【課題】１つの配光部が故障した場合でも、定められた所定の領域に投光することができ、かつ、全体として小型化が可能な投光装置を実現する。
【解決手段】投光装置１の複数の照明ユニット２ａ〜２ｅは、所定の領域を分割して投光し、複数の照明ユニット２ａ〜２ｅのうちの１つの照明ユニットからの配光による投光領域であり、かつ上記所定の領域である領域は、他のいずれかの照明ユニットからの配光による投光領域と重なっている。 （もっと読む）

【課題】光の利用効率を高めることができる照明装置を提供する。
【解決手段】ヘッドランプ１は、蛍光体発光部４と、蛍光体発光部４から出射された出射光を反射し、外部へ投光するリフレクタ５と、上記出射光のうち、リフレクタ５に向かわない出射光の少なくとも一部をリフレクタ５の略焦点位置に配置された蛍光体発光部４が有する所定の面に向けて反射するミニミラー８とを備えている。ミニミラー８の光軸は、上記所定の面の法線に対して傾いている。 （もっと読む）

【課題】台形歪み補正を行う画像表示装置において、投射光が装置の載置面に遮られることを防止する。
【解決手段】側壁に設けられたスクリーン１５上に画面を投写する光学エンジンユニット１３と、光学エンジンユニットの投写角度を検出する加速度センサ９５と、加速度センサにより検出された投写角度に応じて画面の台形歪みを補正する画面補正部９６とを備え、画面補正部は、補正後の画面の縦方向の長さを補正前の画面に比べて小さくすると共に、補正後の画面の上辺を前記補正前の画面の上辺に重ねるように台形歪みを補正する構成とした。 （もっと読む）

【課題】半導体発光デバイスが破損されることなくエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）を観察できるエレクトロルミネッセンスの観察方法を提供する。
【解決手段】半導体発光デバイス１の第２の電極３２の一部及び基板１０の一部を研磨して、半導体発光デバイス１に研磨面１１を形成する。研磨面１１を形成した後に、第１の電極３１が接触面４０ａに接するように、半導体発光デバイス１ａを支持体４０の上に載置する。プローブ４３を第２の電極３２ａに押し付け、プローブ４３と変形した支持体４０とにより半導体発光デバイス１ａを挟んで、半導体発光デバイス１ａを保持する。第１の電極３１と第２の電極３２との間の印加電流に応答するエレクトロルミネッセンスを半導体発光デバイス１ａに発生させる。研磨面１１を介して該エレクトロルミネッセンスを観察する。 （もっと読む）

【課題】高い歩留まりで製造することができる面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 基板１０１、下部半導体ＤＢＲ１０３、共振器構造体、上部半導体ＤＢＲ１０７、コンタクト層１０９などを有している。メサの上面における辺縁部は、最外周部に向かって厚さが小さくなるテーパ面を有する誘電体層１１１ａで被覆され、該テーパ面の基板面に対するテーパ角δは、メサにおける側面の基板面に対する傾斜角θよりも小さい。この場合は、カバレージ良く配線を形成することが可能となり、製造歩留まりを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】目的に応じた様々な光を放射可能な一つの光源システムを提供すること。
【解決手段】光源システムは、１次光を射出する半導体レーザ１０−１と、１次光の光学的性質を変換し、２次光を生成する光変換素子を含む光変換ユニットを着脱可能な、１次光の光路上に設けられた接続部５０のコネクタ５２と、を具備する光源ユニット１００−１を有している。また、複数の光変換ユニット２００−１，２００−２，２２０−３により構成される光変換ユニット群を具備している。光変換ユニット群に属する光変換ユニット２００−１，２００−２，２２０−３は全て、接続部５０により、光源ユニット１００−１と接続可能である。よって、光源ユニット１００−１に光変換ユニット２００−１，２００−２，２００−３を組み合わせが可能なように、互換性のある接続部５０で接続することで、少ない部材で様々な照明光を実現することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】高輝度光源として機能し、かつアイセーフティの高い発光装置、照明装置および車両用前照灯を提供する。
【解決手段】ヘッドランプ１は、レーザ光を出射する半導体レーザ３と、半導体レーザから出射されたレーザ光を受けて蛍光を発する蛍光物質およびレーザ光を拡散させる拡散粒子を含む発光部７とを備えている。半導体レーザから出射されたレーザ光を受けて、発光部に含まれる蛍光物質が発光し、照明光として利用する。レーザ光はコヒーレント性（空間的コヒーレンシ）が高いので、発光部を小さくしても、その発光部に対する励起光の照射効率を高くすることができ、高輝度な照明装置を実現できる。 （もっと読む）

【課題】それぞれ電気コネクタ部を有し平行に配置された少なくとも一対のプリント基板と、少なくとも一対の送受信用光モジュールとを、寸法が規格化された筐体内部に容易に収容でき、かつ小型化できる光トランシーバを提供する。
【解決手段】光トランシーバ１０を、筐体１１と、筐体１１の内部に間隔をあけて平行に設けられた送信用リジッド基板１２Ａおよび受信用リジッド基板１２Ｂと、筐体１１の内部で各リジッド基板１２Ａ，１２Ｂの外部位置に、当該リジッド基板１２Ａ，１２Ｂにフレキシブル基板１５Ａ，１５Ｂおよびモジュール実装用基板１３を介して接続されそれぞれ電気信号と光信号との相互変換を行う光モジュール１４Ａ，１４Ｂと、筐体１１の端部に装備された光コネクタ１７と、光モジュール１４Ａ，１４Ｂと光コネクタ１７とを接続する光ファイバアレイ１６Ａ，１６Ｂと、を備えて構成する。 （もっと読む）

【課題】発振歩留まりを改善可能な構造のIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】第１及び第２の割断面２７、２９の各々には、支持基体１７の端面１７ｃ及び半導体領域１９の端面１９ｃが現れる。レーザ構造体１３は第１及び第２の面１３ａ、１３ｂを含み、第１の面１３ａは第２の面１３ｂの反対側の面である。第１及び第２の割断面２７、２９の各々は、第１の面１３ａのエッジから第２の面１３ｂのエッジまで延在する。半導体領域１９はＩｎＧａＮ層２４を含む。半導体領域１９は、ＩｎＧａＮ層２４を含むことができる。割断面２９は、ＩｎＧａＮ層２４の端面２４ａに設けられた段差２６を含む。段差２６は、当該III族窒化物半導体レーザ素子１１の一方の側面２２ａから他方の側面２２ｂへの方向に延在する。段差２６は、割断面２７、２９において、ＩｎＧａＮ層２４の端面２４ａの一部分又は全体的に形成されることができる。 （もっと読む）

【課題】ウェハを分離する際のクラック形成を良好に行う観点で改善された半導体ウェハを提供する。
【解決手段】 半導体ウェハのエピタキシャル成長層を用いて、光半導体素子（具体的には、半導体レーザ）が、複数個、当該半導体ウェハの面方向に並べて形成されている。ＩｎＧａＡｓエピタキシャル層は、複数の光半導体素子の間に連続的に設けられ、当該ＩｎＧａＡｓエピタキシャル層の下の層を少なくとも当該ＩｎＧａＡｓエピタキシャル層より上の層に対して露出させる部分（具体的に言えば、開口部、或いは、溝）を備えている。この部分にスクライビングを行うことで、垂直進展したクラックを形成することができる。 （もっと読む）