【課題】Ｐ型電極の剥離を抑制できる窒化物半導体装置を得る。
【解決手段】この窒化物半導体装置１００は、Ｐ型窒化物半導体層１と、Ｐ型半導体層１上に形成されたリッジ部２と、リッジ部２の側面上およびＰ型窒化物半導体層１の上面上に形成され、酸化物系の材料からなる絶縁膜３と、リッジ部２の上面上および絶縁膜３の上面上に形成され、少なくともその下層に、酸化され易い材料を含有するＰ型電極４とを備える。 （もっと読む）

【課題】良好な平坦性を有する分割面を形成することが可能な発光素子の形成方法を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ素子１００（発光素子）の形成方法は、ｎ型ＧａＮ基板６０の表面上に活性層２４を有する半導体素子層２を積層して半導体レーザ素子部２０を形成する工程と、半導体レーザ素子部２０にスクライブ溝７０を形成する工程と、ｐ型Ｇｅ基板１０の半導体レーザ素子部２０が接合される側の表面にスクライブ溝７２を形成する工程と、ｐ型Ｇｅ基板１０と半導体レーザ素子部２０とを接合する工程と、ｐ型Ｇｅ基板１０および半導体レーザ素子部２０を、スクライブ溝７２（溝部７２ａ）およびスクライブ溝７０（クラック７１）に沿って劈開する工程とを備える。 （もっと読む）

本発明は、キャリア（５）と、半導体積層体を有する半導体ボディ（２）と、を備えている放射放出半導体チップ（１）に関する。半導体積層体は、放射を発生させるために設けられている活性領域（２０）と、第１の半導体層（２１）と、第２の半導体層（２２）とを有する。活性領域は、第１の半導体層と第２の半導体層との間に配置されている。第１の半導体層は、キャリアとは反対側の活性領域の面に配置されている。半導体ボディは、活性領域を貫いて延在している少なくとも１つの凹部（２５）を有する。第１の半導体層は、第１の接続層（３１）に導電接続されており、第１の接続層は、凹部の中に第１の半導体層からキャリアの方向に延在している。第１の接続層は、保護ダイオード（４）によって第２の半導体層に電気的に接続されている。さらには、放射放出半導体チップを製造する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】組み入れて構成する光ピックアップ装置の生産性が良好であるとともに、放熱効果が充分であり、半導体レーザチップや発光素子が熱により劣化するおそれを防止することのできる半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置は、発光素子である半導体レーザチップ５を搭載するための方形板状の搭載部１と、搭載部１の一辺に対して平行に延びる帯板状の第１リード４ａと、第１リード４ａに対して平行に延びる第２リード４ｂとを備えてなる。搭載部１、第１リード４ａおよび第２リード４ｂは、これらを一体に保持するための絶縁性樹脂からなる保持部としての枠状樹脂部２とともに一体成型により形成されている。搭載部１の裏面、第１リード４ａの裏面および第２リード４ｂの裏面は、これらの裏面の少なくとも一部どうしが互いに面一になるように構成された面一部分をさらに備えている。 （もっと読む）

【課題】歩留まりが良好で、特性の劣化が抑制された半導体レーザ装置とその製造方法、及び半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置は、ｎ型基板６と、ｎ型基板６上に形成されたｎ型クラッド層７と、ｎ型クラッド層７上に形成された活性層９と、活性層９上に形成され、活性層９の上面に達する開口部を有するｎ型電流ブロック層１１と、ｎ型電流ブロック層１１上に形成され、開口部を埋めるｐ型クラッド層１２とを備えている。平面的に見て開口部を挟んで設けられ、半導体レーザ素子の共振器端面となる端面領域において、ｐ型クラッド層１２を貫通し、底面が活性層９の上面よりも高い位置にあるへき開ガイド溝３が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 印字速度を低下させることなく高解像度化を実現する光走査装置、画像形成装置および光走査方法、半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体レーザ素子１は、発振波長が３００〜５００ｎｍのいわゆる青紫色レーザを放射する。このような波長帯域とすることで、感光体ドラム７表面への書き込みスポット径を小さくすることができ、書き込みドット間のピッチを小さくすることで、感光体ドラム７表面への静電潜像の書き込み解像度を高くすることができる。さらに、複数のレーザ光を同時に放射することで、印字速度を低下させずに静電潜像の書き込みを行うことができる。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧の印加が必要な外部光源を用いることなく、発光素子の出射端面に付着した有機物を分解除去して、素子劣化を防ぐことができる光半導体装置を得る。
【解決手段】レーザダイオード１０（発光素子）は、出射端面１０ａから光１２を出射する。レーザダイオード１０の出射端面１０ａにＴｉＯ_２膜１６（有機物付着防止膜）が形成されている。ＴｉＯ_２膜１６は、特定の波長の光が照射されると有機物を分解除去する光触媒反応を起こす。反射鏡１８は、レーザダイオード１０から出射された光１２の一部を反射して、ＴｉＯ_２膜１６に照射する。波長変換器２０は、ＴｉＯ_２膜１６に照射される光２２の波長を、ＴｉＯ_２膜１６が光触媒反応を起こすような波長に変換する。 （もっと読む）

【課題】高い波長変換効率と広い波長幅とを併せ持ち、ディスプレイ用光源として好適なレーザ装置を提供する。
【解決手段】複数の発光点１０ａを有する半導体レーザ１０、半導体レーザ１０と共に共振器を構成するブラッグ反射構造１１（回折格子）、ブラッグ反射構造１１から出力された光（基本波）の波長変換を行い２次高調波を発生する非線形光学素子１２を備えている。ブラッグ反射構造１１は、発光点１０ａの配列方向(幅方向)に沿って格子の周期が変化しており、入射光毎に反射波長が異なる。半導体レーザ１とブラッグ反射構造１１で共振される光はブラッグ反射波長にロックされると共に互いの波長が異なる基本波Ｌ１となる。非線形光学素子１２では幅方向射に沿って分極反転周期が異なり、各基本波と２次高調波とは擬似位相整合条件を満たす。 （もっと読む）

【課題】分割工程における歩留まりを向上させることが可能な半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ素子（半導体素子）の製造方法では、サファイア基板１１を含む選択成長下地１５上に、複数の半導体レーザ素子領域となる部分を有する半導体レーザ素子部５０を形成する工程と、半導体レーザ素子部５０の少なくとも一部の領域上に、サファイア基板１１（選択成長下地１５）よりも平面的な大きさが小さい支持基板３１を接合する工程と、支持基板３１と接合された半導体レーザ素子部５０を選択成長下地１５から除去する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体素子層のｐｎ接合部分が電気的に短絡するのを抑制することが可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ素子（半導体発光素子）５０は、半導体レーザ素子部１０と、所定の金属（たとえばＡｌなど）からなる金属基板３０とを備える。そして、半導体レーザ素子部１０は、金属基板３０の表面で支持されるとともに、金属基板３０の側面は、半導体レーザ素子部１０を支持する側の金属基板３０の表面と鋭角をなす傾斜面３１を有している。 （もっと読む）