【課題】半導体素子パターンを変更することなく、劈開が進む方向を補正することができる半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】単結晶ウェハ１１（ウェハ）上に、複数の半導体素子パターン１２を行列状に形成する。単結晶ウェハ１１上の複数の半導体素子パターン１２の形成領域とは離れた領域にダミーパターン１３を形成する。ダミーパターン１３に、半導体素子パターン１２の行間を分ける所望の劈開ライン１５を挟む２つの側辺１４ａと、所望の劈開ライン１５と交差する底辺１４ｂとを有する切り欠き１４を形成する。所望の劈開ライン１５に沿って切り欠き１４の底辺１４ｂにおいて単結晶ウェハ１１にキズ１７を形成する。キズ１７を起点として切り欠き１４の開口方向に向かって単結晶ウェハ１１を結晶面に沿って劈開する。 （もっと読む）

【課題】投入電力を増大させて成膜速度を高めても、溶融状態のガリウムあるいはガリウムを含む材料のスパッタリングを可能にするターゲット構造とこれを備えたスパッタリング装置。
【解決手段】金属材料からなる保持部の上にガリウムあるいはガリウムを含む材料が配置されてなるターゲット構造であって、前記ガリウムあるいはガリウムを含む材料との界面にあたる前記保持部の表面上に、溶融状態のガリウムあるいはガリウムを含む材料との接触角が３０°以下である薄膜が形成されていることを特徴とするターゲット構造。当該ターゲット構造を有するスパッタリング装置。 （もっと読む）

【課題】光の常時照射による受光素子の温度上昇を防ぐことが可能な技術を提供する。
【解決手段】投光装置１は、レーザ光を発する赤外線半導体レーザと、入射されたレーザ光を伝送する光伝送路と、赤外線半導体レーザと光伝送路との間に配置され、レーザ光を光伝送路に向けて集光させる光学素子と、光学素子を移動させて、レーザ光の集光位置を変位させる変位手段と、光伝送路からの出射光を周期的に走査して投光面に画像信号に応じた画像を表示させる光走査手段ＬＳと、光走査手段ＬＳによって走査された出射光を断続的に受光する受光素子ＰＤ１と、受光素子ＰＤ１の出力信号に応じて変位手段を制御し、レーザ光の集光位置を光伝送路の入射口に導く制御部ＣＮとを備えている。これによれば、受光素子ＰＤ１は断続的に出射光を受光するので、光の常時照射による受光素子の温度上昇を防ぐことが可能になる。 （もっと読む）

【課題】発光層に印加される歪みを均一化することにより半導体素子の発光特性を向上させることが可能な半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体素子の製造方法は、ｎ型ＧａＮ基板１上の共振器方向（Ａ方向）に互いに隣接する素子形成領域２５に、リッジ部７の端部７ａが劈開線５００ａ上に配置されるように、かつ、リッジ部７が共振器方向（Ａ方向）に連続しないように、リッジ部７を含む半導体素子層８を形成する工程と、半導体素子層８を形成する工程に先立って、ｎ型ＧａＮ基板１の半導体素子層８を形成する領域の周囲を囲むようにエッチングを行うことにより、ｎ型ＧａＮ基板１に溝部１ｄを形成する工程と、劈開線５００ａに沿って、共振器方向に隣接する半導体素子層８が形成された素子形成領域２５を分割する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】簡便に変換光のみを結合させることができ、かつ部品点数を減らすことで、信頼性の高いレーザ光発生装置を提供すること。
【解決手段】半導体レーザ１と、半導体レーザ１から出射される基本光を波長変換する第二高調波発生素子２とを少なくとも備えたレーザ光発生装置１０であって、
第二高調波発生素子２から出射される基本光及び変換光がセルフォックレンズ３に導入され、変換光がコリメートして出射されるように構成したこと。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体のクラックの発生を抑制し、かつ端面において保護膜の剥がれが生じず、良好な特性を有する窒化物半導体レーザ素子を提供することを目的とする。
【解決手段】第１導電型の窒化物半導体層と、活性層と、第１導電型とは異なる導電型の第２導電型の窒化物半導体層とを順に有する窒化物半導体層と、該窒化物半導体層の共振器端面に形成された保護膜とを備えてなる窒化物半導体レーザ素子であって、前記保護膜は、少なくとも光出射面側の共振器端面において、窒化物半導体層の積層方向に、結晶の軸配向が変化する膜である窒化物半導体レーザ素子。 （もっと読む）

【課題】チップ化におけるクラックの発生による歩留まりの低下が抑制された、六方晶構造の基板を有する半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】極性面を主面とする六方晶構造の窒化物系化合物半導体からなる半導体層を基板上に積層したウェハを複数の半導体装置に分割する半導体装置の製造方法であって、半導体層の主面２０１に直交する（１−１００）面の法線方向、及びその（１−１００）面に直交する（１１−２０）面の法線方向とそれぞれ平行に切断面を設定するステップと、（１−１００）面の法線方向と平行な切断線に沿って、半導体層の主面から半導体層と基板との境界面の中間地点まで溝を形成するステップと、切断線に沿ってウェハを切断して、主面２０１と直交する非極性面である４つの側面２０２〜２０３を主面に隣接させた複数の半導体装置に分割するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】 生産性の高い半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 加工対象物１に対して、切断予定ライン５ａ，５ｂに沿っての切断起点領域８ａ，８ｂの形成を予め行う。ここで、切断起点領域８ｂは、加工対象物１の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより形成される改質領域７ｂを有するものであり、しかも、切断予定ライン５ｂに沿った部分のうち、切断予定ライン５ａと交差する部分３４ｂを除いて形成される。これにより、切断起点領域８ａを起点として加工対象物１を切断する際に、切断起点領域８ｂの影響力が極めて小さくなり、精度の良い劈開面を有するバーを確実に得ることができる。従って、複数のバーのそれぞれに対して、切断予定ライン５ｂに沿っての切断起点領域の形成を行うことが不要となり、半導体レーザ素子の生産性を向上させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】光半導体素子の樹脂封止を一括して行うことができる光半導体素子封止用シートを用いて、ＬＥＤ素子保護性と耐久性に優れる光半導体装置を簡便に製造する方法、及び該製造方法に用いる光半導体素子封止用シートを提供すること。
【解決手段】樹脂シートＡに不連続に複数の樹脂層Ｂが充填されてなる光半導体素子封止用シートを用いて、前記樹脂層Ｂと基板に搭載された複数の光半導体素子とを対向させて、各素子を各樹脂層Ｂ内にそれぞれ埋設することを特徴とする、光半導体装置の製造方法、ならびに、該製造方法に用いる、光半導体素子封止用シート。 （もっと読む）

【課題】チップ形状の歩留りに優れた半導体レーザ装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に発光領域２を備えた複数のチップを製造する半導体レーザ装置の製造方法は、発光領域が形成された側の第１の主面と対向する第２の主面上に、レーザ出射方向５と平行な方向に、第１の溝４を破線状に形成する工程と、レーザ出射方向５と垂直な方向に劈開することにより、該劈開面を共振器面とする複数のレーザアレイを形成する工程と、第２の主面上に、破線状に形成された第１の溝４に連続するように第２の溝１０を形成する工程と、第１の主面側から、レーザアレイを第２の溝１０に沿って劈開することにより、複数のチップを形成する工程とを備える。 （もっと読む）