ダイオード
【課題】絶縁トレンチとバリア領域を備えたダイオードにおいて、素子毎の特性のばらつきが抑えられる技術を提供すること。
【解決手段】縦型ダイオード１０は、ｐ型のアノード領域２８と、アノード領域２８を貫通している複数の絶縁トレンチ３６と、アノード領域２８よりも深いとともに絶縁トレンチ３６よりも浅い深さにピーク濃度を有するｎ型のバリア領域２６を備えている。バリア領域２６とアノード領域２８が離れていることを特徴としている。
【解決手段】縦型ダイオード１０は、ｐ型のアノード領域２８と、アノード領域２８を貫通している複数の絶縁トレンチ３６と、アノード領域２８よりも深いとともに絶縁トレンチ３６よりも浅い深さにピーク濃度を有するｎ型のバリア領域２６を備えている。バリア領域２６とアノード領域２８が離れていることを特徴としている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイオードに関する。
【背景技術】
【０００２】
ダイオードは、様々な用途で広く用いられており、例えば、入力電圧を変圧（昇圧又は降圧）して出力する電力変換装置のコンバータ回路、又は入力電圧を直流と交流の間で変換して出力する電力変換装置のインバータ回路で用いられている。この種のダイオードは、ＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）又はＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）等のスイッチング素子に対して逆並列に接続されており、フリーホイールダイオード（Free Wheel Diode）と称される。ダイオードでは、フリーホイールダイオードに限らず、リカバリ特性の改善と高耐圧化とを両立させる技術の開発が望まれている。
【０００３】
一般的に、ダイオードのリカバリ特性と耐圧は、アノード領域の不純物濃度に依存する。例えば、アノード領域の不純物濃度を薄くすれば、順方向電圧が印加されているときに、アノード領域から注入されるキャリア量が抑えられ、逆回復電荷量（Ｑｒｒ）が減少し、リカバリ時の損失が低下する。ところが、アノード領域の不純物濃度を薄くすると、逆方向電圧が印加されているときに、空乏層がアノード領域を超えてアノード電極に達するリーチスルー現象が生じてしまう。アノード領域にリーチスルー現象が生じると、逆方向電流が増加して耐圧が低下してしまう。
【０００４】
特許文献１及び非特許文献１には、リカバリ特性の改善と高耐圧化とを両立させる技術の一例が開示されている。特許文献１及び非特許文献１には、ＩＧＢＴとダイオードが一体化した逆導通型ＩＧＢＴの例が開示されている。図９に、非特許文献１に開示される逆導通型ＩＧＢＴのうちのダイオード範囲の構成を示す。
【０００５】
図９に示されるように、ダイオード１００は、ｎ−型の半導体基板１２０を用いて形成されており、ｎ＋型のカソード領域１２２とｎ型のバッファ領域１２３とｎ−型のドリフト領域１２４とｎ型のバリア領域１２６とｐ型のアノード領域１２８と絶縁トレンチ１３６を備えている。絶縁トレンチ１３６は、絶縁膜１３４とポリシリコン部１３２とを有しており、ＩＧＢＴ範囲の絶縁トレンチゲートと同時に形成される。ポリシリコン部１３２は、アノード領域１２８と同一の電位に固定されていてもよいし、電気的に絶縁されたフローティングであってもよい。
【０００６】
ダイオード１００は、バリア領域１２６を備えていることを１つの特徴としている。バリア領域１２６は、アノード領域１２８から注入される正孔に対して電位障壁を形成する。このため、バリア領域１２６が設けられていると、順方向電圧が印加されているときに、アノード領域１２８から注入される正孔の注入量が抑えられ、リカバリ特性が改善される。正孔の注入量をさらに抑えるためには、バリア領域１２６の不純物濃度を濃くするのが望ましい。しかしながら、バリア領域１２６の不純物濃度を濃くすると、アノード領域１２８からドリフト領域１２４に向けて伸びる空乏層の幅が抑えられ、ダイオード１００の耐圧が低下する。
【０００７】
これに対し、ダイオード１００では、絶縁トレンチ１３６が設けられていることを１つの特徴としている。絶縁トレンチ１３６が設けられていると、逆方向電圧が印加されているときに、絶縁トレンチ１３６の底面に電界を集中させることができる。このため、ダイオード１００の耐圧は、例えば絶縁トレンチ１３６のメサ幅（隣り合う絶縁トレンチ１３６間の距離）のような絶縁トレンチ１３６の形態に依存させることができるので、絶縁トレンチ１３６の形態によって必要な耐圧を確保しながら、バリア領域１２６の不純物濃度を濃くすることができる。この結果、順方向電圧が印加されているときに、アノード領域１２８から注入される正孔の注入量をさらに抑えることができるので、リカバリ特性をさらに改善することができる。このように、バリア領域１２６と絶縁トレンチ１３６を組合わせる技術は、リカバリ特性の改善と高耐圧化とを両立させるのに有用である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００８−４７５６５号公報（特に、図６参照）
【非特許文献】
【０００９】
【非特許文献１】三菱電機技報 ２００７年 Ｖｏｌ.８１ Ｎｏ.５ 「モータ制御用ＲＣ−ＩＧＢＴ」
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上記したように、バリア領域１２６は、ダイオード１００の電気的特性にとって重要な要素である。このため、バリア領域１２６を備えたダイオード１００では、バリア領域１２６の形成位置が電気的特性に強く影響する。このため、バリア領域１２６を備えたダイオードでは、バリア領域１２６を所定の位置に正確に形成することが重要である。
【００１１】
図１０に、半導体基板１２０の表面からの深さと不純物濃度の関係を示す。ダイオード１００では、バリア領域１２６とアノード領域１２８が接触して形成されている。このため、バリア領域１２６とアノード領域１２８の境界の深さは、バリア領域１２６を形成するために導入された不純物とアノード領域１２８を形成するために導入された不純物が同一濃度となる位置である。このような深さは、不純物の導入工程及び拡散工程に関する製造ばらつきに依存して変動する。特に、ダイオード１００では、バリア領域１２６の形成位置が、バリア領域１２６の製造ばらつきに加えて、アノード領域１２８の製造ばらつきも影響するので、素子毎で大きく異なってしまう。このため、ダイオード１００は、特性のばらつきが素子毎で大きく異なるという問題がある。
