【課題】成形または加工操作に先立つプラスチック部品の非接触熱処理のためのシステムで、改善された赤外線エネルギー変換効率を有する特定の熱赤外線（ＩＲ）波長放射又はエネルギーを物品に直接注入するシステムを提供する。
【解決手段】電流を光子に直接変換する工程を通じてプラスチック部品に所望の吸収特性と一致する狭波長領域の放射エネルギーを放射する１つ以上のレーザーダイオードを含み、かつ熱監視制御セクションを含むシステム。 （もっと読む）

【課題】特に初期条件の厳密な制御が不要となることからデバイスの作製が容易になり、また持続的なパルス発振を実現する。
【解決手段】連続して供給される入力光に応じて励起子が励起されるエネルギー準位２１を有する量子ドットＡと、第１のエネルギー準位２１と共鳴するエネルギー準位２２を有するとともに当該エネルギー準位２２から下位準位であるエネルギー準位２３へ励起子が遷移することによるエネルギー放出量に応じた出力となる出力光を生成する量子ドットＢとを有するエネルギー供給用量子ドットグループ２と、量子ドットＡにおけるエネルギー準位２１からの励起子の一部が遅延系４を介して供給され、これに基づいて制御光を出力する遅延システム用量子ドットグループ３とを備え、量子ドットＢは、制御光に応じてエネルギー準位２３における励起子の励起状態を変化させて、これに基づいて、パルス波形からなる上記出力光を生成する。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物系超格子と超格子上のＩＩＩ族窒化物系活性領域とを有する発光ダイオードを提供すること。
【解決手段】活性領域は、少なくとも１つの量子井戸構造を有する。量子井戸構造は、第１のＩＩＩ族窒化物系バリア層と、第１のバリア層上のＩＩＩ族窒化物系量子井戸層と、第２のＩＩＩ族窒化物系バリア層とを含む。ＩＩＩ族窒化物系半導体デバイスと、少なくとも１つの量子井戸構造を含む活性領域を有するＩＩＩ族窒化物系半導体デバイスの製造方法とが、提供されている。量子井戸構造は、ＩＩＩ族窒化物を含む井戸支持層と、井戸支持層上のＩＩＩ族窒化物を含む量子井戸層と、量子井戸層上のＩＩＩ族窒化物を含むキャップ層とを含む。またＩｎ_XＧａ_1-XＮとＩｎ_YＧａ_1-YＮとの交互層（ここで０≦Ｘ＜１および０≦Ｙ＜１、ならびにＸはＹに等しくない）の少なくとも２つの周期を有する窒化ガリウム系超格子を含む。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物系超格子と超格子上のＩＩＩ族窒化物系活性領域とを有する発光ダイオードを提供すること。
【解決手段】活性領域は、少なくとも１つの量子井戸構造を有する。量子井戸構造は、第１のＩＩＩ族窒化物系バリア層と、第１のバリア層上のＩＩＩ族窒化物系量子井戸層と、第２のＩＩＩ族窒化物系バリア層とを含む。ＩＩＩ族窒化物系半導体デバイスと、少なくとも１つの量子井戸構造を含む活性領域を有するＩＩＩ族窒化物系半導体デバイスの製造方法とが、提供されている。量子井戸構造は、ＩＩＩ族窒化物を含む井戸支持層と、井戸支持層上のＩＩＩ族窒化物を含む量子井戸層と、量子井戸層上のＩＩＩ族窒化物を含むキャップ層とを含む。またＩｎ_XＧａ_1-XＮとＩｎ_YＧａ_1-YＮとの交互層（ここで０≦Ｘ＜１および０≦Ｙ＜１、ならびにＸはＹに等しくない）の少なくとも２つの周期を有する窒化ガリウム系超格子を含む。 （もっと読む）

