【課題】窓電極層からの光抽出効率の向上およびｐ型ＧａＮに接する窓電極層の接触抵抗の低減を同時に達成する。
【解決手段】単結晶ｎ型ＩＴＯ透明電極膜１１はＩｎだけでなくＧａをも含有し、単結晶ｎ型ＩＴＯ透明電極膜（１１）は、０．０８以上０．５以下のＧａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）のモル比を有し、単結晶ｎ型ＩＴＯ透明電極膜１１は、１．１ｎｍ以上５５ｎｍ以下の厚みを有する。この発光ダイオードは、単結晶ｎ型ＺｎＯ透明電極膜１２上に形成された複数の単結晶ＺｎＯロッド１３をさらに具備する。単結晶ＺｎＯロッドの各先端部は、複数の針の形状を有するように分岐している。単結晶ＺｎＯロッドの各下部は、下方向の突起を有する。 （もっと読む）

【課題】改良された窒化物系発光ヘテロ構造を提供する。
【解決手段】窒化物系発光ヘテロ構造は、電子供給層１８と、正孔供給層２２とを含み、それらの間に光発生構造２０が配置される。光発生構造は、各々が傾斜組成を有するバリア層３４のセットと、各々が少なくとも１つのバリア層と隣接する量子井戸３２のセットとを含む。特性の１つ以上を改良するために、各量子井戸の厚みなどのさらなる特徴を選択し／ヘテロ構造に取り入れ得る。さらに、傾斜組成を含む１つ以上の追加層が、光発生構造の外側のヘテロ構造に含まれ得る。傾斜組成層により、電子は、光発生構造の量子井戸に入る前にエネルギーを失うことで、電子は、量子井戸でより効率的に正孔と再結合できるようになる。 （もっと読む）

【課題】本発明は発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の発光素子は、基板と、前記基板に形成された発光構造とを含む。発光構造は、第一発光波長を有する第一活性層と、第二発光波長を有する第二活性層とを含み、第一活性層と第二活性層は交互積み重ねて発光構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】長寿命、低抵抗で、高い発光効率（特に内部量子効率）を保持した発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】ｐ型クラッド層と、（Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘ）_ｙＩｎ_１−ｙＰ（０≦ｘ≦０．６，０．４≦ｙ≦０．６）からなる３層以上の活性層及び該活性層よりＡｌ含有率ｘが高い２層以上の障壁層が交互に積層された多重活性層部と、ｎ型クラッド層とを有する化合物半導体基板を用いて製造された発光素子であって、障壁層は、ｎ型クラッド層に近い側の障壁層に比べ、ｐ型クラッド層に近い側の障壁層の方がバンドギャップが小さく、かつ、化合物半導体基板は、多重活性層部とｎ型クラッド層の間に、又は、ｎ型クラッド層中に、超格子障壁層を有するものである発光素子。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高い光出力の発光ダイオードチップの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光ダイオードチップの製造方法は、サファイア基板にＳｉＯ_２パターン層を形成するステップと、前記サファイア基板の表面に半導体発光構造を成長させるステップと、ドライエッチング方法により、前記半導体発光構造を複数の発光区域に分割することで、半導体発光構造の上表面からサファイア基板に延伸する分割溝を形成し、前記ＳｉＯ_２パターン層の一部を露出させるステップと、バッファ酸化物エッチング液で前記ＳｉＯ_２パターン層を除去し、前記半導体発光構造とサファイア基板との間にスルーホールを形成させるステップと、各々の前記発光区域の一部をエッチングして電極プラットフォームを形成し、半導体発光構造に電極を設置するステップと、分割溝に沿ってサファイア基板を切断するステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】動作電圧を低減した半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子の製造方法は、ｎ形の第１半導体層と、ｐ形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられ、前記第２半導体層から前記第１半導体層に向かう第１方向に沿って積層され窒化物半導体を含む複数の障壁層と、前記障壁層どうしの間に設けられＩｎを含む窒化物半導体を含む井戸層と、を含む発光層と、を備えた半導体発光素子の製造方法であって、前記障壁層の形成は、反応炉内を第１温度よりも低い第２温度に設定して第１低温度形成層を形成する工程と、前記第１低温度形成層を形成した後、前記反応炉内を前記第１温度に設定して高温度形成層を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】高速応答性と高出力性とを兼ね備えた赤外光を発光する発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置を提供する。
【解決手段】組成式（Ｉｎ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１）Ａｓ（０≦Ｘ１≦１）の化合物半導体からなる井戸層、及び、組成式（Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２）Ａｓ（０≦Ｘ２≦１）の化合物半導体からなるバリア層を交互に積層した量子井戸構造の活性層１１と、該活性層１１を挟む第１のクラッド層９と第２のクラッド層１３とを有する発光部７と、発光部７上に形成された電流拡散層８と、電流拡散層８に接合された機能性基板３とを備え、第１及び第２のクラッド層９、１３が組成式（Ａｌ_Ｘ３Ｇａ_１−Ｘ３）_Ｙ１Ｉｎ_１−Ｙ１Ｐ（０≦Ｘ３≦１，０＜Ｙ１≦１）の化合物半導体からなり、井戸層及びバリア層のペア数が５以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 基板の面内方向のキャリア拡散と基板垂直方向のキャリア注入を高効率に行うことのできる、シリコン発光素子用の活性層および該活性層の製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】 シリコン発光素子に用いる活性層であり、シリコン化合物からなる第１の層と、該第１の層よりもバンドギャップが大きいシリコン化合物からなる第２の層とが基板上に交互に積層された多層膜構造を有する。また、複数のシリコンナノ粒子が多層膜構造の中に設けられている。第１の層に含まれるシリコン原子の量は、第２の層に含まれるシリコン原子の量よりも多く、複数のシリコンナノ粒子のうちの少なくとも一つは、前記第１の層と前記第２の層との境界面のうち少なくとも一つの面を越えて存在する。 （もっと読む）

【課題】垂直型発光ダイオード（ＶＬＥＤ）ダイの逆バイアス状態のモレ電流を低減する。
【解決手段】垂直型発光ダイオード（ＶＬＥＤ）ダイ１０Ａは、ｐ型閉じ込め層１２Ａと、光を放射するように構成されたｐ型閉じ込め層上の活性層１４Ａと、活性層を保護するように構成された少なくとも１つのエッチング停止層２２Ａを有するｎ型閉じ込め構造１６Ａとを含む。垂直型発光ダイオード（ＶＬＥＤ）ダイを製造する方法は、キャリア基板２４Ａを提供するステップと、少なくとも１つのエッチング停止層を有するｎ型閉じ込め構造をキャリア基板に形成するステップと、ｎ型閉じ込め構造に活性層を形成するステップと、活性層にｐ型閉じ込め層を形成するステップと、キャリア基板を除去するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】光の取り出し効率が高くかつ放熱性のよい発光装置を提供することにある。
【解決手段】棒状のｎ型ＧaＮからなる半導体コア１１と、上記半導体コア１１の一部を覆うように形成されたｐ型ＧaＮからなる半導体層１２とを有すると共に、半導体コア１１の一部の外周面が露出した棒状構造発光素子１０と、棒状構造発光素子１０の長手方向が実装面に平行になるように棒状構造発光素子１０が実装された絶縁性基板１６とを備える。 （もっと読む）