【００１２】
本願明細書で開示される技術は、絶縁トレンチとバリア領域を備えたダイオードにおいて、素子毎の特性のばらつきが抑えられる技術を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本願明細書で開示される技術では、バリア領域とアノード領域が離れていることを特徴としている。バリア領域とアノード領域が離れていると、バリア領域の形成位置は、半導体基板の基板濃度との関係で決定する。半導体基板の基板濃度は正確であり、ばらつきが小さい。なお、半導体基板の基板濃度は極めて薄いことから、実質的には無視することができる。このため、バリア領域の形成位置は、バリア領域の製造ばらつきのみに依存する。したがって、バリア領域とアノード領域が離れていると、バリア領域の形成位置は、アノード領域の製造ばらつきの影響を受けないことから、素子毎のばらつきが抑えられる。
【００１４】
すなわち、本明細書で開示されるダイオードは、第１導電型の半導体基板を用いて形成されており、第２導電型のアノード領域と複数の絶縁トレンチと第１導電型のバリア領域を備えている。アノード領域は、半導体基板の表層部に形成されている。複数の絶縁トレンチは、半導体基板の表層部に形成されており、アノード領域を貫通している。バリア領域は、半導体基板の表層部に形成されており、ピーク濃度を有している。そのピーク濃度は、アノード領域よりも深く、絶縁トレンチの底面よりも浅い深さに位置するとともに、半導体基板の基板濃度よりも濃いピーク濃度を有している。本明細書で開示されるダイオードでは、バリア領域とアノード領域が離れていることを特徴としている。ここで、バリア領域とアノード領域が離れているとは、バリア領域を形成するために導入した不純物とアノード領域を形成するために導入した不純物が同一濃度となる深さにおけるその濃度が、半導体基板の基板濃度よりも薄い場合をいう。あるいは、バリア領域を形成するために導入した不純物が存在する範囲とアノード領域を形成するために導入した不純物が存在する範囲が、半導体基板の厚み方向で完全に分離している場合をいう。このような関係にあると、バリア領域の形成位置は、バリア領域の製造ばらつきのみに依存する。このため、バリア領域の形成位置は、アノード領域の製造ばらつきの影響を受けないことから、素子毎のばらつきが抑えられる。
【００１５】
本明細書で開示されるダイオードは、第１導電型のカソード領域をさらに備えているのが望ましい。カソード領域は、半導体基板の裏層部に形成されており、半導体基板の基板濃度よりも濃いピーク濃度を有している。この場合、カソード領域は、複数のカソード部分領域で構成されているのが望ましい。複数のカソード部分領域は、半導体基板の厚み方向に直交する面内において、分散して設けられていることを特徴としている。複数のカソード部分領域で構成されていると、半導体基板の裏層部から注入されるキャリア量が抑えられ、リカバリ時の損失が低下する。
【００１６】
本明細書で開示されるダイオードは、隣り合うカソード部分領域の間に設けられている第２導電型の介在領域をさらに備えているのが望ましい。この形態によると、半導体基板の裏層部から注入されるキャリア量がさらに抑えられ、リカバリ時の損失がさらに低下する。
【００１７】
本明細書で開示されるダイオードでは、バリア領域が、隣り合う絶縁トレンチの間において、一方の絶縁トレンチの側面から他方の絶縁トレンチの側面まで連続して形成されていないのが望ましい。バリア領域のピーク濃度は、濃くなるほどアノード領域から注入されるキャリア量が抑えられるので、リカバリ特性を改善することができる。一方、バリア領域のピーク濃度がある一定値を超えると、キャリアの注入が完全に防止され、定常損失が急激に悪化する可能性がある。バリア領域が連続して形成されていないと、ピーク濃度を濃くしながら定常損失の急激な悪化を防止することができる。
【発明の効果】
【００１８】
本明細書で開示されるダイオードでは、バリア領域とアノード領域が離れており、バリア領域を所定の位置に形成することができる。このため、ダイオードの特性が素子毎で安定する。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】第１実施例の縦型ダイオードの要部断面図を示す。
【図２】耐圧のメサ幅に対する依存性を示す。
【図３】逆回復電荷量（Ｑｒｒ）及びリーク電流のバリア領域のドーズ量に対する依存性を示す。
【図４】第１実施例の縦型ダイオードにおいて、半導体基板の表層部における不純物濃度の分布を示す。
【図５】第２実施例の縦型ダイオードの要部断面図を示す。
【図６】第３実施例の縦型ダイオードの要部断面図を示す。
【図７】第４実施例の縦型ダイオードの要部断面図を示す。
【図８】第４実施例の縦型ダイオードの変形例の要部断面図を示す。
【図９】従来の縦型ダイオードの要部断面図を示す。
【図１０】従来の縦型ダイオードにおいて、半導体基板の表層部における不純物濃度の分布を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本願明細書で開示される技術の特徴を整理しておく。
（第１特徴）ダイオードは、半導体基板の表面から順に、ｐ型のアノード領域とｎ−型の上型ドリフト領域と、ｎ型のバリア領域と、ｎ−型の下側ドリフト領域とを有する。
（第２特徴）絶縁トレンチは、半導体基板の表面から裏面に向けて伸びるトレンチを利用して形成される。絶縁トレンチでは、少なくともトレンチの内壁を被覆するように絶縁体が設けられている。絶縁トレンチは、トレンチ内に充填される絶縁体のみで構成されていてもよく、絶縁膜とその絶縁膜で被覆される導電体で構成されていてもよい。後者の場合、導電体は、アノード領域と同一の電位に固定されていてもよく、電気的に絶縁されたフローティングであってもよい。なお、絶縁トレンチは、耐圧を確保するために、絶縁膜とその絶縁膜で被覆される導電体で構成されているのが望ましい。
（第３特徴）バリア領域は、イオン注入技術を利用して形成された拡散領域であってもよい。この場合、バリア領域は、半導体基板の厚み方向に観測したときに、極大値となるピーク濃度を有する。
（第４特徴）ダイオードには、ライフタイム制御用の欠陥領域が形成されていない。このような欠陥領域が形成されていなくても、逆回復電荷量（Ｑｒｒ）が十分に低く、リカバリ時の損失が小さい。
