発光ダイオード及び発光ダイオードランプ
【課題】発光ダイオード及びこれを備えた発光ダイオードランプに関し、応答速度の速い発光ダイオード及び発光ダイオードランプを提供する。
【解決手段】本発明に係る発光ダイオードは、n(≧1)層の歪発光層12、及び(n−1)層のバリア層13よりなる発光層10を有するpn接合型の発光部を備え、前記発光層10は、1層の歪発光層12と、1層のバリア層13が交互に積層された構成とされており、nを1〜7とし、かつ発光層10の厚さを250nm以下にする。
【解決手段】本発明に係る発光ダイオードは、n(≧1)層の歪発光層12、及び(n−1)層のバリア層13よりなる発光層10を有するpn接合型の発光部を備え、前記発光層10は、1層の歪発光層12と、1層のバリア層13が交互に積層された構成とされており、nを1〜7とし、かつ発光層10の厚さを250nm以下にする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、発光ダイオード及び発光ダイオードランプに関するものであり、特に、応答速度の速い発光ダイオード及びこれを用いた発光ダイオードランプに関する。
【背景技術】
【0002】
近年、人工光源による植物育成が研究なされている。特に、単色性に優れており、省エネルギー、長寿命、小型化が可能な発光ダイオード(英略称:LED)による照明を用いた栽培方法が注目されている。
また、これまでの研究結果から、植物育成(光合成)用の光源に適した発光波長の1つとして、波長が600〜700nmの領域の赤色光の効果が確認されている。
特に、波長が660〜670nm付近の光は、光合成に対しての反応効率が高く望ましい光源である。この波長に対して、従来、AlGaAs或いはInGaNP等からなる発光層の検討がされている(例えば、特許文献1〜3参照。)。
【0003】
一方、従来、燐化アルミニウム・ガリウム・インジウム(組成式(AlXGa1−X)YIn1−YP;0≦X≦1,0<Y≦1)よりなる発光層を備えた化合物半導体LEDが知られている。
このようなLED化合物半導体では、Ga0.5In0.5Pの組成を有した発光層の波長が最も長く、そのピーク発光波長は650nm付近である。
【0004】
また、一般に、(AlXGa1−X)YIn1−YP(0≦X≦1,0<Y≦1)からなる発光層を備えた発光部は、発光層からの光を遮断し、かつ機械的強度の低い砒化ガリウム(GaAs)単結晶基板上に形成されている。
そのため、高輝度の可視LEDを得るために、また、更なる素子の機械的強度の向上を目的とした研究が進められている。
例えば、特許文献4には、GaAsのような発光層の光を遮断する基板材料を除去した後、発光層の光を透過可能であり、かつ機械強度に優れた材料よりなる支持体層を接合させた、いわゆる接合型LEDが開示されている。
また、特許文献5には、発光メカニズムの異なるレーザー素子において、歪のある発光層(「歪発光層」ともいう)についての検討が行なわれている。しかし、発光ダイオードにおいては、歪のある発光層について実用化されていないのが実状である。
【0005】
また、特許文献6には、発光ダイオードの発光部に量子井戸構造を適用することが開示されている。しかしながら、量子井戸構造の適用によって得られる量子効果は、発光波長を短波長化させるため、長波長化の技術には適用できない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特開平9−37648号公報
【特許文献2】特開2002−27831号公報
【特許文献3】特開2004−221042号公報
【特許文献4】特許第3230638号公報
【特許文献5】特開2000−151024号公報
【特許文献6】特許第3373561号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
ところで、近年の研究により、植物育成用の照明は、光を照射後、光合成の反応時間中に消灯することによって省エネルギー化が可能であることが確認された。そこで、点灯方法については、高速パルス方式を利用して使用電力を削減することも検討されている。つまり、応答速度の速い発光ダイオードが必要とされている。
特に、高圧回路等において、電気信号伝達に用いられる高速カプラー用途の発光ダイオードにおいては、35ns以下の応答速度が望まれる。
【0008】
本発明は、上記事情を鑑みてなされたものであり、応答速度の速い発光ダイオード及び発光ダイオードランプを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
すなわち、本発明は以下に関する。
(1) n(≧1)層の歪発光層、及び(n−1)層のバリア層よりなる発光層を有するpn接合型の発光部を備え、前記発光層は、1層の歪発光層と、1層のバリア層とが交互に積層された構成とされており、前記nを1〜7とし、かつ前記発光層の厚さを250nm以下にしたことを特徴とする発光ダイオード。
(2) 前記歪発光層の組成式は、(AlXGa1−X)YIn1−YP(0≦X≦0.1、0.37≦Y≦0.46)であることを特徴とする前項(1)記載の発光ダイオード。
(3) 前記歪発光層の組成式が、GaXIn1−XP(0.37≦X≦0.46)であることを特徴とする前項(1)項記載の発光ダイオード。
【0010】
(4) 前記発光部と、該発光部に積層された歪調整層と、を少なくとも含む化合物半導体層を有することを特徴とする前項(1)ないし(3)のうち、いずれか1項記載の発光ダイオード。
(5) 前記化合物半導体層は、光取り出し面を有し、前記光取り出し面の反対側に位置する前記化合物半導体層の面に接合される機能性基板を設けたことを特徴とする前項(4)記載の発光ダイオード。
(6) 前記機能性基板は、光透過性基板であることを特徴とする前項(5)に記載の発光ダイオード。
(7) 前記機能性基板の材質は、GaPであることを特徴とする前項(5)または(6)に記載の発光ダイオード。
【0011】
(8) 前記化合物半導体層の前記光取り出し面側に設けられた第1及び第2の電極と、前記機能性基板の裏面に設けられた接続用の第3の電極と、をさらに備えたことを特徴とする前項(5)ないし(7)のうち、いずれか1項記載の発光ダイオード。
(9) 前記化合物半導体層と前記機能性基板とが反射構造体を介して接合されていることを特徴とする前項(5)に記載の発光ダイオード。
(10) 前記機能性基板の材質は、金属であることを特徴とする前項(5)または前項(9)のいずれかに記載の発光ダイオード。
(11) 前記機能性基板の材質は、GaP、Si、Geのいずれかであることを特徴とする前項(5)または前項(9)のいずれかに記載の発光ダイオード。
(12) 前記化合物半導体層の前記光取り出し面側に設けられた第1の電極と、前記化合物半導体層と反射構造体の間に設けられた第2の電極と、を備えたことを特徴とする前項(5)、前項(9)から前項(11)のうち、いずれか1項記載の発光ダイオード。
(13) 前記歪発光層の厚さが、8〜30nmの範囲内であることを特徴とする前項(1)ないし(12)のうち、いずれか1項記載の発光ダイオード。
(14) 前記歪調整層は、前記発光部が発光した際の光を透過可能であると共に、前記歪発光層及び前記バリア層の格子定数よりも小さい格子定数を有することを特徴とする前項(4)ないし(13)のうち、いずれか1項記載の発光ダイオード。
(15) 前記バリア層の組成式は、(AlXGa1−X)YIn1−YP(0.3≦X≦0.7、0.48≦Y≦0.52)であることを特徴とする前項(1)ないし(14)のうち、いずれか1項記載の発光ダイオード。
(16) 前記発光部は、前記歪発光層の上下面のうち、少なくとも一方の面にクラッド層を有し、前記クラッド層の組成式が(AlXGa1−X)YIn1−YP(0.5≦X≦1、0.48≦Y≦0.52)であることを特徴とする前項(1)ないし(15)のうち、いずれか1項記載の発光ダイオード。
【0012】
(17) 前記歪調整層の組成式は、(AlXGa1−X)YIn1−YP(0≦X≦1、0.6≦Y≦1)であることを特徴とする前項(4)ないし(16)のうち、いずれか1項記載の発光ダイオード。
(18) 前記歪調整層の組成式は、AlXGa1−XAs1−YPY(0≦X≦1、0.6≦Y≦1)であることを特徴とする前項(4)ないし(17)のうち、いずれか1項記載の発光ダイオード。
(19) 前記歪調整層の材質は、GaPであることを特徴とする前項(4)ないし(18)のうち、いずれか1項記発光ダイオード。
(20) 前記歪調整層の厚さは、0.5〜20μmの範囲内であることを特徴とする前項(4)ないし(19)のうち、いずれか1項記載の発光ダイオード。
【0013】
(21) 前記機能性基板の側面は、前記化合物半導体層に近い側において前記光取り出し面に対して略垂直である垂直面と、前記化合物半導体層に遠い側において前記光取り出し面に対して内側に傾斜し、かつ該垂直面と一体に構成された傾斜面と、を有することを特徴とする前項(5)ないし(20)のうち、いずれか1項に記載の発光ダイオード。
(22) 前記歪発光層の発光波長700nmにおける発光強度が、ピーク発光波長における発光強度の10%未満であることを特徴とする前項(1)ないし(21)のうち、いずれか1項記載の発光ダイオード。
(23) 前記光取り出し面は、粗い面を含むことを特徴とする前項(5)ないし(22)のうち、いずれか1項記載の発光ダイオード。
【0014】
(24) 植物育成の光合成の促進に使用するための発光ダイオードであって、前記発光部の発光スペクトルのピーク発光波長が、655〜675nmの範囲であることを特徴とする前項(1)ないし(23)のうち、いずれか1項記載の発光ダイオード。
(25) 前記発光スペクトルの半値幅は、10〜40nmの範囲内であることを特徴とする前項(24)に記載の発光ダイオード。
【0015】
(26) 前記発光部の応答速度が、35ns以下であることを特徴とする前項(1)ないし(25)のうち、いずれか1項記載の発光ダイオード。
(27) 表面に電極端子が形成されたマウント基板と、前項(1)ないし(26)のうち、いずれか1項記載の発光ダイオードと、を備え、前記発光ダイオードは、前記マウント基板に実装されており、前記発光ダイオードは、前記電極端子と電気的に接続されていることを特徴とする発光ダイオードランプ。
(28)前記発光ダイオードに設けられた前記第1又は第2の電極と、前記機能性基板に設けられた前記第3の電極とを略同電位に接続したことを特徴とする前項(27)に記載の発光ダイオードランプ。
【発明の効果】
【0016】
本発明の一観点によれば、n(≧1)層の歪発光層、及び(n−1)層のバリア層よりなる発光層を有するpn接合型の発光部を備え、発光層を、1層の歪発光層と、1層のバリア層とが交互に積層された構成とし、nを1〜7とし、かつ発光層の厚さを250nm以下にすることにより、歪発光層及びバリア層の総数を少なくすることが可能になると共に、歪発光層及びバリア層により構成される発光層の厚さを薄くすることが可能となるので、応答速度が35ns以下の発光ダイオードを実現できる。
【0017】
また、化合物半導体層の光取り出し面とは反対側に位置する化合物半導体層の面に、反射構造体を設けることにより、化合物半導体層の光取り出し面から発光ダイオードの外部に放射される光のうち、光取り出し面に対して直交する方向における光の強度を強くすることが可能となるので、高輝度及び高効率の発光ダイオードを実現できる。
また、光取り出し面に対して直交する方向における光の強度を強くすることにより、光取り出し面に対して直交する方向において、反射構造体を備えていない発光ダイオードの光の強度と同じ強さの光強度を得る場合、反射構造体を備えていない発光ダイオードよりも消費電力を小さくすることができる。
【0018】
また、光取り出し面の反対側に位置する化合物半導体層の面に、反射構造体を介して接合される機能性基板として、例えば、熱伝導率の良い基板を用いることで、発光部が発光した際の熱を、機能性基板を介して、発光ダイオードの外部に効率良く放出することができる。このような機能性基板を備えた発光ダイオードは、特に、発熱が問題となる植物育成用の照明として用いる場合に有効である。
【図面の簡単な説明】
【0019】
【図1】本発明の第1の実施形態である発光ダイオードを備えた発光ダイオードランプの平面図である。
【図2】図1中に示す発光ダイオードランプのA−A’線に沿った断面模式図である。
【図3】図1に示す発光ダイオードの平面図である。
【図4】図3に示す発光ダイオードのB−B’線に沿った断面模式図である。
【図5】図4に示す発光層の構成を説明するための拡大断面図である。
【図6】本発明の一実施形態である発光ダイオードに用いるエピウェーハの断面模式図である。
【図7】本発明の一実施形態である発光ダイオードに用いる接合ウェーハの断面模式図である。
【図8】本発明の第2の実施形態に係る発光ダイオードの一例を示す断面図である。
【図9】本発明の第2の実施形態に係る発光ダイオードの製造工程を示す断面図であり、図9(a)は、第1及び第2の金属層を対向配置させた状態を示す図であり、図9(b)は、第1及び第2の金属層が圧着され、第1及び第2の金属層よりなる機能性基板が形成された状態を示す図である。
【図10】本発明の第2の実施形態に係る発光ダイオードの製造工程を示す断面図である。
【図11】本発明の第2の実施形態に係る発光ダイオードの製造工程を示す断面図である。
【図12】本発明の第2の実施形態に係る発光ダイオードの製造工程を示す断面図である。
【図13】本発明の第2の実施形態に係る発光ダイオードの製造工程を示す断面図である。
【図14】本発明の第2の実施形態に係る発光ダイオードの製造工程を示す断面図である。
【図15】本発明の第2の実施形態に係る発光ダイオードの製造工程を示す断面図である。
【図16】本発明の第3の実施形態に係る発光ダイオードの一例を示す断面図であり、図16(a)は、第3の実施形態の発光ダイオードの平面図であり、図16(b)は、図16(a)に示す発光ダイオードのA−A‘線方向の概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0020】
以下、本発明を適用した一実施形態である発光ダイオード、及びこれを備えた発光ダイオードランプについて、図面を参照して詳細に説明する。なお、以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために、便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際の発光ダイオード及び発光ダイオードランプと同じであるとは限らない。
【0021】
<発光ダイオードランプ>
図1は、本発明の一実施形態である発光ダイオードを備えた発光ダイオードランプの平面図であり、図2は、図1中に示す発光ダイオードランプのA−A’線に沿った断面模式図である。
【0022】
図1及び図2に示すように、本実施形態の発光ダイオード1を備えた発光ダイオードランプ41は、マウント基板42の表面に1つ以上の発光ダイオード1が実装された構成とされている。
マウント基板42の表面には、n電極端子43とp電極端子44とが設けられている。発光ダイオード1の第1の電極であるn型オーミック電極4は、金線45を介して、マウント基板42のn電極端子43と電気的に接続されている。つまり、n型オーミック電極4とn電極端子43とは、ワイヤボンディング接続されている。
【0023】
また、発光ダイオード1の第2の電極であるp型オーミック電極5は、金線46を介して、マウント基板42のp電極端子44と電気的に接続されている。
さらに、図2に示すように、n型オーミック電極4及びp型オーミック電極5が設けられた面とは反対側に位置する発光ダイオード1の面には、第3の電極6が設けられている。この第3の電極6によって発光ダイオード1がn電極端子43上に接続され、発光ダイオード1はマウント基板42に固定される。n型オーミック電極4と第3の電極6とは、n極電極端子43によって等電位又は略等電位となるように電気的に接続されている。そして、マウント基板42の発光ダイオード1が実装された表面は、一般的なエポキシ樹脂47によって封止されている。
【0024】
<発光ダイオード(第1の実施形態)>
図3は、図1に示す発光ダイオードの平面図であり、図4は、図3に示す発光ダイオードのB−B’線に沿った断面模式図である。
図3及び図4に示すように、本実施形態の発光ダイオード1は、化合物半導体層2と機能性基板3とが接合された構成とされている。そして、発光ダイオード1は、主たる光取り出し面に設けられたn型オーミック電極4(第1の電極)及びp型オーミック電極5(第2の電極)と、機能性基板3の化合物半導体層2との接合面とは反対側に設けられた第3の電極6とを備える。なお、本実施形態における主たる光取り出し面とは、化合物半導体層2において、機能性基板3を貼り付けた面の反対側の面のことである。
【0025】
化合物半導体層2(「エピタキシャル成長層」ともいう)は、図4に示すように、pn接合型の発光部7と、歪調整層8とが順次積層された構造を有する。
この化合物半導体層2の構造には、公知の機能層を適時加えることができる。例えば、オーミック(Ohmic)電極の接触抵抗を下げるためのコンタクト層、素子駆動電流を発光部の全般に平面的に拡散させるための電流拡散層、逆に素子駆動電流の通流する領域を制限するための電流阻止層や電流狭窄層等の公知の層を設けることができる。なお、化合物半導体層2としては、GaAs基板上にエピタキシャル成長させて形成されたものが好ましい。
【0026】
図4に示すように、発光部7は、歪調整層8上に、少なくともp型の下部クラッド層9と、発光層10と、n型の上部クラッド層11とが順次積層されて構成されている。すなわち、発光部7は、放射再結合をもたらすキャリア(担体;carrier)及び発光を発光層10に「閉じ込める」ために、発光層10の下側及び上側に対峙して配置した下部クラッド(clad)層9及び上部クラッド層11を含む、所謂、ダブルヘテロ(英略称:DH)構造とすることが高強度の発光を得る上で好ましい。
【0027】
図5に示すように、発光層10は、歪発光層12と、バリア層とが交互に積層された積層構造を有すると共に、その両端に歪発光層12が配置された構成とされている。
【0028】
歪発光層12は、(AlXGa1−X)YIn1−YP(0≦X≦1,0<Y≦1)の組成を有している。上記Xは、0.1以下であることが好ましく、0であることがより好ましい。また、上記Yは、0.37〜0.46の範囲が好ましく、0.39〜0.45の範囲がより好ましい。
歪発光層12の組成を上記範囲内に規定することにより、発光波長を655〜675nmの範囲とすることできる。しかしながら、この場合、歪発光層12は、それ以外の構造部分と格子定数が異なる構成となり、化合物半導体層2に歪が発生する。このため、結晶欠陥の発生という弊害が生ずるおそれがある。
【0029】
歪発光層12の層厚(1層の厚さ)は、8〜30nmの範囲が好適である。ここで、歪発光層12の層厚が約6nm未満の薄膜である場合では、井戸構造の量子効果により発光波長が短くなり、所望の655nm以上が得られなくなる。
したがって、歪発光層12の層厚は、層厚の変動を加味して量子効果の発現しない8nm以上であることが望ましい。また、層厚の制御の容易さを考慮すれば、10nm以上が好適である。一方、歪発光層12の層厚が30nmを超えると、歪量が大きくなりすぎるため、結晶欠陥や表面の異常が発生しやすくなるために好ましくない。
【0030】
バリア層13は、(AlXGa1−X)YIn1−YP(0≦X≦1,0<Y≦1)の組成を有している。上記Xは、0.3〜0.7の範囲が好ましく、0.4〜0.6の範囲がより好ましい。また、上記Yは、0.48〜0.52の範囲が好ましく、0.49〜0.51の範囲がより好ましい。また、バリア層13の格子定数は、GaAs基板と同等または、小さくすることができる。
【0031】
バリア層13の層厚(1層の厚さ)は、歪発光層12の層厚よりも厚いことが好ましい。これにより、歪発光層12の発光効率を高くすることができる。また、バリア層13によって発光効率を最適化すると共に歪発光層12に発生した歪を緩和する必要がある。
したがって、バリア層13は、少なくとも、15nm以上の層厚とすることが好ましく、20nm以上の層厚がより好ましい。一方、バリア層13の層厚が、50nmを超えると発光波長の波長に近くなり、光の干渉、ブラッグ反射など、光学的な影響がでる。
したがって、バリア層13は、50nm以下の層厚とすることが好ましく、40nm以下の層厚がより好ましい。上述したように、歪発光層12の層厚が薄く、バリア層13の層厚が厚いほうが、歪発光層12の歪をバリア層13によって吸収する効果が得られると共に、歪発光層12に結晶欠陥が発生しにくいという効果が得られる。
【0032】
歪発光層12とバリア層13とが積層された発光層10において、歪発光層12の数(積層数であるn(≧1))は、1〜7層にするとよい。この場合、バリア層13の数(積層数である(n−1))は、0〜6層(歪発光層12の積層数nよりも1つ少ない数)となる。
【0033】
歪発光層12とバリア層13の数を減らすとPN接合の接合容量(キャパシタンス)は、大きくなる。これは、後述の様に歪発光層12とバリア層13はアンドープ、または低いキャリア濃度とされるのでpn接合において空乏層として機能し、空乏層が薄いほどキャパシタンスが大きくなることに起因する。
一般に応答速度を早くするためにはキャパシタンスが小さい方が望ましいが、本発明の構造では、歪発光層12とバリア層13の数を少なくすることにより、キャパシタンスが大きくなるにも関わらず応答速度が早くなる効果が見出された。
これは、歪発光層12とバリア層13の数を少なくすることによる注入キャリアの再結合速度が速くなる効果がより大きいためであると推定される。
【0034】
なお、歪発光層12の積層数nを1層にした場合、使用電流により高電流側でのキャリアオーバーフローが発生し高電流側で発光効率が低下してしまう。また、歪発光層12の積層数nを8層よりも多くすると、所要の応答速度(具体的には、35ns以下の応答速度)を満たさなくなる。
【0035】
また、発光層10を構成する歪発光層12の積層数nは、2〜5層にするとなおよい。この場合、バリア層13の積層数(n−1)は、1〜4層(歪発光層12の積層数よりも1つ少ない数)となる。
また、1〜7層の歪発光層12、及びこれに対応する数のバリア層13を備えた発光層10の厚さは、250nm以下にする。
【0036】
このように、n(≧1)層の歪発光層12、及び(n−1)層のバリア層13よりなる発光層10を、1層の歪発光層12と、1層のバリア層13とが交互に積層された構成とし、nを1〜7とし、かつ発光層10の厚さを250nm以下にすることにより、歪発光層12及びバリア層13の積層数を少なくして、歪発光層12及びバリア層13により構成された発光層10の厚さを薄くすることが可能となるので、応答速度が35ns以下の発光ダイオード1(言い換えれば、応答速度の速い発光ダイオード)を実現できる。
このような、応答速度の速い発光ダイオード1は、植物育成用の発光ダイオード、高圧回路等において、電気信号伝達に用いられる高速カプラー用の発光ダイオードとして使用できる。
【0037】
発光層10の導電型は特に限定されるものではなく、アンドープ、p型、及びn型のいずれも選択することができる。発光効率を高めるには、結晶性が良好なアンドープ、または3×1017cm−3未満のキャリア濃度とすることが望ましい。
発光層10は、組成式が(AlXGa1−X)YIn1−YP(0≦X≦0.1、0.37≦Y≦0.46)とされた歪発光層12を備えることにより、発光スペクトルのピーク発光波長を655〜675nmの範囲内に設定することができ、ピーク発光波長を660〜670nmの範囲内に設定することが好ましい。
【0038】
655〜675nmの範囲の発光波長は、植物育成(光合成)用の光源に適した発光波長の1つであり、光合成に対して反応効率が高いために望ましい。
一方、700nm以上の長波長領域の光を利用すると、植物の育成を抑制する反応が起こる為、長波長域の光量は少ない方が望ましい。
【0039】
したがって、効率的に植物育成する為には、光合成反応に対して最適な655〜675nmの波長領域の光が強く、700nm以上の長波長領域の光を含まない赤色光源が最も好ましい。
また、該好ましい赤色光源にする為には、半値幅は、狭い必要がある。一方、波長バラツキの大きくなる可能性がある量子化条件に近いと半値幅が狭くなる為、結果的に発光スペクトルの半値幅が、10〜40nmの範囲であることが好ましい。
【0040】
さらに、発光波長700nmにおける発光スペクトルの発光強度が、上記ピーク発光波長における発光強度の10%未満であることが好ましい。
このような特性の発光層10を備えた発光ダイオード1は、植物育成の光合成の促進に使用する照明(発光ダイオードランプ)として好適に用いることができる。また、発光層10の構成は、上記特性を充足するように組成、層厚、層数を適宜選択することができる。
【0041】
図4に示すように、下部クラッド層9及び上部クラッド層11は、発光層10の下面及び上面にそれぞれ設けられている。具体的には、発光層10の下面に下部クラッド層9が設けられ、発光層10の上面に上部クラッド層11が設けられている。
【0042】
下部クラッド層9及び上部クラッド層11の材質としては、発光層10(具体的には、歪発光層12)よりもバンドギャップの大きい材質が好ましく、バリア層13よりもバンドギャップが大きい材質がより好ましい。
【0043】
上記材質としては、例えば、AlXGa1−XAsの組成を有する化合物や、(AlXGa1−X)YIn1−YP(0≦X≦1,0<Y≦1)の組成を有する化合物が挙げられる。上記Xの値は、下限値が0.3以上であることが好ましく、0.5以上であることがより好ましい。また、上記Yの値は、0.48〜0.52の範囲が好ましく、0.49〜0.51の範囲がより好ましい。
【0044】
下部クラッド層9と上部クラッド層11とは、極性が異なるように構成されている。また、下部クラッド層9及び上部クラッド層11のキャリア濃度及び厚さは、公知の好適な範囲を用いることができ、発光層10の発光効率が高まるように条件を最適化することが好ましい。また、下部クラッド層9及び上部クラッド層11の組成を制御することによって、化合物半導体層2の反りを低減させることができる。
【0045】
具体的に、下部クラッド層9としては、例えば、Mgをドープしたp型の(AlXGa1−X)YIn1−YP(0.3≦X≦1,0<Y≦1)からなる半導体材料を用いることが望ましい。また、キャリア濃度は2×1017〜2×1018cm−3の範囲が好ましく、層厚は0.5〜5μmの範囲が好ましい。
【0046】
一方、上部クラッド層11としては、例えば、Siをドープしたn型の(AlXGa1−X)YIn1−YP(0.3≦X≦1,0<Y≦1)からなる半導体材料を用いることが望ましい。また、キャリア濃度は1×1017〜1×1018cm−3の範囲が好ましく、上部クラッド層11の厚さは0.5〜2μmの範囲が好ましい。なお、下部クラッド層9及び上部クラッド層11の極性は、化合物半導体層2の素子構造を考慮して選択することができる。
【0047】
また、下部クラッド層9と発光層10との間、発光層10と上部クラッド層11との間、及び上部クラッド層11と歪調整層8との間に、両層間におけるバンド(band)不連続性を緩やかに変化させるための中間層を設けても良い。この場合、各中間層は、上記両層の中間の禁止帯幅を有する半導体材料からそれぞれ構成することが好ましい。
【0048】
また、発光部7の構成層の上方には、オーミック(Ohmic)電極の接触抵抗を下げるためのコンタクト層、素子駆動電流を発光部の全般に平面的に拡散させるための電流拡散層、逆に素子駆動電流の通流する領域を制限するための電流阻止層や電流狭窄層など公知の層を設けることができる。
【0049】
図4に示すように、歪調整層8は、発光部7の下方に設けられている。この歪調整層8は、GaAs基板上に化合物半導体層2をエピタキシャル成長させる際に、歪発光層12によって生じた歪を緩和させるために設けられたものである。
また、歪調整層8は、発光部7(具体的には、発光層10)からの発光波長(光)を透過させることが可能な構成とされている。さらに、歪調整層8は、歪発光層12及びバリア層13の格子定数よりも小さい格子定数を有している。
【0050】
また、歪調整層8は、化合物半導体層2の形成(エピタキシャル成長による形成)に用いたGaAs基板の格子定数よりも小さい格子定数を有している。より具体的には、後述する組成から得られる歪調整層8の格子定数をA、バリア層13の格子定数をB、歪発光層12の格子定数をCとした場合に、A<B<Cとなる関係を有する。
【0051】
歪調整層8としては、(AlXGa1−X)YIn1−YP(0≦X≦1、0.6≦Y≦1)の組成を有する材料を適用することができる。上記Xは、化合物半導体層2の素子構造にもよるが、Al濃度が低い材料が化学的に安定であることから、0.5以下であることが好ましく、0であることがより好ましい。また、上記Yの下限値は、0.6以上であることが好ましい。
【0052】
ここで、発光層10(歪発光層12)の有する歪量が同じ場合を比較すると、上記Yの値が小さいほうが歪調整層8の歪調整効果が小さくなる。このため、歪調整層8の層厚を厚くする必要が生じ、歪調整層8の成膜時の成長時間とコストが上昇してしまうため、上記Yの値は0.6以上であることが好ましく、0.8以上であることがより好ましい。
【0053】
また、歪調整層8としては、発光波長の光を透過させることが可能なAlXGa1−XAs1−YPY(0≦X≦1、0.6≦Y≦1)の組成を有するIII−V属半導体材料を用いてもよい。
上記組成を有する歪調整層8では、Yの値によって格子定数が変化する。上記Yの値が大きい方が、格子定数が小さくなる。また、発光波長に対する透明度は、上記X及びYの値の双方に関連する為、透明な材料となるようにX及びYの値を選択すれば良い。
【0054】
さらに、歪調整層8の材質として、GaP、好ましくは、例えば、Mgドープしたp型のGaPを用いることが好ましい。このGaPは、組成の調整が不要であると共に歪調整効果が大きいため、生産性及び安定性の面からも歪調整層8の材料として最も適している。
【0055】
歪調整層8は、化合物半導体層2をエピタキシャル成長させる際に用いた基板であるGaAs基板の格子定数よりも小さい格子定数を有しているため、歪発光層12が包含する歪量のばらつきを緩和する機能を備えている。
このため、歪調整層8を設けることにより、発光波長などの特性の均一化、クラック発生等の結晶欠陥の発生防止の効果がある。
【0056】
ここで、歪調整層8の層厚は、0.5〜20μmの範囲であることが好ましく、3〜15μmの範囲であることがより好ましい。歪調整層8の層厚が0.5μm未満であると、歪発光層12の歪量のばらつきを緩和するのに十分ではなく、層厚が20μmを超えると成長時間が長くなるため、製造コストが増加するために好ましくない。
【0057】
このように、歪調整層8の組成を制御することにより、化合物半導体層2の反りを低減することが可能となるため、面内波長分布の小さい発光ダイオード1の作製が可能である。
さらに、本実施形態のように、機能性基板3と化合物半導体層2との接合を行なう構造を有する場合にも、化合物半導体層2の反りが大きい場合は割れなどの問題が生じるため、化合物半導体層2の反りを小さくすることが望ましい。
【0058】
例えば、歪発光層12の層厚は30nm以下の薄膜が望ましいが、薄い膜であるために層厚を均一に制御することは困難である。そして、層厚と導入される歪量とには相関があるため、歪発光層12の層厚がばらつくことによって導入される歪量もばらつき、結果として歪発光層12の発光波長がばらつくこととなる。
【0059】
そこで、化合物半導体層2を形成する際に、+(プラス)歪を有する歪発光層12を含む発光部7の上方(図4では、発光部7の下方となる)に歪調整層8を設けることにより、この歪調整層8の有する−(マイナス)歪が、歪発光層の層厚のばらつきによって+側に大きくずれた歪を−側に引き寄せて、歪発光層12の歪量のばらつきを小さくする作用があることを見出した。この歪調整層8の効果は、歪発光層12の歪量のばらつきの原因が歪発光層12の組成のばらつきの場合であっても同様である。
【0060】
ところで、歪調整層8のない従来の発光ダイオードでは、発光波長等の特性のばらつきが大きいため、要求された品質を満足することができなかった。これに対し、本実施形態の発光ダイオード1では、発光部7の下方に歪調整層8を設けた素子構造としている。
これにより、長波長化を行うために必要な歪発光層12の歪量が発光層10内において均一化されて、発光波長及び出力の特性のばらつきが小さくなる。また、化合物半導体層2の表面状態も改善される。
【0061】
図4に示すように、機能性基板3は、化合物半導体層2を構成する歪調整層8側に接合されている。この機能性基板3は、光透過性基板であり、発光部7を機械的に支持するのに充分な強度を有し、且つ、発光部7から出射される発光を透過できる禁止帯幅が広く、発光層10からの発光波長に対して光学的に透明な材料から構成する。
【0062】
例えば、燐化ガリウム(GaP)、砒化アルミニウム・ガリウム(AlGaAs)、窒化ガリウム(GaN)等のIII−V族化合物半導体結晶体、硫化亜鉛(ZnS)やセレン化亜鉛(ZnSe)等のII−VI族化合物半導体結晶体、或いは六方晶或いは立方晶の炭化珪素(SiC)等のIV族半導体結晶体、ガラス、サファイアなど絶縁基板から構成することができる。
