させるために、並列接続させる構造を有する半導体装置とするものであって、ストライプ状または矩形状のツェナーダイオードを並列接続させて、それぞれ活性部内部に形成する半導体装置とする。
【選択図】 図３
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【課題】耐圧バラツキを抑制し、歩留りを向上させることが可能となる横型素子を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】横型ＦＷＤなどの横型素子に備えられるＳＲＦＰ２１について、の不純物濃度を１×１０¹⁸ｃｍ^-3以上となるようにする。このように、横型ＦＷＤ７などに備えられるＳＲＦＰ２１について、の不純物濃度を１×１０¹⁸ｃｍ^-3以上とすることにより、耐圧バラツキを抑制することが可能となり、的確に目標とする耐圧を得ることができる製品とすることが可能になる。したがって、製品の歩留りを向上させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮを用いた窒化物半導体装置において、電流が流れる経路に、再結晶成長などによる界面が存在することがない状態で、十分な耐圧が得られるようにする。
【解決手段】ＧａＮからなるチャネル層（第２半導体層）１０１と、チャネル層１０１の一方の面であるＮ極性面に形成された第１障壁層（第１半導体層）１０２と、チャネル層１０１の他方の面であるＩＩＩ族極性面に形成された第２障壁層（第３半導体層）１０３とを備える。第１障壁層１０２および第２障壁層１０３は、例えば、ＡｌＧａＮから構成されている。また、ドレイン電極（第１電極）１０４が、第１障壁層１０２の上に形成され、ゲート電極１０５が、ドレイン電極１０４に対向して第２障壁層１０３の上に形成されている。ソース電極（第２電極）１０６は、ゲート電極１０５と離間して第２障壁層１０３の上に形成されている。 （もっと読む）

【課題】周辺領域で耐圧を確保する構造において、周辺領域に電界を集中させずに耐圧を確保することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】セル領域１にはＭＯＳＦＥＴのソース電極１２が設けられ、周辺領域２においてチャージバランス変化領域２７の周囲に位置すると共に半導体基板６に電気的に接続された最外周電極２１が設けられている。また、周辺領域２には、スーパージャンクション構造の上にＰ型層７が形成され、Ｐ型層７の上に、ソース電極１２と最外周電極２１とを電気的に接続すると共にソース電極１２と最外周電極２１との間の電圧を複数段に分割する電位分割領域２３が設けられている。そして、電位分割領域２３は、その少なくとも一部が、半導体基板６の厚み方向から見て周辺領域２、好ましくはチャージバランス変化領域２７と重なっている。 （もっと読む）

【課題】逆回復損失を低減しつつ、耐圧を向上し、かつサージ電圧を抑制することができる半導体装置を得る。
【解決手段】Ｎ⁻型ドリフト層１の上側にＰ型アノード層２が設けられている。Ｎ⁻型ドリフト層１の下側にＮ^＋型カソード層３が設けられている。Ｎ⁻型ドリフト層１とＰ型アノード層２との間に第１の短ライフタイム層４が設けられている。Ｎ⁻型ドリフト層１とＮ^＋型カソード層３との間に第２の短ライフタイム層５が設けられている。第１及び第２の短ライフタイム層４，５におけるキャリアのライフタイムτ２は、Ｎ⁻型ドリフト層１におけるライフタイムτ１よりも短い（τ２＜τ１）。Ｎ^＋型カソード層３におけるライフタイムτ３は、Ｎ⁻型ドリフト層１におけるライフタイムτ１よりも長い（τ１＜τ３）。 （もっと読む）

【課題】従来の捲回電池は、電池内部の温度の上昇を抑制することが困難であった。電池内部に冷媒を流したパイプ等を設ければ、電池寸法が大きくなる。更には、従来の電池は電池価格に大きな影響を及ぼす負極の量が多く、電池価格の低減を図ることが困難であった。
【解決手段】正極および負極を筒状外装体の軸方向に積層して、正極もしくは負極の一方の電極の外径を外装体の内径より大きくすることにより、正極もしくは負極を外装体に密に接触させることにより、電極の熱伝達の向上を図り、電池の温度上昇を抑制する。更には、負極規制とすることにより高価な水素吸蔵合金の使用量を減らして、電池価格の低減を図る。 （もっと読む）

【課題】一般にショットキー整流器は定格逆電圧での逆漏れが高く、一方ＰＮ構造ダイオードは逆漏れがすくない。両者を並列接続し、低順方向電圧降下を与えると共に、両端で逆サージを保護する。
【解決手段】低逆電圧定格化ＰＮダイオード、および独立集積回路素子におけるＰＮダイオードに電気的に並列接続した高逆電圧定格化ショットキー整流器からなる低順方向電圧降下過渡電圧サプレッサー。 （もっと読む）

【課題】第一の半導体領域の耐圧性能を向上する効果と、該第一の半導体領域とヘテロ接合を形成する第二の半導体領域端部で生じる漏れ電流を防止する効果を両立することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】第一導電型の半導体基体１００と、半導体基体１００とはバンドギャップが異なる半導体材料からなり、半導体基体１００の一主面とヘテロ接合する第二導電型のヘテロ半導体領域３とを有する半導体装置において、へテロ接合面の外周部の半導体基体１００中に設けられる第二導電型の電界緩和領域５と、電界緩和領域５に全体を覆われ、かつへテロ接合面の端部に接し、電界緩和領域５の不純物濃度よりも高濃度である第二導電型のパンチスルー防止領域４とを有し、へテロ半導体領域３とパンチスルー防止領域４がオーミック接続している。 （もっと読む）

【課題】 ｐｎ接合ダイオードにおいて、逆回復時間ｔｒｒを短縮するために半導体基板（ｎ型半導体層およびｐ型半導体層）の全体に電子線を照射しライフタイムキラーを形成すると、リーク電流が増加し、逆方向電圧印加時の損失が増える問題があった。
【解決手段】 低濃度の一導電型半導体層２と高濃度の逆導電型半導体層５とによりｐｎ接合を形成する工程と、飛程距離のピーク位置が逆導電型半導体層５中に位置するように希ガスイオンを注入または照射して逆導電型半導体層５中に電荷捕獲層７を形成する工程と、逆導電型半導体層５と接続する第１電極８を形成する工程と、一導電型半導体層２と電気的に接続する第２電極１１を形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】第１の極性を有する第１の化合物半導体層と共にこれと逆極性（第２の極性）の第２の化合物半導体層を用い、化合物半導体層の再成長をすることなく、第２の極性に対応した導電型の含有量が実効的に、容易且つ確実に所期に制御された、複雑な動作を可能とする信頼性の高い高耐圧の化合物半導体装置を得る。
【解決手段】第１の極性を有する電子走行層２ｂと、電子走行層２ｂの上方に形成された第２の極性を有するｐ型キャップ層２ｅと、ｐ型キャップ層２ｅ上に形成された第１の極性を有するｎ型キャップ層２ｆとを有しており、ｎ型キャップ層２ｆは、厚みの異なる部位２ｆａ，２ｆｂを有する。 （もっと読む）