【課題】低駆動電圧で高発光効率の半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、下窒化物半導体からなるｎ型層と、窒化物半導体からなるｐ型層と、ｎ型層とｐ型層との間に設けられ、窒化物半導体からなる複数の障壁層と、複数の障壁層のそれぞれの間に設けられ、障壁層よりも小さいバンドギャップを有し、窒化物半導体からなる井戸層と、を有する発光部と、を備え、障壁層の少なくともいずれかは、ｎ型層の側に設けられた第１層と、ｐ型層の側に設けられ、第１層よりも高い濃度でｎ型不純物を含む第２層と、を含み、井戸層の少なくともいずれかは、ｎ型層の側に設けられた第３層と、ｐ型層の側に設けられ、第３層よりも高い濃度でｎ型不純物を含む第４層と、を含み、第２層及び第４層におけるｎ型不純物濃度は、５×１０^１７ｃｍ^−３以上であることを特徴とする半導体発光素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】グラフェン発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】グラフェン発光素子及びその製造方法に係り、該グラフェン発光素子は、ｐ型ドーパントがドーピングされたｐ型グラフェンと、ｎ型ドーパントがドーピングされたｎ型グラフェンと、発光する活性グラフェンと、が水平配列されている。 （もっと読む）

【課題】実施形態は、量子井戸の格子歪みを低減し、発光効率を向上させた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、第１導電型の半導体層３と、発光層７と、第２導電型の半導体層９を備える。第１導電型の半導体層３は、第１の窒化物半導体を含む第１の半導体層５ａと、第１の窒化物半導体５ａよりも格子定数が大きい第２の窒化物半導体を含む第２の半導体層５ｂと、を交互に積層した超格子構造５を有している。発光層７は、第２の窒化物半導体よりも格子定数が小さい第３の窒化物半導体を含む量子井戸層７ｂと、第３の窒化物半導体よりも格子定数が小さい第４の窒化物半導体層を含む障壁層７ａと、を交互に積層した多重量子井戸構造を有し、量子井戸層７ｂのうちの少なくとも１つの層が、第３の窒化物半導体の格子定数と同じ格子間隔である。 （もっと読む）

【課題】光子発生装置が発光する光の単色性が低い。
【解決手段】本発明の光子発生装置は、半導体材料からなる第１のナノ構造体と、半導体材料からなり、第１のナノ構造体の隣にギャップを挟んで配置された第２のナノ構造体と、ギャップに配置され、第１のナノ構造体と第２のナノ構造体とに挟持されたコロイド量子ドットとを有し、第１のナノ構造体と前記第２のナノ構造体とに挟持されたコロイド量子ドットは１つのみである。 （もっと読む）

【課題】発光効率を向上可能な発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子１０は、半導体基板１と、シリコン量子ドット２〜４と、絶縁膜５と、電極６を備える。半導体基板１は、ｎ^＋型単結晶シリコンからなる。絶縁膜５は、二酸化シリコン膜からなり、半導体基板１上に形成される。シリコン量子ドット２は、半導体基板１との間にキャリアがトンネル可能な膜厚を有する絶縁膜が存在するように絶縁膜５中に形成される。シリコン量子ドット３は、シリコン量子ドット２上に形成される。シリコン量子ドット４は、シリコン量子ドット３上に形成される。電極６は、ｐ^＋ｐｏｌｙ−Ｓｉからなり、絶縁膜５上に形成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高い発光効率を得ることができるIII族窒化物半導体の深紫外発光素子構造を提供することを目的とする。
【解決手段】上記課題を解決するために、本発明のIII族窒化物半導体の深紫外発光素子構造は、ＡｌＧａＮ障壁層とＧａＮ井戸層とからなるＡｌＧａＮ／ＧａＮ短周期超格子層と、上記ＡｌＧａＮ／ＧａＮ短周期超格子層を上下に挟むように配置されるｎ型ＡｌＧａＮ層およびｐ型ＡｌＧａＮ層とを備えることを特徴とする。これにより、発光効率の高い、波長２２０−２８０ｎｍの深紫外発光素子構造を作製することができるようになる。 （もっと読む）