【課題】 発光効率の高い発光ダイオードを得ることが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】 ＧａＮで形成された下地層２０と、下地層上に形成され、下地層よりも格子定数が小さいＩｎＡｌＧａＮで形成された障壁層と下地層よりも格子定数が大きいＩｎＧａＮで形成された量子井戸層とが交互に積層された発光層３０と、を備える発光ダイオードであって、１００Ａ／ｃｍ² 以上の電流密度で作動させ、障壁層でＡｌ組成又はＩｎ組成が傾斜している。 （もっと読む）

【課題】結晶性に優れ、発光効率が高く、逆耐圧特性の経時劣化が少ない窒化物半導体発光素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に窒化物半導体からなるｎ型層、発光層およびｐ型層をこの順序で積層させ、発光層は井戸層を該井戸層よりもバンドギャップエネルギーが大きい障壁層で挟んだ量子井戸構造とした、量子井戸構造の発光層を有する窒化物半導体発光素子の製造方法において、障壁層の成長工程が、井戸層の成長温度よりも５０℃以上高い一定温度で障壁層Ｃを成長する工程と、当該障壁層Ｃを成長する工程の後に、井戸層の成長温度と同じ一定温度で障壁層Ｅを成長する工程とを含み、さらに前記障壁層Ｃを成長する工程の前に、井戸層の成長温度と同じ一定温度で障壁層Ａを成長する工程を含むことを特徴とする窒化物半導体発光素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】演色性の高い半導体発光素子および発光装置を提供することを可能にする。
【解決手段】本実施形態による発光素子は、半導体基板と、前記半導体基板上に設けられたｎ型ＧａＮ層と、前記ｎ型ＧａＮ層上に設けられ、障壁層と井戸層とが交互に積層された多重量子井戸構造の発光層と、前記発光層上に設けられたｐ型ＧａＮからなるコンタクト層と、を備え、前記障壁層および前記井戸層の平均屈折率が前記発光層の上下の層の平均屈折率よりも低い。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体を用いた半導体装置で良好なｐ型コンタクトが形成できるようにする。
【解決手段】ドーパントとしてマグネシウムを用いることなくｐ型とされた第１半導体層１０１と、第１半導体層１０１の上に形成されたアンドープの第１窒化物半導体からなる第２半導体層１０２と、第２半導体層１０２の上に接して形成された第２窒化物半導体からなる第３半導体層１０３とを少なくとも備える。また、第２半導体層１０２を構成する第１窒化物半導体は、第３半導体層１０３を構成する第２窒化物半導体より格子定数が小さくバンドギャップエネルギーが大きい。 （もっと読む）

【課題】ＩｎＧａＮ系材料の量子井戸層を有する発光素子において、発光効率を高めることにある。
【解決手段】ＩｎＧａＮ系材料により形成された量子井戸層６の近傍に、島状に独立した金属微細構造１８を有し、前記量子井戸層６から発射される光の発光波長と、前記金属微細構造１８の表面プラズモン振動と、が概ね一致することを特徴とする発光素子である。 （もっと読む）

【課題】高出力・高効率で８５０ｎｍ以上、特に９００ｎｍ以上の発光ピーク波長の赤外光を発光する発光ダイオードを提供する。
【解決手段】本発明の発光ダイオードは、基板上に、ＤＢＲ反射層と、発光部とを順に備える発光ダイオードであって、前記発光部は、組成式（Ｉｎ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１）Ａｓ（０≦Ｘ１≦１）からなる井戸層と組成式（Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２）Ａｓ（０≦Ｘ２≦１）からなるバリア層との積層構造を有する活性層と、該活性層を挟む、組成式（Ａｌ_Ｘ４Ｇａ_１−Ｘ４）_ＹＩｎ_１−ＹＰ；０≦Ｘ４≦１，０＜Ｙ≦１）からなる第１のクラッド層及び第２のクラッド層とを有することを特徴とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】多色、白色または近白色光を放射可能なＬＥＤデバイスの提供。
【解決手段】ｐｎ接合１０内に位置する第１のポテンシャル井戸１２と、ｐｎ接合内に位置しない第２のポテンシャル井戸４とを備える半導体デバイスが提供される。ポテンシャル井戸は量子井戸であり得る。半導体デバイスは通常、ＬＥＤであるとともに、白色または近白色光ＬＥＤであり得る。半導体デバイスはｐｎ接合内に位置しない第３のポテンシャル井戸８をさらに備え得る。半導体デバイスは第２または第３の量子井戸の周囲の、または近接するまたは直接隣接する吸収層３，５，７，９をさらに備え得る。さらに半導体デバイスを備えるグラフィックディスプレイおよび照明装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】発光効率を向上し、駆動電圧を低減した半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体を含むｎ形半導体層と、窒化物半導体を含むｐ形半導体層と、ｎ形半導体層とｐ形半導体層との間に設けられ、窒化物半導体を含む井戸層４２及び窒化物半導体を含む障壁層４１を有する発光部４０と、発光部４０とｎ形半導体層との間に設けられ、Ｉｎの組成比が異なる第１層３１及び第２層３２を含む積層体３０と、を備え、障壁層４１の層厚が１０ｎｍ以下であり、積層体３０の平均Ｉｎ組成比をｐ、発光部４０の平均Ｉｎ組成比をｑとした場合、ｐ＞０．４ｑである。 （もっと読む）

【課題】ＭＱＷ構造の発光層におけるキャップ層でのキャリアロスを低減することで発光効率を向上させること。
【解決手段】発光層１３は、ＩｎＧａＮからなる井戸層１３１、ＡｌＧａＮからなるキャップ層１３２、ＡｌＧａＮからなる障壁層１３３が順に３〜５回繰り返し積層されたＭＱＷ構造である。井戸層１３１、キャップ層１３２は同温度で成長させ、障壁層１３３は井戸層１３１、キャップ層１３２よりも高い温度で成長させた。キャップ層１３２のＡｌ組成比は、０よりも大きく、障壁層１３３のＡｌ組成比以下とし、キャップ層１３２の厚さは１〜８分子層とした。このようにキャップ層１３２を構成すると、発光効率を向上させることができ、発光効率のキャップ層１３２の厚さ依存性が低減されるので、再現性、生産性、歩留まりも向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】発光効率を向上した半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体を含むｎ形半導体層２０と、窒化物半導体を含むｐ形半導体層５０と、ｎ形半導体層とｐ形半導体層との間に設けられ、窒化物半導体を含む複数の障壁層４１と、複数の障壁層の間に設けられ、障壁層におけるバンドギャップエネルギーよりも小さいバンドギャップエネルギーを有し、ＩｎＧａＮを含む井戸層４２と、を備えた半導体発光素子が提供される。複数の障壁層の少なくともいずれかは、第１層ＢＬ１と、第１層よりもｐ形半導体層の側に設けられた第２層ＢＬ２と、第２層よりもｐ形半導体層の側に設けられた第３層ＢＬ３と、を有す。第２層は、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０＜ｘ≦０．０５）を含み、バンドギャップエネルギーが、前記第１層及び前記第３層よりも大きい。第１層及び第２層の合計の厚さは、第３層の厚さ以下である。 （もっと読む）