【0063】
一方、接合面に反射率の高い表面を有する機能性基板も選択できる。例えば、表面に銀、金、銅、アルミニウムなどである金属基板または合金基板や、半導体に金属ミラー構造を形成した複合基板なども選択できる。接合による歪の影響がない歪調整層と同じ材質から選択することが、最も望ましい。
【0064】
機能性基板3は、発光部7を機械的に充分な強度で支持するために、例えば約50μm以上の厚みとすることが好ましい。また、化合物半導体層2へ接合した後に機能性基板3への機械的な加工を施し易くするため、約300μmの厚さを超えないものとすることが好ましい。すなわち、機能性基板3は、約50μm以上約300μm以下の厚さを有するn型GaP基板から構成するのが最適である。
【0065】
また、図4に示すように、機能性基板3の側面は、化合物半導体層2に近い側において主たる光取り出し面に対して略垂直である垂直面3aとされており、化合物半導体層2に遠い側において主たる光取り出し面に対して内側に傾斜した傾斜面3bとされている。
これにより、発光層10から機能性基板3側に放出された光を効率よく外部に取り出すことができる。また、発光層10から機能性基板3側に放出された光のうち、一部は垂直面3aで反射され傾斜面3bで取り出すことができる。
一方、傾斜面3bで反射された光は垂直面3aで取り出すことができる。このように、垂直面3aと傾斜面3bとの相乗効果により、光の取り出し効率を高めることができる。
【0066】
また、本実施形態では、図4に示すように、傾斜面3bと発光面に平行な面とのなす角度αを、55度〜80度の範囲内とすることが好ましい。このような範囲とすることで、機能性基板3の底部で反射された光を効率よく外部に取り出すことができる。
また、垂直面3aの幅(厚さ方向)を、30μm〜100μmの範囲内とすることが好ましい。垂直面3aの幅を上記範囲内にすることで、機能性基板3の底部で反射された光を垂直面3aにおいて効率よく発光面に戻すことができ、さらには、主たる光取り出し面から放出させることが可能となる。このため、発光ダイオード1の発光効率を高めることができる。
【0067】
また、機能性基板3の傾斜面3bは、粗面化されることが好ましい。傾斜面3bが粗面化されることにより、この傾斜面3bでの光取り出し効率を上げる効果が得られる。すなわち、傾斜面3bを粗面化することにより、傾斜面3bでの全反射を抑制して、光取り出し効率を上げることができる。
【0068】
化合物半導体層2と機能性基板3との接合界面は、高抵抗層となる場合がある。すなわち、化合物半導体層2と機能性基板3との間には、図示略の高抵抗層が設けられている場合がある。この高抵抗層は、機能性基板3よりも高い抵抗値を示し、高抵抗層が設けられている場合には化合物半導体層2の歪調整層8側から機能性基板3側への逆方向の電流を低減する機能を有している。また、機能性基板3側から歪調整層8側へと不用意に印加される逆方向の電圧に対して耐電圧性を発揮する接合構造を構成しているが、その降伏電圧は、pn接合型の発光部7の逆方向電圧より低値となる様に構成することが好ましい。
【0069】
n型オーミック電極4及びp型オーミック電極5は、発光ダイオード1の主たる光取り出し面に設けられた低抵抗のオーミック接触電極である。ここで、n型オーミック電極4は、上部クラッド層11の上方に設けられており、例えば、AuGe、Ni合金/Auからなる合金を用いることができる。一方、p型オーミック電極5は、図4に示すように、露出させた歪調整層8の表面にAuBe/Auからなる合金を用いることができる。
【0070】
ここで、本実施形態の発光ダイオード1では、第2の電極としてp型オーミック電極5を、歪調整層8上に形成することが好ましい。このような構成とすることにより、作動電圧を下げる効果が得られる。また、p型オーミック電極5をp型GaPからなる歪調整層8上に形成することにより、良好なオーミックコンタクトが得られるため、作動電圧を下げることができる。
【0071】
なお、本実施形態では、第1の電極の極性をn型とし、第2の電極の極性をp型とするのが好ましい。このような構成とすることにより、発光ダイオード1の高輝度化を達成することができる。
一方、第1の電極をp型とすると、電流拡散が悪くなり、輝度の低下を招く。これに対して、第1の電極をn型とすることにより、電流拡散が良くなり、発光ダイオード1の高輝度化を達成することができる。
【0072】
また、図3に示すように、本実施形態の発光ダイオード1では、n型オーミック電極4とp型オーミック電極5とが対角の位置となるように配置することが好ましい。また、p型オーミック電極5の周囲を、化合物半導体層2で囲んだ構成とすることが最も好ましい。
このような構成とすることにより、作動電圧を下げる効果を得ることができる。また、p型オーミック電極5の四方をn型オーミック電極4で囲むことにより、電流が四方に流れやすくなるため、その結果として作動電圧が低下する。
【0073】
また、図3に示すように、本実施形態の発光ダイオード1では、n型オーミック電極4を、ハニカムや格子形状等のような網目とすることが好ましい。
このような構成とすることにより、信頼性を向上させる効果が得られる。また、格子状とすることにより、発光層10に均一に電流を注入することが可能となるので、その結果、信頼性を向上させることができる。
【0074】
なお、本実施形態の発光ダイオード1では、n型オーミック電極4を、パッド形状の電極(パッド電極)と幅10μm以下の線状の電極(線状電極)とで構成することが好ましい。
このような構成とすることにより、高輝度化をはかることができる。さらに、線状電極の幅を狭くすることにより、光取り出し面の開口面積を上げることができ、高輝度化を達成することができる。
【0075】
図4に示すように、第3の電極6は、機能性基板3の底面に設けられており、高輝度化、導通性、実装工程の安定化を向上させる機能を有している。第3の電極6の材質は、特に限定されるものではないが、例えば、反射率が高い銀(Ag)ペーストを用いることができる。
また、第3の電極6には、例えば、反射層、バリア層、接続層よりなる積層構造を用いることができる。上記反射層としては、反射率の高い金属、例えば、銀、金、アルミニウム、白金およびこれらの金属の合金を用いることができる。
【0076】
また、機能性基板3と反射層との間に、例えば、酸化インジウム錫(ITO)、酸化インジウム亜鉛(IZO)等の透明導電膜からなる酸化膜を設けることができる。また、バリア層としては、例えば、タングステン、モリブデン、チタン、白金、クロム、タンタル等の高融点金属を用いることができる。また、接続層としては、例えば、AuSn、AuGe,AuSi等の低融点の共晶金属を用いることができる。
【0077】
また、第3の電極6は、オーミック電極であってもショットキー電極であっても良いが、第3の電極6が機能性基板3の底面にオーミック電極を形成すると、発光層10からの光を吸収してしまうため、ショットキー電極であることが好ましい。
第3の電極6の厚さは、特に限定されるものではないが、0.2〜5μmの範囲が好ましく、1〜3μmの範囲がより好ましく、1.5〜2.5μmの範囲が特に好ましい。
【0078】
ここで、第3の電極6の厚さが0.2μm未満であると高度な膜厚制御技術が必要であるために好ましくない。また、第3の電極6の厚さが5μmを超えるとパターン形成しにくくなり、高コストとなるため、好ましくない。一方、第3の電極6の厚さが上記範囲内であると、品質の安定性とコストの両立が可能である。
【0079】
<発光ダイオードの製造方法>
図6は、本実施形態の発光ダイオード1に用いるエピウェーハの断面模式図であり、図7は、本実施形態の発光ダイオード1に用いる接合ウェーハの断面模式図である。
次に、図6及び図7を参照して、本実施形態の発光ダイオード1の製造方法について説明する。
【0080】
(化合物半導体層の形成工程)
先ず、図6に示すように、化合物半導体層2を作製する。化合物半導体層2は、GaAs基板14上に、GaAsからなる緩衝層15、選択エッチングに利用するために設けられたエッチングストップ層(図示せず)、Siをドープしたn型のAlGaInPからなるコンタクト層16、n型の上部クラッド層11、発光層10、p型の下部クラッド層9、及びMgドープしたp型GaPからなる歪調整層8を順次積層して作製する。
【0081】
GaAs基板14は、公知の製法で作製された市販品の単結晶基板を使用できる。GaAs基板14のエピタキシャル成長させる表面は、平滑であることが望ましい。GaAs基板14の表面の面方位は、エピ成長しやすく、量産されている(100)面および(100)から、±20°以内にオフした基板が、品質の安定性の面からのぞましい。
さらに、GaAs基板14の面方位の範囲が、(100)方向から(0−1−1)方向に15°オフ±5°であることがより好ましい。
【0082】
GaAs基板14の転位密度は、化合物半導体層2の結晶性を良くするために低い方が望ましい。具体的には、例えば、10,000個cm−2以下、望ましくは、1,000個cm−2以下であることが好適である。
【0083】
GaAs基板14の導電型は、n型であってもp型であっても良い。GaAs基板14のキャリア濃度は、所望の電気伝導度と素子構造から、適宜選択することができる。例えば、GaAs基板14がシリコンドープのn型である場合には、キャリア濃度が1×1017〜5×1018cm−3の範囲であることが好ましい。これに対して、GaAs基板14が亜鉛をドープしたp型の場合には、キャリア濃度2×1018〜5×1019cm−3の範囲であることが好ましい。
【0084】
GaAs基板14の厚さは、基板のサイズに応じて適切な範囲がある。GaAs基板14の厚さが適切な範囲よりも薄いと、化合物半導体層2の製造プロセス中に割れてしまうおそれがある。
一方、GaAs基板14の厚さが適切な範囲よりも厚いと材料コストが増加することになる。このため、GaAs基板14の基板サイズが大きい場合、例えば、GaAs基板14の直径が75mmの場合には、ハンドリング時の割れを防止するために250〜500μmの厚さが望ましい。同様に、GaAs基板14の直径が50mmの場合は、200〜400μmの厚さが望ましく、GaAs基板14の直径が直径100mmの場合は、350〜600μmの厚さが望ましい。
【0085】
このように、GaAs基板14の基板サイズに応じて基板の厚さを厚くすることにより、歪発光層7に起因する化合物半導体層2の反りを低減することができる。
これにより、エピタキシャル成長中の温度分布が均一となることため、発光層10の面内の波長分布を小さくすることができる。なお、GaAs基板14の形状は、特に円形に限定されず、矩形等であっても問題ない。
【0086】
緩衝層15(buffer)は、半導体基板17と発光部7の構成層との格子ミスマッチの緩和するために設けられている。このため、基板の品質やエピタキシャル成長条件を選択すれば、緩衝層15は、必ずしも必要ではない。
また、緩衝層15の材質は、エピタキシャル成長させる基板と同じ材質とすることが好ましい。したがって、本実施形態では、緩衝層15には、GaAs基板14と同じくGaAsを用いることが好ましい。また、緩衝層15には、欠陥の伝搬を低減するためにGaAs基板14と異なる材質からなる多層膜を用いることもできる。緩衝層15の厚さは、0.1μm以上とすることが好ましく、0.2μm以上とすることがより好ましい。
【0087】
コンタクト層16は、電極との接触抵抗を低下させるために設けられている。コンタクト層16の材質は、歪発光層12よりバンドギャップの大きい材質であることが好ましく、AlXGa1−XAs、(AlXGa1−X)YIn1−YP(0≦X≦1,0<Y≦1)が好適である。
また、コンタクト層16のキャリア濃度の下限値は、電極との接触抵抗を低下させるために5×1017cm−3以上であることが好ましく、1×1018cm−3以上がより好ましい。
【0088】
キャリア濃度の上限値は、結晶性の低下が起こりやすくなる2×1019cm−3以下が望ましい。コンタクト層16の厚さは、0.5μm以上が好ましく、1μm以上が最適である。コンタクト層16の厚さの上限値は特に限定されてはいないが、エピタキシャル成長に係るコストを適正範囲にするため、5μm以下とすることが望ましい。
【0089】
本実施形態では、分子線エピタキシャル法(MBE)や減圧有機金属化学気相堆積法(MOCVD法)等の公知の成長方法を適用することができる。なかでも、量産性に優れるMOCVD法を適用することが望ましい。
具体的には、化合物半導体層2のエピタキシャル成長に使用するGaAs基板14は、成長前に洗浄工程や熱処理等の前処理を実施して、表面の汚染や自然酸化膜を除去することが望ましい。
【0090】
上記化合物半導体層2を構成する各層は、直径50〜150mmのGaAs基板14をMOCVD装置内に8枚以上セットし、同時にエピタキシャル成長させて積層することができる。また、MOCVD装置としては、自公転型、高速回転型等の市販の大型装置を適用することができる。
【0091】
上記化合物半導体層2の各層をエピタキシャル成長する際、III族構成元素の原料としては、例えば、トリメチルアルミニウム((CH3)3Al)、トリメチルガリウム((CH3)3Ga)及びトリメチルインジウム((CH3)3In)を用いることができる。また、Mgのドーピング原料としては、例えば、ビスシクロペンタジエニルマグネシウム(bis−(C5H5)2Mg)等を用いることができる。
【0092】
また、Siのドーピング原料としては、例えば、ジシラン(Si2H6)等を用いることができる。また、V族構成元素の原料としては、ホスフィン(PH3)、アルシン(AsH3)等を用いることができる。
また、各層の成長温度としては、歪調整層8としてp型GaPを用いる場合は、720〜770℃を適用することができ、その他の各層では600〜700℃を適用することができる。さらに、各層のキャリア濃度及び層厚、及び温度条件は、適宜選択することができる。
【0093】
このようにして製造した化合物半導体層2は、歪発光層7を有するにもかかわらず結晶
欠陥が少ない良好な表面状態が得られる。また、化合物半導体層2は、素子構造に対応して研磨などの表面加工を施しても良い。
【0094】
(機能性基板の接合工程)
次に、化合物半導体層2と機能性基板3とを接合する。化合物半導体層2と機能性基板3との接合は、先ず、化合物半導体層2を構成する歪調整層8の表面を研磨して、鏡面加工する。
次に、この歪調整層8の鏡面研磨した表面に貼付する機能性基板3を用意する。なお、この機能性基板3の表面は、歪調整層8に接合させる以前に鏡面に研磨する。
【0095】
次に、一般の半導体材料貼付装置に、化合物半導体層2と機能性基板3とを搬入し、真空中で鏡面研磨した双方の表面に電子を衝突させて中性(ニュートラル)化したArビームを照射する。その後、真空を維持した貼付装置内で双方の表面を重ね合わせて荷重をかけることで、室温で接合することができる(図7参照)。
【0096】
(第1及び第2の電極の形成工程)
次に、第1の電極であるn型オーミック電極4及び第2の電極であるp型オーミック電極5を形成する。n型オーミック電極4及びp型オーミック電極5の形成は、先ず、機能性基板3と接合した化合物半導体層2から、GaAs基板14及び緩衝層15をアンモニア系エッチャントによって選択的に除去する。
次に、露出したコンタクト層16の表面にn型オーミック電極4を形成する。具体的には、例えば、AuGe、Ni合金/Pt/Auを任意の厚さとなるように真空蒸着法により積層した後、一般的なフォトリソグラフィー技術及びエッチング技術を利用してパターニングを行って、n型オーミック電極4の形状を形成する。
【0097】
次に、コンタクト層16、上部クラッド層11、発光層10、及び下部クラッド層9を選択的に除去して歪調整層8を露出させ、この露出した歪調整層8の表面にp型オーミック電極5を形成する。
具体的には、例えば、AuBe/Auを任意の厚さとなるように真空蒸着法により積層した後、一般的なフォトリソグラフィー手段を利用してパターニングを行ってp型オーミック電極5の形状を形成する。
その後、例えば400〜500℃、5〜20分間の条件で熱処理を行って合金化することにより、低抵抗のn型オーミック電極4及びp型オーミック電極5を形成することができる。
【0098】
(第3の電極の形成工程)
次に、機能性基板3の化合物半導体層2との接合面と反対側に第3の電極6を形成する。第3の電極6として銀ペーストを用いる場合は、機能性基板の表面に銀ペーストを塗布する。
また、第3の電極として発光層を用いる場合、具体的には、例えば、機能性基板3の表面に、スパッタ法により、透明導電膜であるITO膜(厚さ0.1μm)、銀合金膜(厚さ0.1μm)を成膜して反射層を形成する。
【0099】
次に、この反射層の上にバリア層として、例えば、タングステン(厚さ0.1μm)を成膜する。次に、このバリア層の上に、Au膜(厚さ0.5um)、AuSn膜(共晶:融点283℃)を厚さ1μm、厚さ0.1μmのAu膜を順次成膜して接続層を形成する。
そして、通常のフォトリソグラフィー法により、任意の形状にパターニングして第3の電極6を形成した。なお、機能性基板3と第3の電極6とは、光吸収の少ないショットキー接触である。
【0100】
(機能性基板の加工工程)
次に、機能性基板3の形状を加工する。機能性基板3の加工は、先ず、第3の電極6を形成していない表面にV字状の溝入れを行う。この際、V字状の溝の第3の電極6側の内側面が発光面に平行な面とのなす角度αを有する傾斜面3bとなる。次に、化合物半導体層2側から所定の間隔でダイシングを行ってチップ化する。なお、チップ化の際のダイシングによって機能性基板3の垂直面3aが形成される。
【0101】
傾斜面3bの形成方法は、特に限定されるものではなく、ウェットエッチング、ドライエッチング、スクライブ法、レーザー加工等の従来からの方法を組み合わせて用いることができるが、形状の制御性及び生産性の高いダイシング法を適用することが最も好ましい。ダイシング法を適用することにより、製造歩留まりを向上することができる。
【0102】
また、垂直面3aの形成方法は、特に限定されるものではないが、スクライブ・ブレーク法又はダイシング法で形成するのが好ましい。
スクライブ・ブレーク法を採用することにより、製造コストを低下させることができる。すなわち、チップ分離の際に切りしろを設ける必要なく、数多くの発光ダイオードが製造できるため製造コストを下げることができる。一方、ダイシング法では、垂直面3aからの光取り出し効率が上がり、高輝度化達成することができる。
【0103】
最後に、ダイシングによる破砕層及び汚れを必要に応じて硫酸・過酸化水素混合液等で
エッチング除去する。このようにして発光ダイオード1を製造する。
【0104】
<発光ダイオードランプの製造方法>
次に、上記発光ダイオード1を用いた発光ダイオードランプ41の製造方法、すなわち、発光ダイオード1の実装方法について説明する。
図1及び図2に示すように、マウント基板42の表面に所定の数量の発光ダイオード1を実装する。発光ダイオード1の実装は、先ず、マウント基板42と発光ダイオード1との位置合せを行い、マウント基板42の表面の所定の位置に発光ダイオード1を配置する。
【0105】
次に、第3の電極6を構成する接続層15とマウント基板42の表面に設けられたn電極端子43とを共晶金属接合(共晶金属ダイボンド)する。
これにより、発光ダイオード1がマウント基板42の表面に固定される。次に、発光ダイオード1のn型オーミック電極4とマウント基板42のn電極端子43とを金線45を用いて接続(ワイヤボンディング接続)する。
次に、発光ダイオード1のp型オーミック電極5とマウント基板42のp電極端子44とを金線46を用いて接続する。
最後に、マウント基板42の発光ダイオード1が実装された表面を、一般的なエポキシ樹脂47によって封止する。このようにして、発光ダイオード1を用いた発光ダイオードランプ41を製造する。
【0106】
上記構成を有する発光ダイオードランプ41に対して、n電極端子43及びp電極端子44に電圧を付加した場合について説明する。
先ず、発光ダイオードランプ41に順方向の電圧が印加された場合について説明する。
順方向の電圧が印加された場合に順方向電流は、先ず、陽極に接続されたp型電極端子44から金線46を経てp型オーミック電極5へと流通する。次に、p型オーミック電極5から歪調整層8、下部クラッド層9、発光層10、上部クラッド層11、n型オーミック電極4へと順次流通する。
【0107】
次に、n型オーミック電極4から金線45を経て陰極に接続されたn型電極端子43に流通する。なお、発光ダイオード1には高抵抗層が設けられているため、順方向電流は、歪調整層8からn型GaP基板からなる機能性基板3へと流通しない。
このように、順方向電流が流れる際に、発光層10は発光する。また、発光層10から発光した光は、主たる光取り出し面から放出される。一方、発光層10から機能性基板3側へと放出された光は、機能性基板3の形状及び第3の電極6によって反射されるため、主たる光取り出し面から放出される。
したがって、発光ダイオードランプ41(発光ダイオード1)の高輝度化を達成することができる(図2及び図4参照。)。
【0108】
また、発光ダイオードランプ41の発光スペクトルは、発光層10を構成する歪発光層12の組成が調整されているため、ピーク発光波長が655〜675nmの範囲となる。
また、歪調整層8によって歪発光層12の発光層10内のばらつきが抑制されているため、発光スペクトルの半値幅が、10〜40nmの範囲となる。また、発光波長700nmにおける発光強度が、ピーク発光波長における発光強度の10%未満となる。
したがって、発光ダイオード1を用いて作製した発光ダイオードランプ41は、植物育成の光合成の促進に使用する照明として好適に用いることができる。
【0109】
以上説明したように、本実施形態の発光ダイオード1によれば、n(≧1)層の歪発光層12、及び(n−1)層のバリア層13よりなる発光層10を、1層の歪発光層12と、1層のバリア層13とが交互に積層された構成とし、nを1〜7とし、かつ発光層10の厚さを250nm以下にすることにより、歪発光層12及びバリア層13の積層数を少なくして、歪発光層12及びバリア層13により構成された発光層10の厚さを薄くすることが可能となるので、応答速度が35ns以下の発光ダイオード1(言い換えれば、応答速度の速い発光ダイオード)を実現できる。
このような、応答速度の速い発光ダイオード1は、植物育成用の発光ダイオード、高圧回路等において、電気信号伝達に用いられる高速カプラー用の発光ダイオードとして使用できる。
【0110】
また、組成式(AlXGa1−X)YIn1−YP(0≦X≦0.1、0.37≦Y≦0.46)からなる歪発光層12を備えることにより、655nm以上の発光波長を有する発光ダイオード1を構成することができる。
【0111】
また、本実施形態の発光ダイオード1には、発光部7上に歪調整層8が設けられている。この歪調整層8は、発光波長に対して透明であるため、発光部7からの発光を吸収することなく高出力・高効率の発光ダイオード1とすることができる。
さらに、この歪調整層8は、GaAs基板14の格子定数よりも小さい格子定数を有しているため、この半導体化合物層2の反りの発生を抑制することができる。これにより、歪発光層12の歪量の発光層10内でのばらつきが低減されるため、単色性に優れた発光ダイオード1とすることができる。
【0112】
したがって、本実施形態の発光ダイオード1によれば、655nm以上の発光波長を有し、単色性に優れると共に、高出力・高効率であって、かつ応答速度が速い(具体的には、35ns以下)発光ダイオード1を提供することができる。
また、本実施形態の発光ダイオード1によれば、従来のAlGaAs系の発光ダイオードと比較して、約4倍以上の発光効率を有する高出力発光ダイオード1を提供できる。
【0113】
また、本実施形態の発光ダイオードランプ41によれば、655nm以上の発光波長を有し、単色性に優れると共に、高出力・高効率であって応答速度が速い上記発光ダイオード1を備えている。このため、植物育成用の照明に適した発光ダイオードランプ41を提供することができる。
【0114】
<発光ダイオード(第2の実施形態)>
図8は、第2の実施形態に係る発光ダイオードの断面模式図である。
本実施形態の発光ダイオード51は、発光層10を含む発光部7と歪調整層8とを少なくとも含む化合物半導体層2と、機能性基板55とが、反射構造体54を介して接合された構成とされている。また、発光部7の反射構造体54と反対側の面7aにはコンタクト層52bを介して第1の電極56が備えられ、歪調整層8の反射構造体54側の面8bには第2の電極58が備えられている。
【0115】
化合物半導体層2の構成は、上述した第1の実施形態に係る発光ダイオードと同様な構成とすることができる。
【0116】
以下、第1の実施形態に係る発光ダイオードと異なる構成について特に詳細に説明する。
<第1の電極、第2の電極>
第1の電極56及び第2の電極58は、それぞれオーミック電極であり、それらの形状及び配置は、発光部7に電流を均一に拡散させるものであればよく、特に限定されない。例えば、平面視したときに円状または矩形状の電極を用いることができ、一個の電極として配置することも、複数の電極を格子状に配置することもできる。
【0117】
第1の電極56の材料としては、コンタクト層52bとしてn型の化合物半導体を用いた場合には、例えば、AuGe層、AuSi層等を用いることができ、コンタクト層52bとしてp型の化合物半導体を用いた場合には、例えば、AuBe層、AuZn層等を用いることができる。
また、更にその上にAu層等を積層することで、酸化を防止させると共に、ワイヤボンディングの接続信頼性を向上できる。
【0118】
第2の電極58の材料としては、歪調整層8としてn型の化合物半導体を用いた場合には、例えば、AuGe層、AuSi層等を用いることができ、歪調整層8としてp型の化合物半導体を用いた場合には、例えば、AuBe層、AuZn層等を用いることができる。
【0119】
<反射構造体>
図8を参照するに、反射構造体54は、第2の電極58を覆うように、発光部7の反射構造体54側の面7bに形成されている。反射構造体54は、透明導電膜64と、反射層65とが順次積層された構成とされている。
【0120】
透明導電膜64は、第2の電極58を覆うように、歪調整層8の面8b(第2の電極58が形成された歪調整層8の面)に形成されている。透明導電膜64としては、例えば、ITO膜、IZO膜等を用いることができる。
また、透明導電膜64の代わりに、或いは、透明導電膜64と共に、透明な材料の屈折率差を利用したいわゆるコールドミラー、例えば、酸化チタン膜、酸化ケイ素膜の多層膜や白色のアルミナ、AlNを用いて、反射層65に組み合わせてもよい。
【0121】
図8を参照するに、反射層65は、透明導電膜64に積層されている。反射層65は、銅、銀、金、アルミニウム等の金属及びそれらの合金等の材料により構成されている。これらの材料は光反射率が高く、反射構造体54からの光反射率を90%以上とすることができる。
このような反射層65を設けることにより、発光層10からの光を反射層65で正面方向fへ反射させて、正面方向fでの光取り出し効率を向上させることができる。これにより、発光ダイオード51をより高輝度化できる。
なお、ここでの正面方向fとは、化合物半導体層2の光取り出し面2a(本実施形態の場合、発光部7の面7a)との成す角度が90°となる方向で、かつ発光ダイオード51から離間する方向のことをいう。なお、反射構造体54は、透明導電膜64を設けることなく、反射層65だけで構成してもよい。
【0122】
具体的には、反射層65としては、例えば、透明導電膜64側からAg合金層/W層/Pt層/Au層/接続用金属層よりなる積層膜を用いることができる。透明導電膜64と接触する面とは反対側に位置する反射層65の面15bに形成された前記接続用金属としては、電気抵抗が低く、低温で溶融する金属を用いるとよい。このような接続用金属を用いることにより、発光部7に熱ストレスを与えることなく、機能性基板55を接続できる。
上記接続用金属としては、化学的に安定で、融点の低いAu系の共晶金属等を用いるとよい。前記Au系の共晶金属としては、例えば、AuSn、AuGe、AuSi等の合金の共晶組成(Au系の共晶金属)を挙げることができる。
また、接続用金属には、チタン、クロム、タングステン等の金属を添加することが好ましい。接続用金属としてチタン、クロム、タングステン等の金属を添加することにより、該金属がバリヤ金属として機能するため、機能性基板55に含まれる不純物等が反射層65側に拡散して、反応することを抑制できる。
【0123】
<機能性基板(金属基板)>
図8を参照するに、機能性基板55は、反射構造体54を介して、化合物半導体層2の面2b(具体的には、歪調整層8の面8b)に貼り付けられている。具体的には、発光部7と対向する反射構造体54の面とは反対側に位置する反射構造体54の面65bに、機能性基板55の接合面55aが接合されている。
【0124】
第2の実施形態では、機能性基板55として金属基板を用いる。つまり、第2の実施形態では、反射構造体54を介して、化合物半導体層2の面2b(具体的には、歪調整層8の面8b)に、金属基板が貼り付けられている。以下、機能性基板55として金属基板を用いた場合を例に挙げて説明する。
【0125】
機能性基板55は、複数の金属層からなるものを用いることができる。さらに、機能性基板55は、2種類の金属層を交互に積層して構成することが好ましい。また、上記2種類の金属層の合計の層数は、奇数とすることが好ましい。
【0126】
この場合、機能性基板55の反りや割れの観点から、第2の金属層62として化合物半導体層2より熱膨張係数が小さい材料を用いる場合、第1の金属層61を化合物半導体層2より熱膨張係数が大きい材料で構成することが好ましい。
これにより、機能性基板55全体としての熱膨張係数が化合物半導体層2の熱膨張係数に近くなるため、化合物半導体層2と機能性基板55とを接合する際の機能性基板55の反りや割れを抑制することが可能となるので、発光ダイオード51の歩留まりを向上できる。
【0127】
また、第2の金属層62として化合物半導体層2より熱膨張係数が大きい材料を用いる場合、第1の金属層61を化合物半導体層2より熱膨張係数が小さい材料で構成することが好ましい。
これにより、機能性基板55全体としての熱膨張係数が、化合物半導体層2の熱膨張係数に近くなるため、化合物半導体層2と機能性基板55とを接合する際の機能性基板55の反りや割れを抑制することが可能となるので、発光ダイオード51の歩留まりを向上できる。
【0128】
以上説明したように、機能性基板55を構成する第1及び第2の金属層61,62の位置は、入れ替えることが可能である。つまり、図1では、2つの第1の金属層61が1つの第2の金属層を挟み込むことで機能性基板55を構成しているが、2つの第2の金属層62により1つの第1の金属層61を挟みこむことで機能性基板55(金属基板)を構成してもよい。
【0129】
第1及び第2の金属層61,62よりなる機能性基板55は、例えば、銀(熱膨張係数=18.9ppm/K)、銅(熱膨張係数=16.5ppm/K)、金(熱膨張係数=14.2ppm/K)、アルミニウム(熱膨張係数=23.1ppm/K)、ニッケル(熱膨張係数=13.4ppm/K)、及びこれらの合金のうち、いずれかの材料よりなる金属層と、モリブデン(熱膨張係数=5.1ppm/K)、タングステン(熱膨張係数=4.3ppm/K)、クロム(熱膨張係数=4.9ppm/K)、及びこれらの合金のうち、いずれかの材料よりなる金属層との組み合わせで構成できる。
【0130】
機能性基板55(金属基板)の好適な例としては、Cu層/Mo層/Cu層の3層よりなる金属基板が挙げられる。先に説明したように、Mo層/Cu層/Mo層の3層よりなる金属基板でも、Cu層/Mo層/Cu層の3層よりなる金属基板と同様な効果を得ることが可能である。
一方、Cu層/Mo層/Cu層の3層よりなる金属基板は、機械的強度の高いMoを加工しやすいCuで挟んだ構造であるため、Mo層/Cu層/Mo層の3層よりなる金属基板よりも金属基板の切断等の加工を容易に行なうことができるという利点がある。
【0131】
機能性基板55全体としての熱膨張係数は、例えば、機能性基板55としてCu層(30μm)/Mo層(25μm)/Cu層(30μm)よりなる金属基板を用いた場合、6.1ppm/Kとなる。また、機能性基板55としてMo層(25μm)/Cu層(70μm)/Mo層(25μm)よりなる金属基板を用いた場合、例えば、機能性基板55全体としての熱膨張係数は5.7ppm/Kとなる。
【0132】
また、放熱の観点からは、機能性基板55を構成する金属層は熱伝導率が高い材料よりなることが好ましい。このような材料を用いることにより、機能性基板55の放熱性を高くすることが可能となり、発光ダイオード51を高輝度で発光させることができると共に、発光ダイオード51の寿命を長寿命とすることができる。
【0133】
上記熱伝導率が高い材料としては、例えば、銀(熱伝導率=420W/m・K)、銅(熱伝導率=398W/m・K)、金(熱伝導率=320W/m・K)、アルミニウム(熱伝導率=236W/m・K)、モリブデン(熱伝導率=138W/m・K)、タングステン(熱伝導率=174W/m・K)、及びこれらの合金等を用いることが好ましい。
【0134】
さらに、機能性基板55を構成する金属層の熱膨張係数が、化合物半導体層2の熱膨張係数と略等しい材料よりなることが好ましい。