【実施例１】
【００２１】
以下、図面を参照して、本実施例の逆導通型ＩＧＢＴに内蔵される縦型ダイオードを説明する。本実施例の逆導通型ＩＧＢＴは、入力電圧を直流と交流の間で変換して出力する車載用の電力変換装置のインバータ回路に用いられる。逆導通型ＩＧＢＴは、半導体基板内にＩＧＢＴ範囲とダイオード範囲を備えており、ＩＧＢＴ範囲には縦型ＩＧＢＴを構成するための構造が形成されており、ダイオード範囲には縦型ダイオードを構成するための構造が形成されている。本実施例の縦型ダイオードは、ＰｉＮダイオードと称されるタイプである。
【００２２】
図１に示されるように、縦型ダイオード１０は、ｎ−型のシリコン単結晶の半導体基板２０を用いて形成されており、ｎ＋型のカソード領域２２とｎ型のバッファ領域２３とｎ−型のドリフト領域２４とｎ型のバリア領域２６とｐ型のアノード領域２８と絶縁トレンチ３６を備えている。
【００２３】
カソード領域２２は、イオン注入技術を利用して、半導体基板２０の裏層部にリンイオンを導入して形成されている。カソード領域２２は、半導体基板２０の裏面に形成されている図示しないカソード電極に接続されている。カソード領域２２を形成するイオン注入工程では、ピーク濃度が半導体基板２０の基板濃度を超える条件で実施される。一例では、カソード領域２２のドーズ量は約１×１０１４〜１×１０１６ｃｍ−２であり、ピーク濃度が約１×１０１８〜１×１０２０ｃｍ−３であるのが望ましい。
【００２４】
バッファ領域２３は、イオン注入技術を利用して、半導体基板２０の裏層部にリンイオンを導入して形成されている。バッファ領域２３を形成するイオン注入工程では、ピーク濃度が半導体基板２０の基板濃度を超える条件で実施される。一例では、バッファ領域２３のドーズ量は約１×１０１２〜１×１０１４ｃｍ−２であり、ピーク濃度が約１×１０１６〜１×１０１８ｃｍ−３であるのが望ましい。
【００２５】
ドリフト領域２４は、他の拡散領域を形成した残部であり、下側ドリフト領域２４ａと上側ドリフト領域２４ｂを有している。下側ドリフト領域２４ａはカソード領域２２とバリア領域２６の間に形成されており、上側ドリフト領域２４ｂはバリア領域２６とアノード領域２８の間に形成されている。換言すると、ドリフト領域２４は、バリア領域２６によって下側ドリフト領域２４ａと上側ドリフト領域２４ｂに隔てられている。ドリフト領域２４の不純物濃度は、半導体基板２０の基板濃度と実質的に一致しており、厚み方向に一定である。一例では、ドリフト領域２４の不純物濃度は約１×１０１３〜１×１０１５ｃｍ−３であるのが望ましい。
【００２６】
バリア領域２６は、イオン注入技術を利用して、半導体基板２０の表層部にリンイオンを導入して形成されている。バリア領域２６を形成するイオン注入工程では、ピーク濃度が半導体基板２０の基板濃度を超える条件で実施される。そのピーク濃度が形成される深さは、アノード領域２８の下端よりも深く、絶縁トレンチ３６の底面よりも浅い深さに調整される。一例では、バリア領域２６のドーズ量は約１×１０１２〜１×１０１４ｃｍ−２であり、ピーク濃度が約１×１０１６〜１×１０１８ｃｍ−３であるのが望ましい。また、バリア領域２６のピーク深さは約１．５〜５．０μｍであるのが望ましい。
【００２７】
アノード領域２８は、イオン注入技術を利用して、半導体基板２０の表層部にボロンイオンを導入して形成されている。アノード領域２８は、半導体基板２０の表面に形成されている図示しないアノード電極に接続されている。アノード領域２８を形成するイオン注入工程では、ピーク濃度が半導体基板２０の基板濃度を超える条件で実施される。一例では、アノード領域２８のドーズ量は約５×１０１１〜１×１０１４ｃｍ−２であり、ピーク濃度が約１×１０１６〜１×１０１８ｃｍ−３であるのが望ましい。また、アノード領域２８の下端の深さは約０．５〜１．０μｍであるのが望ましい。
【００２８】
絶縁トレンチ３６は、絶縁膜３４とその絶縁膜３４で被覆されるポリシリコン部３２とを有している。絶縁トレンチ３６は、ＩＧＢＴ範囲の絶縁トレンチゲートと同時に形成される。ポリシリコン部３２は、アノード領域２８と同一の電位に固定されていてもよいし、電気的に絶縁されたフローティングであってもよい。一例では、平面視したときに、絶縁トレンチ３６のレイアウトはストライプ状である。また、絶縁トレンチ３６の底面の深さは約３．０〜７．０μｍであり、メサ幅Ｗ１は約０．５〜７．０μｍであり、ピッチ幅Ｗ２は約１．５〜８．０μｍであるのが望ましい。
【００２９】
ダイオード１０は、バリア領域２６を備えていることを１つの特徴としている。バリア領域２６は、アノード領域２８から注入される正孔に対して電位障壁を形成する。このため、バリア領域２６が設けられていると、順方向電圧が印加されているときに、アノード領域２８から注入される正孔の注入量が抑えられ、リカバリ特性が改善される。
【００３０】
ダイオード１０はさらに、絶縁トレンチ３６を備えていることを１つの特徴としている。絶縁トレンチ３６が設けられていると、逆方向電圧が印加されているときに、絶縁トレンチ３６の底面に電界を集中させることができる。このため、図２に示されるように、縦型ダイオード１０の耐圧は、絶縁トレンチ３６のメサ幅Ｗ１のような絶縁トレンチ３６の形態に依存する。例えば、図２に示されるように、絶縁トレンチ３６のメサ幅Ｗ１を４μｍ以下にすれば、２０００Ｖ以上の耐圧を確保することができる。したがって、縦型ダイオード１０では、絶縁トレンチ３６の形態によって必要な耐圧を確保しながら、バリア領域２６の不純物濃度を濃くすることができる。
【００３１】
図３に示されるように、バリア領域２６のドーズ量が増加すると、逆回復電荷量（Ｑｒｒ）が減少する。このため、バリア領域２６のドーズ量が増加すると、リカバリ時の損失が低下する。一方、バリア領域２６のドーズ量が増加しても、リーク電流は増加していない。
【００３２】
さらに、縦型ダイオード１０は、バリア領域２６とアノード領域２８が離れていることを特徴としている。すなわち、バリア領域２６とアノード領域２８は、上側ドリフト領域２４ｂによって隔てられていることを特徴としている。図４に、半導体基板２０の表面からの深さと不純物濃度の関係を示す。図４に示されるように、縦型ダイオード１０では、バリア領域２６を形成するために導入した不純物とアノード領域２８を形成するために導入した不純物が同一濃度となる深さにおけるその濃度が、半導体基板２０の基板濃度よりも薄い。
