【課題】発光効率の高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体を含むｎ型半導体層１０と、窒化物半導体を含むｐ型半導体層２０と、前記ｎ型半導体層と前記ｐ型半導体層との間に設けられ、量子井戸層を含む発光部３０と、前記発光部と前記ｐ型半導体層との間に設けられ、第１Ａｌ組成比を有するＡｌＧａＮを含む第１層４１と、前記第１層と前記ｐ型半導体層との間に設けられ、前記第１Ａｌ組成比よりも高い第２組成比を有するＡｌＧａＮを含む第２層４２と、前記第１層と前記発光部との間に設けられ、厚さが３ｎｍ以上で８ｎｍ以下であり、Ｉｎ_ｚ１Ｇａ_１−ｚ１Ｎ（０≦ｚ１＜１）を含む中間層４０ｍと、を備えたことを特徴とする半導体発光素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】高出力・高効率で８５０ｎｍ以上、特に９００ｎｍ以上の発光ピーク波長の赤外光を発光する発光ダイオードを提供する。
【解決手段】本発明の発光ダイオードは、組成式（Ｉｎ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１）Ａｓ（０≦Ｘ１≦１）からなる井戸層と組成式（Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２）Ａｓ（０≦Ｘ２≦１）からなるバリア層とを交互に積層した量子井戸構造の活性層と、該活性層を挟む、組成式（Ａｌ_Ｘ３Ｇａ_１−Ｘ３）Ａｓ（０≦Ｘ３≦１）からなる第１のガイド及び第２のガイドと、該第１のガイド及び第２のガイドのそれぞれを介して前記活性層を挟む第１のクラッド層及び第２のクラッド層とを有する発光部と、前記発光部上に形成された電流拡散層と、前記電流拡散層に接合された機能性基板と、を備え、前記第１及び第２のクラッド層が組成式（Ａｌ_Ｘ４Ｇａ_１−Ｘ４）_ＹＩｎ_１−ＹＰ（０≦Ｘ４≦１，０＜Ｙ≦１）からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】内部量子効率が高く、光取り出し効率が高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体を含むｎ型半導体層１０と、窒化物半導体を含むｐ型半導体層２０と、ｎ型半導体層とｐ型半導体層との間に設けられ、交互に積層された、複数の障壁層３１と、複数の井戸層３２と、を有する発光部３０と、を備えた半導体発光素子が提供される。ｐ型半導体層に最も近い井戸層及び障壁層におけるｐ側端平均Ｉｎ組成比は、ｎ型半導体層に最も近い井戸層及び障壁層におけるｎ側端平均Ｉｎ組成比よりも大きく、ｎ側端平均Ｉｎ組成比の５倍以下である。 （もっと読む）

【課題】高輝度な半導体発光装置および画像表示装置を提供する。
【解決手段】複数の半導体薄膜発光素子が、実装基板101上に反射メタル層103を介して集積された第１半導体薄膜発光素子102と、第１半導体薄膜発光素子から放射される第１発光波長の光に対し透明な材料から構成され、かつ、第１半導体薄膜発光素子の素子構造を平坦とし、さらに電気的に絶縁性を有する第１透明絶縁平坦化膜113を介して第１半導体薄膜発光素子上に集積された第２半導体薄膜発光素子114とを備え、第２半導体薄膜発光素子は、内部の第１半導体薄膜発光素子側に、第１発光波長の光を透過し、かつ第２半導体薄膜発光素子から発光される第２発光波長の光のみを反射する半導体多層膜からなる第１半導体多層膜反射層116が形成され、第１半導体多層膜反射層を含む第２半導体薄膜発光素子は、第１発光波長の光に対し透明な材料から構成されている. （もっと読む）

