【課題】本発明は、高い発光効率を得ることができるIII族窒化物半導体の深紫外発光素子構造を提供することを目的とする。
【解決手段】上記課題を解決するために、本発明のIII族窒化物半導体の深紫外発光素子構造は、ＡｌＧａＮ障壁層とＧａＮ井戸層とからなるＡｌＧａＮ／ＧａＮ短周期超格子層と、上記ＡｌＧａＮ／ＧａＮ短周期超格子層を上下に挟むように配置されるｎ型ＡｌＧａＮ層およびｐ型ＡｌＧａＮ層とを備えることを特徴とする。これにより、発光効率の高い、波長２２０−２８０ｎｍの深紫外発光素子構造を作製することができるようになる。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオード及びこれを備えた発光ダイオードランプに関し、応答速度の速い発光ダイオード及び発光ダイオードランプを提供する。
【解決手段】本発明に係る発光ダイオードは、ｎ（≧１）層の歪発光層１２、及び（ｎ−１）層のバリア層１３よりなる発光層１０を有するｐｎ接合型の発光部を備え、前記発光層１０は、１層の歪発光層１２と、１層のバリア層１３が交互に積層された構成とされており、ｎを１〜７とし、かつ発光層１０の厚さを２５０ｎｍ以下にする。 （もっと読む）

【課題】量子ドットのサイズ、組成等と独立に広帯域化を図ることのできる半導体積層構造及びこれを備えた光学素子並びに半導体積層構造における光学スペクトルの広帯域化方法を提供する。
【解決手段】半導体積層構造１において、基板１０と、第１量子ドット層３０と、スペーサ層４０と、第２量子ドット層５０と、キャップ層６０と、をこの順で有し、スペーサ層４０の厚さを、当該厚さの変化により光学スペクトルが実質的に変化する変化範囲とした。 （もっと読む）

【課題】結晶歪みを抑制した半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、ｎ形半導体層と、ｐ形半導体層と、ｎ形半導体層とｐ形半導体層との間に設けられた多層構造体と、多層構造体とｐ形半導体層との間で多層構造体に接する発光部と、を備えた半導体発光素子が提供される。多層構造体は交互に積層された第１層と第２層とを含む。発光部は交互に積層された障壁層と井戸層とを含む。第１層、第２層及び障壁層のＩｎ組成比は井戸層のＩｎ組成比よりも低い。多層構造体の、積層方向に対して垂直な第１方向の軸の平均格子定数は、ｎ形半導体層の第１方向の軸の平均格子定数よりも大きい。多層構造体の第１方向の軸の平均格子定数と発光部の第１方向の軸の平均格子定数との差の絶対値は、多層構造体の第１方向の軸の平均格子定数とｎ形半導体層の第１方向の軸の平均格子定数との差の絶対値よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】本発明の発光ダイオードの緑黄色光周波の好ましくない効率と、発光ダイオードの発光効率低下の問題を克服する。
【解決手段】複数個のｎ型窒化ガリウムナノロッドと、それにオーミック接触されるｎ型窒化ガリウムナノロッドアレイを有する第一電極と、各ｎ型窒化ガリウムナノロッド上に設置される一個或いは複数個の窒化インジウムガリウムナノディスクと、複数個のｐ型窒化ガリウムナノロッドを有し、各ｐ型窒化ガリウムナノロッドは一個のｎ型窒化ガリウムナノロッドに対応され、対応される各ｎ型窒化ガリウムナノロッド上方の前記窒化インジウムガリウムナノディスクの上方に設置されるｐ型窒化ガリウムナノロッドアレイと、前記ｐ型窒化ガリウムナノロッドアレイにオーミック接触される第二電極を主に含む。 （もっと読む）

【課題】長波長においても発光効率が高い半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、ｎ形半導体層１０、ｐ形半導体層２０及び発光部３０を備えた半導体発光素子が提供される。発光部は、以下を含む。第１発光層ＬＥ１は、III族元素中のＩｎ組成比が２０％以上の第１井戸層領域ＷＲ１と、第１非井戸層領域ＮＲ１と、を含む。第１障壁層ＢＬ１は第１発光層とｐ形半導体層との間に設けられる。第２発光層ＬＥ２は、第１障壁層とｐ形半導体層との間に設けられ、Ｉｎ組成比が第１井戸層領域と同じ第２井戸層領域ＷＲ２と、第２非井戸層領域ＮＲ２と、を含む。第２障壁層ＢＬ２は第２発光層とｐ形半導体層との間に設けられる。ｎ側障壁層ＢＬｎは第１発光層とｎ形半導体層との間に設けられる。第１井戸層領域及び第２井戸層領域の少なくともいずれかは幅が５０ｎｍ以上の部分を有する。 （もっと読む）

【課題】全注入電流領域で高効率の発光特性を備えることができる発光素子、発光素子パッケージ及び照明システムを提供すること。
【達成手段】本発明の実施形態による発光素子は、第１導電型半導体層、第２導電型半導体層及び前記第１導電型半導体層と前記第２導電型半導体層との間に活性層を含めて、前記活性層は、前記第２導電型半導体層に隣接する第１活性層と前記第１導電型半導体層に隣接する第２活性層及び第１活性層と前記第２活性層との間にゲート量子壁を含む。 （もっと読む）

【課題】Ｉｎを含まないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる半導体層と基板のＳｉ面とを接合させる構造において、Ｉｎを含まないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる半導体層と基板とに剥がれが生じることを抑制すること。
【解決手段】本発明は、ＧａＡｓ基板３２の主面上に形成された光を発振する活性層３８を含む積層半導体層４６のうちの最表面の層である、Ｉｎを含まないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体であるＧａＡｓからなるコンタクト層４４の表面に、ＩｎＡｓの複数の量子ドットからなる接合層２２を形成する工程と、コンタクト層４４の表面を、接合層２２を介して、基板１０に含まれるＳｉ薄膜層１６のＳｉ面に接合させる工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ＩＶ族半導体材料を用いて形成された発光層の発光効率を向上させることができ、狭い帯域の発光スペクトルを得ることが可能となる発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】異なるＩＶ族半導体材料からなる、井戸領域と該井戸領域に隣接するバリア領域とを備えたポテンシャル閉じ込め構造の発光層を有する発光素子であって、
前記発光層における前記井戸領域から、該井戸領域と前記バリア領域との界面を越えた該バリア領域の一部に亙る連続した領域が、微結晶によって形成され、
前記バリア領域における前記微結晶によって形成されている領域以外の領域が、アモルファスまたは多結晶領域によって形成されている。 （もっと読む）

【課題】発光層の結晶性低下や、ｐ型半導体層への不純物の混入に起因するｐ型半導体層の結晶性低下を防ぎ、かつ、高い出力の得られる半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第一有機金属化学気相成長装置において、基板１１上に第一ｎ型半導体層１２ａと第二ｎ型半導体層１２ｂと、井戸層と障壁層とを交互に繰返し積層し、最上面が前記障壁層となる発光層１３を形成する第一工程と、第二有機金属化学気相成長装置において、前記発光層の最上面の前記障壁層上に前記障壁層の再成長層１３ｃとｐ型半導体層１４とを順次積層する第二工程と、を具備してなることを特徴とする半導体発光素子の製造方法を採用する。 （もっと読む）