【００３３】
半導体基板２０の基板濃度は極めて薄い。このため、バリア領域２６を形成するために導入した不純物とアノード領域２８を形成するために導入した不純物が同一濃度となる深さにおけるその濃度が、半導体基板２０の基板濃度よりも薄い場合、バリア領域２６とアノード領域２８は実質的に離れていると評価できる。なお、バリア領域２６とアノード領域２８は、０．５μｍ以上離れているのが望ましい。換言すれば、上側ドリフト領域２４ｂの厚みが０．５μｍ以上であるのが望ましい。従来技術のように、バリア領域２６とアノード領域２８が接触して形成されていると、バリア領域２６の形成位置が、バリア領域２６の製造ばらつきに加えて、アノード領域２８の製造ばらつきも影響してしまう。一方、縦型ダイオード１０では、バリア領域２６の形成位置が、バリア領域２６の製造ばらつきにのみ依存する。このため、縦型ダイオード１０では、バリア領域２６を所望の位置に形成することができるので、素子毎の特性のばらつきが抑えられる。
【実施例２】
【００３４】
図５に示されるように、縦型ダイオード１１では、カソード領域２２が複数のカソード部分領域２２ａで構成されていることを特徴としている。複数のカソード部分領域２２ａは、半導体基板２０の厚み方向に直交する面内において、分散して設けられている。なお、一例では、複数のカソード部分領域２２ａは、平面視したときにストライプ状であり、絶縁トレンチ３６に平行である。また、カソード部分領域２２ａは、厚み方向において、アノード領域２８及びバリア領域２６の下方に配置されている。
【００３５】
縦型ダイオード１１も、半導体基板２０の表層部にバリア領域２６と絶縁トレンチ３６が形成されている。このため、アノード領域２８から注入される正孔量が低く抑えられている。この場合、逆回復電荷量（Ｑｒｒ）は、カソード領域２２から注入される電子量が支配的となる。カソード領域２２が複数のカソード部分領域２２ａで構成されていると、半導体基板２０の裏層部に占めるカソード領域２２の面積が減少するので、カソード領域２２から注入される電子量が減少し、逆回復電荷量（Ｑｒｒ）がさらに減少する。
【００３６】
なお、半導体基板２０の表層部にバリア領域２６と絶縁トレンチ３６が形成されていないような場合、逆回復電荷量（Ｑｒｒ）はアノード領域２８から注入される正孔が支配的であり、カソード領域２２を分散させる効果がほとんど発揮されない。本実施例の縦型ダイオード１１のように、半導体基板２０の表層部にバリア領域２６と絶縁トレンチ３６が形成されているような場合、カソード領域２２を分散させる効果が顕著に発揮される。すなわち、半導体基板２０の表層部にバリア領域２６と絶縁トレンチ３６を形成する技術とカソード領域２２を分散させる技術の組合わせは極めて有用である。
【実施例３】
【００３７】
図６に示されるように、縦型ダイオード１２は、隣り合うカソード部分領域２２ａの間に設けられているｐ＋型の介在領域２３をさらに備えていることを特徴としている。この形態によると、半導体基板２０の裏層部から注入されるキャリア量がさらに抑えられ、リカバリ時の損失がさらに低下する。
【実施例４】
【００３８】
図７に示されるように、縦型ダイオード１３では、バリア領域２６ａが、隣り合う絶縁トレンチ３６の間において、一方の絶縁トレンチ３６の側面から他方の絶縁トレンチ３６の側面まで連続して形成されていない。換言すると、ドリフト領域２４の下側ドリフト領域２４ａと上側ドリフト領域２４ｂが、隣り合う絶縁トレンチ３６の間において厚み方向で連続している。図７では、バリア領域２６ａと絶縁トレンチ３６が離れており、絶縁トレンチ３６の側面近傍でドリフト領域２４の下側ドリフト領域２４ａと上側ドリフト領域２４ｂが連続している。なお、図８に示されるように、バリア領域２６ａが、隣り合う絶縁トレンチ３６の中央部近傍で分断されており、その中央部近傍でドリフト領域２４の下側ドリフト領域２４ａと上側ドリフト領域２４ｂが連続していてもよい。
【００３９】
バリア領域２６ａのピーク濃度は、濃くなるほどアノード領域２８から注入されるキャリア量が抑えられるので、リカバリ特性を改善することができる。一方で、バリア領域２６ａのピーク濃度がある一定値を超えると、正孔の注入が完全に防止され、定常損失が急激に悪化する。バリア領域２６ａが連続して形成されていないと、ピーク濃度を濃くしながら定常損失の急激な悪化を防止することができる。
【００４０】
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【符号の説明】
【００４１】
２０：半導体基板
２２：カソード領域
２４：ドリフト領域
２４ａ：下側ドリフト領域
２４ｂ：上側ドリフト領域
２６：バリア領域
２８：アノード領域
３６：絶縁トレンチ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイオードに関する。
【背景技術】
【０００２】
ダイオードは、様々な用途で広く用いられており、例えば、入力電圧を変圧（昇圧又は降圧）して出力する電力変換装置のコンバータ回路、又は入力電圧を直流と交流の間で変換して出力する電力変換装置のインバータ回路で用いられている。この種のダイオードは、ＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）又はＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）等のスイッチング素子に対して逆並列に接続されており、フリーホイールダイオード（Free Wheel Diode）と称される。ダイオードでは、フリーホイールダイオードに限らず、リカバリ特性の改善と高耐圧化とを両立させる技術の開発が望まれている。
【０００３】
一般的に、ダイオードのリカバリ特性と耐圧は、アノード領域の不純物濃度に依存する。例えば、アノード領域の不純物濃度を薄くすれば、順方向電圧が印加されているときに、アノード領域から注入されるキャリア量が抑えられ、逆回復電荷量（Ｑｒｒ）が減少し、リカバリ時の損失が低下する。ところが、アノード領域の不純物濃度を薄くすると、逆方向電圧が印加されているときに、空乏層がアノード領域を超えてアノード電極に達するリーチスルー現象が生じてしまう。アノード領域にリーチスルー現象が生じると、逆方向電流が増加して耐圧が低下してしまう。
