オプトエレクトロニクス半導体チップの少なくとも１つの実施形態では、該オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）は窒化物材料系をベースとし、少なくとも１つの活性量子井戸（２）を含む。前記少なくとも１つの活性量子井戸（２）は、動作中に電磁波を生成するように形成されている。さらに、前記少なくとも１つの活性量子井戸（２）は、半導体チップ（１）の成長方向ｚに対して平行な方向にＮ個の相互に重なったゾーン（Ａ）を含む。ここで、Ｎは２以上の自然数である。前記活性量子井戸（２）のゾーン（Ａ）のうち少なくとも２つのゾーンの各平均インジウム含有率ｃは相互に異なる。
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本発明は発光ダイオードであって、電気的に接続されている少なくとも１つの活性領域（１１）を備えている第１の半導体要素（１０）であり、発光ダイオードの動作時に活性領域（１１）において第１の波長域の電磁放射（１１０）が生成される、第１の半導体要素（１０）と、第１の半導体要素（１０）の上、第１の半導体要素（１０）の上面（１０ａ）に固定されている第２の半導体要素（２０）であって、多重量子井戸構造（２１３）を有する再放出領域（２１）を有し、発光ダイオードの動作時に再放出領域（２１）において第１の波長域の電磁放射（１１０）が吸収されて第２の波長域の電磁放射（２２０）が再放出される、第２の半導体要素（２０）と、第１の半導体要素（１０）と第２の半導体要素（２０）との間に配置されている結合材料（３０）であって、第１の半導体要素（１０）および第２の半導体要素（２０）を互いに機械的に結合する、結合材料（３０）と、を具備している、発光ダイオード、に関する。 （もっと読む）

本明細書に説明される実施形態は、光子トンネル現象を促進するＬＥＤを含む。ＬＥＤ素子の一実施形態は、ある波長を有する光を生成するように適合される量子井戸層と、量子井戸層の第１の側にあるｐ−ドープ合金層と、量子井戸層の他方の側にあるｎ−ドープ合金層とを有し得る。また、素子は、ｐ−ドープ合金層に電気的に接続される電極と、ｎ−ドープ合金層に電気的に接続される電極とを含み得る。一実施形態によると、ｎ−ドープ合金層の厚さは、量子井戸層によって生成される光の波長未満であって、量子井戸層によって生成される光を媒体（例えば、空気）へと通過させる。別の実施形態では、層構造全体は、波長未満である厚さを有し得る。
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本発明の様々な実施形態は、エネルギー効率の良い、１０Ｇビット／秒を超える高速変調レートを実現する半導体発光デバイスを対象とする。これらのデバイスは、２つの相対的に厚い半導体層の間に埋め込まれた発光層を含む。エネルギー効率の良い、高速変調レートは、適切な発光電圧が印加されたときに光放出のためにキャリアの発光層への注入を容易にし、適切な消光電圧が印加されたときにキャリアの除去を容易にする電子状態を有する半導体材料から構成された発光層に隣接する層から結果として得られる。 （もっと読む）

チューブ状の炭素分子の側面に共有結合された少なくとも１つのフラーレン部分を有するカーボンナノバッド分子（３、９、１８、２３、２９、３６）は、素子の中で電磁放射線と相互作用するために使用され、電磁放射線との相互作用は当該カーボンナノバッド分子の緩和および／または励起を介して起こる。 （もっと読む）

ｎ型導電半導体層（２１）およびｐ型導電半導体層（２２）を備えている半導体ボディ（２）を開示する。ｐ型導電半導体層（２２）はｐ型ドーパントを含んでおり、ｎ型導電半導体層（２１）はｎ型ドーパントおよびさらなるドーパントを含んでいる。さらに、半導体ボディを製造する方法を開示する。 （もっと読む）

本発明は、第１の導電型の第１の縦方向領域（１２１）と、第２の導電型の第２の縦方向領域（１２２）と、第１の半導体ナノワイヤ（１０５）の前記第１の領域（１２１）に配置された少なくとも第１のラップゲート電極（１１１）とを含み、電圧が前記第１のラップゲート電極（１１１）に印加された場合に前記第１の縦方向領域（１２１）において電荷キャリア濃度を変更する少なくとも第１の半導体ナノワイヤ（１０５）を備えた半導体デバイスを提供する。第２のラップゲート電極（１１２）は、第２の縦方向領域（１２２）に配置されるのが好ましい。これにより、調整可能な擬似的な接合（１１４）がナノワイヤ（１０５）の実質的なドーピングなしで達成される。 （もっと読む）

【課題】ナノデバイス、これを含むトランジスタ、ナノデバイス及びこれを含むトランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】ナノデバイスは、ｉ）基板、ｉｉ）基板上に位置し、一つ以上の開口部を有するマスク層、及びｉｉｉ）開口部の周縁に沿って基板の板面に実質的に垂直の方向に伸びたナノ壁またはナノチューブを含む。 （もっと読む）