特に、機能性基板55を構成する金属層の材料の熱膨張係数が、化合物半導体層2の熱膨張係数の±1.5ppm/K以内であることが好ましい。これにより、機能性基板55と化合物半導体層2との接合時に発生する発光部7へのストレス(熱に起因するストレス)を小さくすることが可能となり、機能性基板55と化合物半導体層2と接続させた際の熱による機能性基板55の割れが抑制されるので、発光ダイオード51の歩留まりを向上できる。
【0135】
機能性基板55としてCu層(30μm)/Mo層(25μm)/Cu層(30μm)よりなる金属基板を用いた場合、機能性基板55の熱伝導率は250W/m・Kとなる。
また、機能性基板55としてMo層(25μm)/Cu層(70μm)/Mo層(25μm)よりなる金属基板を用いた場合、機能性基板55の熱伝導率は220W/m・Kとなる。
【0136】
金属基板よりなる機能性基板55の厚さは、50μm以上150μm以下とすることが好ましい。
機能性基板55の厚さが150μmより厚い場合には、発光ダイオードの製造コストが上昇して好ましくない。また、機能性基板55の厚さが50μmより薄い場合には、ハンドリング時に割れ、欠け、反り等が容易に生じて、発光ダイオードの歩留まりを低下させる虞がある。
【0137】
1枚の機能性基板55を構成する第1の金属層61及び第2の金属層62の層数は、合わせて3〜9層とすることが好ましく、3〜5層とすることがより好ましい。
第1の金属層61と第2の金属層62の層数を合わせて2層とした場合には、厚さ方向での熱膨張が不均衡となり、機能性基板55の割れが発生するおそれが発生する。逆に、第1の金属層61と第2の金属層62の層数を合わせて9層より多くした場合には、第1の金属層61と第2の金属層62の層の厚さをそれぞれ薄くする必要が生じる。
【0138】
しかしながら、第1及び第2の金属層61,62の厚さを薄く作製することは非常に困難であるため、第1の金属層61或いは第2の金属層62の厚さを薄くして、単層の金属基板を形成した場合、各層の厚さが不均一となり、発光ダイオードの特性をばらつかせる虞がある。
さらに、層の厚さを薄くした前記単層の金属基板は、容易に基板の割れを発生させる。また、薄膜化された単層の金属基板を用いる場合、金属基板の製造が困難であることから、発光ダイオードの製造コストを増加させる虞がある。
【0139】
なお、機能性基板55の接合面55aに、電気的接触を安定化させる接合補助膜、または、ダイボンド用の共晶金属を形成してもよい。これにより、接合工程を簡便に行うことができる。前記接合補助膜としては、Au膜、AuSn膜等を用いることができる。
【0140】
なお、発光部7に機能性基板55を接合する方法は、上記に記載した方法に限られるものではなく、例えば、拡散接合、接着剤、常温接合方法等公知の技術を適用できる。
【0141】
第2の実施形態の発光ダイオード51によれば、n(≧1)層の歪発光層12、及び(n−1)層のバリア層13よりなる発光層10を有するpn接合型の発光部7を備え、発光層10は、1層の歪発光層と、1層のバリア層とが交互に積層された構成とされており、nを1〜7とし、かつ発光層10の厚さを250nm以下にし、歪発光層の組成式を、(AlXGa1−X)YIn1−YP(0≦X≦0.1、0.37≦Y≦0.46)とすることにより、発光部7から放射される光の発光効率及び応答速度を向上できる。
また、歪発光層12の組成を上記範囲に規定することにより、655nm以上の発光波長を有した発光ダイオード51を実現できる。
また、発光部7上に、発光部7の光を透過させる歪調整層8を設けることにより、歪調整層8により発光部7からの光が吸収されることがないため、高出力・高効率の発光ダイオード51を実現できる。
【0142】
さらに、この歪調整層8は、歪発光層12及びバリア層13の格子定数よりも小さい格子定数を有しているため、化合物半導体層2の反りの発生を抑制できる。これにより、歪発光層12の歪量のばらつきが低減されるため、単色性に優れた発光ダイオード51を実現できる。
また、化合物半導体層2の光取り出し面2aとは反対側に位置する化合物半導体層2の面2bに、反射構造体54を設けることにより、化合物半導体層2の光取り出し面2aから発光ダイオード51の外部に放射される光のうち、光取り出し面2aに対して直交する方向(具体的には、正面方向f)における光の強度を強くすることが可能となるので、高輝度及び高効率の発光ダイオード51を実現できる。
また、光取り出し面2aに対して直交する方向における光の強度を強くすることにより、光取り出し面2aに対して直交する方向において、反射構造体54を備えていない発光ダイオードの光の強度と同じ強さの光強度を得る場合、反射構造体54を備えていない発光ダイオードよりも消費電力を小さくすることができる。
【0143】
また、例えば、化合物半導体層2の面2bに、反射構造体54を介して接合される機能性基板55として金属基板を用いることにより、発光部7が発光した際の熱を、機能性基板55を介して、発光ダイオード51の外部に効率良く放出することができる。
さらに、熱伝導率が130W/m・K以上である第1及び第2の金属層61,62により機能性基板55を構成することで、機能性基板55の放熱性が高くなるため、発光ダイオード51を高輝度で発光させることができると共に、発光ダイオード51の寿命を長寿命とすることができる。
また、機能性基板55として光を透過する基板を用いて、Arビームにより接合させた場合、接合面が高抵抗となり、基板側へ電流を流すことが難しいが、機能性基板55として金属基板を用いて、該金属基板を共晶接合させることにより、1ワイヤー構造の作成が可能となる。
【0144】
つまり、第1の実施形態の発光ダイオードによれば、655nm以上の赤色光の発光波長を有し、単色性に優れると共に、高出力・高効率であって応答速度が速く、かつ光取り出し面に対して直交する方向における光強度が強く、さらに放熱特性に優れた発光ダイオード51を実現できる。
【0145】
<発光ダイオード(第2の実施形態)の製造方法>
次に、第2の実施形態である発光ダイオード1の製造方法について説明する。
第2の実施形態である発光ダイオード1の製造方法は、機能性基板55を形成する工程と、半導体基板53にコンタクト層52bを介して発光層10を含む発光部7を形成した後、発光部7の半導体基板53と反対側の面に第2の電極58を形成する工程と、発光部7の半導体基板と反対側の面に第2の電極58を介して反射構造体54を形成する工程と、発光部7に反射構造体54を介して機能性基板55を接合する工程と、半導体基板53、及びコンタクト層52bの一部を除去する工程と、発光部7の機能性基板55と反対側の面に第1の電極56を形成する工程と、を有する。
【0146】
図9〜図15は、本発明の第1の実施形態に係る発光ダイオードの製造工程を示す断面図である。図9〜図15において、図8に示す発光ダイオード51と同一構成部分には、同一符号を付す。
図9〜図15を参照して、第2の実施形態の発光ダイオード51の製造方法について説明する。まず、機能性基板55の製造工程について説明する。
【0147】
<機能性基板の製造工程>
図9に示すように、機能性基板55は、熱伝導率が130W/m・K以上である第1及び第2の金属層61,62をホットプレスすることで形成する。
【0148】
具体的には、まず、2枚の略平板状の第1の金属層61と、1枚の略平板状の第2の金属層62を用意する。例えば、第1の金属層61としては厚さ30μmのCu層を用い、第2の金属層62としては厚さ25μmのMo層を用いる。
次に、図9(a)に示すように、2枚の第1の金属層61の間に第2の金属層62を挿入してこれらを重ねて配置する。
【0149】
次に、所定の加圧装置内に、第1及び第2の金属層61,62が積み重ねられた積層板を配置して、高温下で、第1の金属層61と第2の金属層62に矢印の方向(図9(a)参照)に荷重をかけて圧着する。
これにより、図9(b)に示すように、第1の金属層61がCu層であり、第2の金属層62がMo層であり、Cu層(30μm)/Mo層(25μm)/Cu層(30μm)の3層よりなる機能性基板55を形成する。上記構成とされた機能性基板55の熱膨張係数は、6.1ppm/Kであり、熱伝導率は250W/m・Kであった。
【0150】
なお、この後、発光部7(ウェーハ)の接合面の大きさに合わせて切断した後、表面を鏡面加工してもよい。
また、機能性基板55の接合面55aに、電気的接触を安定化させるため接合補助膜を形成してもよい。該接合補助膜としては、金膜、白金膜、ニッケル膜等を用いることができる。例えば、まず、ニッケル膜を0.1μm成膜した後、ニッケル膜上に金膜を0.5μm成膜する。
さらにまた、上記接合補助膜の代わりに、ダイボンド用のAuSn膜等の共晶金属膜を形成してもよい。これにより、接合工程を簡便にすることができる。
【0151】
<発光部及び第2の電極形成工程>
まず、図10に示すように、半導体基板53の表面53a上に、複数のエピタキシャル層を成長させて化合物半導体層2を形成する。なお、この段階では、化合物半導体層2を構成するコンタクト層52bは、パターニングされていない。
半導体基板53は、化合物半導体層2を形成するための基板であり、例えば、表面53aが(100)面から15°傾けた面とされ、かつSiドープされたn型のGaAs単結晶基板である。このように、化合物半導体層2としてAlGaInP層またはAlGaAs層を用いる場合、化合物半導体層2を形成する基板としては、砒化ガリウム(GaAs)単結晶基板を用いるとよい。
【0152】
化合物半導体層2は、半導体基板53であるGaAs基板上に、GaAsよりなる緩衝層52a、Siをドープしたn型のAlGaInPよりなるコンタクト層52b、n型の上部クラッド層11、発光層10、p型の下部クラッド層9、及びMgドープしたp型GaPよりなる歪調整層8を順次積層して作製する。
【0153】
以上の、GaAs基板53上に化合物半導体層2を作製する工程は、第1の実施形態と同様に行うことができる。
【0154】
次に、歪調整層8の半導体基板53と反対側の面8bを、表面から1μmの深さに至るまで鏡面研磨して、表面の粗さを、例えば、0.18nm以内とする。
次に、図11に示すように、歪調整層8の面8b上に第2の電極58(オーミック電極)を形成する。第2の電極58は、例えば、0.4μmの厚さのAuBe層上に0.2μmの厚さのAu層が積層されてなる。第2の電極58は、例えば、平面視したときに20μmφの円形状であり、60μmの間隔で形成される。
【0155】
<反射構造体形成工程>
次に、図12に示すように、歪調整層8の半導体基板53と反対側の面8b及び第2の電極58を覆うようにITO膜よりなる透明導電膜64を形成する。次に、450℃の熱処理を施して、第2の電極58と透明導電膜64との間にオーミックコンタクトを形成する。
【0156】
次に、図13に示すように、透明導電膜64の化合物半導体層2と反対側の面64aに、蒸着法を用いて、反射層65を形成する。
具体的には、銀(Ag)合金よりなる膜(厚さが0.5μm)と、タングステン(W)膜(厚さが0.1μm)と、白金(Pt)膜(厚さが0.1μm)と、金(Au)膜(厚さが0.5μm)、AuGe共晶金属(融点386℃)よりなる膜(厚さが1μm)とを順次成膜することで反射層65を形成する。これにより、反射層65及び透明導電膜64よりなる反射構造体54が形成される。
【0157】
<機能性基板接合工程>
次に、図14に示すように、反射構造体54と化合物半導体層2とを形成した半導体基板53(図13に示す構造体)と、図9(b)に示す機能性基板55とを減圧装置(図示せず)内に搬入して、反射構造体54の接合面54aと機能性基板55の接合面55aとが対向するように重ね合わせて配置する。
次に、減圧装置内を3×10−5Paまで排気した後、半導体基板53と機能性基板55とを400℃に加熱した状態で、100g/cm2の加重を印加して反射構造体54の接合面4aと機能性基板55の接合面55aと接合して、接合構造体68を形成する。
【0158】
<半導体基板及び緩衝層除去工程>
次に、図15に示すように、接合構造体68から、半導体基板53及び緩衝層52aをアンモニア系エッチャントにより選択的に除去する。これにより、発光層10を有する発光部7が形成される。
【0159】
<第1の電極形成工程>
次に、真空蒸着法を用いて、コンタクト層52bの反射構造体54と反対側の面52bbに、第1の電極56(n型オーミック電極)の母材となる電極用導電膜を成膜する。該電極用導電膜としては、例えば、AuGe層/Ni層/Au層よりなる金属層構造を用いることができる。
この場合、例えば、AuGe層(Ge質量比12%)を0.15μmの厚さで成膜した後、Ni層を0.05μmの厚さで成膜し、さらにAu層を1μmの厚さで成膜する。
次に、一般的なフォトリソグラフィー手段を利用して、電極用導電膜を平面視円形状にパターニングして、第1の電極56を形成する。
その後、第1の電極56の形状に対応するように、コンタクト層52bをパターニングすることで、図8に示す発光ダイオード51が製造される。
【0160】
なお、電極用導電膜をパターニング後に、例えば、420°Cで3分間熱処理を行って、第1の電極56を構成する各金属を合金化することが好ましい。これにより、n型オーミック電極である第1の電極56を低抵抗化することができる。
【0161】
その後、発光ダイオード1を所望の大きさに区画する切断部分の発光部7をエッチングで除去した後、0.8mmピッチでレーザを用いて、前記切断部分の基板と接続層を所望の大きさの発光ダイオードチップ(LEDチップ)に切断する。発光ダイオードの大きさは、例えば、平面視したときに略矩形状の発光部7の対角線の長さを1.1mmとする。その後、発光部7の露出面を粘着シートで保護して、切断面を洗浄する。
【0162】
<発光ダイオード(第3の実施形態)>
図16は、本発明の第3の実施形態に係る発光ダイオードを説明するための図であり、図16(a)は、第3の実施形態の発光ダイオードの平面図であり、図16(b)は、図16(a)に示す発光ダイオードのA−A‘線方向の概略断面図である。
図16を参照するに、第3の実施形態の発光ダイオード71は、第2の実施形態の発光ダイオード51に設けられた機能性基板55(金属基板)の替わりに、機能性基板55(金属基板)とは異なる材料により構成された機能性基板75を設けると共に、さらに金属層72,73を設けた以外は、第2の実施形態の発光ダイオード51と同様に構成される。
つまり、第3の実施形態の発光ダイオード71と第2の実施形態の発光ダイオード51との大きな相違点は、機能性基板の材料が異なる点である。
【0163】
機能性基板75は、金属層72を介して、化合物半導体層2が設けられた反射構造体54(具体的には、反射層65)に接合されている。機能性基板75の材料としては、GaP、Si、Geのいずれかの材料を用いることができる。
このように、GaP、Si、Geのいずれかの材料よりなる機能性基板75を設けることにより、機能性基板75を備えていない発光ダイオードと比較して、発光部7が発光した際の熱を、発光ダイオード71の外部に効率良く放熱することができる。
また、腐食しにくい材料であるSiやGe等を機能性基板75の材料として用いることで、機能性基板75の耐湿性を向上させることができる。
【0164】
金属層72は、反射構造体54を構成する反射層65と機能性基板75の上面51aとの間に設けられている。金属層72は、反射層65と機能性基板75の上面75aとを接合するための層である。金属層72としては、例えば、In層と、Au層と、Ti層とを順次積層した積層膜を用いることができる。
金属層73は、機能性基板75の下面75bに設けられている。金属層73としては、例えば、Au層と、Ti層とを順次積層した積層膜を用いることができる。
【0165】
第3の実施形態の発光ダイオードによれば、金属層72を介して、化合物半導体層2が設けられた反射構造体54に接合され、かつGaP、Si、Geのいずれかの材料により構成された機能性基板75を設けることにより、機能性基板75を備えていない発光ダイオードと比較して、発光部7が発光した際の熱を、発光ダイオード71の外部に効率良く放熱することができる。
また、腐食しにくい材料であるSiやGe等を機能性基板75の材料として用いることで、機能性基板75の耐湿性を向上させることができる。
【0166】
また、化合物半導体層2の光取り出し面とは反対側に位置する化合物半導体層2の面2bに、反射構造体54を設けることにより、化合物半導体層2の光取り出し面から発光ダイオード71の外部に放射される光のうち、光取り出し面に対して直交する方向(具体的には、正面方向f)における光の強度を強くすることが可能となるので、高輝度及び高効率の発光ダイオード71を実現できる。
【0167】
また、第3の実施形態の発光ダイオード71は、n(≧1)層の歪発光層12、及び(n−1)層のバリア層13よりなる発光層10を有するpn接合型の発光部7を備え、発光層10は、1層の歪発光層と、1層のバリア層とが交互に積層された構成とされており、nを1〜7とし、かつ発光層10の厚さを250nm以下にし、歪発光層の組成式を、(AlXGa1−X)YIn1−YP(0≦X≦0.1、0.37≦Y≦0.46)とすることにより、発光部7から放射される光の発光効率及び応答速度を向上できる。
また、歪発光層12の組成を上記範囲に規定することにより、655nm以上の発光波長を有した発光ダイオード71を実現できる。
さらに、発光部7上に、発光部7の光を透過させる歪調整層8を備えることにより、歪調整層8により発光部7からの光が吸収されることがないため、高出力・高効率の発光ダイオード50を実現できる。
【0168】
また、上記歪調整層8は、歪発光層12及びバリア層13の格子定数よりも小さい格子定数を有しているため、化合物半導体層2の反りの発生を抑制できる。これにより、歪発光層12の歪量のばらつきが低減されるため、単色性に優れた発光ダイオード71を実現できる。
【実施例】
【0169】
以下、本発明の効果を、実施例を用いて具体的に説明する。なお、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【0170】
本実施例では、本発明に係る発光ダイオードを作製した例を具体的に説明する。また、本実施例で作製した発光ダイオードは、AlGaInP発光部を有する赤色発光ダイオードである。本実施例では、GaAs基板上に成長させた化合物半導体層とGaPからなる機能性基板とを接合させて発光ダイオードを作製した。そして、特性評価のために発光ダイオードチップを基板上に実装した発光ダイオードランプを作製した。
実施例1〜11はいわゆる透過型であって、反射構造体を有さない第1の実施形態の実施例である。
また、実施例12〜16はいわゆる反射型であって、反射構造体を有するものであって、実施例12及び16は機能性基板が金属基板である第2の実施形態の実施例であり、実施例13〜15は機能性基板がそれぞれ、GaP、Ge、Siからなる第3の実施形態の実施例である。
【0171】
(実施例1)
実施例1の発光ダイオードは、先ず、Siをドープしたn型のGaAs単結晶からなるGaAs基板(厚さ約0.5μm)上に、化合物半導体層を順次積層してエピタキシャルウェーハを作製した。GaAs基板は、(100)面から(0−1−1)方向に15°傾けた面を成長面とし、キャリア濃度を2×1018cm−3とした。
また、化合物半導体層として、GaAs基板上に、SiをドープしたGaAsからなるn型の緩衝層と、Siをドープした(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pからなるn型のコンタクト層と、Siをドープした(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pからなるn型の上部クラッド層と、アンドープのGa0.42In0.58P/(Al0.53Ga0.47)0.5In0.5Pの対からなる歪発光層/バリア層と、Mgをドープした(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pよりなるp型の下部クラッド層と、(Al0.5Ga0.5)0.5In0.5Pよりなる薄膜の中間層と、Mgドープしたp型GaPよりなる歪調整層と、を順次形成した。
【0172】
実施例1では、減圧有機金属化学気相堆積装置法(MOCVD装置)を用い、直径76mm、厚さ350μmのGaAs基板に化合物半導体層をエピタキシャル成長させて、エピタキシャルウェーハを形成した。
エピタキシャル成長層を成長させる際、III族構成元素の原料としては、トリメチルアルミニウム((CH3)3Al)、トリメチルガリウム((CH3)3Ga)及びトリメチルインジウム((CH3)3In)を使用した。また、Mgのドーピング原料としては、ビスシクロペンタジエニルマグネシウム(bis−(C5H5)2Mg)を使用した。また、Siのドーピング原料としては、ジシラン(Si2H6)を使用した。
また、V族構成元素の原料としては、ホスフィン(PH3)、アルシン(AsH3)を使用した。また、各層の成長温度としては、p型GaPからなる歪調整層は、750℃で成長させた。その他の各層では700℃で成長させた。
【0173】
GaAsよりなる緩衝層は、キャリア濃度を約2×1018cm−3、層厚を約0.5μmとした。コンタクト層は、キャリア濃度を約2×1018cm−3、層厚を約3.5μmとした。上部クラッド層は、キャリア濃度を約1×1018cm−3、層厚を約0.5μmとした。
歪発光層は、アンドープで層厚が約10nmのGa0.42In0.58Pとし、バリア層は0層とした。つまり、実施例1では、先に説明した発光層が、1層の歪発光層のみで構成されている。この場合の発光層の厚さは、10nmとなる。
下部クラッド層は、キャリア濃度を約8×1017cm−3、層厚を約0.5μmとした。中間層は、キャリア濃度を約8×1017cm−3、層厚を約0.05μmとした。GaPからなる歪調整層は、キャリア濃度を約3×1018cm−3、層厚を約9μmとした。
【0174】
次に、歪調整層を表面から約1μmの深さに至る領域まで研磨して鏡面加工した。この鏡面加工によって、歪調整層の表面の粗さを0.18nmとした。
一方、上記の歪調整層の鏡面研磨した表面に貼付するn型GaPからなる機能性基板を用意した。この貼付用の機能性基板には、キャリア濃度が約2×1017cm−3となる様にSiを添加し、面方位を(111)とした単結晶を用いた。
また、機能性基板の直径は76mmで、厚さは250μmであった。この機能性基板の表面は、歪調整層に接合させる以前に鏡面に研磨し、平方平均平方根値(rms)にして0.12nmに仕上げた。
【0175】
次に、一般の半導体材料貼付装置に、上記の機能性基板及びエピタキシャルウェーハを搬入し、3×10−5Paとなるまで装置内を真空に排気した。
【0176】
次に、機能性基板、及び歪調整層の双方の表面に、電子を衝突させて中性(ニュートラル)化したArビームを3分間照射した。その後、真空に維持した貼付装置内で、機能性基板及び歪調整層の表面を重ね合わせ、各々の表面での圧力が50g/cm2となる様に荷重を掛け、双方を室温で接合した。このようにして、接合ウェーハを形成した。
【0177】
次に、上記接合ウェーハから、GaAs基板およびGaAs緩衝層をアンモニア系エッチャントにより選択的に除去した。次に、真空蒸着法により、コンタクト層の表面に、厚さが0.5μmのAu−Ge−Ni合金膜と、厚さが0.2μmのPt膜と、厚さが1μmのAu膜とを順次成膜した。
その後、一般的なフォトリソグラフィー技術及びエッチング技術を利用して、上記Au−Ge−Ni合金膜、Pt膜、及びAu膜をパターニングすることで、第1の電極であるn型オーミック電極を形成した。
次に、GaAs基板を除去した面である光取り出し面の表面に粗面化処理を施した。
【0178】
次に、第2の電極としてp型オーミック電極を形成する領域のエピ層を選択的に除去し、歪調整層を露出させた。この露出した歪調整層の表面に、真空蒸着法により、厚さ0.2μmのAuBe膜と、厚さ1μmのAu膜とを順次成膜し、その後、AuBe膜及びAu膜をパターニングすることで、p形オーミック電極を形成した。その後、450℃で10分間熱処理を行って合金化し、低抵抗のp型およびn型オーミック電極を形成した。
【0179】
次に、機能性基板の裏面に、厚さ0.2μmのAu膜、厚さ0.2μmのPt膜、及び厚さ1.2μmのAuSn膜よりなる接続用の第3の電極を形成した。
【0180】
次に、ダイシングソーを用いて、機能性基板の裏面から、第3の電極が形成されていない領域の傾斜面の角度αが70°になると共に、垂直面の厚さが80μmとなるようにV字状の溝入れ加工を行った。
次に、化合物半導体層側からダイシングソーを用い350μm間隔で切断し、チップ化した。ダイシングによる破砕層および汚れを硫酸・過酸化水素混合液で除去して、実施例1の発光ダイオードを作製した。
【0181】
上記方法により作製した実施例1の発光ダイオードチップを、マウント基板上に実装した発光ダイオードランプを100個組み立てた。この発光ダイオードランプは、マウントは、共晶ダイボンダーで、加熱接続され支持(マウント)し、発光ダイオードのn型オーミック電極とマウント基板の表面に設けたn電極端子とを金線でワイヤボンディングし、p型オーミック電極とp電極端子とを金線でワイヤボンディングした後、一般的なエポキシ樹脂で封止して作製した。
【0182】
実施例1の発光ダイオードを実装した発光ダイオードランプの特性を評価した結果を表1に示す。表1に示すように、n型及びp型オーミック電極間に電流を流したところ、ピーク発光波長661.3nmとする赤色光が出射された。
順方向に20ミリアンペア(mA)の電流を通流した際の順方向電圧(Vf)は、化合物半導体層を構成する歪調整層と機能性基板との接合界面での抵抗の低さ及び各オーミック電極の良好なオーミック特性を反映し、約1.8ボルト(V)となった。
順方向電流を20mAとした際の発光出力は、3.6mWであった。組み立てたすべての発光ダイオードにおけるピーク発光波長のバラツキ(最大−最小)は、2.5nmであり、良好な結果が得られた。なお、ピーク発光波長のバラツキ(最大−最小)は、3nm以下であればよい。
また、発光の立ち上がりの応答速度(Tr)は、10.6nsであり、表面欠陥は見られなかった。
また、実施例1の発光ダイオードでは、順方向電流が高電流(例えば、150mA以上)の場合において、出力低下が見られた。
【0183】
上記結果から、実施例1の発光ダイオードは、応答速度は所望の値(35ns以下)を満たしているが、高電流(例えば、150mA以上)で使用する場合には出力低下が見られるため、150mAよりも小さい電流を流して使用する分野には適していることが確認できた。
【0184】
(実施例2)
実施例2の発光ダイオードは、実施例1の発光ダイオードに設けられた歪発光層を2層形成すると共に、厚さが30nmで、かつ組成が(Al0.53Ga0.47)0.5In0.5Pの1層のバリア層を形成した以外は、実施例1の発光ダイオードと同様に形成した。
つまり、実施例2では、発光層が、2層の歪発光層(合計の厚さ20nm)と、1層のバリア層(厚さ30nm)とを有した構成とされている。この場合、実施例2の発光層の厚さは、50nmとなる。
【0185】
実施例2の発光ダイオードを実装した発光ダイオードランプの特性を評価した結果を表1に示す。表1に示すように、n型及びp型オーミック電極間に電流を流したところ、ピーク発光波長を660.8nmとする赤色光が出射された。
また、順方向に20ミリアンペア(mA)の電流を通流した際の順方向電圧(Vf)は、約1.8ボルト(V)となった。また、順方向電流を20mAとした際の発光出力は、4.5mWであった。組み立てたすべての発光ダイオードのピーク発光波長のバラツキは、2.4nmとなった。発光の立ち上がりの応答速度(Tr)は、15.2nsであった。また、表面欠陥は見られなかった。
【0186】
上記結果から、実施例2の発光ダイオード及び発光ダイオードランプによれば、655nm以上の発光波長を有した光を発光する発光層を構成でき、かつ35ns以下の応答速度(この場合、15.2ns)を実現できることが確認できた。
【0187】
(実施例3)
実施例3の発光ダイオードは、実施例2の発光ダイオードに設けられた歪発光層を2層から3層に変更すると共に、実施例2の発光ダイオードに設けられたバリア層を2層形成した以外は、実施例2の発光ダイオードと同様に形成した。
つまり、実施例3では、発光層が、3層の歪発光層(合計の厚さ30nm)と、2層のバリア層(合計の厚さ60nm)とを有した構成とされている。この場合、実施例3の発光層の厚さは、90nmとなる。
【0188】
実施例3の発光ダイオードを実装した発光ダイオードランプの特性を評価した結果を表1に示す。表1に示すように、n型及びp型オーミック電極間に電流を流したところ、ピーク発光波長を660.7nmとする赤色光が出射された。
また、順方向に20ミリアンペア(mA)の電流を通流した際の順方向電圧(Vf)は、約1.8ボルト(V)となった。また、順方向電流を20mAとした際の発光出力は、4.1mWであった。組み立てたすべての発光ダイオードランプにおけるピーク発光波長のバラツキは、2.3nmとなった。発光の立ち上がりの応答速度(Tr)は、18.4nsであった。また、表面欠陥は見られなかった。
【0189】
上記結果から、実施例3の発光ダイオード及び発光ダイオードランプによれば、655nm以上の発光波長を有した光を発光する発光層を構成でき、かつ35ns以下の応答速度(この場合、18.4ns)を実現できることが確認できた。
【0190】
(実施例4)
実施例4の発光ダイオードは、実施例3の発光ダイオードに設けられた歪発光層を3層から5層に変更すると共に、実施例3の発光ダイオードに設けられたバリア層を2層から4層に変更した以外は、実施例3の発光ダイオードと同様に形成した。
つまり、実施例4では、発光層が、5層の歪発光層(合計の厚さ50nm)と、4層のバリア層(合計の厚さ120nm)とを有した構成とされている。この場合、実施例4の発光層の厚さは、170nmとなる。
【0191】
実施例4の発光ダイオードを実装した発光ダイオードランプの特性を評価した結果を表1に示す。表1に示すように、n型及びp型オーミック電極間に電流を流したところ、ピーク発光波長を660.2nmとする赤色光が出射された。
また、順方向に20ミリアンペア(mA)の電流を通流した際の順方向電圧(Vf)は、約1.9ボルト(V)となった。また、順方向電流を20mAとした際の発光出力は、3.9mWであった。組み立てたすべての発光ダイオードランプにおけるピーク発光波長のバラツキは、2.3nmとなった。発光の立ち上がりの応答速度(Tr)は、28nsであった。また、表面欠陥は見られなかった。
【0192】
上記結果から、実施例4の発光ダイオード及び発光ダイオードランプによれば、655nm以上の発光波長を有した光を発光する発光層を構成でき、かつ35ns以下の応答速度(この場合、28ns)を実現できることが確認できた。
【0193】
(実施例5)
実施例5の発光ダイオードは、実施例4の発光ダイオードに設けられた歪発光層を5層から7層に変更すると共に、実施例4の発光ダイオードに設けられたバリア層を4層から6層に変更した以外は、実施例4の発光ダイオードと同様に形成した。
つまり、実施例5では、発光層が、7層の歪発光層(合計の厚さ70nm)と、6層のバリア層(合計の厚さ180nm)とを有した構成とされている。この場合、実施例5の発光層の厚さは、250nmとなる。
【0194】
実施例5の発光ダイオードを実装した発光ダイオードランプの特性を評価した結果を表1に示す。表1に示すように、n型及びp型オーミック電極間に電流を流したところ、ピーク発光波長を660.1nmとする赤色光が出射された。
また、順方向に20ミリアンペア(mA)の電流を通流した際の順方向電圧(Vf)は、約1.9ボルト(V)となった。また、順方向電流を20mAとした際の発光出力は、3.8mWであった。組み立てたすべての発光ダイオードランプにおけるピーク発光波長のバラツキは、2.3nmとなった。発光の立ち上がりの応答速度(Tr)は、32.6nsであった。また、表面欠陥は見られなかった。
【0195】
上記結果から、実施例5の発光ダイオード及び発光ダイオードランプによれば、655nm以上の発光波長を有した光を発光する発光層を構成でき、かつ35ns以下の応答速度(この場合、32.6ns)を実現できることが確認できた。
【0196】
(実施例6)
実施例6の発光ダイオードは、実施例1の発光ダイオードに設けられた歪発光層の組成をGa0.44In0.56Pに変更すると共に、歪発光層の厚さを17nmに変更した以外は、実施例1の発光ダイオードと同様に形成した。つまり、実施例6の場合、発光層は、1層の歪発光層(厚さ17nm)で構成されている。実施例6の発光層の厚さは、17nmである。
【0197】
実施例6の発光ダイオードを実装した発光ダイオードランプの特性を評価した結果を表1に示す。表1に示すように、n型及びp型オーミック電極間に電流を流したところ、ピーク発光波長を661.1nmとする赤色光が出射された。
また、順方向に20ミリアンペア(mA)の電流を通流した際の順方向電圧(Vf)は、約1.8ボルト(V)となった。また、順方向電流を20mAとした際の発光出力は、3.9mWであった。組み立てたすべての発光ダイオードランプにおけるピーク発光波長のバラツキは、2.2nmとなった。発光の立ち上がりの応答速度(Tr)は、17nsであった。また、表面欠陥は見られなかった。
