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国際特許分類[H01S5/02]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 誘導放出を用いた装置 (18,077) | 半導体レーザ (12,571) | レーザ作用にとって本質的ではない構造的な細部または構成 (4,096)

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【課題】レーザ照射装置から照射されるレーザ光のコヒーレンスを低減することにより、目の安全が確保される照明装置を低コストに提供する。
【解決手段】レーザ照射装置2から照射されるレーザ光により蛍光体3を励起して可視光を得て、その可視光を照明光として利用する照明装置1において、レーザ光の光軸L上およびその周辺部に光散乱材4を配置した。 (もっと読む)


本発明の種々の実施の形態はモノリシックVCSELアレイを対象とし、モノリシックVCSELアレイにおいて、各VCSELは、異なる波長においてレーザ光を放射するように構成することができる。一実施の形態では、モノリシック面発光レーザアレイは、反射層と、発光層102と、2つ以上の非周期的なサブ波長回折格子を用いて構成される回折格子層112とを備える。各回折格子は反射体とともに空洞共振器を形成するように構成されており、各回折格子は、1つ以上の内部共振器モードを実現し、かつ回折格子を通って放射される1つ以上の外部横モードを実現する回折格子パターンを用いて構成される。 (もっと読む)


【課題】外部温度の影響を受けても安定した出力のグリーンレーザを発振することのできる波長変換素子の温度制御方法を提供する。
【解決手段】波長変換素子の温度制御を行う際に、あらかじめ、外部温度毎にレーザ出力が最大となる目標温度を求め、外部温度と目標温度とを関連付けてテーブルに作成する。波長変換動作時に、あらかじめ作成したテーブルを用いて、波長変換動作時の外部温度に応じた目標温度で波長変換素子の温度制御を行う。更に位相整合温度の経時変化に追従して目標温度を変更することを特徴とする。このように、外部温度に応じた目標温度で波長変換動作を行い、位相整合温度の経時変化にも追従することにより、外部温度の影響を受けても、波長変換したレーザの出力を安定して発振させることができる。 (もっと読む)


【課題】光源から出射されるレーザ光の収光精度が高い光源装置を提供する。
【解決手段】光源装置100は、レーザ光を出射する半導体レーザ110と、半導体レーザからのレーザ光を光束に変換するカップリングレンズ120と、カップリングレンズからのレーザ光が入射されるシリンドリカルレンズ130とを備える。シリンドリカルレンズ130は、レンズ部132と、レンズ部の外周に配置された外周部136と、外周部から半導体レーザ側へ延び、カップリングレンズを支持する支持部138とが一体に形成されたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】高コスト化を招くことなく、光量変動の少ない安定した光を射出することができる光デバイスを提供する。
【解決手段】 カバーガラス300は、レーザチップの射出面に対して傾斜角17°で傾斜して、パッケージ部材200に安価な樹脂系接着剤で固定されている。そして、パッケージ部材200におけるカバーガラス300を支持している部分の一部には、接着剤が塗布されていない。この場合は、カバーガラス300として、安価な無反射ガラス板を用いても、戻り光がレーザチップの活性層の中に侵入することを防ぐことができる。 (もっと読む)


【課題】 レーザスクライブで溝を形成する際に溝の内面に付着した堆積物を、効果的に除去することができるスクライブ方法を提供する。
【解決手段】 基板のスクライブラインを、スクライブラインの延在する方向に長いビームスポットを持つ第1のレーザビームで走査することにより、スクライブラインに沿った溝を形成する。この走査時に、ビームスポットの中心近傍の第1の領域が通過するときに溝を形成する。溝が形成された後、第1の領域よりも外側の、パワー密度の低い第2の領域が通過するときに、溝の底部に付着している堆積物を除去する。 (もっと読む)


【課題】透過光強度が最小となる点に直流バイアス電流を追い込むことが可能な原子発振
器を提供する。
【解決手段】アルカリ金属原子に電磁誘起透過現象を発生させるための共鳴光対を生成す
る半導体レーザー1と、アルカリ金属原子を封入したcell2と、cell2を透過し
た共鳴光対を検出するPD3と、PD3の出力信号をデジタル信号に変換するA/Dコン
バーター4と、A/Dコンバーター4により変換されたデジタル信号を記憶するメモリ6
と、メモリ6へデジタル信号を書き込み、メモリ6に記憶されたデジタル信号を読み出す
メモリ制御部5と、メモリ6に既に記憶されているデジタルデータとA/Dコンバーター
4により変換されたデジタル信号とを比較する比較部7と、比較結果に基づき半導体レー
ザー1に与える直流バイアス電流を制御する電流源制御部8と、半導体レーザー1に直流
バイアス電流を供給する電流源9と、を備えて構成されている。 (もっと読む)


【課題】半導体光デバイスの検査のためのEL測定において、この測定のために半導体光デバイスに行われる加工による影響を低減できる半導体光デバイスの検査方法を提供すること。
【解決手段】基板、基板上において所定の軸方向に延在する半導体メサ、及び半導体メサを埋め込む埋込層を含む半導体積層体と、半導体積層体の表面上の絶縁膜と、絶縁膜及び半導体メサの主面上に設けられた第一電極と、基板に設けられた第二電極と、を含む半導体光デバイスを準備する工程(S1)と、絶縁膜上の第一電極に、エレクトロルミネッセンスを観察するための開口を形成する工程(S2)と、開口を形成した後に、第一電極と第二電極とを電源に接続する工程(S3)と、半導体光デバイスに電流を印加してエレクトロルミネッセンス発生させる工程(S4)と、開口を介したエレクトロルミネッセンスのパターンを検査する工程(S6)とを備える半導体光デバイスの検査方法。 (もっと読む)


【課題】歩留まりの安定化に向けての生産管理の簡単化を図ることができる半導体光素子及び半導体光デバイスを提供する。
【解決手段】半導体光素子11Aでは、半導体層13の積層方向に形成された溝を識別マーク25Aとしており、この溝を出射端面Lに露出するように形成していることで、識別マーク25Aが光の出射端面L側から見て認識可能となっている。このため、半導体光素子11Aにレンズキャップ3を被せてパッケージ化し、半導体光デバイス1とした後であっても、球レンズ7を通して識別マーク25Aを認識することが可能となる。したがって、レンズキャップ3の固定後に別の識別番号を付与し直す必要がなくなるので、歩留まりの安定化に向けての生産管理の簡単化を図ることができる。 (もっと読む)


【課題】特性を向上させることができる窒化物半導体素子、その窒化物半導体素子の製造方法および窒化物半導体発光素子、ならびに結晶性を向上させることができるとともに表面の平坦性に優れた窒化物半導体層の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化珪素層上に窒化珪素層の表面に対して傾いた表面を有する第1の窒化物半導体層を積層した後に、第1の窒化物半導体層上に第2の窒化物半導体層を積層する窒化物半導体層の製造方法、その窒化物半導体層を含む窒化物半導体素子および窒化物半導体発光素子ならびにその窒化物半導体素子の製造方法である。 (もっと読む)


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