【０００４】
特許文献１及び非特許文献１には、リカバリ特性の改善と高耐圧化とを両立させる技術の一例が開示されている。特許文献１及び非特許文献１には、ＩＧＢＴとダイオードが一体化した逆導通型ＩＧＢＴの例が開示されている。図９に、非特許文献１に開示される逆導通型ＩＧＢＴのうちのダイオード範囲の構成を示す。
【０００５】
図９に示されるように、ダイオード１００は、ｎ−型の半導体基板１２０を用いて形成されており、ｎ＋型のカソード領域１２２とｎ型のバッファ領域１２３とｎ−型のドリフト領域１２４とｎ型のバリア領域１２６とｐ型のアノード領域１２８と絶縁トレンチ１３６を備えている。絶縁トレンチ１３６は、絶縁膜１３４とポリシリコン部１３２とを有しており、ＩＧＢＴ範囲の絶縁トレンチゲートと同時に形成される。ポリシリコン部１３２は、アノード領域１２８と同一の電位に固定されていてもよいし、電気的に絶縁されたフローティングであってもよい。
【０００６】
ダイオード１００は、バリア領域１２６を備えていることを１つの特徴としている。バリア領域１２６は、アノード領域１２８から注入される正孔に対して電位障壁を形成する。このため、バリア領域１２６が設けられていると、順方向電圧が印加されているときに、アノード領域１２８から注入される正孔の注入量が抑えられ、リカバリ特性が改善される。正孔の注入量をさらに抑えるためには、バリア領域１２６の不純物濃度を濃くするのが望ましい。しかしながら、バリア領域１２６の不純物濃度を濃くすると、アノード領域１２８からドリフト領域１２４に向けて伸びる空乏層の幅が抑えられ、ダイオード１００の耐圧が低下する。
【０００７】
これに対し、ダイオード１００では、絶縁トレンチ１３６が設けられていることを１つの特徴としている。絶縁トレンチ１３６が設けられていると、逆方向電圧が印加されているときに、絶縁トレンチ１３６の底面に電界を集中させることができる。このため、ダイオード１００の耐圧は、例えば絶縁トレンチ１３６のメサ幅（隣り合う絶縁トレンチ１３６間の距離）のような絶縁トレンチ１３６の形態に依存させることができるので、絶縁トレンチ１３６の形態によって必要な耐圧を確保しながら、バリア領域１２６の不純物濃度を濃くすることができる。この結果、順方向電圧が印加されているときに、アノード領域１２８から注入される正孔の注入量をさらに抑えることができるので、リカバリ特性をさらに改善することができる。このように、バリア領域１２６と絶縁トレンチ１３６を組合わせる技術は、リカバリ特性の改善と高耐圧化とを両立させるのに有用である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００８−４７５６５号公報（特に、図６参照）
【非特許文献】
【０００９】
【非特許文献１】三菱電機技報 ２００７年 Ｖｏｌ.８１ Ｎｏ.５ 「モータ制御用ＲＣ−ＩＧＢＴ」
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上記したように、バリア領域１２６は、ダイオード１００の電気的特性にとって重要な要素である。このため、バリア領域１２６を備えたダイオード１００では、バリア領域１２６の形成位置が電気的特性に強く影響する。このため、バリア領域１２６を備えたダイオードでは、バリア領域１２６を所定の位置に正確に形成することが重要である。
【００１１】
図１０に、半導体基板１２０の表面からの深さと不純物濃度の関係を示す。ダイオード１００では、バリア領域１２６とアノード領域１２８が接触して形成されている。このため、バリア領域１２６とアノード領域１２８の境界の深さは、バリア領域１２６を形成するために導入された不純物とアノード領域１２８を形成するために導入された不純物が同一濃度となる位置である。このような深さは、不純物の導入工程及び拡散工程に関する製造ばらつきに依存して変動する。特に、ダイオード１００では、バリア領域１２６の形成位置が、バリア領域１２６の製造ばらつきに加えて、アノード領域１２８の製造ばらつきも影響するので、素子毎で大きく異なってしまう。このため、ダイオード１００は、特性のばらつきが素子毎で大きく異なるという問題がある。
【００１２】
本願明細書で開示される技術は、絶縁トレンチとバリア領域を備えたダイオードにおいて、素子毎の特性のばらつきが抑えられる技術を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本願明細書で開示される技術では、バリア領域とアノード領域が離れていることを特徴としている。バリア領域とアノード領域が離れていると、バリア領域の形成位置は、半導体基板の基板濃度との関係で決定する。半導体基板の基板濃度は正確であり、ばらつきが小さい。なお、半導体基板の基板濃度は極めて薄いことから、実質的には無視することができる。このため、バリア領域の形成位置は、バリア領域の製造ばらつきのみに依存する。したがって、バリア領域とアノード領域が離れていると、バリア領域の形成位置は、アノード領域の製造ばらつきの影響を受けないことから、素子毎のばらつきが抑えられる。
【００１４】
すなわち、本明細書で開示されるダイオードは、第１導電型の半導体基板を用いて形成されており、第２導電型のアノード領域と複数の絶縁トレンチと第１導電型のバリア領域を備えている。アノード領域は、半導体基板の表層部に形成されている。複数の絶縁トレンチは、半導体基板の表層部に形成されており、アノード領域を貫通している。バリア領域は、半導体基板の表層部に形成されており、ピーク濃度を有している。そのピーク濃度は、アノード領域よりも深く、絶縁トレンチの底面よりも浅い深さに位置するとともに、半導体基板の基板濃度よりも濃いピーク濃度を有している。本明細書で開示されるダイオードでは、バリア領域とアノード領域が離れていることを特徴としている。ここで、バリア領域とアノード領域が離れているとは、バリア領域を形成するために導入した不純物とアノード領域を形成するために導入した不純物が同一濃度となる深さにおけるその濃度が、半導体基板の基板濃度よりも薄い場合をいう。あるいは、バリア領域を形成するために導入した不純物が存在する範囲とアノード領域を形成するために導入した不純物が存在する範囲が、半導体基板の厚み方向で完全に分離している場合をいう。このような関係にあると、バリア領域の形成位置は、バリア領域の製造ばらつきのみに依存する。このため、バリア領域の形成位置は、アノード領域の製造ばらつきの影響を受けないことから、素子毎のばらつきが抑えられる。