また、実施例6の発光ダイオードでは、順方向電流が高電流(例えば、150mA以上)の場合において、出力低下が見られた。
【0198】
上記結果から、実施例6の発光ダイオードは、応答速度は所望の値(35ns以下)を満たしているが、高電流(例えば、150mA以上)で使用する場合には出力低下が見られるため、150mAよりも小さい電流を流して使用する分野には適していることが確認できた。
【0199】
(実施例7)
実施例7の発光ダイオードは、実施例2の発光ダイオードに設けられた歪発光層の組成をGa0.44In0.56Pに変更すると共に、歪発光層の厚さを17nmに変更し、さらに、バリア層の厚さを19nmに変更した以外は、実施例2の発光ダイオードと同様に形成した。つまり、実施例7の場合、発光層は、2層の歪発光層(合計の厚さ34nm)と、1層のバリア層(厚さ19nm)とで構成されている。実施例7の発光層の厚さは、53nmである。
【0200】
実施例7の発光ダイオードを実装した発光ダイオードランプの特性を評価した結果を表1に示す。表1に示すように、n型及びp型オーミック電極間に電流を流したところ、ピーク発光波長を661.0nmとする赤色光が出射された。
また、順方向に20ミリアンペア(mA)の電流を通流した際の順方向電圧(Vf)は、約1.8ボルト(V)となった。また、順方向電流を20mAとした際の発光出力は、4.3mWであった。組み立てたすべての発光ダイオードランプにおけるピーク発光波長のバラツキは、2.1nmとなった。発光の立ち上がりの応答速度(Tr)は、21.2nsであった。また、表面欠陥は見られなかった。
【0201】
上記結果から、実施例7の発光ダイオード及び発光ダイオードランプによれば、655nm以上の発光波長を有した光を発光する発光層を構成でき、かつ35ns以下の応答速度(この場合、21.2ns)を実現できることが確認できた。
【0202】
(実施例8)
実施例8の発光ダイオードは、実施例3の発光ダイオードに設けられた歪発光層の組成をGa0.44In0.56Pに変更すると共に、歪発光層の厚さを17nmに変更し、さらに、バリア層の厚さを19nmに変更した以外は、実施例3の発光ダイオードと同様に形成した。つまり、実施例7の場合、発光層は、3層の歪発光層(合計の厚さ51nm)と、2層のバリア層(合計の厚さ38nm)とで構成されている。実施例8の発光層の厚さは、89nmである。
【0203】
実施例8の発光ダイオードを実装した発光ダイオードランプの特性を評価した結果を表1に示す。表1に示すように、n型及びp型オーミック電極間に電流を流したところ、ピーク発光波長を660.5nmとする赤色光が出射された。
また、順方向に20ミリアンペア(mA)の電流を通流した際の順方向電圧(Vf)は、約1.8ボルト(V)となった。また、順方向電流を20mAとした際の発光出力は、4.2mWであった。組み立てたすべての発光ダイオードランプにおけるピーク発光波長のバラツキは、2.1nmとなった。発光の立ち上がりの応答速度(Tr)は、26.2nsであった。また、表面欠陥は見られなかった。
【0204】
上記結果から、実施例8の発光ダイオード及び発光ダイオードランプによれば、655nm以上の発光波長を有した光を発光する発光層を構成でき、かつ35ns以下の応答速度(この場合、26.2ns)を実現できることが確認できた。
【0205】
(実施例9)
実施例9の発光ダイオードは、実施例8の発光ダイオードに設けられた歪発光層の積層数及びバリア層の積層数を変更した以外は、実施例8の発光ダイオードと同様に構成した。
実施例9では、発光ダイオードの発光層が、6層の歪発光層(合計の厚さ102nm)と、5層のバリア層(合計の厚さ95nm)とを有するように形成した。実施例9の発光層の厚さは、197nmとした。
【0206】
実施例9の発光ダイオードを実装した発光ダイオードランプの特性を評価した結果を表1に示す。表1に示すように、n型及びp型オーミック電極間に電流を流したところ、ピーク発光波長を660.3nmとする赤色光が出射された。
また、順方向に20ミリアンペア(mA)の電流を通流した際の順方向電圧(Vf)は、約1.9ボルト(V)となった。また、順方向電流を20mAとした際の発光出力は、4mWであった。組み立てたすべての発光ダイオードランプにおけるピーク発光波長のバラツキは、2.1nmとなった。発光の立ち上がりの応答速度(Tr)は、34.3nsであった。また、表面欠陥は見られなかった。
【0207】
上記結果から、実施例9の発光ダイオード及び発光ダイオードランプによれば、655nm以上の発光波長を有した光を発光する発光層を構成でき、かつ35ns以下の応答速度(この場合、34.3ns)を実現できることが確認できた。
【0208】
(実施例10)
実施例10の発光ダイオードは、実施例5の発光ダイオードに設けられた歪発光層の組成をGa0.37In0.63Pに変更すると共に、歪発光層の厚さを8nmに変更した以外は、実施例5の発光ダイオードと同様に形成した。
【0209】
実施例10の発光ダイオードを実装した発光ダイオードランプの特性を評価した結果を表1に示す。表1に示すように、n型及びp型オーミック電極間に電流を流したところ、ピーク発光波長を672.0nmとする赤色光が出射された。
また、順方向に20ミリアンペア(mA)の電流を通流した際の順方向電圧(Vf)は、約1.8ボルト(V)となった。また、順方向電流を20mAとした際の発光出力は、3.8mWであった。組み立てたすべての発光ダイオードランプにおけるピーク発光波長のバラツキは、2.6nmとなった。発光の立ち上がりの応答速度(Tr)は、31.3nsであった。また、表面欠陥は見られなかった。
【0210】
上記結果から、実施例10の発光ダイオード及び発光ダイオードランプによれば、655nm以上の発光波長を有した光を発光する発光層を構成でき、かつ35ns以下の応答速度(この場合、31.3ns)を実現できることが確認できた。
【0211】
(実施例11)
実施例11の発光ダイオードは、実施例3の発光ダイオードに設けられた歪発光層の組成をGa0.46In0.54Pに変更し、歪発光層の厚さを30nmに変更し、バリア層の厚さを45nmに変更した以外は、実施例3の発光ダイオードと同様に形成した。
【0212】
実施例11の発光ダイオードを実装した発光ダイオードランプの特性を評価した結果を表1に示す。表1に示すように、n型及びp型オーミック電極間に電流を流したところ、ピーク発光波長を660.9nmとする赤色光が出射された。
また、順方向に20ミリアンペア(mA)の電流を通流した際の順方向電圧(Vf)は、約1.9ボルト(V)となった。また、順方向電流を20mAとした際の発光出力は、3.3mWであった。組み立てたすべての発光ダイオードランプにおけるピーク発光波長のバラツキは、1.8nmとなった。発光の立ち上がりの応答速度(Tr)は、29nsであった。また、表面欠陥は見られなかった。
【0213】
上記結果から、実施例11の発光ダイオード及び発光ダイオードランプによれば、655nm以上の発光波長を有した光を発光する発光層を構成でき、かつ35ns以下の応答速度(この場合、29ns)を実現できることが確認できた。
【0214】
また、上記実施例1〜11の結果から、n(≧1)層の歪発光層と、(n−1)層のバリア層とが交互に積層された発光層を有するpn接合型の発光部を備え発光ダイオードであって、歪発光層の積層数を1〜7にすると共に、発光層の厚さを250nm以下にすることにより、応答速度が35ns以下の発光ダイオード(言い換えれば、応答速度の速い発光ダイオード)を実現できることが確認できた。
【0215】
(実施例12)
実施例12の発光ダイオード(第2の実施形態)は、実施例1と同様の方法で、Siをドープしたn型のGaAs単結晶からなるGaAs基板(厚さ約0.5μm)上に、化合物半導体層を順次積層してエピタキシャルウェーハを作製した。
但し、実施例1の発光ダイオードに設けられた発光層の替わりに、アンドープのGa0.42In0.58Pよりなる2層の歪発光層と、組成が(Al0.53Ga0.47)0.5In0.5Pの1層のバリア層(単層の厚さが30nm)とを交互に積層して発光層を形成した。
【0216】
次に、歪調整層を表面から約1μmの深さに至る領域まで研磨して鏡面加工した。この鏡面加工によって、歪調整層の表面の粗さを0.18nmとした。
次いで、歪調整層上に、AuBe層(厚さ100nm)と、Au層(厚さ150nm)とを順次成膜することで、AuBe/Au積層膜を形成し、その後、一般的なフォトリソグラフィー技術及びエッチング技術を利用して、AuBe/Au積層膜をパターニングすることで、第2の電極を形成した。
次いで、歪調整層上に、第2の電極を覆う透明導電膜としてITO膜(厚さ300nm)と、反射層としてAg合金(厚さ500nm)/W(厚さ100nm)/Pt(厚さ200nm)/Au(厚さ500nm)/AuGe(厚さ1000nm)積層膜とを順次成膜することで、反射構造体を形成する。
次に、第2の実施形態で説明した方法を用いて、Cu(30μm)/Mo(25μm)/Cu(30μm)の3層構造(厚さ85μm)からなる機能性基板(金属基板(熱伝導率250W/mK))を製造した。
実施例12の機能性基板の熱膨張係数は、6.1ppm/Kであり、熱伝導率は250W/m・Kであった。また、機能性基板の直径は76mmで、厚さは85μmであった。
【0217】
次に、減圧装置内を3×10−5Paまで排気した後、GaAs基板と機能性基板とを400℃に加熱した状態で、100g/cm2の加重を印加して反射構造体と機能性基板と接合して、接合構造体を形成した。
【0218】
次に、上記接合構造体から、GaAs基板及びGaAs緩衝層をアンモニア系エッチャントにより選択的に除去した。次に、真空蒸着法により、コンタクト層の表面に、厚さが0.5μmのAu−Ge−Ni合金膜と、厚さが0.2μmのPt膜と、厚さが1μmのAu膜とを順次成膜した。
その後、一般的なフォトリソグラフィー技術及びエッチング技術を利用して、上記Au−Ge−Ni合金膜、Pt膜、及びAu膜をパターニングすることで、第1の電極であるn型オーミック電極を形成した。その後、第1の電極の形状に対応するように、周知の手法により、コンタクト層をパターニングした。
次に、GaAs基板を除去した面である光取り出し面の表面に粗面化処理を施した。
【0219】
次に、第2の電極としてp型オーミック電極を形成する領域のエピ層を選択的に除去し、歪調整層を露出させた。この露出した歪調整層の表面に、真空蒸着法により、厚さ0.2μmのAuBe膜と、厚さ1μmのAu膜とを順次成膜し、その後、AuBe膜及びAu膜をパターニングすることで、第2の電極(p形オーミック電極)を形成した。その後、450℃で10分間熱処理を行って合金化し、低抵抗の第1及び第2の電極(n型及びp型オーミック電極)を形成した。
【0220】
次に、ダイシングソーを用いて、第1及び第2の電極が形成された接合構造体を切断して、チップ化した。これにより、実施例1の発光ダイオードを作製した。
【0221】
上記方法により作製した実施例1の発光ダイオードチップを、マウント基板上に実装した発光ダイオードランプを100個組み立てた。この発光ダイオードランプは、マウントは、共晶ダイボンダーで、加熱接続され支持(マウント)し、発光ダイオードのn型オーミック電極とマウント基板の表面に設けたn電極端子とを金線でワイヤボンディングし、p型オーミック電極とp電極端子とを金線でワイヤボンディングした後、一般的なエポキシ樹脂で封止して作製した。
【0222】
実施例12の発光ダイオードの構成要素の一部を表1に示し、実施例1の発光ダイオードを実装した発光ダイオードランプの特性を評価した結果を表2に示す。
表2に示すように、n型及びp型オーミック電極間に電流を流したところ、ピーク発光波長661.2nm(655nm以上の値)とする赤色光が出射された。
また、順方向に20ミリアンペア(mA)の電流を通流した際の順方向電圧(Vf)は、化合物半導体層を構成する歪調整層と機能性基板との接合界面での抵抗の低さ及び各オーミック電極の良好なオーミック特性を反映し、1.8ボルト(V)となった。
順方向電流を20mAとした際の発光出力は、4.4mW(3mW以上)であり、良好な結果が得られた。
【0223】
組み立てたすべての発光ダイオードにおけるピーク発光波長のバラツキ(最大−最小)は、2.2nmであり、良好な結果が得られた。なお、ピーク発光波長のバラツキ(最大−最小)は、3nm以下であればよい。
また、発光の立ち上がりの応答速度(Tr)は、18.2nsであり、100ns以下の良好な結果が得られた。また、表面欠陥の検査では、表面欠陥は見られなかった。
【0224】
また、実施例12の発光ダイオードが発光した際、機能性基板の放熱効果により、温度上昇に起因する発光効率の低下は見られなかった。
【0225】
上記結果から、実施例1の発光ダイオード及び発光ダイオードランプによれば、655nm以上の発光波長を有した光を発光する発光層を形成でき、かつ100ns以下の応答速度(この場合、18.2ns)を実現できることが確認できた。
さらに、機能性基板の放熱効果により、放熱特性に優れた発光ダイオードを実現できることが確認できた。
【0226】
(実施例13)
実施例13の発光ダイオード(第3の実施形態)は、Cu(30μm)/Mo(25μm)/Cu(30μm)の3層構造(厚さ85μm)からなる機能性基板の替わりに、機能性基板として厚さが150μmのGaP層(熱伝導率110W/mK)を用いた以外は、実施例12の発光ダイオードと同様に製造した。
【0227】
実施例13の発光ダイオードの構成要素の一部を表1に示し、実施例2の発光ダイオードを実装した発光ダイオードランプの特性を評価した結果を表2に示す。
表2に示すように、n型及びp型オーミック電極間に電流を流したところ、ピーク発光波長660.6nm(655nm以上の値)とする赤色光が出射された。
また、順方向に20ミリアンペア(mA)の電流を通流した際の順方向電圧(Vf)は、化合物半導体層を構成する歪調整層と機能性基板との接合界面での抵抗の低さ及び各オーミック電極の良好なオーミック特性を反映し、1.8ボルト(V)となった。
また、順方向電流を20mAとした際の発光出力は、4.2mW(3mW以上)であり、良好な結果が得られた。)。
【0228】
組み立てたすべての発光ダイオードにおけるピーク発光波長のバラツキ(最大−最小)は、2.3nmであり、良好な結果が得られた。また、発光の立ち上がりの応答速度(Tr)は、23.3nsであり、100ns以下の良好な結果が得られた。また、表面欠陥の検査では、表面欠陥は見られなかった。
【0229】
また、実施例13の発光ダイオードが発光した際、機能性基板の放熱効果により、温度上昇に起因する発光効率の低下は見られなかった。
【0230】
上記結果から、実施例2の発光ダイオード及び発光ダイオードランプによれば、655nm以上の発光波長を有した光を発光する発光層を構成でき、かつ100ns以下の応答速度(この場合、23.3ns)を実現できることが確認できた。
さらに、機能性基板の放熱効果により、放熱特性に優れた発光ダイオードを実現できることが確認できた。
【0231】
(実施例14)
実施例14の発光ダイオード(第3の実施形態)は、機能性基板として厚さが150μmのGaP層(熱伝導率110W/mK)の替わりに、機能性基板として厚さが100μmのGe層(熱伝導率60W/mK)を用いた以外は、実施例13の発光ダイオードと同様に製造した。
【0232】
実施例14の発光ダイオードの構成要素の一部を表1に示し、実施例3の発光ダイオードを実装した発光ダイオードランプの特性を評価した結果を表2に示す。
表2に示すように、n型及びp型オーミック電極間に電流を流したところ、ピーク発光波長660.5nm(655nm以上の値)とする赤色光が出射された。
また、順方向に20ミリアンペア(mA)の電流を通流した際の順方向電圧(Vf)は、化合物半導体層を構成する歪調整層と機能性基板との接合界面での抵抗の低さ及び各オーミック電極の良好なオーミック特性を反映し、1.8ボルト(V)となった。
また、順方向電流を20mAとした際の発光出力は、4.3mW(3mW以上)であり、良好な結果が得られた。
【0233】
組み立てたすべての発光ダイオードにおけるピーク発光波長のバラツキ(最大−最小)は、2.4nmであり、良好な結果が得られた。また、発光の立ち上がりの応答速度(Tr)は、20.5nsであり、100ns以下の良好な結果が得られた。また、表面欠陥の検査では、表面欠陥は見られなかった。
【0234】
また、実施例14の発光ダイオードが発光した際、機能性基板の放熱効果により、温度上昇に起因する発光効率の低下は見られなかった。
【0235】
上記結果から、実施例14の発光ダイオード及び発光ダイオードランプによれば、655nm以上の発光波長を有した光を発光する発光層を構成でき、かつ100ns以下の応答速度(この場合、20.5ns)を実現できることが確認できた。
さらに、機能性基板の放熱効果により、放熱特性に優れた発光ダイオードを実現できることが確認できた。
【0236】
(実施例15)
実施例15の発光ダイオード(第3の実施形態)は、機能性基板として厚さが150μmのGaP層(熱伝導率110W/mK)の替わりに、機能性基板として厚さが100μmのSi層(熱伝導率126W/mK)を用いた以外は、実施例13の発光ダイオードと同様に製造した。
【0237】
実施例15の発光ダイオードの構成要素の一部を表1に示し、実施例15の発光ダイオードを実装した発光ダイオードランプの特性を評価した結果を表2に示す。
表2に示すように、n型及びp型オーミック電極間に電流を流したところ、ピーク発光波長660.7nm(655nm以上の値)とする赤色光が出射された。
また、順方向に20ミリアンペア(mA)の電流を通流した際の順方向電圧(Vf)は、化合物半導体層を構成する歪調整層と機能性基板との接合界面での抵抗の低さ及び各オーミック電極の良好なオーミック特性を反映し、1.8ボルト(V)となった。
順方向電流を20mAとした際の発光出力は、4.3mW(3mW以上)であり、良好な結果が得られた。
【0238】
組み立てたすべての発光ダイオードにおけるピーク発光波長のバラツキ(最大−最小)は、2.3nmであり、良好な結果が得られた。また、発光の立ち上がりの応答速度(Tr)は、22.8nsであり、100ns以下の良好な結果が得られた。また、表面欠陥の検査では、表面欠陥は見られなかった。
【0239】
また、実施例15の発光ダイオードが発光した際、機能性基板の放熱効果により、温度上昇に起因する発光効率の低下は見られなかった。
【0240】
上記結果から、実施例15の発光ダイオード及び発光ダイオードランプによれば、655nm以上の発光波長を有した光を発光する発光層を構成でき、かつ100ns以下の応答速度(この場合、22.8ns)を実現できることが確認できた。
さらに、機能性基板の放熱効果により、放熱特性に優れた発光ダイオードを実現できることが確認できた。
【0241】
(実施例16)
実施例16の発光ダイオード(第2の実施形態)は、実施例12の発光ダイオードに設けられた発光層の替わりに、アンドープのGa0.38In0.62Pよりなる2層の歪発光層と、組成が(Al0.53Ga0.47)0.5In0.5Pの1層のバリア層(単層の厚さが30nm)とを交互に積層して発光層を用いた以外は、実施例12の発光ダイオードと同様に製造した。
【0242】
実施例16の発光ダイオードの構成要素の一部を表1に示し、実施例16の発光ダイオードを実装した発光ダイオードランプの特性を評価した結果を表2に示す。
表2に示すように、n型及びp型オーミック電極間に電流を流したところ、ピーク発光波長675.2nm(655nm以上の値)とする赤色光が出射された。
また、順方向に20ミリアンペア(mA)の電流を通流した際の順方向電圧(Vf)は、化合物半導体層を構成する歪調整層と機能性基板との接合界面での抵抗の低さ及び各オーミック電極の良好なオーミック特性を反映し、1.8ボルト(V)となった。
順方向電流を20mAとした際の発光出力は、3.6mW(3mW以上)であり、良好な結果が得られた。)。
【0243】
組み立てたすべての発光ダイオードにおけるピーク発光波長のバラツキ(最大−最小)は、2.5nmであり、良好な結果が得られた。また、発光の立ち上がりの応答速度(Tr)は、24.3nsであり、100ns以下の良好な結果が得られた。また、表面欠陥の検査では、表面欠陥は見られなかった。
【0244】
また、実施例16の発光ダイオードが発光した際、機能性基板の放熱効果により、温度上昇に起因する発光効率の低下は見られなかった。
【0245】
上記結果から、実施例16の発光ダイオード及び発光ダイオードランプによれば、655nm以上の発光波長を有した光を発光する発光層を構成でき、かつ100ns以下の応答速度(この場合、24.3ns)を実現できることが確認できた。
さらに、機能性基板の放熱効果により、放熱特性に優れた発光ダイオードを実現できることが確認できた。
【0246】
(比較例1)
比較例1の発光ダイオードは、実施例2の発光ダイオードに設けられた歪発光層の積層数及びバリア層の積層数を変更した以外は、実施例2の発光ダイオードと同様に構成した。
比較例1は、発光ダイオードの発光層が、11層の歪発光層(合計の厚さ110nm)と、10層のバリア層(合計の厚さ300nm)とを有するように形成した。比較例1の発光層の厚さは、410nmとした。
【0247】
比較例1の発光ダイオードを実装した発光ダイオードランプの特性を評価した結果を表1に示す。表1に示すように、n型及びp型オーミック電極間に電流を流したところ、ピーク発光波長を660.5mとする赤色光が出射された。
また、順方向に20ミリアンペア(mA)の電流を通流した際の順方向電圧(Vf)は、約2ボルト(V)となった。また、順方向電流を20mAとした際の発光出力は、3.7mWであった。組み立てたすべての発光ダイオードランプにおけるピーク発光波長のバラツキは、2.4nmとなった。発光の立ち上がりの応答速度(Tr)は、43nsであった。また、表面欠陥は見られなかった。
【0248】
上記結果から、発光層の厚さが410nmとされた比較例1の発光ダイオード及び発光ダイオードランプでは、35ns以下の応答速度(この場合、43ns)を実現できないことが確認できた。
【0249】
(比較例2)
比較例2の発光ダイオードは、実施例7の発光ダイオードに設けられた歪発光層の積層数及びバリア層の積層数を変更した以外は、実施例7の発光ダイオードと同様に構成した。
比較例2は、発光ダイオードの発光層が、12層の歪発光層(合計の厚さ204nm)と、11層のバリア層(合計の厚さ209nm)とを有するように形成した。比較例2の発光層の厚さは、413nmとした。
【0250】
比較例2の発光ダイオードを実装した発光ダイオードランプの特性を評価した結果を表1に示す。表1に示すように、n型及びp型オーミック電極間に電流を流したところ、ピーク発光波長を659.5mとする赤色光が出射された。
また、順方向に20ミリアンペア(mA)の電流を通流した際の順方向電圧(Vf)は、約1.9ボルト(V)となった。また、順方向電流を20mAとした際の発光出力は、3.9mWであった。組み立てたすべての発光ダイオードランプにおけるピーク発光波長のバラツキは、2.2nmとなった。発光の立ち上がりの応答速度(Tr)は、50nsであった。また、表面欠陥は見られなかった。
【0251】
上記結果から、発光層の厚さが413nmとされた比較例2の発光ダイオード及び発光ダイオードランプでは、35ns以下の応答速度(この場合、50ns)を実現できないことが確認できた。
【0252】
(比較例3)
比較例3の発光ダイオードは、実施例2の発光ダイオードに設けられた歪発光層の組成、厚さ、及び積層数と、バリア層の積層数とを変更した以外は、実施例2の発光ダイオードと同様に構成した。
歪発光層の組成は、Ga0.38In0.62Pとした。歪発光層の厚さは、5nmとした。また、歪発光層の積層数は、21とし、バリア層の積層数は、20とした。
つまり、比較例3では、発光ダイオードの発光層が、21層の歪発光層(合計の厚さ105nm)と、20層のバリア層(合計の厚さ600nm)とを有するように形成した。比較例3の発光層の厚さは、705nmとした。
【0253】
比較例3の発光ダイオードを実装した発光ダイオードランプの特性を評価した結果を表1に示す。表1に示すように、n型及びp型オーミック電極間に電流を流したところ、ピーク発光波長を651.5mとする赤色光が出射された。
また、順方向に20ミリアンペア(mA)の電流を通流した際の順方向電圧(Vf)は、約2ボルト(V)となった。また、順方向電流を20mAとした際の発光出力は、3.1mWであった。組み立てたすべての発光ダイオードランプにおけるピーク発光波長のバラツキは、5.1nmとなった。発光の立ち上がりの応答速度(Tr)は、42nsであった。また、表面欠陥は見られなかった。
【0254】
上記結果から、発光層を構成する歪発光層の積層数が1〜7の範囲内(この場合、5)でも、発光層の厚さが250nmを超える場合(この場合、705nm)には、発光の立ち上がりの応答速度(Tr)が35nsよりも遅くなることが確認できた。
【0255】
(比較例4)
比較例4の発光ダイオードは、実施例2に設けられた歪発光層の積層数、及びバリア層の積層数を変更した以外は、実施例2の発光ダイオードと同様に構成した。歪発光層の積層数は、21とし、バリア層の積層数は、20とした。
つまり、比較例4では、発光ダイオードの発光層が、21層の歪発光層(合計の厚さ210nm)と、20層のバリア層(合計の厚さ600nm)とを有するように形成した。比較例3の発光層の厚さは、810nmとした。
【0256】
比較例4の発光ダイオードを実装した発光ダイオードランプの特性を評価した結果を表1に示す。表1に示すように、n型及びp型オーミック電極間に電流を流したところ、ピーク発光波長を660nmとする赤色光が出射された。
また、順方向に20ミリアンペア(mA)の電流を通流した際の順方向電圧(Vf)は、約2ボルト(V)となった。
また、順方向電流を20mAとした際の発光出力は、2.5mWであった。組み立てたすべての発光ダイオードランプにおけるピーク発光波長のバラツキは、7.1nmとなった。発光の立ち上がりの応答速度(Tr)は、65nsであった。また、表面欠陥は見られなかった。
【0257】
上記結果から、発光層の厚さが810nmとされた比較例4の発光ダイオード及び発光ダイオードランプでは、35ns以下の応答速度(この場合、65ns)を実現できないことが確認できた。
【0258】
【表1】
【表2】
【産業上の利用可能性】
【0259】
本発明の発光ダイオードは、植物育成用の発光ダイオード、高圧回路等において、電気信号伝達に用いられる高速カプラー用の発光ダイオード等に利用可能である。
【符号の説明】
【0260】
1…発光ダイオード、2…化合物半導体層、3…機能性基板、3a…垂直面、3b…傾斜面、4…n型オーミック電極(第1の電極)、5…p型オーミック電極(第2の電極)、6…第3の電極、7…発光部、8…歪調整層、9…下部クラッド層、10…発光層、11…上部クラッド層、12…歪発光層、13…バリア層、14…GaAs基板、15…緩衝層、16…コンタクト層、41…発光ダイオードランプ、42…マウント基板、43…n電極端子、44…p電極端子、45,46…金線、47…エポキシ樹脂、α…角度、51…発光ダイオード、53…GaAs基板、54…反射構造体、55…機能性基板、56…n型オーミック電極(第1の電極)、58…p型オーミック電極(第2の電極)、61…第1の金属層、62…第2の金属層、64…透明導電膜、65…反射層、71…発光ダイオード、72…金属層、73…金属層、75…機能性基板
【技術分野】
【0001】
本発明は、発光ダイオード及び発光ダイオードランプに関するものであり、特に、応答速度の速い発光ダイオード及びこれを用いた発光ダイオードランプに関する。
【背景技術】
【0002】
近年、人工光源による植物育成が研究なされている。特に、単色性に優れており、省エネルギー、長寿命、小型化が可能な発光ダイオード(英略称:LED)による照明を用いた栽培方法が注目されている。
また、これまでの研究結果から、植物育成(光合成)用の光源に適した発光波長の1つとして、波長が600〜700nmの領域の赤色光の効果が確認されている。
特に、波長が660〜670nm付近の光は、光合成に対しての反応効率が高く望ましい光源である。この波長に対して、従来、AlGaAs或いはInGaNP等からなる発光層の検討がされている(例えば、特許文献1〜3参照。)。
【0003】
一方、従来、燐化アルミニウム・ガリウム・インジウム(組成式(AlXGa1−X)YIn1−YP;0≦X≦1,0<Y≦1)よりなる発光層を備えた化合物半導体LEDが知られている。
このようなLED化合物半導体では、Ga0.5In0.5Pの組成を有した発光層の波長が最も長く、そのピーク発光波長は650nm付近である。
【0004】
また、一般に、(AlXGa1−X)YIn1−YP(0≦X≦1,0<Y≦1)からなる発光層を備えた発光部は、発光層からの光を遮断し、かつ機械的強度の低い砒化ガリウム(GaAs)単結晶基板上に形成されている。
そのため、高輝度の可視LEDを得るために、また、更なる素子の機械的強度の向上を目的とした研究が進められている。
例えば、特許文献4には、GaAsのような発光層の光を遮断する基板材料を除去した後、発光層の光を透過可能であり、かつ機械強度に優れた材料よりなる支持体層を接合させた、いわゆる接合型LEDが開示されている。
また、特許文献5には、発光メカニズムの異なるレーザー素子において、歪のある発光層(「歪発光層」ともいう)についての検討が行なわれている。しかし、発光ダイオードにおいては、歪のある発光層について実用化されていないのが実状である。
【0005】
また、特許文献6には、発光ダイオードの発光部に量子井戸構造を適用することが開示されている。しかしながら、量子井戸構造の適用によって得られる量子効果は、発光波長を短波長化させるため、長波長化の技術には適用できない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特開平9−37648号公報
【特許文献2】特開2002−27831号公報
【特許文献3】特開2004−221042号公報
【特許文献4】特許第3230638号公報
【特許文献5】特開2000−151024号公報
【特許文献6】特許第3373561号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
ところで、近年の研究により、植物育成用の照明は、光を照射後、光合成の反応時間中に消灯することによって省エネルギー化が可能であることが確認された。そこで、点灯方法については、高速パルス方式を利用して使用電力を削減することも検討されている。つまり、応答速度の速い発光ダイオードが必要とされている。
特に、高圧回路等において、電気信号伝達に用いられる高速カプラー用途の発光ダイオードにおいては、35ns以下の応答速度が望まれる。
【0008】
本発明は、上記事情を鑑みてなされたものであり、応答速度の速い発光ダイオード及び発光ダイオードランプを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
すなわち、本発明は以下に関する。
(1) n(≧1)層の歪発光層、及び(n−1)層のバリア層よりなる発光層を有するpn接合型の発光部を備え、前記発光層は、1層の歪発光層と、1層のバリア層とが交互に積層された構成とされており、前記nを1〜7とし、かつ前記発光層の厚さを250nm以下にしたことを特徴とする発光ダイオード。
(2) 前記歪発光層の組成式は、(AlXGa1−X)YIn1−YP(0≦X≦0.1、0.37≦Y≦0.46)であることを特徴とする前項(1)記載の発光ダイオード。
(3) 前記歪発光層の組成式が、GaXIn1−XP(0.37≦X≦0.46)であることを特徴とする前項(1)項記載の発光ダイオード。
【0010】
(4) 前記発光部と、該発光部に積層された歪調整層と、を少なくとも含む化合物半導体層を有することを特徴とする前項(1)ないし(3)のうち、いずれか1項記載の発光ダイオード。
(5) 前記化合物半導体層は、光取り出し面を有し、前記光取り出し面の反対側に位置する前記化合物半導体層の面に接合される機能性基板を設けたことを特徴とする前項(4)記載の発光ダイオード。
(6) 前記機能性基板は、光透過性基板であることを特徴とする前項(5)に記載の発光ダイオード。
(7) 前記機能性基板の材質は、GaPであることを特徴とする前項(5)または(6)に記載の発光ダイオード。
【0011】
(8) 前記化合物半導体層の前記光取り出し面側に設けられた第1及び第2の電極と、前記機能性基板の裏面に設けられた接続用の第3の電極と、をさらに備えたことを特徴とする前項(5)ないし(7)のうち、いずれか1項記載の発光ダイオード。
(9) 前記化合物半導体層と前記機能性基板とが反射構造体を介して接合されていることを特徴とする前項(5)に記載の発光ダイオード。
(10) 前記機能性基板の材質は、金属であることを特徴とする前項(5)または前項(9)のいずれかに記載の発光ダイオード。
(11) 前記機能性基板の材質は、GaP、Si、Geのいずれかであることを特徴とする前項(5)または前項(9)のいずれかに記載の発光ダイオード。
(12) 前記化合物半導体層の前記光取り出し面側に設けられた第1の電極と、前記化合物半導体層と反射構造体の間に設けられた第2の電極と、を備えたことを特徴とする前項(5)、前項(9)から前項(11)のうち、いずれか1項記載の発光ダイオード。
