複数の前駆体及びインジウム表面賦活剤を用いて１つ以上のｎ型層またはｐ型層を多重量子井戸(ＭＱＷ)サブアセンブリに重ねて形成するため、ＭＱＷサブアセンブリが低温気相成長プロセスにかけられる、光電発光半導体素子を作製する方法が提供される。前駆体及びインジウム表面賦活剤は１つ以上のキャリアガスを用いてそれぞれの流量で気相成長プロセスに導入され、キャリアガスの少なくとも１つはＨ_２を含む。インジウム表面賦活剤は低温気相成長プロセス中に形成されるｐ型層の結晶品質を向上させるに十分な量のインジウムを含み、それぞれの前駆体の流量及びキャリアガスのＨ_２含有量はｎ型層またはｐ型層内のインジウム表面賦活剤からのインジウムのモル分率をほぼ１％未満に維持するように選ばれる。別の実施形態において、低温気相成長プロセスは低温Ｔ_Ｇにおいて実行され、ここで、Ｔ_Ｇ≦Ｔ_Ｂ±５％であり、Ｔ_ＢはＭＱＷ障壁層成長温度である。他の実施形態も開示され、特許請求される。
（もっと読む）

１つまたは複数の銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体材料障壁層を含んだ半導体発光デバイスのための実装形態および技法が概ね開示される。 （もっと読む）

本開示は格子不整合コア・シェル量子ドット（ＱＤ）に関する。ある特定の実施形態では、格子不整合コア・シェルＱＤは、光起電力用途または光伝導用途のための方法に用いられる。それはまた、多色分子画像診断、細胞画像診断、および生体内画像診断にも有用である。 （もっと読む）

量子ドット（５１９）と、前記量子ドット（５１９）に電場を印加するように構成される電気的コンタクト（５３３、５３７）と、前記コンタクト（５３３、５３７）に結合される電源であって、双励起子又はより高次の励起子を形成するためにキャリアが前記量子ドット（５１９）に供給されるように、ポテンシャルを印加するように構成される電源と、を具備する光子源であって、前記光子源は、量子ドット（５１９）内の励起子の放射寿命より大きくなるように、キャリアが前記量子ドット（５１９）へ及び前記量子ドット（５１９）からトンネルする時間を増大するように構成される障壁（５２１）をさらに具備し、前記量子ドット（５１９）は、双励起子又はより高次の励起子の崩壊中にエンタングルされた光子の放射に適している、光子源。 （もっと読む）

光電子素子は、第１の電極と、第１の電極上に配置される量子ドット層であって、複数の量子ドットを含む量子ドット層と、量子ドット層上に直接配置されるフラーレン層であって、量子ドット層とフラーレン層とが電子的ヘテロ接合を形成する、フラーレン層と、フラーレン層上に配置される第２の電極とを含む。素子は、電子ブロッキング層を含んでもよい。量子ドット層は、向上した電荷キャリア移動度を呈するように、化学処置によって修飾されてもよい。
（もっと読む）

電気的にポンピングされるオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）の少なくとも一つの実施の形態においては、オプトエレクトロニクス半導体チップが、ＩｎＧａＮを含有しているか、又は、ＩｎＧａＮから構成されている、少なくとも二つのビーム活性量子井戸（２）と、ＡｌＧａＮを含有しているか、又は、ＡｌＧａＮから構成されている、少なくとも二つのカバー層（４）とを有している。カバー層（４）はそれぞれ、ビーム活性量子井戸（２）のうちの一つに対応付けられており、また、カバー層（４）はビーム活性量子井戸（２）のｐ側にそれぞれ設けられている。ビーム活性量子井戸（２）と、対応付けられているカバー層（４）との間隔は最大で１．５ｎｍである。
（もっと読む）

本発明は、オプトエレクトロニクス半導体ボディであって、第１の成分と、第１の成分とは異なる第２の成分とからなる半導体材料、を含んでいる、オプトエレクトロニクス半導体ボディ、を開示する。この半導体ボディは、ｎ型導電層（１）とｐ型導電層（５）との間に配置されている量子井戸構造を有する。量子井戸構造は、１層の量子井戸層（３１）または積層体（３）（積層体（３）は複数の量子井戸層（３１）と少なくとも１層のバリア層（３２）とを備えており、バリア層（３２）が２層の連続する量子井戸層（３１）の間に配置されており、これら２層の量子井戸層（３１）に隣接している）と、ｎ型導電層（１）と１層の量子井戸層（３１）または積層体（３）とに隣接しているｎ側終端層（２）と、ｐ型導電層（５）と１層の量子井戸層（３１）または積層体（３）との間に配置されており、かつ積層体（３）または１層の量子井戸層（３１）に隣接しているｐ側終端層（４）と、を備えている。 （もっと読む）

第１及び第２の半導体層（１４、１６）と、半導体層（１４、１６）の間の発光層（１８）とが配列されて発光ダイオードを形成し、一方の半導体層にあるギャップと、ギャップの内部に位置するメタルと、を有し、メタルは、発光層に十分に近接して、メタルと発光層との間の表面プラズモンカップリングを可能とする発光装置。

（もっと読む）

【課題】上面と底面を有する基板と，基板の上面上に少なくとも１つの光活性層を備えた固体光源を提供する。
【解決手段】上面，底面，光活性層及び光活性層上の放出面のうちの少なくとも１つは，高さ（ｈ）を規定する高隆起部及び低隆起部を有する複数の傾斜した表面外観形状を有するパターン面からなり，複数の傾斜した表面外観形状は，最小横寸法を（ｒ）を規定する。複数の傾斜した表面外観形状は，３〜８５度の表面傾斜角を有する少なくとも１つの表面部を備える。パターン面の表面粗さは，１０ｎｍ ｒｍｓ未満であり，ｈ／ｒは，０．０５より大きい。 （もっと読む）

向上された効果で２端子半導体素子から光放射を生産ための方法は、以下の、少なくとも１つのドレイン層を備える半導体ドレイン領域、前記ドレイン領域上に配置され、少なくとも１つのベース層を含む半導体ベース領域、および前記ベース領域の部分上に配置され、少なくとも１つのエミッタ層を含むエミッタメサを備える半導体エミッタ領域を含む層構造の半導体構造を提供する、前記ベース領域上に量子サイズ効果を示す少なくとも１つの領域を提供する、前記ベース領域の露出した表面上に第１の部分と、前記ドレイン領域と連結されたさらなる部分とを有するベース／ドレイン電極を提供し、前記エミッタ領域の表面上にエミッタ電極を提供する、前記ベース領域から光放射を得るため前記ベース／ドレインおよびエミッタ電極に対して信号を印加する、これらの領域の間で電圧分布の実質的な一様性のため、前記ベース／ドレインおよびエミッタ電極を構成するステップを有する。さらなる実施形態の中で、側面の大きさの拡大縮小は高周波数動作のため、素子の速度を制御するために使用される。 （もっと読む）