【００１５】
本明細書で開示されるダイオードは、第１導電型のカソード領域をさらに備えているのが望ましい。カソード領域は、半導体基板の裏層部に形成されており、半導体基板の基板濃度よりも濃いピーク濃度を有している。この場合、カソード領域は、複数のカソード部分領域で構成されているのが望ましい。複数のカソード部分領域は、半導体基板の厚み方向に直交する面内において、分散して設けられていることを特徴としている。複数のカソード部分領域で構成されていると、半導体基板の裏層部から注入されるキャリア量が抑えられ、リカバリ時の損失が低下する。
【００１６】
本明細書で開示されるダイオードは、隣り合うカソード部分領域の間に設けられている第２導電型の介在領域をさらに備えているのが望ましい。この形態によると、半導体基板の裏層部から注入されるキャリア量がさらに抑えられ、リカバリ時の損失がさらに低下する。
【００１７】
本明細書で開示されるダイオードでは、バリア領域が、隣り合う絶縁トレンチの間において、一方の絶縁トレンチの側面から他方の絶縁トレンチの側面まで連続して形成されていないのが望ましい。バリア領域のピーク濃度は、濃くなるほどアノード領域から注入されるキャリア量が抑えられるので、リカバリ特性を改善することができる。一方、バリア領域のピーク濃度がある一定値を超えると、キャリアの注入が完全に防止され、定常損失が急激に悪化する可能性がある。バリア領域が連続して形成されていないと、ピーク濃度を濃くしながら定常損失の急激な悪化を防止することができる。
【発明の効果】
【００１８】
本明細書で開示されるダイオードでは、バリア領域とアノード領域が離れており、バリア領域を所定の位置に形成することができる。このため、ダイオードの特性が素子毎で安定する。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】第１実施例の縦型ダイオードの要部断面図を示す。
【図２】耐圧のメサ幅に対する依存性を示す。
【図３】逆回復電荷量（Ｑｒｒ）及びリーク電流のバリア領域のドーズ量に対する依存性を示す。
【図４】第１実施例の縦型ダイオードにおいて、半導体基板の表層部における不純物濃度の分布を示す。
【図５】第２実施例の縦型ダイオードの要部断面図を示す。
【図６】第３実施例の縦型ダイオードの要部断面図を示す。
【図７】第４実施例の縦型ダイオードの要部断面図を示す。
【図８】第４実施例の縦型ダイオードの変形例の要部断面図を示す。
【図９】従来の縦型ダイオードの要部断面図を示す。
【図１０】従来の縦型ダイオードにおいて、半導体基板の表層部における不純物濃度の分布を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本願明細書で開示される技術の特徴を整理しておく。
（第１特徴）ダイオードは、半導体基板の表面から順に、ｐ型のアノード領域とｎ−型の上型ドリフト領域と、ｎ型のバリア領域と、ｎ−型の下側ドリフト領域とを有する。
（第２特徴）絶縁トレンチは、半導体基板の表面から裏面に向けて伸びるトレンチを利用して形成される。絶縁トレンチでは、少なくともトレンチの内壁を被覆するように絶縁体が設けられている。絶縁トレンチは、トレンチ内に充填される絶縁体のみで構成されていてもよく、絶縁膜とその絶縁膜で被覆される導電体で構成されていてもよい。後者の場合、導電体は、アノード領域と同一の電位に固定されていてもよく、電気的に絶縁されたフローティングであってもよい。なお、絶縁トレンチは、耐圧を確保するために、絶縁膜とその絶縁膜で被覆される導電体で構成されているのが望ましい。
（第３特徴）バリア領域は、イオン注入技術を利用して形成された拡散領域であってもよい。この場合、バリア領域は、半導体基板の厚み方向に観測したときに、極大値となるピーク濃度を有する。
（第４特徴）ダイオードには、ライフタイム制御用の欠陥領域が形成されていない。このような欠陥領域が形成されていなくても、逆回復電荷量（Ｑｒｒ）が十分に低く、リカバリ時の損失が小さい。
【実施例１】
【００２１】
以下、図面を参照して、本実施例の逆導通型ＩＧＢＴに内蔵される縦型ダイオードを説明する。本実施例の逆導通型ＩＧＢＴは、入力電圧を直流と交流の間で変換して出力する車載用の電力変換装置のインバータ回路に用いられる。逆導通型ＩＧＢＴは、半導体基板内にＩＧＢＴ範囲とダイオード範囲を備えており、ＩＧＢＴ範囲には縦型ＩＧＢＴを構成するための構造が形成されており、ダイオード範囲には縦型ダイオードを構成するための構造が形成されている。本実施例の縦型ダイオードは、ＰｉＮダイオードと称されるタイプである。
【００２２】
図１に示されるように、縦型ダイオード１０は、ｎ−型のシリコン単結晶の半導体基板２０を用いて形成されており、ｎ＋型のカソード領域２２とｎ型のバッファ領域２３とｎ−型のドリフト領域２４とｎ型のバリア領域２６とｐ型のアノード領域２８と絶縁トレンチ３６を備えている。
【００２３】
カソード領域２２は、イオン注入技術を利用して、半導体基板２０の裏層部にリンイオンを導入して形成されている。カソード領域２２は、半導体基板２０の裏面に形成されている図示しないカソード電極に接続されている。カソード領域２２を形成するイオン注入工程では、ピーク濃度が半導体基板２０の基板濃度を超える条件で実施される。一例では、カソード領域２２のドーズ量は約１×１０１４〜１×１０１６ｃｍ−２であり、ピーク濃度が約１×１０１８〜１×１０２０ｃｍ−３であるのが望ましい。
【００２４】
バッファ領域２３は、イオン注入技術を利用して、半導体基板２０の裏層部にリンイオンを導入して形成されている。バッファ領域２３を形成するイオン注入工程では、ピーク濃度が半導体基板２０の基板濃度を超える条件で実施される。一例では、バッファ領域２３のドーズ量は約１×１０１２〜１×１０１４ｃｍ−２であり、ピーク濃度が約１×１０１６〜１×１０１８ｃｍ−３であるのが望ましい。
【００２５】
ドリフト領域２４は、他の拡散領域を形成した残部であり、下側ドリフト領域２４ａと上側ドリフト領域２４ｂを有している。下側ドリフト領域２４ａはカソード領域２２とバリア領域２６の間に形成されており、上側ドリフト領域２４ｂはバリア領域２６とアノード領域２８の間に形成されている。換言すると、ドリフト領域２４は、バリア領域２６によって下側ドリフト領域２４ａと上側ドリフト領域２４ｂに隔てられている。ドリフト領域２４の不純物濃度は、半導体基板２０の基板濃度と実質的に一致しており、厚み方向に一定である。一例では、ドリフト領域２４の不純物濃度は約１×１０１３〜１×１０１５ｃｍ−３であるのが望ましい。