(13) 前記歪発光層の厚さが、8〜30nmの範囲内であることを特徴とする前項(1)ないし(12)のうち、いずれか1項記載の発光ダイオード。
(14) 前記歪調整層は、前記発光部が発光した際の光を透過可能であると共に、前記歪発光層及び前記バリア層の格子定数よりも小さい格子定数を有することを特徴とする前項(4)ないし(13)のうち、いずれか1項記載の発光ダイオード。
(15) 前記バリア層の組成式は、(AlXGa1−X)YIn1−YP(0.3≦X≦0.7、0.48≦Y≦0.52)であることを特徴とする前項(1)ないし(14)のうち、いずれか1項記載の発光ダイオード。
(16) 前記発光部は、前記歪発光層の上下面のうち、少なくとも一方の面にクラッド層を有し、前記クラッド層の組成式が(AlXGa1−X)YIn1−YP(0.5≦X≦1、0.48≦Y≦0.52)であることを特徴とする前項(1)ないし(15)のうち、いずれか1項記載の発光ダイオード。
【0012】
(17) 前記歪調整層の組成式は、(AlXGa1−X)YIn1−YP(0≦X≦1、0.6≦Y≦1)であることを特徴とする前項(4)ないし(16)のうち、いずれか1項記載の発光ダイオード。
(18) 前記歪調整層の組成式は、AlXGa1−XAs1−YPY(0≦X≦1、0.6≦Y≦1)であることを特徴とする前項(4)ないし(17)のうち、いずれか1項記載の発光ダイオード。
(19) 前記歪調整層の材質は、GaPであることを特徴とする前項(4)ないし(18)のうち、いずれか1項記発光ダイオード。
(20) 前記歪調整層の厚さは、0.5〜20μmの範囲内であることを特徴とする前項(4)ないし(19)のうち、いずれか1項記載の発光ダイオード。
【0013】
(21) 前記機能性基板の側面は、前記化合物半導体層に近い側において前記光取り出し面に対して略垂直である垂直面と、前記化合物半導体層に遠い側において前記光取り出し面に対して内側に傾斜し、かつ該垂直面と一体に構成された傾斜面と、を有することを特徴とする前項(5)ないし(20)のうち、いずれか1項に記載の発光ダイオード。
(22) 前記歪発光層の発光波長700nmにおける発光強度が、ピーク発光波長における発光強度の10%未満であることを特徴とする前項(1)ないし(21)のうち、いずれか1項記載の発光ダイオード。
(23) 前記光取り出し面は、粗い面を含むことを特徴とする前項(5)ないし(22)のうち、いずれか1項記載の発光ダイオード。
【0014】
(24) 植物育成の光合成の促進に使用するための発光ダイオードであって、前記発光部の発光スペクトルのピーク発光波長が、655〜675nmの範囲であることを特徴とする前項(1)ないし(23)のうち、いずれか1項記載の発光ダイオード。
(25) 前記発光スペクトルの半値幅は、10〜40nmの範囲内であることを特徴とする前項(24)に記載の発光ダイオード。
【0015】
(26) 前記発光部の応答速度が、35ns以下であることを特徴とする前項(1)ないし(25)のうち、いずれか1項記載の発光ダイオード。
(27) 表面に電極端子が形成されたマウント基板と、前項(1)ないし(26)のうち、いずれか1項記載の発光ダイオードと、を備え、前記発光ダイオードは、前記マウント基板に実装されており、前記発光ダイオードは、前記電極端子と電気的に接続されていることを特徴とする発光ダイオードランプ。
(28)前記発光ダイオードに設けられた前記第1又は第2の電極と、前記機能性基板に設けられた前記第3の電極とを略同電位に接続したことを特徴とする前項(27)に記載の発光ダイオードランプ。
【発明の効果】
【0016】
本発明の一観点によれば、n(≧1)層の歪発光層、及び(n−1)層のバリア層よりなる発光層を有するpn接合型の発光部を備え、発光層を、1層の歪発光層と、1層のバリア層とが交互に積層された構成とし、nを1〜7とし、かつ発光層の厚さを250nm以下にすることにより、歪発光層及びバリア層の総数を少なくすることが可能になると共に、歪発光層及びバリア層により構成される発光層の厚さを薄くすることが可能となるので、応答速度が35ns以下の発光ダイオードを実現できる。
【0017】
また、化合物半導体層の光取り出し面とは反対側に位置する化合物半導体層の面に、反射構造体を設けることにより、化合物半導体層の光取り出し面から発光ダイオードの外部に放射される光のうち、光取り出し面に対して直交する方向における光の強度を強くすることが可能となるので、高輝度及び高効率の発光ダイオードを実現できる。
また、光取り出し面に対して直交する方向における光の強度を強くすることにより、光取り出し面に対して直交する方向において、反射構造体を備えていない発光ダイオードの光の強度と同じ強さの光強度を得る場合、反射構造体を備えていない発光ダイオードよりも消費電力を小さくすることができる。
【0018】
また、光取り出し面の反対側に位置する化合物半導体層の面に、反射構造体を介して接合される機能性基板として、例えば、熱伝導率の良い基板を用いることで、発光部が発光した際の熱を、機能性基板を介して、発光ダイオードの外部に効率良く放出することができる。このような機能性基板を備えた発光ダイオードは、特に、発熱が問題となる植物育成用の照明として用いる場合に有効である。
【図面の簡単な説明】
【0019】
【図1】本発明の第1の実施形態である発光ダイオードを備えた発光ダイオードランプの平面図である。
【図2】図1中に示す発光ダイオードランプのA−A’線に沿った断面模式図である。
【図3】図1に示す発光ダイオードの平面図である。
【図4】図3に示す発光ダイオードのB−B’線に沿った断面模式図である。
【図5】図4に示す発光層の構成を説明するための拡大断面図である。
【図6】本発明の一実施形態である発光ダイオードに用いるエピウェーハの断面模式図である。
【図7】本発明の一実施形態である発光ダイオードに用いる接合ウェーハの断面模式図である。
【図8】本発明の第2の実施形態に係る発光ダイオードの一例を示す断面図である。
【図9】本発明の第2の実施形態に係る発光ダイオードの製造工程を示す断面図であり、図9(a)は、第1及び第2の金属層を対向配置させた状態を示す図であり、図9(b)は、第1及び第2の金属層が圧着され、第1及び第2の金属層よりなる機能性基板が形成された状態を示す図である。
【図10】本発明の第2の実施形態に係る発光ダイオードの製造工程を示す断面図である。
【図11】本発明の第2の実施形態に係る発光ダイオードの製造工程を示す断面図である。
【図12】本発明の第2の実施形態に係る発光ダイオードの製造工程を示す断面図である。
【図13】本発明の第2の実施形態に係る発光ダイオードの製造工程を示す断面図である。
【図14】本発明の第2の実施形態に係る発光ダイオードの製造工程を示す断面図である。
【図15】本発明の第2の実施形態に係る発光ダイオードの製造工程を示す断面図である。
【図16】本発明の第3の実施形態に係る発光ダイオードの一例を示す断面図であり、図16(a)は、第3の実施形態の発光ダイオードの平面図であり、図16(b)は、図16(a)に示す発光ダイオードのA−A‘線方向の概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0020】
以下、本発明を適用した一実施形態である発光ダイオード、及びこれを備えた発光ダイオードランプについて、図面を参照して詳細に説明する。なお、以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために、便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際の発光ダイオード及び発光ダイオードランプと同じであるとは限らない。
【0021】
<発光ダイオードランプ>
図1は、本発明の一実施形態である発光ダイオードを備えた発光ダイオードランプの平面図であり、図2は、図1中に示す発光ダイオードランプのA−A’線に沿った断面模式図である。
【0022】
図1及び図2に示すように、本実施形態の発光ダイオード1を備えた発光ダイオードランプ41は、マウント基板42の表面に1つ以上の発光ダイオード1が実装された構成とされている。
マウント基板42の表面には、n電極端子43とp電極端子44とが設けられている。発光ダイオード1の第1の電極であるn型オーミック電極4は、金線45を介して、マウント基板42のn電極端子43と電気的に接続されている。つまり、n型オーミック電極4とn電極端子43とは、ワイヤボンディング接続されている。
【0023】
また、発光ダイオード1の第2の電極であるp型オーミック電極5は、金線46を介して、マウント基板42のp電極端子44と電気的に接続されている。
さらに、図2に示すように、n型オーミック電極4及びp型オーミック電極5が設けられた面とは反対側に位置する発光ダイオード1の面には、第3の電極6が設けられている。この第3の電極6によって発光ダイオード1がn電極端子43上に接続され、発光ダイオード1はマウント基板42に固定される。n型オーミック電極4と第3の電極6とは、n極電極端子43によって等電位又は略等電位となるように電気的に接続されている。そして、マウント基板42の発光ダイオード1が実装された表面は、一般的なエポキシ樹脂47によって封止されている。
【0024】
<発光ダイオード(第1の実施形態)>
図3は、図1に示す発光ダイオードの平面図であり、図4は、図3に示す発光ダイオードのB−B’線に沿った断面模式図である。
図3及び図4に示すように、本実施形態の発光ダイオード1は、化合物半導体層2と機能性基板3とが接合された構成とされている。そして、発光ダイオード1は、主たる光取り出し面に設けられたn型オーミック電極4(第1の電極)及びp型オーミック電極5(第2の電極)と、機能性基板3の化合物半導体層2との接合面とは反対側に設けられた第3の電極6とを備える。なお、本実施形態における主たる光取り出し面とは、化合物半導体層2において、機能性基板3を貼り付けた面の反対側の面のことである。
【0025】
化合物半導体層2(「エピタキシャル成長層」ともいう)は、図4に示すように、pn接合型の発光部7と、歪調整層8とが順次積層された構造を有する。
この化合物半導体層2の構造には、公知の機能層を適時加えることができる。例えば、オーミック(Ohmic)電極の接触抵抗を下げるためのコンタクト層、素子駆動電流を発光部の全般に平面的に拡散させるための電流拡散層、逆に素子駆動電流の通流する領域を制限するための電流阻止層や電流狭窄層等の公知の層を設けることができる。なお、化合物半導体層2としては、GaAs基板上にエピタキシャル成長させて形成されたものが好ましい。
【0026】
図4に示すように、発光部7は、歪調整層8上に、少なくともp型の下部クラッド層9と、発光層10と、n型の上部クラッド層11とが順次積層されて構成されている。すなわち、発光部7は、放射再結合をもたらすキャリア(担体;carrier)及び発光を発光層10に「閉じ込める」ために、発光層10の下側及び上側に対峙して配置した下部クラッド(clad)層9及び上部クラッド層11を含む、所謂、ダブルヘテロ(英略称:DH)構造とすることが高強度の発光を得る上で好ましい。
【0027】
図5に示すように、発光層10は、歪発光層12と、バリア層とが交互に積層された積層構造を有すると共に、その両端に歪発光層12が配置された構成とされている。
【0028】
歪発光層12は、(AlXGa1−X)YIn1−YP(0≦X≦1,0<Y≦1)の組成を有している。上記Xは、0.1以下であることが好ましく、0であることがより好ましい。また、上記Yは、0.37〜0.46の範囲が好ましく、0.39〜0.45の範囲がより好ましい。
歪発光層12の組成を上記範囲内に規定することにより、発光波長を655〜675nmの範囲とすることできる。しかしながら、この場合、歪発光層12は、それ以外の構造部分と格子定数が異なる構成となり、化合物半導体層2に歪が発生する。このため、結晶欠陥の発生という弊害が生ずるおそれがある。
【0029】
歪発光層12の層厚(1層の厚さ)は、8〜30nmの範囲が好適である。ここで、歪発光層12の層厚が約6nm未満の薄膜である場合では、井戸構造の量子効果により発光波長が短くなり、所望の655nm以上が得られなくなる。
したがって、歪発光層12の層厚は、層厚の変動を加味して量子効果の発現しない8nm以上であることが望ましい。また、層厚の制御の容易さを考慮すれば、10nm以上が好適である。一方、歪発光層12の層厚が30nmを超えると、歪量が大きくなりすぎるため、結晶欠陥や表面の異常が発生しやすくなるために好ましくない。
【0030】
バリア層13は、(AlXGa1−X)YIn1−YP(0≦X≦1,0<Y≦1)の組成を有している。上記Xは、0.3〜0.7の範囲が好ましく、0.4〜0.6の範囲がより好ましい。また、上記Yは、0.48〜0.52の範囲が好ましく、0.49〜0.51の範囲がより好ましい。また、バリア層13の格子定数は、GaAs基板と同等または、小さくすることができる。
【0031】
バリア層13の層厚(1層の厚さ)は、歪発光層12の層厚よりも厚いことが好ましい。これにより、歪発光層12の発光効率を高くすることができる。また、バリア層13によって発光効率を最適化すると共に歪発光層12に発生した歪を緩和する必要がある。
したがって、バリア層13は、少なくとも、15nm以上の層厚とすることが好ましく、20nm以上の層厚がより好ましい。一方、バリア層13の層厚が、50nmを超えると発光波長の波長に近くなり、光の干渉、ブラッグ反射など、光学的な影響がでる。
したがって、バリア層13は、50nm以下の層厚とすることが好ましく、40nm以下の層厚がより好ましい。上述したように、歪発光層12の層厚が薄く、バリア層13の層厚が厚いほうが、歪発光層12の歪をバリア層13によって吸収する効果が得られると共に、歪発光層12に結晶欠陥が発生しにくいという効果が得られる。
【0032】
歪発光層12とバリア層13とが積層された発光層10において、歪発光層12の数(積層数であるn(≧1))は、1〜7層にするとよい。この場合、バリア層13の数(積層数である(n−1))は、0〜6層(歪発光層12の積層数nよりも1つ少ない数)となる。
【0033】
歪発光層12とバリア層13の数を減らすとPN接合の接合容量(キャパシタンス)は、大きくなる。これは、後述の様に歪発光層12とバリア層13はアンドープ、または低いキャリア濃度とされるのでpn接合において空乏層として機能し、空乏層が薄いほどキャパシタンスが大きくなることに起因する。
一般に応答速度を早くするためにはキャパシタンスが小さい方が望ましいが、本発明の構造では、歪発光層12とバリア層13の数を少なくすることにより、キャパシタンスが大きくなるにも関わらず応答速度が早くなる効果が見出された。
これは、歪発光層12とバリア層13の数を少なくすることによる注入キャリアの再結合速度が速くなる効果がより大きいためであると推定される。
【0034】
なお、歪発光層12の積層数nを1層にした場合、使用電流により高電流側でのキャリアオーバーフローが発生し高電流側で発光効率が低下してしまう。また、歪発光層12の積層数nを8層よりも多くすると、所要の応答速度(具体的には、35ns以下の応答速度)を満たさなくなる。
【0035】
また、発光層10を構成する歪発光層12の積層数nは、2〜5層にするとなおよい。この場合、バリア層13の積層数(n−1)は、1〜4層(歪発光層12の積層数よりも1つ少ない数)となる。
また、1〜7層の歪発光層12、及びこれに対応する数のバリア層13を備えた発光層10の厚さは、250nm以下にする。
【0036】
このように、n(≧1)層の歪発光層12、及び(n−1)層のバリア層13よりなる発光層10を、1層の歪発光層12と、1層のバリア層13とが交互に積層された構成とし、nを1〜7とし、かつ発光層10の厚さを250nm以下にすることにより、歪発光層12及びバリア層13の積層数を少なくして、歪発光層12及びバリア層13により構成された発光層10の厚さを薄くすることが可能となるので、応答速度が35ns以下の発光ダイオード1(言い換えれば、応答速度の速い発光ダイオード)を実現できる。
このような、応答速度の速い発光ダイオード1は、植物育成用の発光ダイオード、高圧回路等において、電気信号伝達に用いられる高速カプラー用の発光ダイオードとして使用できる。
【0037】
発光層10の導電型は特に限定されるものではなく、アンドープ、p型、及びn型のいずれも選択することができる。発光効率を高めるには、結晶性が良好なアンドープ、または3×1017cm−3未満のキャリア濃度とすることが望ましい。
発光層10は、組成式が(AlXGa1−X)YIn1−YP(0≦X≦0.1、0.37≦Y≦0.46)とされた歪発光層12を備えることにより、発光スペクトルのピーク発光波長を655〜675nmの範囲内に設定することができ、ピーク発光波長を660〜670nmの範囲内に設定することが好ましい。
【0038】
655〜675nmの範囲の発光波長は、植物育成(光合成)用の光源に適した発光波長の1つであり、光合成に対して反応効率が高いために望ましい。
一方、700nm以上の長波長領域の光を利用すると、植物の育成を抑制する反応が起こる為、長波長域の光量は少ない方が望ましい。
【0039】
したがって、効率的に植物育成する為には、光合成反応に対して最適な655〜675nmの波長領域の光が強く、700nm以上の長波長領域の光を含まない赤色光源が最も好ましい。
また、該好ましい赤色光源にする為には、半値幅は、狭い必要がある。一方、波長バラツキの大きくなる可能性がある量子化条件に近いと半値幅が狭くなる為、結果的に発光スペクトルの半値幅が、10〜40nmの範囲であることが好ましい。
【0040】
さらに、発光波長700nmにおける発光スペクトルの発光強度が、上記ピーク発光波長における発光強度の10%未満であることが好ましい。
このような特性の発光層10を備えた発光ダイオード1は、植物育成の光合成の促進に使用する照明(発光ダイオードランプ)として好適に用いることができる。また、発光層10の構成は、上記特性を充足するように組成、層厚、層数を適宜選択することができる。
【0041】
図4に示すように、下部クラッド層9及び上部クラッド層11は、発光層10の下面及び上面にそれぞれ設けられている。具体的には、発光層10の下面に下部クラッド層9が設けられ、発光層10の上面に上部クラッド層11が設けられている。
【0042】
下部クラッド層9及び上部クラッド層11の材質としては、発光層10(具体的には、歪発光層12)よりもバンドギャップの大きい材質が好ましく、バリア層13よりもバンドギャップが大きい材質がより好ましい。
【0043】
上記材質としては、例えば、AlXGa1−XAsの組成を有する化合物や、(AlXGa1−X)YIn1−YP(0≦X≦1,0<Y≦1)の組成を有する化合物が挙げられる。上記Xの値は、下限値が0.3以上であることが好ましく、0.5以上であることがより好ましい。また、上記Yの値は、0.48〜0.52の範囲が好ましく、0.49〜0.51の範囲がより好ましい。
【0044】
下部クラッド層9と上部クラッド層11とは、極性が異なるように構成されている。また、下部クラッド層9及び上部クラッド層11のキャリア濃度及び厚さは、公知の好適な範囲を用いることができ、発光層10の発光効率が高まるように条件を最適化することが好ましい。また、下部クラッド層9及び上部クラッド層11の組成を制御することによって、化合物半導体層2の反りを低減させることができる。
【0045】
具体的に、下部クラッド層9としては、例えば、Mgをドープしたp型の(AlXGa1−X)YIn1−YP(0.3≦X≦1,0<Y≦1)からなる半導体材料を用いることが望ましい。また、キャリア濃度は2×1017〜2×1018cm−3の範囲が好ましく、層厚は0.5〜5μmの範囲が好ましい。
【0046】
一方、上部クラッド層11としては、例えば、Siをドープしたn型の(AlXGa1−X)YIn1−YP(0.3≦X≦1,0<Y≦1)からなる半導体材料を用いることが望ましい。また、キャリア濃度は1×1017〜1×1018cm−3の範囲が好ましく、上部クラッド層11の厚さは0.5〜2μmの範囲が好ましい。なお、下部クラッド層9及び上部クラッド層11の極性は、化合物半導体層2の素子構造を考慮して選択することができる。
【0047】
また、下部クラッド層9と発光層10との間、発光層10と上部クラッド層11との間、及び上部クラッド層11と歪調整層8との間に、両層間におけるバンド(band)不連続性を緩やかに変化させるための中間層を設けても良い。この場合、各中間層は、上記両層の中間の禁止帯幅を有する半導体材料からそれぞれ構成することが好ましい。
【0048】
また、発光部7の構成層の上方には、オーミック(Ohmic)電極の接触抵抗を下げるためのコンタクト層、素子駆動電流を発光部の全般に平面的に拡散させるための電流拡散層、逆に素子駆動電流の通流する領域を制限するための電流阻止層や電流狭窄層など公知の層を設けることができる。
【0049】
図4に示すように、歪調整層8は、発光部7の下方に設けられている。この歪調整層8は、GaAs基板上に化合物半導体層2をエピタキシャル成長させる際に、歪発光層12によって生じた歪を緩和させるために設けられたものである。
また、歪調整層8は、発光部7(具体的には、発光層10)からの発光波長(光)を透過させることが可能な構成とされている。さらに、歪調整層8は、歪発光層12及びバリア層13の格子定数よりも小さい格子定数を有している。
【0050】
また、歪調整層8は、化合物半導体層2の形成(エピタキシャル成長による形成)に用いたGaAs基板の格子定数よりも小さい格子定数を有している。より具体的には、後述する組成から得られる歪調整層8の格子定数をA、バリア層13の格子定数をB、歪発光層12の格子定数をCとした場合に、A<B<Cとなる関係を有する。
【0051】
歪調整層8としては、(AlXGa1−X)YIn1−YP(0≦X≦1、0.6≦Y≦1)の組成を有する材料を適用することができる。上記Xは、化合物半導体層2の素子構造にもよるが、Al濃度が低い材料が化学的に安定であることから、0.5以下であることが好ましく、0であることがより好ましい。また、上記Yの下限値は、0.6以上であることが好ましい。
【0052】
ここで、発光層10(歪発光層12)の有する歪量が同じ場合を比較すると、上記Yの値が小さいほうが歪調整層8の歪調整効果が小さくなる。このため、歪調整層8の層厚を厚くする必要が生じ、歪調整層8の成膜時の成長時間とコストが上昇してしまうため、上記Yの値は0.6以上であることが好ましく、0.8以上であることがより好ましい。
【0053】
また、歪調整層8としては、発光波長の光を透過させることが可能なAlXGa1−XAs1−YPY(0≦X≦1、0.6≦Y≦1)の組成を有するIII−V属半導体材料を用いてもよい。
上記組成を有する歪調整層8では、Yの値によって格子定数が変化する。上記Yの値が大きい方が、格子定数が小さくなる。また、発光波長に対する透明度は、上記X及びYの値の双方に関連する為、透明な材料となるようにX及びYの値を選択すれば良い。
【0054】
さらに、歪調整層8の材質として、GaP、好ましくは、例えば、Mgドープしたp型のGaPを用いることが好ましい。このGaPは、組成の調整が不要であると共に歪調整効果が大きいため、生産性及び安定性の面からも歪調整層8の材料として最も適している。
【0055】
歪調整層8は、化合物半導体層2をエピタキシャル成長させる際に用いた基板であるGaAs基板の格子定数よりも小さい格子定数を有しているため、歪発光層12が包含する歪量のばらつきを緩和する機能を備えている。
このため、歪調整層8を設けることにより、発光波長などの特性の均一化、クラック発生等の結晶欠陥の発生防止の効果がある。
【0056】
ここで、歪調整層8の層厚は、0.5〜20μmの範囲であることが好ましく、3〜15μmの範囲であることがより好ましい。歪調整層8の層厚が0.5μm未満であると、歪発光層12の歪量のばらつきを緩和するのに十分ではなく、層厚が20μmを超えると成長時間が長くなるため、製造コストが増加するために好ましくない。
【0057】
このように、歪調整層8の組成を制御することにより、化合物半導体層2の反りを低減することが可能となるため、面内波長分布の小さい発光ダイオード1の作製が可能である。
さらに、本実施形態のように、機能性基板3と化合物半導体層2との接合を行なう構造を有する場合にも、化合物半導体層2の反りが大きい場合は割れなどの問題が生じるため、化合物半導体層2の反りを小さくすることが望ましい。
【0058】
例えば、歪発光層12の層厚は30nm以下の薄膜が望ましいが、薄い膜であるために層厚を均一に制御することは困難である。そして、層厚と導入される歪量とには相関があるため、歪発光層12の層厚がばらつくことによって導入される歪量もばらつき、結果として歪発光層12の発光波長がばらつくこととなる。
【0059】
そこで、化合物半導体層2を形成する際に、+(プラス)歪を有する歪発光層12を含む発光部7の上方(図4では、発光部7の下方となる)に歪調整層8を設けることにより、この歪調整層8の有する−(マイナス)歪が、歪発光層の層厚のばらつきによって+側に大きくずれた歪を−側に引き寄せて、歪発光層12の歪量のばらつきを小さくする作用があることを見出した。この歪調整層8の効果は、歪発光層12の歪量のばらつきの原因が歪発光層12の組成のばらつきの場合であっても同様である。
【0060】
ところで、歪調整層8のない従来の発光ダイオードでは、発光波長等の特性のばらつきが大きいため、要求された品質を満足することができなかった。これに対し、本実施形態の発光ダイオード1では、発光部7の下方に歪調整層8を設けた素子構造としている。
これにより、長波長化を行うために必要な歪発光層12の歪量が発光層10内において均一化されて、発光波長及び出力の特性のばらつきが小さくなる。また、化合物半導体層2の表面状態も改善される。
【0061】
図4に示すように、機能性基板3は、化合物半導体層2を構成する歪調整層8側に接合されている。この機能性基板3は、光透過性基板であり、発光部7を機械的に支持するのに充分な強度を有し、且つ、発光部7から出射される発光を透過できる禁止帯幅が広く、発光層10からの発光波長に対して光学的に透明な材料から構成する。
【0062】
例えば、燐化ガリウム(GaP)、砒化アルミニウム・ガリウム(AlGaAs)、窒化ガリウム(GaN)等のIII−V族化合物半導体結晶体、硫化亜鉛(ZnS)やセレン化亜鉛(ZnSe)等のII−VI族化合物半導体結晶体、或いは六方晶或いは立方晶の炭化珪素(SiC)等のIV族半導体結晶体、ガラス、サファイアなど絶縁基板から構成することができる。
【0063】
一方、接合面に反射率の高い表面を有する機能性基板も選択できる。例えば、表面に銀、金、銅、アルミニウムなどである金属基板または合金基板や、半導体に金属ミラー構造を形成した複合基板なども選択できる。接合による歪の影響がない歪調整層と同じ材質から選択することが、最も望ましい。
【0064】
機能性基板3は、発光部7を機械的に充分な強度で支持するために、例えば約50μm以上の厚みとすることが好ましい。また、化合物半導体層2へ接合した後に機能性基板3への機械的な加工を施し易くするため、約300μmの厚さを超えないものとすることが好ましい。すなわち、機能性基板3は、約50μm以上約300μm以下の厚さを有するn型GaP基板から構成するのが最適である。
【0065】
また、図4に示すように、機能性基板3の側面は、化合物半導体層2に近い側において主たる光取り出し面に対して略垂直である垂直面3aとされており、化合物半導体層2に遠い側において主たる光取り出し面に対して内側に傾斜した傾斜面3bとされている。
これにより、発光層10から機能性基板3側に放出された光を効率よく外部に取り出すことができる。また、発光層10から機能性基板3側に放出された光のうち、一部は垂直面3aで反射され傾斜面3bで取り出すことができる。
一方、傾斜面3bで反射された光は垂直面3aで取り出すことができる。このように、垂直面3aと傾斜面3bとの相乗効果により、光の取り出し効率を高めることができる。
【0066】
また、本実施形態では、図4に示すように、傾斜面3bと発光面に平行な面とのなす角度αを、55度〜80度の範囲内とすることが好ましい。このような範囲とすることで、機能性基板3の底部で反射された光を効率よく外部に取り出すことができる。
また、垂直面3aの幅(厚さ方向)を、30μm〜100μmの範囲内とすることが好ましい。垂直面3aの幅を上記範囲内にすることで、機能性基板3の底部で反射された光を垂直面3aにおいて効率よく発光面に戻すことができ、さらには、主たる光取り出し面から放出させることが可能となる。このため、発光ダイオード1の発光効率を高めることができる。
【0067】
また、機能性基板3の傾斜面3bは、粗面化されることが好ましい。傾斜面3bが粗面化されることにより、この傾斜面3bでの光取り出し効率を上げる効果が得られる。すなわち、傾斜面3bを粗面化することにより、傾斜面3bでの全反射を抑制して、光取り出し効率を上げることができる。
【0068】
化合物半導体層2と機能性基板3との接合界面は、高抵抗層となる場合がある。すなわち、化合物半導体層2と機能性基板3との間には、図示略の高抵抗層が設けられている場合がある。この高抵抗層は、機能性基板3よりも高い抵抗値を示し、高抵抗層が設けられている場合には化合物半導体層2の歪調整層8側から機能性基板3側への逆方向の電流を低減する機能を有している。また、機能性基板3側から歪調整層8側へと不用意に印加される逆方向の電圧に対して耐電圧性を発揮する接合構造を構成しているが、その降伏電圧は、pn接合型の発光部7の逆方向電圧より低値となる様に構成することが好ましい。
【0069】
n型オーミック電極4及びp型オーミック電極5は、発光ダイオード1の主たる光取り出し面に設けられた低抵抗のオーミック接触電極である。ここで、n型オーミック電極4は、上部クラッド層11の上方に設けられており、例えば、AuGe、Ni合金/Auからなる合金を用いることができる。一方、p型オーミック電極5は、図4に示すように、露出させた歪調整層8の表面にAuBe/Auからなる合金を用いることができる。
【0070】
ここで、本実施形態の発光ダイオード1では、第2の電極としてp型オーミック電極5を、歪調整層8上に形成することが好ましい。このような構成とすることにより、作動電圧を下げる効果が得られる。また、p型オーミック電極5をp型GaPからなる歪調整層8上に形成することにより、良好なオーミックコンタクトが得られるため、作動電圧を下げることができる。
【0071】
なお、本実施形態では、第1の電極の極性をn型とし、第2の電極の極性をp型とするのが好ましい。このような構成とすることにより、発光ダイオード1の高輝度化を達成することができる。
一方、第1の電極をp型とすると、電流拡散が悪くなり、輝度の低下を招く。これに対して、第1の電極をn型とすることにより、電流拡散が良くなり、発光ダイオード1の高輝度化を達成することができる。
【0072】
また、図3に示すように、本実施形態の発光ダイオード1では、n型オーミック電極4とp型オーミック電極5とが対角の位置となるように配置することが好ましい。また、p型オーミック電極5の周囲を、化合物半導体層2で囲んだ構成とすることが最も好ましい。
このような構成とすることにより、作動電圧を下げる効果を得ることができる。また、p型オーミック電極5の四方をn型オーミック電極4で囲むことにより、電流が四方に流れやすくなるため、その結果として作動電圧が低下する。
【0073】
また、図3に示すように、本実施形態の発光ダイオード1では、n型オーミック電極4を、ハニカムや格子形状等のような網目とすることが好ましい。
このような構成とすることにより、信頼性を向上させる効果が得られる。また、格子状とすることにより、発光層10に均一に電流を注入することが可能となるので、その結果、信頼性を向上させることができる。
【0074】
なお、本実施形態の発光ダイオード1では、n型オーミック電極4を、パッド形状の電極(パッド電極)と幅10μm以下の線状の電極(線状電極)とで構成することが好ましい。
このような構成とすることにより、高輝度化をはかることができる。さらに、線状電極の幅を狭くすることにより、光取り出し面の開口面積を上げることができ、高輝度化を達成することができる。
【0075】
図4に示すように、第3の電極6は、機能性基板3の底面に設けられており、高輝度化、導通性、実装工程の安定化を向上させる機能を有している。第3の電極6の材質は、特に限定されるものではないが、例えば、反射率が高い銀(Ag)ペーストを用いることができる。
また、第3の電極6には、例えば、反射層、バリア層、接続層よりなる積層構造を用いることができる。上記反射層としては、反射率の高い金属、例えば、銀、金、アルミニウム、白金およびこれらの金属の合金を用いることができる。
【0076】
また、機能性基板3と反射層との間に、例えば、酸化インジウム錫(ITO)、酸化インジウム亜鉛(IZO)等の透明導電膜からなる酸化膜を設けることができる。また、バリア層としては、例えば、タングステン、モリブデン、チタン、白金、クロム、タンタル等の高融点金属を用いることができる。また、接続層としては、例えば、AuSn、AuGe,AuSi等の低融点の共晶金属を用いることができる。
【0077】
また、第3の電極6は、オーミック電極であってもショットキー電極であっても良いが、第3の電極6が機能性基板3の底面にオーミック電極を形成すると、発光層10からの光を吸収してしまうため、ショットキー電極であることが好ましい。
