【課題】歩留まりの安定化に向けての生産管理の簡単化を図ることができる半導体光素子及び半導体光デバイスを提供する。
【解決手段】半導体光素子１１Ａでは、半導体層１３の積層方向に形成された溝を識別マーク２５Ａとしており、この溝を出射端面Ｌに露出するように形成していることで、識別マーク２５Ａが光の出射端面Ｌ側から見て認識可能となっている。このため、半導体光素子１１Ａにレンズキャップ３を被せてパッケージ化し、半導体光デバイス１とした後であっても、球レンズ７を通して識別マーク２５Ａを認識することが可能となる。したがって、レンズキャップ３の固定後に別の識別番号を付与し直す必要がなくなるので、歩留まりの安定化に向けての生産管理の簡単化を図ることができる。 （もっと読む）

本発明は、半導体コンポーネント配列体１０／４０を熱的に接触させることに関する。半導体コンポーネント配列体１０／４０の両側に配置される２つの熱伝導体２０，３０のうちの少なくとも１つ２０／３０を、力５３を加えた状態で、金属層５２によって半導体コンポーネント配列体１０／４０の接触表面１２／４６と接触させ、金属層５２は係止媒介物の凝固中に融解し、２つの熱伝達体２０，３０間にその全領域にわたって接着結合を形成する。
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【課題】選択エッチング層のエッチング時の自然酸化による影響で化合物半導体層の損傷、結晶の転移が発生せず、信頼性の高い半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体基板８上に、選択エッチング層３、応力緩和層９および応力緩和層９より大きいヤング率を有するIII−Ｖ族化合物半導体から成る化合物半導体層４をエピタキシャル成長法により順次積層させる積層工程と、選択エッチング層３、応力緩和層９および化合物半導体層４を所定パターンとなるようにエッチング除去するエッチング工程と、Ｓｉ基板５の主面に化合物半導体層４の上面を直接接合法により接合させて、選択エッチング層３、応力緩和層９および化合物半導体層４が積層された化合物半導体基板８を貼りあわせる接合工程と、前記エッチング工程で残った選択エッチング層３をさらにエッチング除去することにより、Ｓｉ基板５と化合物半導体基板８とを分離する分離工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザ出力メイン回路への負荷の挿入を極力抑え、且つ、複雑な外部微調整を必要としない電流モニタ及び過電流検出を行うことのできる半導体レーザ駆動装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体レーザ駆動装置は、駆動電流により半導体レーザを駆動する半導体レーザ駆動装置であって、前記駆動電流の１／αの駆動モニタ電流を出力する駆動電流モニタ端子と、前記駆動電流モニタ端子に接続され前記駆動モニタ電流を電流／電圧変換する抵抗と、前記駆動電流モニタ端子が基準電圧に達したことを検出する検出手段とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 光学素子の入射側および出射側の光結合が容易で、小型かつ安価なレンズ機能付き複合光学素子を提供する。
【解決手段】 レンズ機能複合型光学素子は、屈折率ｎ１を有する第１球面レンズ１ａと、屈折率ｎ２を有する第２球面レンズ１ｂと、それらの間に配置された光学素子３とを備えている。屈折率ｎ１およびｎ２は相違しており、第１球面レンズ１ａの曲率中心とだい２球面レンズ１ｂの曲率中心とが一致している。入射側および出射側の開口数を異ならせ、レンズ機能を備えた安価な複合型光学素子とすることができる。 （もっと読む）

【課題】素子特性および歩留まりを向上させることが可能な窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】この窒化物半導体レーザ素子１５０（窒化物半導体発光素子）は、結晶成長面１ａを有し、結晶成長面１ａから厚み方向に掘り込まれた掘り込み領域３と、掘り込まれていない領域である非掘り込み領域４とを含むｎ型ＧａＮ基板１と、掘り込み領域３に形成され、窒化物半導体の結晶成長を抑制する成長抑制膜５と、ｎ型ＧａＮ基板１の結晶成長面１ａ上に形成されたｎ型クラッド層１１を含む半導体素子層１０とを備えている。上記掘り込み領域３は、凹部２を含んでおり、上記成長抑制膜５は、凹部２内における結晶成長面１ａより低い位置に形成されている。 （もっと読む）

【課題】劈開面の損傷を低減可能な、半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】素子区画２１を有する第１の領域２２と、第１の領域２２に隣接し、ｘ軸の方向に延在する第２の領域２３と、第２の領域上２３において複数の劈開基準線２５上にそれぞれ設けられた突起２４と、第２の領域２３において複数の劈開基準線２５上にそれぞれ設けられた複数のスクライブ溝４２と、を含む半導ブロック４０を形成する工程と、複数のスクライブ溝４２のうちの第１のスクライブ溝４２ａに合わせて押圧力を加えて半導体ブロック４０を劈開して、第１のレーザバー４３ａを作製する工程と、複数のスクライブ溝４２のうちの第２のスクライブ溝４２ｂに合わせて押圧力を加えて第２のレーザバー４３ｂを作製する工程と、を備え、半導体ブロック４０は、主面１７及び該主面の反対側の面である裏面１８ｂを有し、押圧力は、裏面１８ｂに加えられる。 （もっと読む）

【課題】歩留まりの高い半導体レーザの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザの製造方法は、（１）ＩｎＰ基板上に、第１導電型のＩｎＰクラッド層、活性層、第２導電型のＩｎＰクラッド層、及び、キャップ層を形成する工程と、（２）キャップ層上に、誘電体膜を形成する工程と、（３）誘電体膜をマスクとして、エッチングにより、第１導電型のクラッド層、活性層、及び、第２導電型のＩｎＰクラッド層を含むメサ構造を形成する工程と、（４）メサ構造の側面に埋込層を形成する工程と、（５）誘電体膜を除去する工程と、（６）前記メサ構造上のキャップ層を除去する工程と、（７）キャップ層を除去する工程により生成された生産物をふっ酸を含む溶液に浸漬する工程とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】発光デバイスと受光素子との距離間隔を所定値に調整し、発光デバイスをヒートシンクに押圧することのできる発光デバイスの検査治具を提案する。
【解決手段】デバイス検査ボードが、給電ソケットと、ヒートシンクと、ヒートシンクとそれに載置された発光デバイスを受光検査ボードに向かって付勢する圧縮バネ部材と、ストッパ部材とを有し、また、受光検査ボードが、各検査セクションにおいて、受光素子を支持する支持ブロックを有し、さらに、各検査セクションには、受光素子と対向する方向における発光デバイスの移動に応じて支持ブロックを移動させる応動手段が設けられ、デバイス検査ボードと受光検査ボードとを互いに押圧する中で、発光デバイスとそれに対応する受光素子との距離間隔を所定値に調整し、発光デバイスをヒートシンクに押圧する。 （もっと読む）

【課題】個片化された半導体レーザチップの端面を該端面に傷や欠けを生じることなく明瞭に合否判定できる半導体レーザチップ端面検査装置及び検査方法を提供する。
【解決方法】半導体レーザチップ端面検査装置は、ステージ6と光源2a,2bと検出器5等を具備しており、光源2a,2bおよび検出器5が所定の仰角となるように配置された状態で、光源2a,2bそれぞれの照射下に、シート1に保持された半導体レーザチップ4の端面部分を撮像して第１および第２の撮像画像を取得し、前記第１の撮像画像と第２の撮像画像とを基に前記半導体レーザチップ4の端面の形状を検査するように構成されている。 （もっと読む）