【課題】高輝度な半導体発光装置および画像表示装置を提供する。
【解決手段】
複数の半導体薄膜発光素子が、実装基板101上に反射メタル層103を介して集積された第１半導体薄膜発光素子102と、第１半導体薄膜発光素子から放射される第１発光波長の光に対し透明な材料から構成され、かつ、第１半導体薄膜発光素子の素子構造を平坦とし、さらに電気的に絶縁性を有する第１透明絶縁平坦化膜113と、第１透明絶縁平坦化膜上に第１半導体薄膜発光素子から放射される第１発光波長の光に対し透明な材料から構成され、かつ、電気的に絶縁性を有する第１誘電体多層膜反射層116を介して集積された第２半導体薄膜発光素子114とを備え、第１誘電体多層膜反射層は、第１の発光波長の光を透過し、第２半導体薄膜発光素子から発光される第２発光波長の光のみを反射し、第２半導体薄膜発光素子は、第１発光波長の光に対し透明な材料から構成されている。 （もっと読む）

【課題】出力を向上できる赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハおよび赤外ＬＥＤを提供する。
【解決手段】赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハ２０ｂは、主表面１１ａと、主表面１１ａと反対側の裏面１１ｂとを有するＡｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層１１（０≦ｘ≦１）を含むＡｌ_yＧａ_(1-y)Ａｓ基板（０≦ｙ≦１）１０と、Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層１１の主表面１１ａ上に形成され、かつ活性層を含むエピタキシャル層２１と、エピタキシャル層２１上に形成された透明導電膜２６とを備え、Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層１１において、裏面１１ｂのＡｌの組成比ｘは、主表面１１ａのＡｌの組成比ｘよりも高い。 （もっと読む）

本発明は、半導体積層体を有する半導体ボディ（２）を備えた半導体チップ（１）に関する。放射を生成するために使用される活性領域（２０）が、ｎ型導電多層構造（２１）とｐ型導電半導体層（２２）との間に配置されている。ｎ型導電多層構造（２１）には、少なくとも１つのドーピングピーク（４）を有するドーピングプロファイルが形成されている。
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【課題】発光効率が向上した発光素子、発光素子パッケージ、及び照明システムを提供すること。
【解決手段】本発明に従う発光素子は、第１導電型半導体層と、上記第１導電型半導体層の上に積層され、第１及び第２量子井戸層と上記第１及び第２量子井戸層の間に障壁層を含む活性層と、上記活性層の上に第２導電型半導体層を含み、上記第１量子井戸層は複数の第１サブ障壁層と複数の第１サブ量子井戸層とを含み、上記第２量子井戸層は複数の第２サブ障壁層と複数の第２サブ量子井戸層とを含み、上記複数の第１サブ障壁層のバンドギャップは上記複数の第２サブ障壁層のバンドギャップと相異するように形成される。 （もっと読む）

改善されたＬＥＤ装置が開示され、かつこの装置には、エネルギ源と通じている少なくとも１つの活性層であって、第１の波長領域内の第１の電磁信号、および少なくとも第２の波長領域内の少なくとも第２の電磁信号を放射するように構成された少なくとも１つの活性層と、活性層を支持するように構成された基板と、基板の表面に施されたアルミナおよび炭化ケイ素の交互層で形成された少なくとも１つのコーティング層であって、このコーティングが、第１の波長領域における第１の電磁信号の少なくとも９５％を反射し、かつ第２の波長領域における第２の電磁信号の少なくとも９５％を透過させるように構成されたコーティング層と、コーティング層に施された少なくとも１つの金属層であって、それを通して、第２の波長領域における第２の電磁信号を透過させるように構成された金属層と、活性層をカプセル化するために配置されたカプセル化デバイスと、が含まれる。
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【課題】光電子デバイス、太陽電池、及びフォトディテクタ等の光電子デバイスを構成するナノウィスカであって、III−Ｖ族半導体物質からなる幅の制御された複数のナノウィスカでの製造方法を提供する。
【解決手段】共鳴トンネルダイオード（ＲＴＤ）は、基板にシード粒子を付着させることと、該シード粒子を物質にさらし、その際物質がシード粒子と共にメルトを形成するように温度と圧力の条件を制御し、それによってシード粒子がコラムの頂上に乗ってナノウィスカを形成することからなる方法によって形成され、ナノウィスカのコラムはナノメートル寸法の一定の径を有し、コラムの成長の間上記気体の組成を変更し、それによってエピタキシャル成長を維持しながらコラムの物質組成をその長さに沿った領域で変更し、これによって各部分の物質の間の格子不整合がその境界におけるウィスカの径方向外向きの膨張によって調整される。 （もっと読む）