第3の電極6の厚さは、特に限定されるものではないが、0.2〜5μmの範囲が好ましく、1〜3μmの範囲がより好ましく、1.5〜2.5μmの範囲が特に好ましい。
【0078】
ここで、第3の電極6の厚さが0.2μm未満であると高度な膜厚制御技術が必要であるために好ましくない。また、第3の電極6の厚さが5μmを超えるとパターン形成しにくくなり、高コストとなるため、好ましくない。一方、第3の電極6の厚さが上記範囲内であると、品質の安定性とコストの両立が可能である。
【0079】
<発光ダイオードの製造方法>
図6は、本実施形態の発光ダイオード1に用いるエピウェーハの断面模式図であり、図7は、本実施形態の発光ダイオード1に用いる接合ウェーハの断面模式図である。
次に、図6及び図7を参照して、本実施形態の発光ダイオード1の製造方法について説明する。
【0080】
(化合物半導体層の形成工程)
先ず、図6に示すように、化合物半導体層2を作製する。化合物半導体層2は、GaAs基板14上に、GaAsからなる緩衝層15、選択エッチングに利用するために設けられたエッチングストップ層(図示せず)、Siをドープしたn型のAlGaInPからなるコンタクト層16、n型の上部クラッド層11、発光層10、p型の下部クラッド層9、及びMgドープしたp型GaPからなる歪調整層8を順次積層して作製する。
【0081】
GaAs基板14は、公知の製法で作製された市販品の単結晶基板を使用できる。GaAs基板14のエピタキシャル成長させる表面は、平滑であることが望ましい。GaAs基板14の表面の面方位は、エピ成長しやすく、量産されている(100)面および(100)から、±20°以内にオフした基板が、品質の安定性の面からのぞましい。
さらに、GaAs基板14の面方位の範囲が、(100)方向から(0−1−1)方向に15°オフ±5°であることがより好ましい。
【0082】
GaAs基板14の転位密度は、化合物半導体層2の結晶性を良くするために低い方が望ましい。具体的には、例えば、10,000個cm−2以下、望ましくは、1,000個cm−2以下であることが好適である。
【0083】
GaAs基板14の導電型は、n型であってもp型であっても良い。GaAs基板14のキャリア濃度は、所望の電気伝導度と素子構造から、適宜選択することができる。例えば、GaAs基板14がシリコンドープのn型である場合には、キャリア濃度が1×1017〜5×1018cm−3の範囲であることが好ましい。これに対して、GaAs基板14が亜鉛をドープしたp型の場合には、キャリア濃度2×1018〜5×1019cm−3の範囲であることが好ましい。
【0084】
GaAs基板14の厚さは、基板のサイズに応じて適切な範囲がある。GaAs基板14の厚さが適切な範囲よりも薄いと、化合物半導体層2の製造プロセス中に割れてしまうおそれがある。
一方、GaAs基板14の厚さが適切な範囲よりも厚いと材料コストが増加することになる。このため、GaAs基板14の基板サイズが大きい場合、例えば、GaAs基板14の直径が75mmの場合には、ハンドリング時の割れを防止するために250〜500μmの厚さが望ましい。同様に、GaAs基板14の直径が50mmの場合は、200〜400μmの厚さが望ましく、GaAs基板14の直径が直径100mmの場合は、350〜600μmの厚さが望ましい。
【0085】
このように、GaAs基板14の基板サイズに応じて基板の厚さを厚くすることにより、歪発光層7に起因する化合物半導体層2の反りを低減することができる。
これにより、エピタキシャル成長中の温度分布が均一となることため、発光層10の面内の波長分布を小さくすることができる。なお、GaAs基板14の形状は、特に円形に限定されず、矩形等であっても問題ない。
【0086】
緩衝層15(buffer)は、半導体基板17と発光部7の構成層との格子ミスマッチの緩和するために設けられている。このため、基板の品質やエピタキシャル成長条件を選択すれば、緩衝層15は、必ずしも必要ではない。
また、緩衝層15の材質は、エピタキシャル成長させる基板と同じ材質とすることが好ましい。したがって、本実施形態では、緩衝層15には、GaAs基板14と同じくGaAsを用いることが好ましい。また、緩衝層15には、欠陥の伝搬を低減するためにGaAs基板14と異なる材質からなる多層膜を用いることもできる。緩衝層15の厚さは、0.1μm以上とすることが好ましく、0.2μm以上とすることがより好ましい。
【0087】
コンタクト層16は、電極との接触抵抗を低下させるために設けられている。コンタクト層16の材質は、歪発光層12よりバンドギャップの大きい材質であることが好ましく、AlXGa1−XAs、(AlXGa1−X)YIn1−YP(0≦X≦1,0<Y≦1)が好適である。
また、コンタクト層16のキャリア濃度の下限値は、電極との接触抵抗を低下させるために5×1017cm−3以上であることが好ましく、1×1018cm−3以上がより好ましい。
【0088】
キャリア濃度の上限値は、結晶性の低下が起こりやすくなる2×1019cm−3以下が望ましい。コンタクト層16の厚さは、0.5μm以上が好ましく、1μm以上が最適である。コンタクト層16の厚さの上限値は特に限定されてはいないが、エピタキシャル成長に係るコストを適正範囲にするため、5μm以下とすることが望ましい。
【0089】
本実施形態では、分子線エピタキシャル法(MBE)や減圧有機金属化学気相堆積法(MOCVD法)等の公知の成長方法を適用することができる。なかでも、量産性に優れるMOCVD法を適用することが望ましい。
具体的には、化合物半導体層2のエピタキシャル成長に使用するGaAs基板14は、成長前に洗浄工程や熱処理等の前処理を実施して、表面の汚染や自然酸化膜を除去することが望ましい。
【0090】
上記化合物半導体層2を構成する各層は、直径50〜150mmのGaAs基板14をMOCVD装置内に8枚以上セットし、同時にエピタキシャル成長させて積層することができる。また、MOCVD装置としては、自公転型、高速回転型等の市販の大型装置を適用することができる。
【0091】
上記化合物半導体層2の各層をエピタキシャル成長する際、III族構成元素の原料としては、例えば、トリメチルアルミニウム((CH3)3Al)、トリメチルガリウム((CH3)3Ga)及びトリメチルインジウム((CH3)3In)を用いることができる。また、Mgのドーピング原料としては、例えば、ビスシクロペンタジエニルマグネシウム(bis−(C5H5)2Mg)等を用いることができる。
【0092】
また、Siのドーピング原料としては、例えば、ジシラン(Si2H6)等を用いることができる。また、V族構成元素の原料としては、ホスフィン(PH3)、アルシン(AsH3)等を用いることができる。
また、各層の成長温度としては、歪調整層8としてp型GaPを用いる場合は、720〜770℃を適用することができ、その他の各層では600〜700℃を適用することができる。さらに、各層のキャリア濃度及び層厚、及び温度条件は、適宜選択することができる。
【0093】
このようにして製造した化合物半導体層2は、歪発光層7を有するにもかかわらず結晶
欠陥が少ない良好な表面状態が得られる。また、化合物半導体層2は、素子構造に対応して研磨などの表面加工を施しても良い。
【0094】
(機能性基板の接合工程)
次に、化合物半導体層2と機能性基板3とを接合する。化合物半導体層2と機能性基板3との接合は、先ず、化合物半導体層2を構成する歪調整層8の表面を研磨して、鏡面加工する。
次に、この歪調整層8の鏡面研磨した表面に貼付する機能性基板3を用意する。なお、この機能性基板3の表面は、歪調整層8に接合させる以前に鏡面に研磨する。
【0095】
次に、一般の半導体材料貼付装置に、化合物半導体層2と機能性基板3とを搬入し、真空中で鏡面研磨した双方の表面に電子を衝突させて中性(ニュートラル)化したArビームを照射する。その後、真空を維持した貼付装置内で双方の表面を重ね合わせて荷重をかけることで、室温で接合することができる(図7参照)。
【0096】
(第1及び第2の電極の形成工程)
次に、第1の電極であるn型オーミック電極4及び第2の電極であるp型オーミック電極5を形成する。n型オーミック電極4及びp型オーミック電極5の形成は、先ず、機能性基板3と接合した化合物半導体層2から、GaAs基板14及び緩衝層15をアンモニア系エッチャントによって選択的に除去する。
次に、露出したコンタクト層16の表面にn型オーミック電極4を形成する。具体的には、例えば、AuGe、Ni合金/Pt/Auを任意の厚さとなるように真空蒸着法により積層した後、一般的なフォトリソグラフィー技術及びエッチング技術を利用してパターニングを行って、n型オーミック電極4の形状を形成する。
【0097】
次に、コンタクト層16、上部クラッド層11、発光層10、及び下部クラッド層9を選択的に除去して歪調整層8を露出させ、この露出した歪調整層8の表面にp型オーミック電極5を形成する。
具体的には、例えば、AuBe/Auを任意の厚さとなるように真空蒸着法により積層した後、一般的なフォトリソグラフィー手段を利用してパターニングを行ってp型オーミック電極5の形状を形成する。
その後、例えば400〜500℃、5〜20分間の条件で熱処理を行って合金化することにより、低抵抗のn型オーミック電極4及びp型オーミック電極5を形成することができる。
【0098】
(第3の電極の形成工程)
次に、機能性基板3の化合物半導体層2との接合面と反対側に第3の電極6を形成する。第3の電極6として銀ペーストを用いる場合は、機能性基板の表面に銀ペーストを塗布する。
また、第3の電極として発光層を用いる場合、具体的には、例えば、機能性基板3の表面に、スパッタ法により、透明導電膜であるITO膜(厚さ0.1μm)、銀合金膜(厚さ0.1μm)を成膜して反射層を形成する。
【0099】
次に、この反射層の上にバリア層として、例えば、タングステン(厚さ0.1μm)を成膜する。次に、このバリア層の上に、Au膜(厚さ0.5um)、AuSn膜(共晶:融点283℃)を厚さ1μm、厚さ0.1μmのAu膜を順次成膜して接続層を形成する。
そして、通常のフォトリソグラフィー法により、任意の形状にパターニングして第3の電極6を形成した。なお、機能性基板3と第3の電極6とは、光吸収の少ないショットキー接触である。
【0100】
(機能性基板の加工工程)
次に、機能性基板3の形状を加工する。機能性基板3の加工は、先ず、第3の電極6を形成していない表面にV字状の溝入れを行う。この際、V字状の溝の第3の電極6側の内側面が発光面に平行な面とのなす角度αを有する傾斜面3bとなる。次に、化合物半導体層2側から所定の間隔でダイシングを行ってチップ化する。なお、チップ化の際のダイシングによって機能性基板3の垂直面3aが形成される。
【0101】
傾斜面3bの形成方法は、特に限定されるものではなく、ウェットエッチング、ドライエッチング、スクライブ法、レーザー加工等の従来からの方法を組み合わせて用いることができるが、形状の制御性及び生産性の高いダイシング法を適用することが最も好ましい。ダイシング法を適用することにより、製造歩留まりを向上することができる。
【0102】
また、垂直面3aの形成方法は、特に限定されるものではないが、スクライブ・ブレーク法又はダイシング法で形成するのが好ましい。
スクライブ・ブレーク法を採用することにより、製造コストを低下させることができる。すなわち、チップ分離の際に切りしろを設ける必要なく、数多くの発光ダイオードが製造できるため製造コストを下げることができる。一方、ダイシング法では、垂直面3aからの光取り出し効率が上がり、高輝度化達成することができる。
【0103】
最後に、ダイシングによる破砕層及び汚れを必要に応じて硫酸・過酸化水素混合液等で
エッチング除去する。このようにして発光ダイオード1を製造する。
【0104】
<発光ダイオードランプの製造方法>
次に、上記発光ダイオード1を用いた発光ダイオードランプ41の製造方法、すなわち、発光ダイオード1の実装方法について説明する。
図1及び図2に示すように、マウント基板42の表面に所定の数量の発光ダイオード1を実装する。発光ダイオード1の実装は、先ず、マウント基板42と発光ダイオード1との位置合せを行い、マウント基板42の表面の所定の位置に発光ダイオード1を配置する。
【0105】
次に、第3の電極6を構成する接続層15とマウント基板42の表面に設けられたn電極端子43とを共晶金属接合(共晶金属ダイボンド)する。
これにより、発光ダイオード1がマウント基板42の表面に固定される。次に、発光ダイオード1のn型オーミック電極4とマウント基板42のn電極端子43とを金線45を用いて接続(ワイヤボンディング接続)する。
次に、発光ダイオード1のp型オーミック電極5とマウント基板42のp電極端子44とを金線46を用いて接続する。
最後に、マウント基板42の発光ダイオード1が実装された表面を、一般的なエポキシ樹脂47によって封止する。このようにして、発光ダイオード1を用いた発光ダイオードランプ41を製造する。
【0106】
上記構成を有する発光ダイオードランプ41に対して、n電極端子43及びp電極端子44に電圧を付加した場合について説明する。
先ず、発光ダイオードランプ41に順方向の電圧が印加された場合について説明する。
順方向の電圧が印加された場合に順方向電流は、先ず、陽極に接続されたp型電極端子44から金線46を経てp型オーミック電極5へと流通する。次に、p型オーミック電極5から歪調整層8、下部クラッド層9、発光層10、上部クラッド層11、n型オーミック電極4へと順次流通する。
【0107】
次に、n型オーミック電極4から金線45を経て陰極に接続されたn型電極端子43に流通する。なお、発光ダイオード1には高抵抗層が設けられているため、順方向電流は、歪調整層8からn型GaP基板からなる機能性基板3へと流通しない。
このように、順方向電流が流れる際に、発光層10は発光する。また、発光層10から発光した光は、主たる光取り出し面から放出される。一方、発光層10から機能性基板3側へと放出された光は、機能性基板3の形状及び第3の電極6によって反射されるため、主たる光取り出し面から放出される。
したがって、発光ダイオードランプ41(発光ダイオード1)の高輝度化を達成することができる(図2及び図4参照。)。
【0108】
また、発光ダイオードランプ41の発光スペクトルは、発光層10を構成する歪発光層12の組成が調整されているため、ピーク発光波長が655〜675nmの範囲となる。
また、歪調整層8によって歪発光層12の発光層10内のばらつきが抑制されているため、発光スペクトルの半値幅が、10〜40nmの範囲となる。また、発光波長700nmにおける発光強度が、ピーク発光波長における発光強度の10%未満となる。
したがって、発光ダイオード1を用いて作製した発光ダイオードランプ41は、植物育成の光合成の促進に使用する照明として好適に用いることができる。
【0109】
以上説明したように、本実施形態の発光ダイオード1によれば、n(≧1)層の歪発光層12、及び(n−1)層のバリア層13よりなる発光層10を、1層の歪発光層12と、1層のバリア層13とが交互に積層された構成とし、nを1〜7とし、かつ発光層10の厚さを250nm以下にすることにより、歪発光層12及びバリア層13の積層数を少なくして、歪発光層12及びバリア層13により構成された発光層10の厚さを薄くすることが可能となるので、応答速度が35ns以下の発光ダイオード1(言い換えれば、応答速度の速い発光ダイオード)を実現できる。
このような、応答速度の速い発光ダイオード1は、植物育成用の発光ダイオード、高圧回路等において、電気信号伝達に用いられる高速カプラー用の発光ダイオードとして使用できる。
【0110】
また、組成式(AlXGa1−X)YIn1−YP(0≦X≦0.1、0.37≦Y≦0.46)からなる歪発光層12を備えることにより、655nm以上の発光波長を有する発光ダイオード1を構成することができる。
【0111】
また、本実施形態の発光ダイオード1には、発光部7上に歪調整層8が設けられている。この歪調整層8は、発光波長に対して透明であるため、発光部7からの発光を吸収することなく高出力・高効率の発光ダイオード1とすることができる。
さらに、この歪調整層8は、GaAs基板14の格子定数よりも小さい格子定数を有しているため、この半導体化合物層2の反りの発生を抑制することができる。これにより、歪発光層12の歪量の発光層10内でのばらつきが低減されるため、単色性に優れた発光ダイオード1とすることができる。
【0112】
したがって、本実施形態の発光ダイオード1によれば、655nm以上の発光波長を有し、単色性に優れると共に、高出力・高効率であって、かつ応答速度が速い(具体的には、35ns以下)発光ダイオード1を提供することができる。
また、本実施形態の発光ダイオード1によれば、従来のAlGaAs系の発光ダイオードと比較して、約4倍以上の発光効率を有する高出力発光ダイオード1を提供できる。
【0113】
また、本実施形態の発光ダイオードランプ41によれば、655nm以上の発光波長を有し、単色性に優れると共に、高出力・高効率であって応答速度が速い上記発光ダイオード1を備えている。このため、植物育成用の照明に適した発光ダイオードランプ41を提供することができる。
【0114】
<発光ダイオード(第2の実施形態)>
図8は、第2の実施形態に係る発光ダイオードの断面模式図である。
本実施形態の発光ダイオード51は、発光層10を含む発光部7と歪調整層8とを少なくとも含む化合物半導体層2と、機能性基板55とが、反射構造体54を介して接合された構成とされている。また、発光部7の反射構造体54と反対側の面7aにはコンタクト層52bを介して第1の電極56が備えられ、歪調整層8の反射構造体54側の面8bには第2の電極58が備えられている。
【0115】
化合物半導体層2の構成は、上述した第1の実施形態に係る発光ダイオードと同様な構成とすることができる。
【0116】
以下、第1の実施形態に係る発光ダイオードと異なる構成について特に詳細に説明する。
<第1の電極、第2の電極>
第1の電極56及び第2の電極58は、それぞれオーミック電極であり、それらの形状及び配置は、発光部7に電流を均一に拡散させるものであればよく、特に限定されない。例えば、平面視したときに円状または矩形状の電極を用いることができ、一個の電極として配置することも、複数の電極を格子状に配置することもできる。
【0117】
第1の電極56の材料としては、コンタクト層52bとしてn型の化合物半導体を用いた場合には、例えば、AuGe層、AuSi層等を用いることができ、コンタクト層52bとしてp型の化合物半導体を用いた場合には、例えば、AuBe層、AuZn層等を用いることができる。
また、更にその上にAu層等を積層することで、酸化を防止させると共に、ワイヤボンディングの接続信頼性を向上できる。
【0118】
第2の電極58の材料としては、歪調整層8としてn型の化合物半導体を用いた場合には、例えば、AuGe層、AuSi層等を用いることができ、歪調整層8としてp型の化合物半導体を用いた場合には、例えば、AuBe層、AuZn層等を用いることができる。
【0119】
<反射構造体>
図8を参照するに、反射構造体54は、第2の電極58を覆うように、発光部7の反射構造体54側の面7bに形成されている。反射構造体54は、透明導電膜64と、反射層65とが順次積層された構成とされている。
【0120】
透明導電膜64は、第2の電極58を覆うように、歪調整層8の面8b(第2の電極58が形成された歪調整層8の面)に形成されている。透明導電膜64としては、例えば、ITO膜、IZO膜等を用いることができる。
また、透明導電膜64の代わりに、或いは、透明導電膜64と共に、透明な材料の屈折率差を利用したいわゆるコールドミラー、例えば、酸化チタン膜、酸化ケイ素膜の多層膜や白色のアルミナ、AlNを用いて、反射層65に組み合わせてもよい。
【0121】
図8を参照するに、反射層65は、透明導電膜64に積層されている。反射層65は、銅、銀、金、アルミニウム等の金属及びそれらの合金等の材料により構成されている。これらの材料は光反射率が高く、反射構造体54からの光反射率を90%以上とすることができる。
このような反射層65を設けることにより、発光層10からの光を反射層65で正面方向fへ反射させて、正面方向fでの光取り出し効率を向上させることができる。これにより、発光ダイオード51をより高輝度化できる。
なお、ここでの正面方向fとは、化合物半導体層2の光取り出し面2a(本実施形態の場合、発光部7の面7a)との成す角度が90°となる方向で、かつ発光ダイオード51から離間する方向のことをいう。なお、反射構造体54は、透明導電膜64を設けることなく、反射層65だけで構成してもよい。
【0122】
具体的には、反射層65としては、例えば、透明導電膜64側からAg合金層/W層/Pt層/Au層/接続用金属層よりなる積層膜を用いることができる。透明導電膜64と接触する面とは反対側に位置する反射層65の面15bに形成された前記接続用金属としては、電気抵抗が低く、低温で溶融する金属を用いるとよい。このような接続用金属を用いることにより、発光部7に熱ストレスを与えることなく、機能性基板55を接続できる。
上記接続用金属としては、化学的に安定で、融点の低いAu系の共晶金属等を用いるとよい。前記Au系の共晶金属としては、例えば、AuSn、AuGe、AuSi等の合金の共晶組成(Au系の共晶金属)を挙げることができる。
また、接続用金属には、チタン、クロム、タングステン等の金属を添加することが好ましい。接続用金属としてチタン、クロム、タングステン等の金属を添加することにより、該金属がバリヤ金属として機能するため、機能性基板55に含まれる不純物等が反射層65側に拡散して、反応することを抑制できる。
【0123】
<機能性基板(金属基板)>
図8を参照するに、機能性基板55は、反射構造体54を介して、化合物半導体層2の面2b(具体的には、歪調整層8の面8b)に貼り付けられている。具体的には、発光部7と対向する反射構造体54の面とは反対側に位置する反射構造体54の面65bに、機能性基板55の接合面55aが接合されている。
【0124】
第2の実施形態では、機能性基板55として金属基板を用いる。つまり、第2の実施形態では、反射構造体54を介して、化合物半導体層2の面2b(具体的には、歪調整層8の面8b)に、金属基板が貼り付けられている。以下、機能性基板55として金属基板を用いた場合を例に挙げて説明する。
【0125】
機能性基板55は、複数の金属層からなるものを用いることができる。さらに、機能性基板55は、2種類の金属層を交互に積層して構成することが好ましい。また、上記2種類の金属層の合計の層数は、奇数とすることが好ましい。
【0126】
この場合、機能性基板55の反りや割れの観点から、第2の金属層62として化合物半導体層2より熱膨張係数が小さい材料を用いる場合、第1の金属層61を化合物半導体層2より熱膨張係数が大きい材料で構成することが好ましい。
これにより、機能性基板55全体としての熱膨張係数が化合物半導体層2の熱膨張係数に近くなるため、化合物半導体層2と機能性基板55とを接合する際の機能性基板55の反りや割れを抑制することが可能となるので、発光ダイオード51の歩留まりを向上できる。
【0127】
また、第2の金属層62として化合物半導体層2より熱膨張係数が大きい材料を用いる場合、第1の金属層61を化合物半導体層2より熱膨張係数が小さい材料で構成することが好ましい。
これにより、機能性基板55全体としての熱膨張係数が、化合物半導体層2の熱膨張係数に近くなるため、化合物半導体層2と機能性基板55とを接合する際の機能性基板55の反りや割れを抑制することが可能となるので、発光ダイオード51の歩留まりを向上できる。
【0128】
以上説明したように、機能性基板55を構成する第1及び第2の金属層61,62の位置は、入れ替えることが可能である。つまり、図1では、2つの第1の金属層61が1つの第2の金属層を挟み込むことで機能性基板55を構成しているが、2つの第2の金属層62により1つの第1の金属層61を挟みこむことで機能性基板55(金属基板)を構成してもよい。
【0129】
第1及び第2の金属層61,62よりなる機能性基板55は、例えば、銀(熱膨張係数=18.9ppm/K)、銅(熱膨張係数=16.5ppm/K)、金(熱膨張係数=14.2ppm/K)、アルミニウム(熱膨張係数=23.1ppm/K)、ニッケル(熱膨張係数=13.4ppm/K)、及びこれらの合金のうち、いずれかの材料よりなる金属層と、モリブデン(熱膨張係数=5.1ppm/K)、タングステン(熱膨張係数=4.3ppm/K)、クロム(熱膨張係数=4.9ppm/K)、及びこれらの合金のうち、いずれかの材料よりなる金属層との組み合わせで構成できる。
【0130】
機能性基板55(金属基板)の好適な例としては、Cu層/Mo層/Cu層の3層よりなる金属基板が挙げられる。先に説明したように、Mo層/Cu層/Mo層の3層よりなる金属基板でも、Cu層/Mo層/Cu層の3層よりなる金属基板と同様な効果を得ることが可能である。
一方、Cu層/Mo層/Cu層の3層よりなる金属基板は、機械的強度の高いMoを加工しやすいCuで挟んだ構造であるため、Mo層/Cu層/Mo層の3層よりなる金属基板よりも金属基板の切断等の加工を容易に行なうことができるという利点がある。
【0131】
機能性基板55全体としての熱膨張係数は、例えば、機能性基板55としてCu層(30μm)/Mo層(25μm)/Cu層(30μm)よりなる金属基板を用いた場合、6.1ppm/Kとなる。また、機能性基板55としてMo層(25μm)/Cu層(70μm)/Mo層(25μm)よりなる金属基板を用いた場合、例えば、機能性基板55全体としての熱膨張係数は5.7ppm/Kとなる。
【0132】
また、放熱の観点からは、機能性基板55を構成する金属層は熱伝導率が高い材料よりなることが好ましい。このような材料を用いることにより、機能性基板55の放熱性を高くすることが可能となり、発光ダイオード51を高輝度で発光させることができると共に、発光ダイオード51の寿命を長寿命とすることができる。
【0133】
上記熱伝導率が高い材料としては、例えば、銀(熱伝導率=420W/m・K)、銅(熱伝導率=398W/m・K)、金(熱伝導率=320W/m・K)、アルミニウム(熱伝導率=236W/m・K)、モリブデン(熱伝導率=138W/m・K)、タングステン(熱伝導率=174W/m・K)、及びこれらの合金等を用いることが好ましい。
【0134】
さらに、機能性基板55を構成する金属層の熱膨張係数が、化合物半導体層2の熱膨張係数と略等しい材料よりなることが好ましい。
特に、機能性基板55を構成する金属層の材料の熱膨張係数が、化合物半導体層2の熱膨張係数の±1.5ppm/K以内であることが好ましい。これにより、機能性基板55と化合物半導体層2との接合時に発生する発光部7へのストレス(熱に起因するストレス)を小さくすることが可能となり、機能性基板55と化合物半導体層2と接続させた際の熱による機能性基板55の割れが抑制されるので、発光ダイオード51の歩留まりを向上できる。
【0135】
機能性基板55としてCu層(30μm)/Mo層(25μm)/Cu層(30μm)よりなる金属基板を用いた場合、機能性基板55の熱伝導率は250W/m・Kとなる。
また、機能性基板55としてMo層(25μm)/Cu層(70μm)/Mo層(25μm)よりなる金属基板を用いた場合、機能性基板55の熱伝導率は220W/m・Kとなる。
【0136】
金属基板よりなる機能性基板55の厚さは、50μm以上150μm以下とすることが好ましい。
機能性基板55の厚さが150μmより厚い場合には、発光ダイオードの製造コストが上昇して好ましくない。また、機能性基板55の厚さが50μmより薄い場合には、ハンドリング時に割れ、欠け、反り等が容易に生じて、発光ダイオードの歩留まりを低下させる虞がある。
【0137】
1枚の機能性基板55を構成する第1の金属層61及び第2の金属層62の層数は、合わせて3〜9層とすることが好ましく、3〜5層とすることがより好ましい。
第1の金属層61と第2の金属層62の層数を合わせて2層とした場合には、厚さ方向での熱膨張が不均衡となり、機能性基板55の割れが発生するおそれが発生する。逆に、第1の金属層61と第2の金属層62の層数を合わせて9層より多くした場合には、第1の金属層61と第2の金属層62の層の厚さをそれぞれ薄くする必要が生じる。
【0138】
しかしながら、第1及び第2の金属層61,62の厚さを薄く作製することは非常に困難であるため、第1の金属層61或いは第2の金属層62の厚さを薄くして、単層の金属基板を形成した場合、各層の厚さが不均一となり、発光ダイオードの特性をばらつかせる虞がある。
さらに、層の厚さを薄くした前記単層の金属基板は、容易に基板の割れを発生させる。また、薄膜化された単層の金属基板を用いる場合、金属基板の製造が困難であることから、発光ダイオードの製造コストを増加させる虞がある。
【0139】
なお、機能性基板55の接合面55aに、電気的接触を安定化させる接合補助膜、または、ダイボンド用の共晶金属を形成してもよい。これにより、接合工程を簡便に行うことができる。前記接合補助膜としては、Au膜、AuSn膜等を用いることができる。
【0140】
なお、発光部7に機能性基板55を接合する方法は、上記に記載した方法に限られるものではなく、例えば、拡散接合、接着剤、常温接合方法等公知の技術を適用できる。
【0141】
第2の実施形態の発光ダイオード51によれば、n(≧1)層の歪発光層12、及び(n−1)層のバリア層13よりなる発光層10を有するpn接合型の発光部7を備え、発光層10は、1層の歪発光層と、1層のバリア層とが交互に積層された構成とされており、nを1〜7とし、かつ発光層10の厚さを250nm以下にし、歪発光層の組成式を、(AlXGa1−X)YIn1−YP(0≦X≦0.1、0.37≦Y≦0.46)とすることにより、発光部7から放射される光の発光効率及び応答速度を向上できる。
また、歪発光層12の組成を上記範囲に規定することにより、655nm以上の発光波長を有した発光ダイオード51を実現できる。
また、発光部7上に、発光部7の光を透過させる歪調整層8を設けることにより、歪調整層8により発光部7からの光が吸収されることがないため、高出力・高効率の発光ダイオード51を実現できる。
【0142】
さらに、この歪調整層8は、歪発光層12及びバリア層13の格子定数よりも小さい格子定数を有しているため、化合物半導体層2の反りの発生を抑制できる。これにより、歪発光層12の歪量のばらつきが低減されるため、単色性に優れた発光ダイオード51を実現できる。
また、化合物半導体層2の光取り出し面2aとは反対側に位置する化合物半導体層2の面2bに、反射構造体54を設けることにより、化合物半導体層2の光取り出し面2aから発光ダイオード51の外部に放射される光のうち、光取り出し面2aに対して直交する方向(具体的には、正面方向f)における光の強度を強くすることが可能となるので、高輝度及び高効率の発光ダイオード51を実現できる。
また、光取り出し面2aに対して直交する方向における光の強度を強くすることにより、光取り出し面2aに対して直交する方向において、反射構造体54を備えていない発光ダイオードの光の強度と同じ強さの光強度を得る場合、反射構造体54を備えていない発光ダイオードよりも消費電力を小さくすることができる。
【0143】
また、例えば、化合物半導体層2の面2bに、反射構造体54を介して接合される機能性基板55として金属基板を用いることにより、発光部7が発光した際の熱を、機能性基板55を介して、発光ダイオード51の外部に効率良く放出することができる。
さらに、熱伝導率が130W/m・K以上である第1及び第2の金属層61,62により機能性基板55を構成することで、機能性基板55の放熱性が高くなるため、発光ダイオード51を高輝度で発光させることができると共に、発光ダイオード51の寿命を長寿命とすることができる。
また、機能性基板55として光を透過する基板を用いて、Arビームにより接合させた場合、接合面が高抵抗となり、基板側へ電流を流すことが難しいが、機能性基板55として金属基板を用いて、該金属基板を共晶接合させることにより、1ワイヤー構造の作成が可能となる。
【0144】
つまり、第1の実施形態の発光ダイオードによれば、655nm以上の赤色光の発光波長を有し、単色性に優れると共に、高出力・高効率であって応答速度が速く、かつ光取り出し面に対して直交する方向における光強度が強く、さらに放熱特性に優れた発光ダイオード51を実現できる。
【0145】
<発光ダイオード(第2の実施形態)の製造方法>
次に、第2の実施形態である発光ダイオード1の製造方法について説明する。
第2の実施形態である発光ダイオード1の製造方法は、機能性基板55を形成する工程と、半導体基板53にコンタクト層52bを介して発光層10を含む発光部7を形成した後、発光部7の半導体基板53と反対側の面に第2の電極58を形成する工程と、発光部7の半導体基板と反対側の面に第2の電極58を介して反射構造体54を形成する工程と、発光部7に反射構造体54を介して機能性基板55を接合する工程と、半導体基板53、及びコンタクト層52bの一部を除去する工程と、発光部7の機能性基板55と反対側の面に第1の電極56を形成する工程と、を有する。
【0146】
図9〜図15は、本発明の第1の実施形態に係る発光ダイオードの製造工程を示す断面図である。図9〜図15において、図8に示す発光ダイオード51と同一構成部分には、同一符号を付す。