【００２６】
バリア領域２６は、イオン注入技術を利用して、半導体基板２０の表層部にリンイオンを導入して形成されている。バリア領域２６を形成するイオン注入工程では、ピーク濃度が半導体基板２０の基板濃度を超える条件で実施される。そのピーク濃度が形成される深さは、アノード領域２８の下端よりも深く、絶縁トレンチ３６の底面よりも浅い深さに調整される。一例では、バリア領域２６のドーズ量は約１×１０１２〜１×１０１４ｃｍ−２であり、ピーク濃度が約１×１０１６〜１×１０１８ｃｍ−３であるのが望ましい。また、バリア領域２６のピーク深さは約１．５〜５．０μｍであるのが望ましい。
【００２７】
アノード領域２８は、イオン注入技術を利用して、半導体基板２０の表層部にボロンイオンを導入して形成されている。アノード領域２８は、半導体基板２０の表面に形成されている図示しないアノード電極に接続されている。アノード領域２８を形成するイオン注入工程では、ピーク濃度が半導体基板２０の基板濃度を超える条件で実施される。一例では、アノード領域２８のドーズ量は約５×１０１１〜１×１０１４ｃｍ−２であり、ピーク濃度が約１×１０１６〜１×１０１８ｃｍ−３であるのが望ましい。また、アノード領域２８の下端の深さは約０．５〜１．０μｍであるのが望ましい。
【００２８】
絶縁トレンチ３６は、絶縁膜３４とその絶縁膜３４で被覆されるポリシリコン部３２とを有している。絶縁トレンチ３６は、ＩＧＢＴ範囲の絶縁トレンチゲートと同時に形成される。ポリシリコン部３２は、アノード領域２８と同一の電位に固定されていてもよいし、電気的に絶縁されたフローティングであってもよい。一例では、平面視したときに、絶縁トレンチ３６のレイアウトはストライプ状である。また、絶縁トレンチ３６の底面の深さは約３．０〜７．０μｍであり、メサ幅Ｗ１は約０．５〜７．０μｍであり、ピッチ幅Ｗ２は約１．５〜８．０μｍであるのが望ましい。
【００２９】
ダイオード１０は、バリア領域２６を備えていることを１つの特徴としている。バリア領域２６は、アノード領域２８から注入される正孔に対して電位障壁を形成する。このため、バリア領域２６が設けられていると、順方向電圧が印加されているときに、アノード領域２８から注入される正孔の注入量が抑えられ、リカバリ特性が改善される。
【００３０】
ダイオード１０はさらに、絶縁トレンチ３６を備えていることを１つの特徴としている。絶縁トレンチ３６が設けられていると、逆方向電圧が印加されているときに、絶縁トレンチ３６の底面に電界を集中させることができる。このため、図２に示されるように、縦型ダイオード１０の耐圧は、絶縁トレンチ３６のメサ幅Ｗ１のような絶縁トレンチ３６の形態に依存する。例えば、図２に示されるように、絶縁トレンチ３６のメサ幅Ｗ１を４μｍ以下にすれば、２０００Ｖ以上の耐圧を確保することができる。したがって、縦型ダイオード１０では、絶縁トレンチ３６の形態によって必要な耐圧を確保しながら、バリア領域２６の不純物濃度を濃くすることができる。
【００３１】
図３に示されるように、バリア領域２６のドーズ量が増加すると、逆回復電荷量（Ｑｒｒ）が減少する。このため、バリア領域２６のドーズ量が増加すると、リカバリ時の損失が低下する。一方、バリア領域２６のドーズ量が増加しても、リーク電流は増加していない。
【００３２】
さらに、縦型ダイオード１０は、バリア領域２６とアノード領域２８が離れていることを特徴としている。すなわち、バリア領域２６とアノード領域２８は、上側ドリフト領域２４ｂによって隔てられていることを特徴としている。図４に、半導体基板２０の表面からの深さと不純物濃度の関係を示す。図４に示されるように、縦型ダイオード１０では、バリア領域２６を形成するために導入した不純物とアノード領域２８を形成するために導入した不純物が同一濃度となる深さにおけるその濃度が、半導体基板２０の基板濃度よりも薄い。
【００３３】
半導体基板２０の基板濃度は極めて薄い。このため、バリア領域２６を形成するために導入した不純物とアノード領域２８を形成するために導入した不純物が同一濃度となる深さにおけるその濃度が、半導体基板２０の基板濃度よりも薄い場合、バリア領域２６とアノード領域２８は実質的に離れていると評価できる。なお、バリア領域２６とアノード領域２８は、０．５μｍ以上離れているのが望ましい。換言すれば、上側ドリフト領域２４ｂの厚みが０．５μｍ以上であるのが望ましい。従来技術のように、バリア領域２６とアノード領域２８が接触して形成されていると、バリア領域２６の形成位置が、バリア領域２６の製造ばらつきに加えて、アノード領域２８の製造ばらつきも影響してしまう。一方、縦型ダイオード１０では、バリア領域２６の形成位置が、バリア領域２６の製造ばらつきにのみ依存する。このため、縦型ダイオード１０では、バリア領域２６を所望の位置に形成することができるので、素子毎の特性のばらつきが抑えられる。
【実施例２】
【００３４】
図５に示されるように、縦型ダイオード１１では、カソード領域２２が複数のカソード部分領域２２ａで構成されていることを特徴としている。複数のカソード部分領域２２ａは、半導体基板２０の厚み方向に直交する面内において、分散して設けられている。なお、一例では、複数のカソード部分領域２２ａは、平面視したときにストライプ状であり、絶縁トレンチ３６に平行である。また、カソード部分領域２２ａは、厚み方向において、アノード領域２８及びバリア領域２６の下方に配置されている。
【００３５】
縦型ダイオード１１も、半導体基板２０の表層部にバリア領域２６と絶縁トレンチ３６が形成されている。このため、アノード領域２８から注入される正孔量が低く抑えられている。この場合、逆回復電荷量（Ｑｒｒ）は、カソード領域２２から注入される電子量が支配的となる。カソード領域２２が複数のカソード部分領域２２ａで構成されていると、半導体基板２０の裏層部に占めるカソード領域２２の面積が減少するので、カソード領域２２から注入される電子量が減少し、逆回復電荷量（Ｑｒｒ）がさらに減少する。
【００３６】
