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国際特許分類[H01S5/02]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 誘導放出を用いた装置 (18,077) | 半導体レーザ (12,571) | レーザ作用にとって本質的ではない構造的な細部または構成 (4,096)

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【課題】表面に二次元コードが形成された半導体素子に機械的ストレス又は熱ストレスが加わると、その半導体素子にクラックが発生する虞があった。
【解決手段】半導体素子2は、側面に劈開面3を有しており、表面には2次元コード6が形成されている。2次元コード6は、半導体素子2の表面における形状が四角形である単位セル8がその表面から突出する又は凹むように形成されたマトリックスコードであり、単位セル8を構成する辺はへき開面3に対して傾いている。 (もっと読む)


本発明は、発光装置3と光リサイクル装置5とを有する光源1であって、前記光リサイクル装置5が、前記発光装置3の光路7中に位置する光源1に関する。前記光リサイクル装置5は、少なくとも1つの光リサイクル部材9であって、前記少なくとも1つの光リサイクル部材9を通過する光の少なくとも1つの物理的特性を変化させるための少なくとも1つの光リサイクル部材9と、前記光リサイクル部材9において生成される熱を伝導することが可能な少なくとも1つの熱伝導部材10、11とを有し、前記熱伝導部材10、11は、前記光リサイクル部材9及び少なくとも1つのヒートシンク12と熱的に接触している。本発明は、更に、対応するリサイクル装置5に関する。
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【課題】WDMフィルタが反射したLDからの光が所定の方向に導かれ、集光レンズが所定の位置へ配されるよう行う、各種部品の位置や向きの調整にかかる時間を短縮した1パッケージ型一心双方向光モジュール(Bi−D)の提供。
【解決手段】Bi−D1は、LD2及びPD3等の素子が実装されたステム6に、少なくとも集光レンズ7aが固定されたレンズキャップ7を、上記素子の実装面を覆って取り付けて構成されるパッケージ内に、LD2が出射する送信光を反射し、PD3が受光する受信光を透過するWDMフィルタ4を備える。WDMフィルタ4が、レンズキャップ7に集光レンズ7aの光軸に対する角度を規定して固定され、レンズキャップ7が、集光レンズ7aの光軸がWDMフィルタ4が反射した送信光の方向及びPD3の受光面と一致するようステム6との相対的な位置及び向きが調整されて、ステム6に取り付けられる。 (もっと読む)


【課題】レーザーダイオードを用いて光信号を伝送する際に、伝送レートが高くなった場合においても、符号間干渉の抑制を実現する。
【解決手段】入力信号に応じた変調電流信号(IM)を発生するMPG121と、入力信号の立ち上がりと立ち下がりを検出するエッジ検出器(ED)124と、エッジ検出器124の立ち上がりの検出結果に基づくパルス信号(VRE)に応じて、立ち上がりエンファシスパルス信号(IRE)を発生するREPG122と、エッジ検出器124の立ち下がりの検出結果に基づくパルス信号(VFE)に応じて、立ち下がりエンファシスパルス信号(IFE)を発生するFEPG123を具備する。そして、変調電流信号(IM)、立ち上がりエンファシスパルス信号(IRE)及び立ち下がりエンファシスパルス信号(IFE)を合わせた信号を、駆動電流信号(IOUT)としてレーザーダイオード110に与えるようにする。 (もっと読む)


照明手段(1)の少なくとも1つの実施形態において、照明手段(1)は少なくとも1つの半導体レーザ(2)を有しており、半導体レーザ(2)は360nm以上485nm以下の波長の一次放射(P)を放出するように形成されている。照明手段(1)はさらに少なくとも1つの変換手段(3)を有しており、変換手段(3)は半導体レーザ(2)に後置されており、一次放射(P)の少なくとも一部を、一次放射(P)とは異なるより大きな波長を有する二次放射(S)に変換するように形成されている。この場合、照明手段(1)から放出される放射(R)は最大で50μmのコヒーレンス長を有する。
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【課題】波長変換素子の汚損を光触媒でクリーニングする。
【解決手段】基本波光または第2高調波光が照射される波長変換素子の面に光触媒膜を形成すると共に、光触媒活性化光源より基本波光および第2高調波光とは異なる波長の光触媒活性化光を出力し、光学機構により基本波光および第2高調波光の光軸と交差する方向から光触媒活性化光を光触媒膜に照射する。
【効果】レーザ装置としてのパワーとは別に十分なパワーで光触媒を活性化できる。出力光の波長によって活性化されうる光触媒が制限されない。出力光または基本波光の光軸と光触媒活性化光の光軸を合わせる光軸調整作業を必要としない。 (もっと読む)


【課題】 インダクタを負荷とするバッファ回路を備える帰還型レーザ駆動回路において、バッファ回路の差動トランジスタの耐圧を確保し、高品質で安定した高速動作を実現。
【解決手段】 レーザダイオードにバイアス電流を供給するレーザバイアス回路と、第1のバッファ回路、エミッタフォロワ回路、第2のバッファ回路を順次接続し、レーザダイオードの発光強度を変調する変調信号をレーザバイアス回路に出力する変調回路とを備えたレーザ駆動回路において、変調回路の差動出力端子LDP,LDNとレーザバイアス回路はDC結合によって接続され、差動出力端子LDP,LDNとエミッタフォロワ回路の入力との間にフィードバック素子を負帰還接続し、電源と差動出力端子LDP,LDNとの間に第2のバッファ回路の負荷としてインダクタを接続し、第2のバッファ回路と差動出力端子LDP,LDNとの間にクランプ回路を接続した構成である。 (もっと読む)


【課題】劈開面に擦りキズの発生を低減可能な、半導体バーを作製する方法を提供する。
【解決手段】移動機構を用いて、第1のシート27aと第2のシート27bとに挟まれた基板生産物41、半導体バー39及び半導体片37を支持台29上において移動して、基板生産物41の位置決めを行う。この位置決めにより、基板生産物41の一端及び基板生産物41のスクライブ溝25がそれぞれ支持台29の第2の支持面29c及び凹部29b上に位置する。この結果、半導体バー39及び半導体片37は凸部29d上に位置する。支持台29において基板生産物41のスクライブ溝25の位置への押圧Fによって基板生産物41を劈開して、半導体バー43及び新たな基板生産物45を作製する。半導体バー43は、劈開面35a、39aを有する。新たな基板生産物41は劈開面41aを有する。 (もっと読む)


【課題】光トランシーバのメンテナンスの簡素化を可能とする。
【解決手段】光トランシーバは、当該トランシーバの異常を検出したときアラーム信号を生成する異常検出部と、アラーム信号に応答して発光する発光部とを備える。また光トランシーバは、アラーム信号に応答して光トランシーバとコネクタとの接続を解除する接続解除部を備えてもよい。異常が発生したとき、ユーザは異常のある光トランシーバを視認することができる。 (もっと読む)


【課題】容易に小型化できる光送信モジュールを提供する。
【解決手段】レーザドライバ4は、プリント回路板7から出力されるデータ信号を受け付ける。レーザドライバ4は、クロック信号出力装置8から出力されるクロック信号を受け付ける。レーザドライバ4は、クロック信号に基づいてデータ信号を補正する。光変調器5は、レーザドライバ4により補正されたデータ信号を受け付けて、データ信号に応じた光を出射する。 (もっと読む)


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