図9〜図15を参照して、第2の実施形態の発光ダイオード51の製造方法について説明する。まず、機能性基板55の製造工程について説明する。
【0147】
<機能性基板の製造工程>
図9に示すように、機能性基板55は、熱伝導率が130W/m・K以上である第1及び第2の金属層61,62をホットプレスすることで形成する。
【0148】
具体的には、まず、2枚の略平板状の第1の金属層61と、1枚の略平板状の第2の金属層62を用意する。例えば、第1の金属層61としては厚さ30μmのCu層を用い、第2の金属層62としては厚さ25μmのMo層を用いる。
次に、図9(a)に示すように、2枚の第1の金属層61の間に第2の金属層62を挿入してこれらを重ねて配置する。
【0149】
次に、所定の加圧装置内に、第1及び第2の金属層61,62が積み重ねられた積層板を配置して、高温下で、第1の金属層61と第2の金属層62に矢印の方向(図9(a)参照)に荷重をかけて圧着する。
これにより、図9(b)に示すように、第1の金属層61がCu層であり、第2の金属層62がMo層であり、Cu層(30μm)/Mo層(25μm)/Cu層(30μm)の3層よりなる機能性基板55を形成する。上記構成とされた機能性基板55の熱膨張係数は、6.1ppm/Kであり、熱伝導率は250W/m・Kであった。
【0150】
なお、この後、発光部7(ウェーハ)の接合面の大きさに合わせて切断した後、表面を鏡面加工してもよい。
また、機能性基板55の接合面55aに、電気的接触を安定化させるため接合補助膜を形成してもよい。該接合補助膜としては、金膜、白金膜、ニッケル膜等を用いることができる。例えば、まず、ニッケル膜を0.1μm成膜した後、ニッケル膜上に金膜を0.5μm成膜する。
さらにまた、上記接合補助膜の代わりに、ダイボンド用のAuSn膜等の共晶金属膜を形成してもよい。これにより、接合工程を簡便にすることができる。
【0151】
<発光部及び第2の電極形成工程>
まず、図10に示すように、半導体基板53の表面53a上に、複数のエピタキシャル層を成長させて化合物半導体層2を形成する。なお、この段階では、化合物半導体層2を構成するコンタクト層52bは、パターニングされていない。
半導体基板53は、化合物半導体層2を形成するための基板であり、例えば、表面53aが(100)面から15°傾けた面とされ、かつSiドープされたn型のGaAs単結晶基板である。このように、化合物半導体層2としてAlGaInP層またはAlGaAs層を用いる場合、化合物半導体層2を形成する基板としては、砒化ガリウム(GaAs)単結晶基板を用いるとよい。
【0152】
化合物半導体層2は、半導体基板53であるGaAs基板上に、GaAsよりなる緩衝層52a、Siをドープしたn型のAlGaInPよりなるコンタクト層52b、n型の上部クラッド層11、発光層10、p型の下部クラッド層9、及びMgドープしたp型GaPよりなる歪調整層8を順次積層して作製する。
【0153】
以上の、GaAs基板53上に化合物半導体層2を作製する工程は、第1の実施形態と同様に行うことができる。
【0154】
次に、歪調整層8の半導体基板53と反対側の面8bを、表面から1μmの深さに至るまで鏡面研磨して、表面の粗さを、例えば、0.18nm以内とする。
次に、図11に示すように、歪調整層8の面8b上に第2の電極58(オーミック電極)を形成する。第2の電極58は、例えば、0.4μmの厚さのAuBe層上に0.2μmの厚さのAu層が積層されてなる。第2の電極58は、例えば、平面視したときに20μmφの円形状であり、60μmの間隔で形成される。
【0155】
<反射構造体形成工程>
次に、図12に示すように、歪調整層8の半導体基板53と反対側の面8b及び第2の電極58を覆うようにITO膜よりなる透明導電膜64を形成する。次に、450℃の熱処理を施して、第2の電極58と透明導電膜64との間にオーミックコンタクトを形成する。
【0156】
次に、図13に示すように、透明導電膜64の化合物半導体層2と反対側の面64aに、蒸着法を用いて、反射層65を形成する。
具体的には、銀(Ag)合金よりなる膜(厚さが0.5μm)と、タングステン(W)膜(厚さが0.1μm)と、白金(Pt)膜(厚さが0.1μm)と、金(Au)膜(厚さが0.5μm)、AuGe共晶金属(融点386℃)よりなる膜(厚さが1μm)とを順次成膜することで反射層65を形成する。これにより、反射層65及び透明導電膜64よりなる反射構造体54が形成される。
【0157】
<機能性基板接合工程>
次に、図14に示すように、反射構造体54と化合物半導体層2とを形成した半導体基板53(図13に示す構造体)と、図9(b)に示す機能性基板55とを減圧装置(図示せず)内に搬入して、反射構造体54の接合面54aと機能性基板55の接合面55aとが対向するように重ね合わせて配置する。
次に、減圧装置内を3×10−5Paまで排気した後、半導体基板53と機能性基板55とを400℃に加熱した状態で、100g/cm2の加重を印加して反射構造体54の接合面4aと機能性基板55の接合面55aと接合して、接合構造体68を形成する。
【0158】
<半導体基板及び緩衝層除去工程>
次に、図15に示すように、接合構造体68から、半導体基板53及び緩衝層52aをアンモニア系エッチャントにより選択的に除去する。これにより、発光層10を有する発光部7が形成される。
【0159】
<第1の電極形成工程>
次に、真空蒸着法を用いて、コンタクト層52bの反射構造体54と反対側の面52bbに、第1の電極56(n型オーミック電極)の母材となる電極用導電膜を成膜する。該電極用導電膜としては、例えば、AuGe層/Ni層/Au層よりなる金属層構造を用いることができる。
この場合、例えば、AuGe層(Ge質量比12%)を0.15μmの厚さで成膜した後、Ni層を0.05μmの厚さで成膜し、さらにAu層を1μmの厚さで成膜する。
次に、一般的なフォトリソグラフィー手段を利用して、電極用導電膜を平面視円形状にパターニングして、第1の電極56を形成する。
その後、第1の電極56の形状に対応するように、コンタクト層52bをパターニングすることで、図8に示す発光ダイオード51が製造される。
【0160】
なお、電極用導電膜をパターニング後に、例えば、420°Cで3分間熱処理を行って、第1の電極56を構成する各金属を合金化することが好ましい。これにより、n型オーミック電極である第1の電極56を低抵抗化することができる。
【0161】
その後、発光ダイオード1を所望の大きさに区画する切断部分の発光部7をエッチングで除去した後、0.8mmピッチでレーザを用いて、前記切断部分の基板と接続層を所望の大きさの発光ダイオードチップ(LEDチップ)に切断する。発光ダイオードの大きさは、例えば、平面視したときに略矩形状の発光部7の対角線の長さを1.1mmとする。その後、発光部7の露出面を粘着シートで保護して、切断面を洗浄する。
【0162】
<発光ダイオード(第3の実施形態)>
図16は、本発明の第3の実施形態に係る発光ダイオードを説明するための図であり、図16(a)は、第3の実施形態の発光ダイオードの平面図であり、図16(b)は、図16(a)に示す発光ダイオードのA−A‘線方向の概略断面図である。
図16を参照するに、第3の実施形態の発光ダイオード71は、第2の実施形態の発光ダイオード51に設けられた機能性基板55(金属基板)の替わりに、機能性基板55(金属基板)とは異なる材料により構成された機能性基板75を設けると共に、さらに金属層72,73を設けた以外は、第2の実施形態の発光ダイオード51と同様に構成される。
つまり、第3の実施形態の発光ダイオード71と第2の実施形態の発光ダイオード51との大きな相違点は、機能性基板の材料が異なる点である。
【0163】
機能性基板75は、金属層72を介して、化合物半導体層2が設けられた反射構造体54(具体的には、反射層65)に接合されている。機能性基板75の材料としては、GaP、Si、Geのいずれかの材料を用いることができる。
このように、GaP、Si、Geのいずれかの材料よりなる機能性基板75を設けることにより、機能性基板75を備えていない発光ダイオードと比較して、発光部7が発光した際の熱を、発光ダイオード71の外部に効率良く放熱することができる。
また、腐食しにくい材料であるSiやGe等を機能性基板75の材料として用いることで、機能性基板75の耐湿性を向上させることができる。
【0164】
金属層72は、反射構造体54を構成する反射層65と機能性基板75の上面51aとの間に設けられている。金属層72は、反射層65と機能性基板75の上面75aとを接合するための層である。金属層72としては、例えば、In層と、Au層と、Ti層とを順次積層した積層膜を用いることができる。
金属層73は、機能性基板75の下面75bに設けられている。金属層73としては、例えば、Au層と、Ti層とを順次積層した積層膜を用いることができる。
【0165】
第3の実施形態の発光ダイオードによれば、金属層72を介して、化合物半導体層2が設けられた反射構造体54に接合され、かつGaP、Si、Geのいずれかの材料により構成された機能性基板75を設けることにより、機能性基板75を備えていない発光ダイオードと比較して、発光部7が発光した際の熱を、発光ダイオード71の外部に効率良く放熱することができる。
また、腐食しにくい材料であるSiやGe等を機能性基板75の材料として用いることで、機能性基板75の耐湿性を向上させることができる。
【0166】
また、化合物半導体層2の光取り出し面とは反対側に位置する化合物半導体層2の面2bに、反射構造体54を設けることにより、化合物半導体層2の光取り出し面から発光ダイオード71の外部に放射される光のうち、光取り出し面に対して直交する方向(具体的には、正面方向f)における光の強度を強くすることが可能となるので、高輝度及び高効率の発光ダイオード71を実現できる。
【0167】
また、第3の実施形態の発光ダイオード71は、n(≧1)層の歪発光層12、及び(n−1)層のバリア層13よりなる発光層10を有するpn接合型の発光部7を備え、発光層10は、1層の歪発光層と、1層のバリア層とが交互に積層された構成とされており、nを1〜7とし、かつ発光層10の厚さを250nm以下にし、歪発光層の組成式を、(AlXGa1−X)YIn1−YP(0≦X≦0.1、0.37≦Y≦0.46)とすることにより、発光部7から放射される光の発光効率及び応答速度を向上できる。
また、歪発光層12の組成を上記範囲に規定することにより、655nm以上の発光波長を有した発光ダイオード71を実現できる。
さらに、発光部7上に、発光部7の光を透過させる歪調整層8を備えることにより、歪調整層8により発光部7からの光が吸収されることがないため、高出力・高効率の発光ダイオード50を実現できる。
【0168】
また、上記歪調整層8は、歪発光層12及びバリア層13の格子定数よりも小さい格子定数を有しているため、化合物半導体層2の反りの発生を抑制できる。これにより、歪発光層12の歪量のばらつきが低減されるため、単色性に優れた発光ダイオード71を実現できる。
【実施例】
【0169】
以下、本発明の効果を、実施例を用いて具体的に説明する。なお、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【0170】
本実施例では、本発明に係る発光ダイオードを作製した例を具体的に説明する。また、本実施例で作製した発光ダイオードは、AlGaInP発光部を有する赤色発光ダイオードである。本実施例では、GaAs基板上に成長させた化合物半導体層とGaPからなる機能性基板とを接合させて発光ダイオードを作製した。そして、特性評価のために発光ダイオードチップを基板上に実装した発光ダイオードランプを作製した。
実施例1〜11はいわゆる透過型であって、反射構造体を有さない第1の実施形態の実施例である。
また、実施例12〜16はいわゆる反射型であって、反射構造体を有するものであって、実施例12及び16は機能性基板が金属基板である第2の実施形態の実施例であり、実施例13〜15は機能性基板がそれぞれ、GaP、Ge、Siからなる第3の実施形態の実施例である。
【0171】
(実施例1)
実施例1の発光ダイオードは、先ず、Siをドープしたn型のGaAs単結晶からなるGaAs基板(厚さ約0.5μm)上に、化合物半導体層を順次積層してエピタキシャルウェーハを作製した。GaAs基板は、(100)面から(0−1−1)方向に15°傾けた面を成長面とし、キャリア濃度を2×1018cm−3とした。
また、化合物半導体層として、GaAs基板上に、SiをドープしたGaAsからなるn型の緩衝層と、Siをドープした(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pからなるn型のコンタクト層と、Siをドープした(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pからなるn型の上部クラッド層と、アンドープのGa0.42In0.58P/(Al0.53Ga0.47)0.5In0.5Pの対からなる歪発光層/バリア層と、Mgをドープした(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pよりなるp型の下部クラッド層と、(Al0.5Ga0.5)0.5In0.5Pよりなる薄膜の中間層と、Mgドープしたp型GaPよりなる歪調整層と、を順次形成した。
【0172】
実施例1では、減圧有機金属化学気相堆積装置法(MOCVD装置)を用い、直径76mm、厚さ350μmのGaAs基板に化合物半導体層をエピタキシャル成長させて、エピタキシャルウェーハを形成した。
エピタキシャル成長層を成長させる際、III族構成元素の原料としては、トリメチルアルミニウム((CH3)3Al)、トリメチルガリウム((CH3)3Ga)及びトリメチルインジウム((CH3)3In)を使用した。また、Mgのドーピング原料としては、ビスシクロペンタジエニルマグネシウム(bis−(C5H5)2Mg)を使用した。また、Siのドーピング原料としては、ジシラン(Si2H6)を使用した。
また、V族構成元素の原料としては、ホスフィン(PH3)、アルシン(AsH3)を使用した。また、各層の成長温度としては、p型GaPからなる歪調整層は、750℃で成長させた。その他の各層では700℃で成長させた。
【0173】
GaAsよりなる緩衝層は、キャリア濃度を約2×1018cm−3、層厚を約0.5μmとした。コンタクト層は、キャリア濃度を約2×1018cm−3、層厚を約3.5μmとした。上部クラッド層は、キャリア濃度を約1×1018cm−3、層厚を約0.5μmとした。
歪発光層は、アンドープで層厚が約10nmのGa0.42In0.58Pとし、バリア層は0層とした。つまり、実施例1では、先に説明した発光層が、1層の歪発光層のみで構成されている。この場合の発光層の厚さは、10nmとなる。
下部クラッド層は、キャリア濃度を約8×1017cm−3、層厚を約0.5μmとした。中間層は、キャリア濃度を約8×1017cm−3、層厚を約0.05μmとした。GaPからなる歪調整層は、キャリア濃度を約3×1018cm−3、層厚を約9μmとした。
【0174】
次に、歪調整層を表面から約1μmの深さに至る領域まで研磨して鏡面加工した。この鏡面加工によって、歪調整層の表面の粗さを0.18nmとした。
一方、上記の歪調整層の鏡面研磨した表面に貼付するn型GaPからなる機能性基板を用意した。この貼付用の機能性基板には、キャリア濃度が約2×1017cm−3となる様にSiを添加し、面方位を(111)とした単結晶を用いた。
また、機能性基板の直径は76mmで、厚さは250μmであった。この機能性基板の表面は、歪調整層に接合させる以前に鏡面に研磨し、平方平均平方根値(rms)にして0.12nmに仕上げた。
【0175】
次に、一般の半導体材料貼付装置に、上記の機能性基板及びエピタキシャルウェーハを搬入し、3×10−5Paとなるまで装置内を真空に排気した。
【0176】
次に、機能性基板、及び歪調整層の双方の表面に、電子を衝突させて中性(ニュートラル)化したArビームを3分間照射した。その後、真空に維持した貼付装置内で、機能性基板及び歪調整層の表面を重ね合わせ、各々の表面での圧力が50g/cm2となる様に荷重を掛け、双方を室温で接合した。このようにして、接合ウェーハを形成した。
【0177】
次に、上記接合ウェーハから、GaAs基板およびGaAs緩衝層をアンモニア系エッチャントにより選択的に除去した。次に、真空蒸着法により、コンタクト層の表面に、厚さが0.5μmのAu−Ge−Ni合金膜と、厚さが0.2μmのPt膜と、厚さが1μmのAu膜とを順次成膜した。
その後、一般的なフォトリソグラフィー技術及びエッチング技術を利用して、上記Au−Ge−Ni合金膜、Pt膜、及びAu膜をパターニングすることで、第1の電極であるn型オーミック電極を形成した。
次に、GaAs基板を除去した面である光取り出し面の表面に粗面化処理を施した。
【0178】
次に、第2の電極としてp型オーミック電極を形成する領域のエピ層を選択的に除去し、歪調整層を露出させた。この露出した歪調整層の表面に、真空蒸着法により、厚さ0.2μmのAuBe膜と、厚さ1μmのAu膜とを順次成膜し、その後、AuBe膜及びAu膜をパターニングすることで、p形オーミック電極を形成した。その後、450℃で10分間熱処理を行って合金化し、低抵抗のp型およびn型オーミック電極を形成した。
【0179】
次に、機能性基板の裏面に、厚さ0.2μmのAu膜、厚さ0.2μmのPt膜、及び厚さ1.2μmのAuSn膜よりなる接続用の第3の電極を形成した。
【0180】
次に、ダイシングソーを用いて、機能性基板の裏面から、第3の電極が形成されていない領域の傾斜面の角度αが70°になると共に、垂直面の厚さが80μmとなるようにV字状の溝入れ加工を行った。
次に、化合物半導体層側からダイシングソーを用い350μm間隔で切断し、チップ化した。ダイシングによる破砕層および汚れを硫酸・過酸化水素混合液で除去して、実施例1の発光ダイオードを作製した。
【0181】
上記方法により作製した実施例1の発光ダイオードチップを、マウント基板上に実装した発光ダイオードランプを100個組み立てた。この発光ダイオードランプは、マウントは、共晶ダイボンダーで、加熱接続され支持(マウント)し、発光ダイオードのn型オーミック電極とマウント基板の表面に設けたn電極端子とを金線でワイヤボンディングし、p型オーミック電極とp電極端子とを金線でワイヤボンディングした後、一般的なエポキシ樹脂で封止して作製した。
【0182】
実施例1の発光ダイオードを実装した発光ダイオードランプの特性を評価した結果を表1に示す。表1に示すように、n型及びp型オーミック電極間に電流を流したところ、ピーク発光波長661.3nmとする赤色光が出射された。
順方向に20ミリアンペア(mA)の電流を通流した際の順方向電圧(Vf)は、化合物半導体層を構成する歪調整層と機能性基板との接合界面での抵抗の低さ及び各オーミック電極の良好なオーミック特性を反映し、約1.8ボルト(V)となった。
順方向電流を20mAとした際の発光出力は、3.6mWであった。組み立てたすべての発光ダイオードにおけるピーク発光波長のバラツキ(最大−最小)は、2.5nmであり、良好な結果が得られた。なお、ピーク発光波長のバラツキ(最大−最小)は、3nm以下であればよい。
また、発光の立ち上がりの応答速度(Tr)は、10.6nsであり、表面欠陥は見られなかった。
また、実施例1の発光ダイオードでは、順方向電流が高電流(例えば、150mA以上)の場合において、出力低下が見られた。
【0183】
上記結果から、実施例1の発光ダイオードは、応答速度は所望の値(35ns以下)を満たしているが、高電流(例えば、150mA以上)で使用する場合には出力低下が見られるため、150mAよりも小さい電流を流して使用する分野には適していることが確認できた。
【0184】
(実施例2)
実施例2の発光ダイオードは、実施例1の発光ダイオードに設けられた歪発光層を2層形成すると共に、厚さが30nmで、かつ組成が(Al0.53Ga0.47)0.5In0.5Pの1層のバリア層を形成した以外は、実施例1の発光ダイオードと同様に形成した。
つまり、実施例2では、発光層が、2層の歪発光層(合計の厚さ20nm)と、1層のバリア層(厚さ30nm)とを有した構成とされている。この場合、実施例2の発光層の厚さは、50nmとなる。
【0185】
実施例2の発光ダイオードを実装した発光ダイオードランプの特性を評価した結果を表1に示す。表1に示すように、n型及びp型オーミック電極間に電流を流したところ、ピーク発光波長を660.8nmとする赤色光が出射された。
また、順方向に20ミリアンペア(mA)の電流を通流した際の順方向電圧(Vf)は、約1.8ボルト(V)となった。また、順方向電流を20mAとした際の発光出力は、4.5mWであった。組み立てたすべての発光ダイオードのピーク発光波長のバラツキは、2.4nmとなった。発光の立ち上がりの応答速度(Tr)は、15.2nsであった。また、表面欠陥は見られなかった。
【0186】
上記結果から、実施例2の発光ダイオード及び発光ダイオードランプによれば、655nm以上の発光波長を有した光を発光する発光層を構成でき、かつ35ns以下の応答速度(この場合、15.2ns)を実現できることが確認できた。
【0187】
(実施例3)
実施例3の発光ダイオードは、実施例2の発光ダイオードに設けられた歪発光層を2層から3層に変更すると共に、実施例2の発光ダイオードに設けられたバリア層を2層形成した以外は、実施例2の発光ダイオードと同様に形成した。
つまり、実施例3では、発光層が、3層の歪発光層(合計の厚さ30nm)と、2層のバリア層(合計の厚さ60nm)とを有した構成とされている。この場合、実施例3の発光層の厚さは、90nmとなる。
【0188】
実施例3の発光ダイオードを実装した発光ダイオードランプの特性を評価した結果を表1に示す。表1に示すように、n型及びp型オーミック電極間に電流を流したところ、ピーク発光波長を660.7nmとする赤色光が出射された。
また、順方向に20ミリアンペア(mA)の電流を通流した際の順方向電圧(Vf)は、約1.8ボルト(V)となった。また、順方向電流を20mAとした際の発光出力は、4.1mWであった。組み立てたすべての発光ダイオードランプにおけるピーク発光波長のバラツキは、2.3nmとなった。発光の立ち上がりの応答速度(Tr)は、18.4nsであった。また、表面欠陥は見られなかった。
【0189】
上記結果から、実施例3の発光ダイオード及び発光ダイオードランプによれば、655nm以上の発光波長を有した光を発光する発光層を構成でき、かつ35ns以下の応答速度(この場合、18.4ns)を実現できることが確認できた。
【0190】
(実施例4)
実施例4の発光ダイオードは、実施例3の発光ダイオードに設けられた歪発光層を3層から5層に変更すると共に、実施例3の発光ダイオードに設けられたバリア層を2層から4層に変更した以外は、実施例3の発光ダイオードと同様に形成した。
つまり、実施例4では、発光層が、5層の歪発光層(合計の厚さ50nm)と、4層のバリア層(合計の厚さ120nm)とを有した構成とされている。この場合、実施例4の発光層の厚さは、170nmとなる。
【0191】
実施例4の発光ダイオードを実装した発光ダイオードランプの特性を評価した結果を表1に示す。表1に示すように、n型及びp型オーミック電極間に電流を流したところ、ピーク発光波長を660.2nmとする赤色光が出射された。
また、順方向に20ミリアンペア(mA)の電流を通流した際の順方向電圧(Vf)は、約1.9ボルト(V)となった。また、順方向電流を20mAとした際の発光出力は、3.9mWであった。組み立てたすべての発光ダイオードランプにおけるピーク発光波長のバラツキは、2.3nmとなった。発光の立ち上がりの応答速度(Tr)は、28nsであった。また、表面欠陥は見られなかった。
【0192】
上記結果から、実施例4の発光ダイオード及び発光ダイオードランプによれば、655nm以上の発光波長を有した光を発光する発光層を構成でき、かつ35ns以下の応答速度(この場合、28ns)を実現できることが確認できた。
【0193】
(実施例5)
実施例5の発光ダイオードは、実施例4の発光ダイオードに設けられた歪発光層を5層から7層に変更すると共に、実施例4の発光ダイオードに設けられたバリア層を4層から6層に変更した以外は、実施例4の発光ダイオードと同様に形成した。
つまり、実施例5では、発光層が、7層の歪発光層(合計の厚さ70nm)と、6層のバリア層(合計の厚さ180nm)とを有した構成とされている。この場合、実施例5の発光層の厚さは、250nmとなる。
【0194】
実施例5の発光ダイオードを実装した発光ダイオードランプの特性を評価した結果を表1に示す。表1に示すように、n型及びp型オーミック電極間に電流を流したところ、ピーク発光波長を660.1nmとする赤色光が出射された。
また、順方向に20ミリアンペア(mA)の電流を通流した際の順方向電圧(Vf)は、約1.9ボルト(V)となった。また、順方向電流を20mAとした際の発光出力は、3.8mWであった。組み立てたすべての発光ダイオードランプにおけるピーク発光波長のバラツキは、2.3nmとなった。発光の立ち上がりの応答速度(Tr)は、32.6nsであった。また、表面欠陥は見られなかった。
【0195】
上記結果から、実施例5の発光ダイオード及び発光ダイオードランプによれば、655nm以上の発光波長を有した光を発光する発光層を構成でき、かつ35ns以下の応答速度(この場合、32.6ns)を実現できることが確認できた。
【0196】
(実施例6)
実施例6の発光ダイオードは、実施例1の発光ダイオードに設けられた歪発光層の組成をGa0.44In0.56Pに変更すると共に、歪発光層の厚さを17nmに変更した以外は、実施例1の発光ダイオードと同様に形成した。つまり、実施例6の場合、発光層は、1層の歪発光層(厚さ17nm)で構成されている。実施例6の発光層の厚さは、17nmである。
【0197】
実施例6の発光ダイオードを実装した発光ダイオードランプの特性を評価した結果を表1に示す。表1に示すように、n型及びp型オーミック電極間に電流を流したところ、ピーク発光波長を661.1nmとする赤色光が出射された。
また、順方向に20ミリアンペア(mA)の電流を通流した際の順方向電圧(Vf)は、約1.8ボルト(V)となった。また、順方向電流を20mAとした際の発光出力は、3.9mWであった。組み立てたすべての発光ダイオードランプにおけるピーク発光波長のバラツキは、2.2nmとなった。発光の立ち上がりの応答速度(Tr)は、17nsであった。また、表面欠陥は見られなかった。
また、実施例6の発光ダイオードでは、順方向電流が高電流(例えば、150mA以上)の場合において、出力低下が見られた。
【0198】
上記結果から、実施例6の発光ダイオードは、応答速度は所望の値(35ns以下)を満たしているが、高電流(例えば、150mA以上)で使用する場合には出力低下が見られるため、150mAよりも小さい電流を流して使用する分野には適していることが確認できた。
【0199】
(実施例7)
実施例7の発光ダイオードは、実施例2の発光ダイオードに設けられた歪発光層の組成をGa0.44In0.56Pに変更すると共に、歪発光層の厚さを17nmに変更し、さらに、バリア層の厚さを19nmに変更した以外は、実施例2の発光ダイオードと同様に形成した。つまり、実施例7の場合、発光層は、2層の歪発光層(合計の厚さ34nm)と、1層のバリア層(厚さ19nm)とで構成されている。実施例7の発光層の厚さは、53nmである。
【0200】
実施例7の発光ダイオードを実装した発光ダイオードランプの特性を評価した結果を表1に示す。表1に示すように、n型及びp型オーミック電極間に電流を流したところ、ピーク発光波長を661.0nmとする赤色光が出射された。
また、順方向に20ミリアンペア(mA)の電流を通流した際の順方向電圧(Vf)は、約1.8ボルト(V)となった。また、順方向電流を20mAとした際の発光出力は、4.3mWであった。組み立てたすべての発光ダイオードランプにおけるピーク発光波長のバラツキは、2.1nmとなった。発光の立ち上がりの応答速度(Tr)は、21.2nsであった。また、表面欠陥は見られなかった。
【0201】
上記結果から、実施例7の発光ダイオード及び発光ダイオードランプによれば、655nm以上の発光波長を有した光を発光する発光層を構成でき、かつ35ns以下の応答速度(この場合、21.2ns)を実現できることが確認できた。
【0202】
(実施例8)
実施例8の発光ダイオードは、実施例3の発光ダイオードに設けられた歪発光層の組成をGa0.44In0.56Pに変更すると共に、歪発光層の厚さを17nmに変更し、さらに、バリア層の厚さを19nmに変更した以外は、実施例3の発光ダイオードと同様に形成した。つまり、実施例7の場合、発光層は、3層の歪発光層(合計の厚さ51nm)と、2層のバリア層(合計の厚さ38nm)とで構成されている。実施例8の発光層の厚さは、89nmである。
【0203】
実施例8の発光ダイオードを実装した発光ダイオードランプの特性を評価した結果を表1に示す。表1に示すように、n型及びp型オーミック電極間に電流を流したところ、ピーク発光波長を660.5nmとする赤色光が出射された。
また、順方向に20ミリアンペア(mA)の電流を通流した際の順方向電圧(Vf)は、約1.8ボルト(V)となった。また、順方向電流を20mAとした際の発光出力は、4.2mWであった。組み立てたすべての発光ダイオードランプにおけるピーク発光波長のバラツキは、2.1nmとなった。発光の立ち上がりの応答速度(Tr)は、26.2nsであった。また、表面欠陥は見られなかった。
【0204】
上記結果から、実施例8の発光ダイオード及び発光ダイオードランプによれば、655nm以上の発光波長を有した光を発光する発光層を構成でき、かつ35ns以下の応答速度(この場合、26.2ns)を実現できることが確認できた。
【0205】
(実施例9)
実施例9の発光ダイオードは、実施例8の発光ダイオードに設けられた歪発光層の積層数及びバリア層の積層数を変更した以外は、実施例8の発光ダイオードと同様に構成した。
実施例9では、発光ダイオードの発光層が、6層の歪発光層(合計の厚さ102nm)と、5層のバリア層(合計の厚さ95nm)とを有するように形成した。実施例9の発光層の厚さは、197nmとした。
【0206】
実施例9の発光ダイオードを実装した発光ダイオードランプの特性を評価した結果を表1に示す。表1に示すように、n型及びp型オーミック電極間に電流を流したところ、ピーク発光波長を660.3nmとする赤色光が出射された。
また、順方向に20ミリアンペア(mA)の電流を通流した際の順方向電圧(Vf)は、約1.9ボルト(V)となった。また、順方向電流を20mAとした際の発光出力は、4mWであった。組み立てたすべての発光ダイオードランプにおけるピーク発光波長のバラツキは、2.1nmとなった。発光の立ち上がりの応答速度(Tr)は、34.3nsであった。また、表面欠陥は見られなかった。
【0207】
上記結果から、実施例9の発光ダイオード及び発光ダイオードランプによれば、655nm以上の発光波長を有した光を発光する発光層を構成でき、かつ35ns以下の応答速度(この場合、34.3ns)を実現できることが確認できた。
【0208】
(実施例10)
実施例10の発光ダイオードは、実施例5の発光ダイオードに設けられた歪発光層の組成をGa0.37In0.63Pに変更すると共に、歪発光層の厚さを8nmに変更した以外は、実施例5の発光ダイオードと同様に形成した。
【0209】
実施例10の発光ダイオードを実装した発光ダイオードランプの特性を評価した結果を表1に示す。表1に示すように、n型及びp型オーミック電極間に電流を流したところ、ピーク発光波長を672.0nmとする赤色光が出射された。
また、順方向に20ミリアンペア(mA)の電流を通流した際の順方向電圧(Vf)は、約1.8ボルト(V)となった。また、順方向電流を20mAとした際の発光出力は、3.8mWであった。組み立てたすべての発光ダイオードランプにおけるピーク発光波長のバラツキは、2.6nmとなった。発光の立ち上がりの応答速度(Tr)は、31.3nsであった。また、表面欠陥は見られなかった。
【0210】
上記結果から、実施例10の発光ダイオード及び発光ダイオードランプによれば、655nm以上の発光波長を有した光を発光する発光層を構成でき、かつ35ns以下の応答速度(この場合、31.3ns)を実現できることが確認できた。
【0211】
(実施例11)
実施例11の発光ダイオードは、実施例3の発光ダイオードに設けられた歪発光層の組成をGa0.46In0.54Pに変更し、歪発光層の厚さを30nmに変更し、バリア層の厚さを45nmに変更した以外は、実施例3の発光ダイオードと同様に形成した。
【0212】
実施例11の発光ダイオードを実装した発光ダイオードランプの特性を評価した結果を表1に示す。表1に示すように、n型及びp型オーミック電極間に電流を流したところ、ピーク発光波長を660.9nmとする赤色光が出射された。
また、順方向に20ミリアンペア(mA)の電流を通流した際の順方向電圧(Vf)は、約1.9ボルト(V)となった。また、順方向電流を20mAとした際の発光出力は、3.3mWであった。組み立てたすべての発光ダイオードランプにおけるピーク発光波長のバラツキは、1.8nmとなった。発光の立ち上がりの応答速度(Tr)は、29nsであった。また、表面欠陥は見られなかった。
【0213】