なお、半導体基板２０の表層部にバリア領域２６と絶縁トレンチ３６が形成されていないような場合、逆回復電荷量（Ｑｒｒ）はアノード領域２８から注入される正孔が支配的であり、カソード領域２２を分散させる効果がほとんど発揮されない。本実施例の縦型ダイオード１１のように、半導体基板２０の表層部にバリア領域２６と絶縁トレンチ３６が形成されているような場合、カソード領域２２を分散させる効果が顕著に発揮される。すなわち、半導体基板２０の表層部にバリア領域２６と絶縁トレンチ３６を形成する技術とカソード領域２２を分散させる技術の組合わせは極めて有用である。
【実施例３】
【００３７】
図６に示されるように、縦型ダイオード１２は、隣り合うカソード部分領域２２ａの間に設けられているｐ＋型の介在領域２３をさらに備えていることを特徴としている。この形態によると、半導体基板２０の裏層部から注入されるキャリア量がさらに抑えられ、リカバリ時の損失がさらに低下する。
【実施例４】
【００３８】
図７に示されるように、縦型ダイオード１３では、バリア領域２６ａが、隣り合う絶縁トレンチ３６の間において、一方の絶縁トレンチ３６の側面から他方の絶縁トレンチ３６の側面まで連続して形成されていない。換言すると、ドリフト領域２４の下側ドリフト領域２４ａと上側ドリフト領域２４ｂが、隣り合う絶縁トレンチ３６の間において厚み方向で連続している。図７では、バリア領域２６ａと絶縁トレンチ３６が離れており、絶縁トレンチ３６の側面近傍でドリフト領域２４の下側ドリフト領域２４ａと上側ドリフト領域２４ｂが連続している。なお、図８に示されるように、バリア領域２６ａが、隣り合う絶縁トレンチ３６の中央部近傍で分断されており、その中央部近傍でドリフト領域２４の下側ドリフト領域２４ａと上側ドリフト領域２４ｂが連続していてもよい。
【００３９】
バリア領域２６ａのピーク濃度は、濃くなるほどアノード領域２８から注入されるキャリア量が抑えられるので、リカバリ特性を改善することができる。一方で、バリア領域２６ａのピーク濃度がある一定値を超えると、正孔の注入が完全に防止され、定常損失が急激に悪化する。バリア領域２６ａが連続して形成されていないと、ピーク濃度を濃くしながら定常損失の急激な悪化を防止することができる。
【００４０】
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【符号の説明】
【００４１】
２０：半導体基板
２２：カソード領域
２４：ドリフト領域
２４ａ：下側ドリフト領域
２４ｂ：上側ドリフト領域
２６：バリア領域
２８：アノード領域
３６：絶縁トレンチ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の半導体基板を用いたダイオードであって、
前記半導体基板の表層部に形成されている第２導電型のアノード領域と、
前記半導体基板の前記表層部に形成されており、前記アノード領域を貫通している複数の絶縁トレンチと、
前記半導体基板の前記表層部に形成されており、前記アノード領域よりも深く、前記絶縁トレンチよりも浅い深さに位置するとともに前記半導体基板の基板濃度よりも濃いピーク濃度を有している第１導電型のバリア領域と、を備えており、
前記バリア領域と前記アノード領域が離れているダイオード。
【請求項２】
前記半導体基板の裏層部に形成されており、前記半導体基板の基板濃度よりも濃いピーク濃度を有している第１導電型のカソード領域をさらに備えており、
前記カソード領域は、複数のカソード部分領域で構成されており、
複数の前記カソード部分領域は、前記半導体基板の厚み方向に直交する面内において、分散して設けられている請求項１に記載のダイオード。
【請求項３】
隣り合う前記カソード部分領域の間に設けられている第２導電型の介在領域をさらに備えている請求項２に記載のダイオード。
【請求項４】
前記バリア領域は、隣り合う前記絶縁トレンチの間において、一方の前記絶縁トレンチの側面から他方の前記絶縁トレンチの側面まで連続して形成されていない請求項１〜３のいずれか一項に記載のダイオード。
【請求項１】
第１導電型の半導体基板を用いたダイオードであって、
前記半導体基板の表層部に形成されている第２導電型のアノード領域と、
前記半導体基板の前記表層部に形成されており、前記アノード領域を貫通している複数の絶縁トレンチと、
前記半導体基板の前記表層部に形成されており、前記アノード領域よりも深く、前記絶縁トレンチよりも浅い深さに位置するとともに前記半導体基板の基板濃度よりも濃いピーク濃度を有している第１導電型のバリア領域と、を備えており、
前記バリア領域と前記アノード領域が離れているダイオード。
【請求項２】
前記半導体基板の裏層部に形成されており、前記半導体基板の基板濃度よりも濃いピーク濃度を有している第１導電型のカソード領域をさらに備えており、
前記カソード領域は、複数のカソード部分領域で構成されており、
複数の前記カソード部分領域は、前記半導体基板の厚み方向に直交する面内において、分散して設けられている請求項１に記載のダイオード。
【請求項３】
隣り合う前記カソード部分領域の間に設けられている第２導電型の介在領域をさらに備えている請求項２に記載のダイオード。
【請求項４】
前記バリア領域は、隣り合う前記絶縁トレンチの間において、一方の前記絶縁トレンチの側面から他方の前記絶縁トレンチの側面まで連続して形成されていない請求項１〜３のいずれか一項に記載のダイオード。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２０１３−８７７８（Ｐ２０１３−８７７８Ａ）
【公開日】平成２５年１月１０日（２０１３．１．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１３９２９０（Ｐ２０１１−１３９２９０）
【出願日】平成２３年６月２３日（２０１１．６．２３）
【出願人】（０００００３６０９）株式会社豊田中央研究所 (4,200)
【出願人】（０００００３２０７）トヨタ自動車株式会社 (59,920)
【公開日】平成２５年１月１０日（２０１３．１．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年６月２３日（２０１１．６．２３）
【出願人】（０００００３６０９）株式会社豊田中央研究所 (4,200)
【出願人】（０００００３２０７）トヨタ自動車株式会社 (59,920)
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