上記結果から、実施例11の発光ダイオード及び発光ダイオードランプによれば、655nm以上の発光波長を有した光を発光する発光層を構成でき、かつ35ns以下の応答速度(この場合、29ns)を実現できることが確認できた。
【0214】
また、上記実施例1〜11の結果から、n(≧1)層の歪発光層と、(n−1)層のバリア層とが交互に積層された発光層を有するpn接合型の発光部を備え発光ダイオードであって、歪発光層の積層数を1〜7にすると共に、発光層の厚さを250nm以下にすることにより、応答速度が35ns以下の発光ダイオード(言い換えれば、応答速度の速い発光ダイオード)を実現できることが確認できた。
【0215】
(実施例12)
実施例12の発光ダイオード(第2の実施形態)は、実施例1と同様の方法で、Siをドープしたn型のGaAs単結晶からなるGaAs基板(厚さ約0.5μm)上に、化合物半導体層を順次積層してエピタキシャルウェーハを作製した。
但し、実施例1の発光ダイオードに設けられた発光層の替わりに、アンドープのGa0.42In0.58Pよりなる2層の歪発光層と、組成が(Al0.53Ga0.47)0.5In0.5Pの1層のバリア層(単層の厚さが30nm)とを交互に積層して発光層を形成した。
【0216】
次に、歪調整層を表面から約1μmの深さに至る領域まで研磨して鏡面加工した。この鏡面加工によって、歪調整層の表面の粗さを0.18nmとした。
次いで、歪調整層上に、AuBe層(厚さ100nm)と、Au層(厚さ150nm)とを順次成膜することで、AuBe/Au積層膜を形成し、その後、一般的なフォトリソグラフィー技術及びエッチング技術を利用して、AuBe/Au積層膜をパターニングすることで、第2の電極を形成した。
次いで、歪調整層上に、第2の電極を覆う透明導電膜としてITO膜(厚さ300nm)と、反射層としてAg合金(厚さ500nm)/W(厚さ100nm)/Pt(厚さ200nm)/Au(厚さ500nm)/AuGe(厚さ1000nm)積層膜とを順次成膜することで、反射構造体を形成する。
次に、第2の実施形態で説明した方法を用いて、Cu(30μm)/Mo(25μm)/Cu(30μm)の3層構造(厚さ85μm)からなる機能性基板(金属基板(熱伝導率250W/mK))を製造した。
実施例12の機能性基板の熱膨張係数は、6.1ppm/Kであり、熱伝導率は250W/m・Kであった。また、機能性基板の直径は76mmで、厚さは85μmであった。
【0217】
次に、減圧装置内を3×10−5Paまで排気した後、GaAs基板と機能性基板とを400℃に加熱した状態で、100g/cm2の加重を印加して反射構造体と機能性基板と接合して、接合構造体を形成した。
【0218】
次に、上記接合構造体から、GaAs基板及びGaAs緩衝層をアンモニア系エッチャントにより選択的に除去した。次に、真空蒸着法により、コンタクト層の表面に、厚さが0.5μmのAu−Ge−Ni合金膜と、厚さが0.2μmのPt膜と、厚さが1μmのAu膜とを順次成膜した。
その後、一般的なフォトリソグラフィー技術及びエッチング技術を利用して、上記Au−Ge−Ni合金膜、Pt膜、及びAu膜をパターニングすることで、第1の電極であるn型オーミック電極を形成した。その後、第1の電極の形状に対応するように、周知の手法により、コンタクト層をパターニングした。
次に、GaAs基板を除去した面である光取り出し面の表面に粗面化処理を施した。
【0219】
次に、第2の電極としてp型オーミック電極を形成する領域のエピ層を選択的に除去し、歪調整層を露出させた。この露出した歪調整層の表面に、真空蒸着法により、厚さ0.2μmのAuBe膜と、厚さ1μmのAu膜とを順次成膜し、その後、AuBe膜及びAu膜をパターニングすることで、第2の電極(p形オーミック電極)を形成した。その後、450℃で10分間熱処理を行って合金化し、低抵抗の第1及び第2の電極(n型及びp型オーミック電極)を形成した。
【0220】
次に、ダイシングソーを用いて、第1及び第2の電極が形成された接合構造体を切断して、チップ化した。これにより、実施例1の発光ダイオードを作製した。
【0221】
上記方法により作製した実施例1の発光ダイオードチップを、マウント基板上に実装した発光ダイオードランプを100個組み立てた。この発光ダイオードランプは、マウントは、共晶ダイボンダーで、加熱接続され支持(マウント)し、発光ダイオードのn型オーミック電極とマウント基板の表面に設けたn電極端子とを金線でワイヤボンディングし、p型オーミック電極とp電極端子とを金線でワイヤボンディングした後、一般的なエポキシ樹脂で封止して作製した。
【0222】
実施例12の発光ダイオードの構成要素の一部を表1に示し、実施例1の発光ダイオードを実装した発光ダイオードランプの特性を評価した結果を表2に示す。
表2に示すように、n型及びp型オーミック電極間に電流を流したところ、ピーク発光波長661.2nm(655nm以上の値)とする赤色光が出射された。
また、順方向に20ミリアンペア(mA)の電流を通流した際の順方向電圧(Vf)は、化合物半導体層を構成する歪調整層と機能性基板との接合界面での抵抗の低さ及び各オーミック電極の良好なオーミック特性を反映し、1.8ボルト(V)となった。
順方向電流を20mAとした際の発光出力は、4.4mW(3mW以上)であり、良好な結果が得られた。
【0223】
組み立てたすべての発光ダイオードにおけるピーク発光波長のバラツキ(最大−最小)は、2.2nmであり、良好な結果が得られた。なお、ピーク発光波長のバラツキ(最大−最小)は、3nm以下であればよい。
また、発光の立ち上がりの応答速度(Tr)は、18.2nsであり、100ns以下の良好な結果が得られた。また、表面欠陥の検査では、表面欠陥は見られなかった。
【0224】
また、実施例12の発光ダイオードが発光した際、機能性基板の放熱効果により、温度上昇に起因する発光効率の低下は見られなかった。
【0225】
上記結果から、実施例1の発光ダイオード及び発光ダイオードランプによれば、655nm以上の発光波長を有した光を発光する発光層を形成でき、かつ100ns以下の応答速度(この場合、18.2ns)を実現できることが確認できた。
さらに、機能性基板の放熱効果により、放熱特性に優れた発光ダイオードを実現できることが確認できた。
【0226】
(実施例13)
実施例13の発光ダイオード(第3の実施形態)は、Cu(30μm)/Mo(25μm)/Cu(30μm)の3層構造(厚さ85μm)からなる機能性基板の替わりに、機能性基板として厚さが150μmのGaP層(熱伝導率110W/mK)を用いた以外は、実施例12の発光ダイオードと同様に製造した。
【0227】
実施例13の発光ダイオードの構成要素の一部を表1に示し、実施例2の発光ダイオードを実装した発光ダイオードランプの特性を評価した結果を表2に示す。
表2に示すように、n型及びp型オーミック電極間に電流を流したところ、ピーク発光波長660.6nm(655nm以上の値)とする赤色光が出射された。
また、順方向に20ミリアンペア(mA)の電流を通流した際の順方向電圧(Vf)は、化合物半導体層を構成する歪調整層と機能性基板との接合界面での抵抗の低さ及び各オーミック電極の良好なオーミック特性を反映し、1.8ボルト(V)となった。
また、順方向電流を20mAとした際の発光出力は、4.2mW(3mW以上)であり、良好な結果が得られた。)。
【0228】
組み立てたすべての発光ダイオードにおけるピーク発光波長のバラツキ(最大−最小)は、2.3nmであり、良好な結果が得られた。また、発光の立ち上がりの応答速度(Tr)は、23.3nsであり、100ns以下の良好な結果が得られた。また、表面欠陥の検査では、表面欠陥は見られなかった。
【0229】
また、実施例13の発光ダイオードが発光した際、機能性基板の放熱効果により、温度上昇に起因する発光効率の低下は見られなかった。
【0230】
上記結果から、実施例2の発光ダイオード及び発光ダイオードランプによれば、655nm以上の発光波長を有した光を発光する発光層を構成でき、かつ100ns以下の応答速度(この場合、23.3ns)を実現できることが確認できた。
さらに、機能性基板の放熱効果により、放熱特性に優れた発光ダイオードを実現できることが確認できた。
【0231】
(実施例14)
実施例14の発光ダイオード(第3の実施形態)は、機能性基板として厚さが150μmのGaP層(熱伝導率110W/mK)の替わりに、機能性基板として厚さが100μmのGe層(熱伝導率60W/mK)を用いた以外は、実施例13の発光ダイオードと同様に製造した。
【0232】
実施例14の発光ダイオードの構成要素の一部を表1に示し、実施例3の発光ダイオードを実装した発光ダイオードランプの特性を評価した結果を表2に示す。
表2に示すように、n型及びp型オーミック電極間に電流を流したところ、ピーク発光波長660.5nm(655nm以上の値)とする赤色光が出射された。
また、順方向に20ミリアンペア(mA)の電流を通流した際の順方向電圧(Vf)は、化合物半導体層を構成する歪調整層と機能性基板との接合界面での抵抗の低さ及び各オーミック電極の良好なオーミック特性を反映し、1.8ボルト(V)となった。
また、順方向電流を20mAとした際の発光出力は、4.3mW(3mW以上)であり、良好な結果が得られた。
【0233】
組み立てたすべての発光ダイオードにおけるピーク発光波長のバラツキ(最大−最小)は、2.4nmであり、良好な結果が得られた。また、発光の立ち上がりの応答速度(Tr)は、20.5nsであり、100ns以下の良好な結果が得られた。また、表面欠陥の検査では、表面欠陥は見られなかった。
【0234】
また、実施例14の発光ダイオードが発光した際、機能性基板の放熱効果により、温度上昇に起因する発光効率の低下は見られなかった。
【0235】
上記結果から、実施例14の発光ダイオード及び発光ダイオードランプによれば、655nm以上の発光波長を有した光を発光する発光層を構成でき、かつ100ns以下の応答速度(この場合、20.5ns)を実現できることが確認できた。
さらに、機能性基板の放熱効果により、放熱特性に優れた発光ダイオードを実現できることが確認できた。
【0236】
(実施例15)
実施例15の発光ダイオード(第3の実施形態)は、機能性基板として厚さが150μmのGaP層(熱伝導率110W/mK)の替わりに、機能性基板として厚さが100μmのSi層(熱伝導率126W/mK)を用いた以外は、実施例13の発光ダイオードと同様に製造した。
【0237】
実施例15の発光ダイオードの構成要素の一部を表1に示し、実施例15の発光ダイオードを実装した発光ダイオードランプの特性を評価した結果を表2に示す。
表2に示すように、n型及びp型オーミック電極間に電流を流したところ、ピーク発光波長660.7nm(655nm以上の値)とする赤色光が出射された。
また、順方向に20ミリアンペア(mA)の電流を通流した際の順方向電圧(Vf)は、化合物半導体層を構成する歪調整層と機能性基板との接合界面での抵抗の低さ及び各オーミック電極の良好なオーミック特性を反映し、1.8ボルト(V)となった。
順方向電流を20mAとした際の発光出力は、4.3mW(3mW以上)であり、良好な結果が得られた。
【0238】
組み立てたすべての発光ダイオードにおけるピーク発光波長のバラツキ(最大−最小)は、2.3nmであり、良好な結果が得られた。また、発光の立ち上がりの応答速度(Tr)は、22.8nsであり、100ns以下の良好な結果が得られた。また、表面欠陥の検査では、表面欠陥は見られなかった。
【0239】
また、実施例15の発光ダイオードが発光した際、機能性基板の放熱効果により、温度上昇に起因する発光効率の低下は見られなかった。
【0240】
上記結果から、実施例15の発光ダイオード及び発光ダイオードランプによれば、655nm以上の発光波長を有した光を発光する発光層を構成でき、かつ100ns以下の応答速度(この場合、22.8ns)を実現できることが確認できた。
さらに、機能性基板の放熱効果により、放熱特性に優れた発光ダイオードを実現できることが確認できた。
【0241】
(実施例16)
実施例16の発光ダイオード(第2の実施形態)は、実施例12の発光ダイオードに設けられた発光層の替わりに、アンドープのGa0.38In0.62Pよりなる2層の歪発光層と、組成が(Al0.53Ga0.47)0.5In0.5Pの1層のバリア層(単層の厚さが30nm)とを交互に積層して発光層を用いた以外は、実施例12の発光ダイオードと同様に製造した。
【0242】
実施例16の発光ダイオードの構成要素の一部を表1に示し、実施例16の発光ダイオードを実装した発光ダイオードランプの特性を評価した結果を表2に示す。
表2に示すように、n型及びp型オーミック電極間に電流を流したところ、ピーク発光波長675.2nm(655nm以上の値)とする赤色光が出射された。
また、順方向に20ミリアンペア(mA)の電流を通流した際の順方向電圧(Vf)は、化合物半導体層を構成する歪調整層と機能性基板との接合界面での抵抗の低さ及び各オーミック電極の良好なオーミック特性を反映し、1.8ボルト(V)となった。
順方向電流を20mAとした際の発光出力は、3.6mW(3mW以上)であり、良好な結果が得られた。)。
【0243】
組み立てたすべての発光ダイオードにおけるピーク発光波長のバラツキ(最大−最小)は、2.5nmであり、良好な結果が得られた。また、発光の立ち上がりの応答速度(Tr)は、24.3nsであり、100ns以下の良好な結果が得られた。また、表面欠陥の検査では、表面欠陥は見られなかった。
【0244】
また、実施例16の発光ダイオードが発光した際、機能性基板の放熱効果により、温度上昇に起因する発光効率の低下は見られなかった。
【0245】
上記結果から、実施例16の発光ダイオード及び発光ダイオードランプによれば、655nm以上の発光波長を有した光を発光する発光層を構成でき、かつ100ns以下の応答速度(この場合、24.3ns)を実現できることが確認できた。
さらに、機能性基板の放熱効果により、放熱特性に優れた発光ダイオードを実現できることが確認できた。
【0246】
(比較例1)
比較例1の発光ダイオードは、実施例2の発光ダイオードに設けられた歪発光層の積層数及びバリア層の積層数を変更した以外は、実施例2の発光ダイオードと同様に構成した。
比較例1は、発光ダイオードの発光層が、11層の歪発光層(合計の厚さ110nm)と、10層のバリア層(合計の厚さ300nm)とを有するように形成した。比較例1の発光層の厚さは、410nmとした。
【0247】
比較例1の発光ダイオードを実装した発光ダイオードランプの特性を評価した結果を表1に示す。表1に示すように、n型及びp型オーミック電極間に電流を流したところ、ピーク発光波長を660.5mとする赤色光が出射された。
また、順方向に20ミリアンペア(mA)の電流を通流した際の順方向電圧(Vf)は、約2ボルト(V)となった。また、順方向電流を20mAとした際の発光出力は、3.7mWであった。組み立てたすべての発光ダイオードランプにおけるピーク発光波長のバラツキは、2.4nmとなった。発光の立ち上がりの応答速度(Tr)は、43nsであった。また、表面欠陥は見られなかった。
【0248】
上記結果から、発光層の厚さが410nmとされた比較例1の発光ダイオード及び発光ダイオードランプでは、35ns以下の応答速度(この場合、43ns)を実現できないことが確認できた。
【0249】
(比較例2)
比較例2の発光ダイオードは、実施例7の発光ダイオードに設けられた歪発光層の積層数及びバリア層の積層数を変更した以外は、実施例7の発光ダイオードと同様に構成した。
比較例2は、発光ダイオードの発光層が、12層の歪発光層(合計の厚さ204nm)と、11層のバリア層(合計の厚さ209nm)とを有するように形成した。比較例2の発光層の厚さは、413nmとした。
【0250】
比較例2の発光ダイオードを実装した発光ダイオードランプの特性を評価した結果を表1に示す。表1に示すように、n型及びp型オーミック電極間に電流を流したところ、ピーク発光波長を659.5mとする赤色光が出射された。
また、順方向に20ミリアンペア(mA)の電流を通流した際の順方向電圧(Vf)は、約1.9ボルト(V)となった。また、順方向電流を20mAとした際の発光出力は、3.9mWであった。組み立てたすべての発光ダイオードランプにおけるピーク発光波長のバラツキは、2.2nmとなった。発光の立ち上がりの応答速度(Tr)は、50nsであった。また、表面欠陥は見られなかった。
【0251】
上記結果から、発光層の厚さが413nmとされた比較例2の発光ダイオード及び発光ダイオードランプでは、35ns以下の応答速度(この場合、50ns)を実現できないことが確認できた。
【0252】
(比較例3)
比較例3の発光ダイオードは、実施例2の発光ダイオードに設けられた歪発光層の組成、厚さ、及び積層数と、バリア層の積層数とを変更した以外は、実施例2の発光ダイオードと同様に構成した。
歪発光層の組成は、Ga0.38In0.62Pとした。歪発光層の厚さは、5nmとした。また、歪発光層の積層数は、21とし、バリア層の積層数は、20とした。
つまり、比較例3では、発光ダイオードの発光層が、21層の歪発光層(合計の厚さ105nm)と、20層のバリア層(合計の厚さ600nm)とを有するように形成した。比較例3の発光層の厚さは、705nmとした。
【0253】
比較例3の発光ダイオードを実装した発光ダイオードランプの特性を評価した結果を表1に示す。表1に示すように、n型及びp型オーミック電極間に電流を流したところ、ピーク発光波長を651.5mとする赤色光が出射された。
また、順方向に20ミリアンペア(mA)の電流を通流した際の順方向電圧(Vf)は、約2ボルト(V)となった。また、順方向電流を20mAとした際の発光出力は、3.1mWであった。組み立てたすべての発光ダイオードランプにおけるピーク発光波長のバラツキは、5.1nmとなった。発光の立ち上がりの応答速度(Tr)は、42nsであった。また、表面欠陥は見られなかった。
【0254】
上記結果から、発光層を構成する歪発光層の積層数が1〜7の範囲内(この場合、5)でも、発光層の厚さが250nmを超える場合(この場合、705nm)には、発光の立ち上がりの応答速度(Tr)が35nsよりも遅くなることが確認できた。
【0255】
(比較例4)
比較例4の発光ダイオードは、実施例2に設けられた歪発光層の積層数、及びバリア層の積層数を変更した以外は、実施例2の発光ダイオードと同様に構成した。歪発光層の積層数は、21とし、バリア層の積層数は、20とした。
つまり、比較例4では、発光ダイオードの発光層が、21層の歪発光層(合計の厚さ210nm)と、20層のバリア層(合計の厚さ600nm)とを有するように形成した。比較例3の発光層の厚さは、810nmとした。
【0256】
比較例4の発光ダイオードを実装した発光ダイオードランプの特性を評価した結果を表1に示す。表1に示すように、n型及びp型オーミック電極間に電流を流したところ、ピーク発光波長を660nmとする赤色光が出射された。
また、順方向に20ミリアンペア(mA)の電流を通流した際の順方向電圧(Vf)は、約2ボルト(V)となった。
また、順方向電流を20mAとした際の発光出力は、2.5mWであった。組み立てたすべての発光ダイオードランプにおけるピーク発光波長のバラツキは、7.1nmとなった。発光の立ち上がりの応答速度(Tr)は、65nsであった。また、表面欠陥は見られなかった。
【0257】
上記結果から、発光層の厚さが810nmとされた比較例4の発光ダイオード及び発光ダイオードランプでは、35ns以下の応答速度(この場合、65ns)を実現できないことが確認できた。
【0258】
【表1】
【表2】
【産業上の利用可能性】
【0259】
本発明の発光ダイオードは、植物育成用の発光ダイオード、高圧回路等において、電気信号伝達に用いられる高速カプラー用の発光ダイオード等に利用可能である。
【符号の説明】
【0260】
1…発光ダイオード、2…化合物半導体層、3…機能性基板、3a…垂直面、3b…傾斜面、4…n型オーミック電極(第1の電極)、5…p型オーミック電極(第2の電極)、6…第3の電極、7…発光部、8…歪調整層、9…下部クラッド層、10…発光層、11…上部クラッド層、12…歪発光層、13…バリア層、14…GaAs基板、15…緩衝層、16…コンタクト層、41…発光ダイオードランプ、42…マウント基板、43…n電極端子、44…p電極端子、45,46…金線、47…エポキシ樹脂、α…角度、51…発光ダイオード、53…GaAs基板、54…反射構造体、55…機能性基板、56…n型オーミック電極(第1の電極)、58…p型オーミック電極(第2の電極)、61…第1の金属層、62…第2の金属層、64…透明導電膜、65…反射層、71…発光ダイオード、72…金属層、73…金属層、75…機能性基板
【特許請求の範囲】
【請求項1】
n(≧1)層の歪発光層、及び(n−1)層のバリア層よりなる発光層を有するpn接合型の発光部を備え、
前記発光層は、1層の歪発光層と、1層のバリア層とが交互に積層された構成とされており、
前記nを1〜7とし、かつ前記発光層の厚さを250nm以下にしたことを特徴とする発光ダイオード。
【請求項2】
前記歪発光層の組成式は、(AlXGa1−X)YIn1−YP(0≦X≦0.1、0.37≦Y≦0.46)であることを特徴とする請求項1記載の発光ダイオード。
【請求項3】
前記歪発光層の組成式が、GaXIn1−XP(0.37≦X≦0.46)であることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。
【請求項4】
前記発光部と、該発光部に積層された歪調整層と、を少なくとも含む化合物半導体層を有することを特徴とする請求項1ないし3のうち、いずれか1項記載の発光ダイオード。
【請求項5】
前記化合物半導体層は、光取り出し面を有し、前記光取り出し面の反対側に位置する前記化合物半導体層の面に接合される機能性基板を設けたことを特徴とする請求項4記載の発光ダイオード。
【請求項6】
前記機能性基板は、光透過性基板であることを特徴とする請求項5に記載の発光ダイオード。
【請求項7】
前記機能性基板の材質は、GaPであることを特徴とする請求項5または6に記載の発光ダイオード。
【請求項8】
前記化合物半導体層の前記光取り出し面側に設けられた第1及び第2の電極と、前記機能性基板の裏面に設けられた接続用の第3の電極と、をさらに備えたことを特徴とする請求項5ないし7のうち、いずれか1項記載の発光ダイオード。
【請求項9】
前記化合物半導体層と前記機能性基板とが反射構造体を介して接合されていることを特徴とする請求項5に記載の発光ダイオード。
【請求項10】
前記機能性基板の材質は、金属であることを特徴とする請求項5または請求項9のいずれかに記載の発光ダイオード。
【請求項11】
前記機能性基板の材質は、GaP、Si、Geのいずれかであることを特徴とする請求項5または請求項9のいずれかに記載の発光ダイオード。
【請求項12】
前記化合物半導体層の前記光取り出し面側に設けられた第1の電極と、前記化合物半導体層と反射構造体の間に設けられた第2の電極と、を備えたことを特徴とする請求項5、請求項9から請求項11のうち、いずれか1項記載の発光ダイオード。
【請求項13】
前記歪発光層の厚さが、8〜30nmの範囲内であることを特徴とする請求項1ないし12のうち、いずれか1項記載の発光ダイオード。
【請求項14】
前記歪調整層は、前記発光部が発光した際の光を透過可能であると共に、前記歪発光層及び前記バリア層の格子定数よりも小さい格子定数を有することを特徴とする請求項4ないし13のうち、いずれか1項記載の発光ダイオード。
【請求項15】
前記バリア層の組成式は、(AlXGa1−X)YIn1−YP(0.3≦X≦0.7、0.48≦Y≦0.52)であることを特徴とする請求項1ないし14のうち、いずれか1項記載の発光ダイオード。
【請求項16】
前記発光部は、前記歪発光層の上下面のうち、少なくとも一方の面にクラッド層を有し、前記クラッド層の組成式が(AlXGa1−X)YIn1−YP(0.5≦X≦1、0.48≦Y≦0.52)であることを特徴とする請求項1ないし15のうち、いずれか1項記載の発光ダイオード。
【請求項17】
前記歪調整層の組成式は、(AlXGa1−X)YIn1−YP(0≦X≦1、0.6≦Y≦1)であることを特徴とする請求項4ないし16のうち、いずれか1項記載の発光ダイオード。
【請求項18】
前記歪調整層の組成式は、AlXGa1−XAs1−YPY(0≦X≦1、0.6≦Y≦1)であることを特徴とする請求項4ないし17のうち、いずれか1項記載の発光ダイオード。
【請求項19】
前記歪調整層の材質は、GaPであることを特徴とする請求項4ないし18のうち、いずれか1項記載の発光ダイオード。
【請求項20】
前記歪調整層の厚さは、0.5〜20μmの範囲内であることを特徴とする請求項4ないし19のうち、いずれか1項記載の発光ダイオード。
【請求項21】
前記機能性基板の側面は、前記化合物半導体層に近い側において前記光取り出し面に対して略垂直である垂直面と、前記化合物半導体層に遠い側において前記光取り出し面に対して内側に傾斜し、かつ該垂直面と一体に構成された傾斜面と、を有することを特徴とする請求項5ないし20のうち、いずれか1項に記載の発光ダイオード。
【請求項22】
前記歪発光層の発光波長700nmにおける発光強度が、ピーク発光波長における発光強度の10%未満であることを特徴とする請求項1ないし21のうち、いずれか1項記載の発光ダイオード。
【請求項23】
前記光取り出し面は、粗い面を含むことを特徴とする請求項5ないし22のうち、いずれか1項記載の発光ダイオード。
【請求項24】
植物育成の光合成の促進に使用するための発光ダイオードであって、前記発光部の発光スペクトルのピーク発光波長が、655〜675nmの範囲であることを特徴とする請求項1ないし23のうち、いずれか1項記載の発光ダイオード。
【請求項25】
前記発光スペクトルの半値幅は、10〜40nmの範囲内であることを特徴とする請求項24に記載の発光ダイオード。
【請求項26】
前記発光部の応答速度が、35ns以下であることを特徴とする請求項1ないし25のうち、いずれか1項記載の発光ダイオード。
【請求項27】
表面に電極端子が形成されたマウント基板と、
請求項1ないし26のうち、いずれか1項記載の発光ダイオードと、を備え、
前記発光ダイオードは、前記マウント基板に実装されており、
前記発光ダイオードは、前記電極端子と電気的に接続されていることを特徴とする発光ダイオードランプ。
【請求項28】
前記発光ダイオードに設けられた前記第1又は第2の電極と、前記機能性基板に設けられた前記第3の電極と、を略同電位に接続したことを特徴とする請求項27に記載の発光ダイオードランプ。
【請求項1】
n(≧1)層の歪発光層、及び(n−1)層のバリア層よりなる発光層を有するpn接合型の発光部を備え、
前記発光層は、1層の歪発光層と、1層のバリア層とが交互に積層された構成とされており、
前記nを1〜7とし、かつ前記発光層の厚さを250nm以下にしたことを特徴とする発光ダイオード。
【請求項2】
前記歪発光層の組成式は、(AlXGa1−X)YIn1−YP(0≦X≦0.1、0.37≦Y≦0.46)であることを特徴とする請求項1記載の発光ダイオード。
【請求項3】
前記歪発光層の組成式が、GaXIn1−XP(0.37≦X≦0.46)であることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。
【請求項4】
前記発光部と、該発光部に積層された歪調整層と、を少なくとも含む化合物半導体層を有することを特徴とする請求項1ないし3のうち、いずれか1項記載の発光ダイオード。
【請求項5】
前記化合物半導体層は、光取り出し面を有し、前記光取り出し面の反対側に位置する前記化合物半導体層の面に接合される機能性基板を設けたことを特徴とする請求項4記載の発光ダイオード。
【請求項6】
前記機能性基板は、光透過性基板であることを特徴とする請求項5に記載の発光ダイオード。
【請求項7】
前記機能性基板の材質は、GaPであることを特徴とする請求項5または6に記載の発光ダイオード。
【請求項8】
前記化合物半導体層の前記光取り出し面側に設けられた第1及び第2の電極と、前記機能性基板の裏面に設けられた接続用の第3の電極と、をさらに備えたことを特徴とする請求項5ないし7のうち、いずれか1項記載の発光ダイオード。
【請求項9】
前記化合物半導体層と前記機能性基板とが反射構造体を介して接合されていることを特徴とする請求項5に記載の発光ダイオード。
【請求項10】
前記機能性基板の材質は、金属であることを特徴とする請求項5または請求項9のいずれかに記載の発光ダイオード。
【請求項11】
前記機能性基板の材質は、GaP、Si、Geのいずれかであることを特徴とする請求項5または請求項9のいずれかに記載の発光ダイオード。
【請求項12】
前記化合物半導体層の前記光取り出し面側に設けられた第1の電極と、前記化合物半導体層と反射構造体の間に設けられた第2の電極と、を備えたことを特徴とする請求項5、請求項9から請求項11のうち、いずれか1項記載の発光ダイオード。
【請求項13】
前記歪発光層の厚さが、8〜30nmの範囲内であることを特徴とする請求項1ないし12のうち、いずれか1項記載の発光ダイオード。
【請求項14】
前記歪調整層は、前記発光部が発光した際の光を透過可能であると共に、前記歪発光層及び前記バリア層の格子定数よりも小さい格子定数を有することを特徴とする請求項4ないし13のうち、いずれか1項記載の発光ダイオード。
【請求項15】
前記バリア層の組成式は、(AlXGa1−X)YIn1−YP(0.3≦X≦0.7、0.48≦Y≦0.52)であることを特徴とする請求項1ないし14のうち、いずれか1項記載の発光ダイオード。
【請求項16】
前記発光部は、前記歪発光層の上下面のうち、少なくとも一方の面にクラッド層を有し、前記クラッド層の組成式が(AlXGa1−X)YIn1−YP(0.5≦X≦1、0.48≦Y≦0.52)であることを特徴とする請求項1ないし15のうち、いずれか1項記載の発光ダイオード。
【請求項17】
前記歪調整層の組成式は、(AlXGa1−X)YIn1−YP(0≦X≦1、0.6≦Y≦1)であることを特徴とする請求項4ないし16のうち、いずれか1項記載の発光ダイオード。
【請求項18】
前記歪調整層の組成式は、AlXGa1−XAs1−YPY(0≦X≦1、0.6≦Y≦1)であることを特徴とする請求項4ないし17のうち、いずれか1項記載の発光ダイオード。
【請求項19】
前記歪調整層の材質は、GaPであることを特徴とする請求項4ないし18のうち、いずれか1項記載の発光ダイオード。
【請求項20】
前記歪調整層の厚さは、0.5〜20μmの範囲内であることを特徴とする請求項4ないし19のうち、いずれか1項記載の発光ダイオード。
【請求項21】
前記機能性基板の側面は、前記化合物半導体層に近い側において前記光取り出し面に対して略垂直である垂直面と、前記化合物半導体層に遠い側において前記光取り出し面に対して内側に傾斜し、かつ該垂直面と一体に構成された傾斜面と、を有することを特徴とする請求項5ないし20のうち、いずれか1項に記載の発光ダイオード。
【請求項22】
前記歪発光層の発光波長700nmにおける発光強度が、ピーク発光波長における発光強度の10%未満であることを特徴とする請求項1ないし21のうち、いずれか1項記載の発光ダイオード。
【請求項23】
前記光取り出し面は、粗い面を含むことを特徴とする請求項5ないし22のうち、いずれか1項記載の発光ダイオード。
【請求項24】
植物育成の光合成の促進に使用するための発光ダイオードであって、前記発光部の発光スペクトルのピーク発光波長が、655〜675nmの範囲であることを特徴とする請求項1ないし23のうち、いずれか1項記載の発光ダイオード。
【請求項25】
前記発光スペクトルの半値幅は、10〜40nmの範囲内であることを特徴とする請求項24に記載の発光ダイオード。
【請求項26】
前記発光部の応答速度が、35ns以下であることを特徴とする請求項1ないし25のうち、いずれか1項記載の発光ダイオード。
【請求項27】
表面に電極端子が形成されたマウント基板と、
請求項1ないし26のうち、いずれか1項記載の発光ダイオードと、を備え、
前記発光ダイオードは、前記マウント基板に実装されており、
前記発光ダイオードは、前記電極端子と電気的に接続されていることを特徴とする発光ダイオードランプ。
【請求項28】
前記発光ダイオードに設けられた前記第1又は第2の電極と、前記機能性基板に設けられた前記第3の電極と、を略同電位に接続したことを特徴とする請求項27に記載の発光ダイオードランプ。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【公開番号】特開2012−39049(P2012−39049A)
【公開日】平成24年2月23日(2012.2.23)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2010−183207(P2010−183207)
【出願日】平成22年8月18日(2010.8.18)
【出願人】(000002004)昭和電工株式会社 (3,251)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成24年2月23日(2012.2.23)
【国際特許分類】
【出願日】平成22年8月18日(2010.8.18)
【出願人】(000002004)昭和電工株式会社 (3,251)
【Fターム(参考)】
[ Back to top ]